JPH01251331A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH01251331A JPH01251331A JP63076067A JP7606788A JPH01251331A JP H01251331 A JPH01251331 A JP H01251331A JP 63076067 A JP63076067 A JP 63076067A JP 7606788 A JP7606788 A JP 7606788A JP H01251331 A JPH01251331 A JP H01251331A
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- JP
- Japan
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- recording medium
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は光ビームの照射により記録層に原子配列の変化
に伴う光学的特性の変化を生じさせて、情報の記録、消
去を繰返し行ない、この光学的特性の変化を検出して情
報が再生される情報記録媒体に関する。
に伴う光学的特性の変化を生じさせて、情報の記録、消
去を繰返し行ない、この光学的特性の変化を検出して情
報が再生される情報記録媒体に関する。
（従来の技術）
情報の記録、消去の繰返しが可能な情報記録媒体として
、光ビームの照射による相変化を利用したものが開発さ
れている。
、光ビームの照射による相変化を利用したものが開発さ
れている。
このような情報記録媒体に情報を記録する際には、まず
光ビームを記録媒体全面照射して記録層を結晶性の高い
状態（以下結晶状経とする）とする。次に情報を記録す
るために、短い強いパルス光を記録層に照射して加熱し
急冷して記録層を原子配列が乱れた状態（以下、非晶質
状態とする）とする。記録された情報を消去する場合に
は、長い弱いパルス光を記録層に照射して加熱し徐冷し
て非晶質状態から再び結晶状態に・戻す。このような結
晶状態と非晶質状態とでは原子配列の変化に伴って反射
率、透過率等の光学的特性が変化するため、この光学的
特性の変化を検出することにより、記録した情報を再生
している。
光ビームを記録媒体全面照射して記録層を結晶性の高い
状態（以下結晶状経とする）とする。次に情報を記録す
るために、短い強いパルス光を記録層に照射して加熱し
急冷して記録層を原子配列が乱れた状態（以下、非晶質
状態とする）とする。記録された情報を消去する場合に
は、長い弱いパルス光を記録層に照射して加熱し徐冷し
て非晶質状態から再び結晶状態に・戻す。このような結
晶状態と非晶質状態とでは原子配列の変化に伴って反射
率、透過率等の光学的特性が変化するため、この光学的
特性の変化を検出することにより、記録した情報を再生
している。
このような相変化を利用した情報記録媒体としては、特
開昭６０−１７９９５２号、特開昭６０−１７９９５３
号、特開昭６１−６８０６号公報等がある。これらの公
報においては、記録層の組成としてＡｕ ｙ、 Ｔｅ
１６０−ｘ、 Ａｇ Ｘ Ｔｅ １．ｏ−Ｘ（１０≦
工≦４０原子％）等が提案されている。
開昭６０−１７９９５２号、特開昭６０−１７９９５３
号、特開昭６１−６８０６号公報等がある。これらの公
報においては、記録層の組成としてＡｕ ｙ、 Ｔｅ
１６０−ｘ、 Ａｇ Ｘ Ｔｅ １．ｏ−Ｘ（１０≦
工≦４０原子％）等が提案されている。
しかしこれらの材料では、記録状態の安定性は得られる
が、記録に必要なエネルギーが大きいため、記録、消去
特性面で問題点が残った。
が、記録に必要なエネルギーが大きいため、記録、消去
特性面で問題点が残った。
（発明が解決しようとする課題）
以上詳述したように従来のＡｕ ＊ Ｔｅ ｌ０Ｑ−ｘ
）Ａｇ ｘ Ｔｅ ＋ｏｏ−ｘ （１０≦Ｘ≦４０
）を材料として用いた情報記録媒体では、結晶化の速度
が遅い、耐酸化性が不十分であるといった理由から実用
化が困難であった。
）Ａｇ ｘ Ｔｅ ＋ｏｏ−ｘ （１０≦Ｘ≦４０
）を材料として用いた情報記録媒体では、結晶化の速度
が遅い、耐酸化性が不十分であるといった理由から実用
化が困難であった。
本発明では、上記欠点を解消し、記録、消去特性に優れ
た情報記録媒体を提供することを目的とする。
た情報記録媒体を提供することを目的とする。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明の情報記録媒体は、記録層の平均組成がＳｎ２Ｓ
ｂ６Ｓｅ、＋であることを特徴とするものである。
ｂ６Ｓｅ、＋であることを特徴とするものである。
（作用）
本発明の情報記録媒体の記録層は、Ｓｎ２Ｓｂ ６ Ｓ
ｅ １１からなる合金である。この組成の金属間化合物
を形成する組成である。金属間化合物は合金の成分元素
の原子数が一定の整数比を保ち、それらの成分原子が単
位となって結晶格子中で特定の位置を占めている合金で
ある。・このため、この組成の結晶は単一相となり非晶
質から結晶質への相転移が起こる際、短距離の原子移動
で結晶化するため、結晶化速度が極めて速い。
ｅ １１からなる合金である。この組成の金属間化合物
を形成する組成である。金属間化合物は合金の成分元素
の原子数が一定の整数比を保ち、それらの成分原子が単
位となって結晶格子中で特定の位置を占めている合金で
ある。・このため、この組成の結晶は単一相となり非晶
質から結晶質への相転移が起こる際、短距離の原子移動
で結晶化するため、結晶化速度が極めて速い。
またこの合金は、カルコゲン元素であるＳｅを含むため
、非晶質状態を安定に保持させることができる。
、非晶質状態を安定に保持させることができる。
本発明に用いられる情報記録媒体の構造を示す断面図は
第１図に示す通りである。
第１図に示す通りである。
この情報記録媒体は、基板１２．記録層１３および有機
保護層１４とから構成されている。基板１２はガラスや
プラスチック材料（例えば、ポリメチルメタクリレート
樹脂やポリカーボネート樹脂など）からなるものである
。この基板１２上には、光ビームの照射により層変化を
生じる記録層１３が形成される。この記録層１３の平均
組成はＳｎ２Ｓｂ６Ｓｅ１１である。さらに、この記録
層１３上に紫外線硬化樹脂等からなる有機保護層１４が
形成されている。
保護層１４とから構成されている。基板１２はガラスや
プラスチック材料（例えば、ポリメチルメタクリレート
樹脂やポリカーボネート樹脂など）からなるものである
。この基板１２上には、光ビームの照射により層変化を
生じる記録層１３が形成される。この記録層１３の平均
組成はＳｎ２Ｓｂ６Ｓｅ１１である。さらに、この記録
層１３上に紫外線硬化樹脂等からなる有機保護層１４が
形成されている。
また、本発明で用いられる情報記録媒体は第２図及び第
３図に示すような構造であってもよい。
３図に示すような構造であってもよい。
第２図に示す情報記録媒体では、記録層１３の経時変化
を防ぐために金属、半金属の酸化物、弗化物、硫化物、
窒化物等からなる無機物保護層１５が記録層１３を挟ん
だ構造となっている。第３図に示す情報記録媒体では、
前記無機物保護層１５を形成する材料中に記録層１３を
形成する材料が分散した複合層１６を有する構造となっ
ている。
を防ぐために金属、半金属の酸化物、弗化物、硫化物、
窒化物等からなる無機物保護層１５が記録層１３を挟ん
だ構造となっている。第３図に示す情報記録媒体では、
前記無機物保護層１５を形成する材料中に記録層１３を
形成する材料が分散した複合層１６を有する構造となっ
ている。
次に前記情報記録媒体１０の製造方法を第４図及び第５
図に沿って説明する。第４図は本発明に用いられる成膜
装置の側面図であり、第５図は第４図に示した・成膜装
置の底面図である。
図に沿って説明する。第４図は本発明に用いられる成膜
装置の側面図であり、第５図は第４図に示した・成膜装
置の底面図である。
この成膜装置は、真空器１７．排出ボート１８゜排気装
置１９．ガス導入ボート２０．アルゴンガスボンベ２１
．支持装置２２．スパッタ源２４ａ。
置１９．ガス導入ボート２０．アルゴンガスボンベ２１
．支持装置２２．スパッタ源２４ａ。
２４ｂ、２４ ｃ及びモニタ装置２６ａ、２６ｂ。
２６ｃとから構成されている。
真空容器１７は排出ポート１８を介して排気装置１９に
接続されており、また、ガス導入ボート２０を介してア
ルゴンガスボンベ２１に接続されている。真空容器１７
中上部には、支持装置２２が設けられ、この支持装置に
水平に基板１２が支架されており、基板１２は支持装置
２２を軸に回転することができる。また、真空容器１７
中底部には、基板１２に対面してスパッタ源２４ａ、２
４ｂ、２４ｃが設けられており、これらスパッタ源には
高周波電源が接続されている。また、スパッタ源２３．
２４の上方にはモニター装置２６ａ。
接続されており、また、ガス導入ボート２０を介してア
ルゴンガスボンベ２１に接続されている。真空容器１７
中上部には、支持装置２２が設けられ、この支持装置に
水平に基板１２が支架されており、基板１２は支持装置
２２を軸に回転することができる。また、真空容器１７
中底部には、基板１２に対面してスパッタ源２４ａ、２
４ｂ、２４ｃが設けられており、これらスパッタ源には
高周波電源が接続されている。また、スパッタ源２３．
２４の上方にはモニター装置２６ａ。
２６ｂ、２６ｃが設置されている。
この装置を用いて基板１２に記録層を成膜する場合には
、まず排気装置１９により容器内の空気を排気し、続い
てアルゴンガスボンベ２１よりアルゴンガスを導入して
容器内を所定の圧力に保持する。そして基板１２を回転
させつつ、スパッタ源２４ａ、２４ｂ、２４ｃに所定時
間電力を印加する。モニタ装置２６ａ、２６ｂ、２６ｃ
は各々スパッタ源からの元素のスパッタ量をモニタし、
このモニタした量が所定の値になるように各スパッタ源
に投入する電力を調節するようになっている。これによ
り基板１２に記録層が形成される。
、まず排気装置１９により容器内の空気を排気し、続い
てアルゴンガスボンベ２１よりアルゴンガスを導入して
容器内を所定の圧力に保持する。そして基板１２を回転
させつつ、スパッタ源２４ａ、２４ｂ、２４ｃに所定時
間電力を印加する。モニタ装置２６ａ、２６ｂ、２６ｃ
は各々スパッタ源からの元素のスパッタ量をモニタし、
このモニタした量が所定の値になるように各スパッタ源
に投入する電力を調節するようになっている。これによ
り基板１２に記録層が形成される。
（実施例）
一実験１−
本実験では多元同時スパッタ法により記録膜を形成した
。
。
真空容器内に所望のＳｎ２Ｓｂ６Ｓｅ＋ｔのスパッタ源
を設け、容器内を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気し
た。次にＡｒガスを導入し５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒに
全体の圧力を調節した。基板として充分洗浄した外径１
３０ ｍｍ、板厚１，２■の円板状カーボネート基板を
用い、この基板を６ Ｏｒｐｍで回転しつつモニタによ
り各元素のスパッタ量をモニタして各スパッタ源に投入
する電力を制御し、全体の膜厚が１００ＯＡになるまで
各元素を堆積させて記録層を成膜した。
を設け、容器内を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気し
た。次にＡｒガスを導入し５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒに
全体の圧力を調節した。基板として充分洗浄した外径１
３０ ｍｍ、板厚１，２■の円板状カーボネート基板を
用い、この基板を６ Ｏｒｐｍで回転しつつモニタによ
り各元素のスパッタ量をモニタして各スパッタ源に投入
する電力を制御し、全体の膜厚が１００ＯＡになるまで
各元素を堆積させて記録層を成膜した。
更にこの記録層上に有機保護層として紫外線硬化樹脂を
約１０μｌスピンコータによりオーバーコートし、紫外
線を照射して硬化させ所望する組成の情報記録媒体を形
成した。
約１０μｌスピンコータによりオーバーコートし、紫外
線を照射して硬化させ所望する組成の情報記録媒体を形
成した。
一実験例２−
実験例１に示した方法により１．記録層の組成がＳｎ
２ Ｓｂ ｂ Ｓｅ Ｉ’ｌの試料と、この試料の比較
例としてのＳｂ Ｓｅの２ＦＩｉ類の試料を作成した。
２ Ｓｂ ｂ Ｓｅ Ｉ’ｌの試料と、この試料の比較
例としてのＳｂ Ｓｅの２ＦＩｉ類の試料を作成した。
これらの試料を温度６５℃、湿度９０％ＲＨの環境に５
００時間暴露し、このときの初期反射率（Ｒｉ）と経時
反射率（Ｒｔ）との比（Ｒｔ／Ｒ１）を検出した。この
結果を第６図に示す。この検出結果からもわかる通り、
Ｓｂ Ｓｅ組成の試料では反射率変化がみられるのに対
して、Ｓｎ２Ｓｂ 、 Ｓｅ 、、からなる試料では経
時反射率は初期反射率とほとんど変化がみられず安定で
あった。
００時間暴露し、このときの初期反射率（Ｒｉ）と経時
反射率（Ｒｔ）との比（Ｒｔ／Ｒ１）を検出した。この
結果を第６図に示す。この検出結果からもわかる通り、
Ｓｂ Ｓｅ組成の試料では反射率変化がみられるのに対
して、Ｓｎ２Ｓｂ 、 Ｓｅ 、、からなる試料では経
時反射率は初期反射率とほとんど変化がみられず安定で
あった。
−実験例３−
実験例１に示した方法により記録層組成Ｓｎｚｓｂ６ｓ
ｅ１１膜厚１０１０００Ａｎ ｔ ｒｏｍの試料を作成
した（未照射部）。まず、この試料にビーム径約１μｍ
φに絞った６ｍＷ１５μｓの半導体レーザ光（波長８３
０ｎｍ）を照射すると、この照射部の反射率が変化した
（未記録部）。次に、１５ｍＷ３００ｎｓの半導体レー
ザ光（波長８３０ｎｍ）を照射すると、その照射部の反
射率は元に戻ることが確認された（記録部）。次いでこ
の記録部と未記録部の結晶状態を比較するため、透過型
電子顕微鏡を用いて回折パターンを観察した。この実験
で用いた試料から有機物保護層を剥離して記録層の状態
を回折パターンから観察したところ、レーザ光未照射部
に特有のハローパターンが認められた。また記録部では
、未記録部に近い非晶質特有のハローパターンが認めら
れた。さらに未記録部では、結晶構造を示す回折リング
とスポットができていることが観察された。
ｅ１１膜厚１０１０００Ａｎ ｔ ｒｏｍの試料を作成
した（未照射部）。まず、この試料にビーム径約１μｍ
φに絞った６ｍＷ１５μｓの半導体レーザ光（波長８３
０ｎｍ）を照射すると、この照射部の反射率が変化した
（未記録部）。次に、１５ｍＷ３００ｎｓの半導体レー
ザ光（波長８３０ｎｍ）を照射すると、その照射部の反
射率は元に戻ることが確認された（記録部）。次いでこ
の記録部と未記録部の結晶状態を比較するため、透過型
電子顕微鏡を用いて回折パターンを観察した。この実験
で用いた試料から有機物保護層を剥離して記録層の状態
を回折パターンから観察したところ、レーザ光未照射部
に特有のハローパターンが認められた。また記録部では
、未記録部に近い非晶質特有のハローパターンが認めら
れた。さらに未記録部では、結晶構造を示す回折リング
とスポットができていることが観察された。
−実験例４−
ここでは記録部の消去特性について評価した。
実験例１に示した方法により作成した記録層組成がＳｎ
２Ｓｂ ６Ｓｅ １１．膜厚１０００Ａｎ１０００Ａ
ｎの試料と、この比較例として記録層組成が５ｂＳｅ、
膜厚１０１０００Ａｎ ｔ ｒｏｍの試料を作成した。
２Ｓｂ ６Ｓｅ １１．膜厚１０００Ａｎ１０００Ａ
ｎの試料と、この比較例として記録層組成が５ｂＳｅ、
膜厚１０１０００Ａｎ ｔ ｒｏｍの試料を作成した。
各々の試料に対して、反射率が一定になるまで５ ｍ
Ｗ ４μｓのパルス光を繰返し照射し、各々の記録層を
結晶化させた。表はこのときの反射率が一定になるまで
のパルス照射回数を示したものである。Ｓｎ ２ Ｓｂ
６Ｓ、ｅ １１からなる記録層はＳｅ Ｓｂからなる
記録層と比較して、少ない照射回数で反射率が一定にな
り高速で結晶化がおこることが確認できた。
Ｗ ４μｓのパルス光を繰返し照射し、各々の記録層を
結晶化させた。表はこのときの反射率が一定になるまで
のパルス照射回数を示したものである。Ｓｎ ２ Ｓｂ
６Ｓ、ｅ １１からなる記録層はＳｅ Ｓｂからなる
記録層と比較して、少ない照射回数で反射率が一定にな
り高速で結晶化がおこることが確認できた。
表 パルス照射回数
［発明の効果］
以上説明したように本発明の情報記録媒体によれば、情
報の記録及び消去が高速で行うことができ、記録状態の
安定性に優れた十分実用に耐えうろことができるもので
ある。
報の記録及び消去が高速で行うことができ、記録状態の
安定性に優れた十分実用に耐えうろことができるもので
ある。
第１図乃至第３図は本発明で用いられる情報記録媒体の
層構造を示す断面図、第４図は成膜装置の断面図、第５
図は成膜装置の底面図、′Ｗ５６図は暴露時間と反射率
比を示すグラフである。 １２ ・・・ 基板 １３ ・・・ 記録層
層構造を示す断面図、第４図は成膜装置の断面図、第５
図は成膜装置の底面図、′Ｗ５６図は暴露時間と反射率
比を示すグラフである。 １２ ・・・ 基板 １３ ・・・ 記録層
Claims (1)
- 光ビームの照射により原子配列の変化を生じさせること
により、情報が記録、消去される記録層を有する情報記
録媒体において、前記記録層の平均組成がＳｎ＿２Ｓｂ
＿６Ｓｅ＿１＿１であることを特徴とする情報記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63076067A JPH01251331A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63076067A JPH01251331A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251331A true JPH01251331A (ja) | 1989-10-06 |
Family
ID=13594432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63076067A Pending JPH01251331A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01251331A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02243388A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP63076067A patent/JPH01251331A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02243388A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体 |
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