JPH01253193A - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JPH01253193A JPH01253193A JP63080461A JP8046188A JPH01253193A JP H01253193 A JPH01253193 A JP H01253193A JP 63080461 A JP63080461 A JP 63080461A JP 8046188 A JP8046188 A JP 8046188A JP H01253193 A JPH01253193 A JP H01253193A
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- JP
- Japan
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- back electrode
- conductive
- powders
- electroluminescence element
- hardened
- Prior art date
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- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エレクトロルミネッセンス素子（以下ＥＬ素
子と略す）に関し、特に大面積に均質な表示特性を持ち
、安定性の優れた直流印加型ＥＬ素子（ＤＣＥＬ素子と
略す）に関する。
子と略す）に関し、特に大面積に均質な表示特性を持ち
、安定性の優れた直流印加型ＥＬ素子（ＤＣＥＬ素子と
略す）に関する。
コンピュータ端末のフラットデイスプレィとして、種々
の構造のＥＬ素子が盛に研究されている。
の構造のＥＬ素子が盛に研究されている。
従来このようなＥＬ素子の一種に第１図に示すようなり
ＣＥＬ素子がある。このＤＣＥＬ素子はガラス基板ｌ上
にスズを添加した酸化インジウム（ＩＴＯ）の透明電極
２が形成され、その上にＺｎＳ ： ＭｎあるいはＺｎ
Ｓ：ＴｂなどのＥＬ発光層３が真空蒸着法、またはスパ
ッタリング法などで形成され、さらにその上にＣｕＯ＋
Ｍｎ０ｉ Ｉ Ｔｂ４０ｔ ＋ ＥｕｚＯｓ ＋Ｐｒ
（ｈなどの比較的高抵抗率物質の微粉末をバインダーで
固めた電流制御の働きをする抵抗層４がスプレー法で形
成され、最後にＡｌの背面電極５が真空蒸着法で形成さ
れた素子構造である。（例えば英国特許２１７６３４０
八）。
ＣＥＬ素子がある。このＤＣＥＬ素子はガラス基板ｌ上
にスズを添加した酸化インジウム（ＩＴＯ）の透明電極
２が形成され、その上にＺｎＳ ： ＭｎあるいはＺｎ
Ｓ：ＴｂなどのＥＬ発光層３が真空蒸着法、またはスパ
ッタリング法などで形成され、さらにその上にＣｕＯ＋
Ｍｎ０ｉ Ｉ Ｔｂ４０ｔ ＋ ＥｕｚＯｓ ＋Ｐｒ
（ｈなどの比較的高抵抗率物質の微粉末をバインダーで
固めた電流制御の働きをする抵抗層４がスプレー法で形
成され、最後にＡｌの背面電極５が真空蒸着法で形成さ
れた素子構造である。（例えば英国特許２１７６３４０
八）。
しかしながら、上記した従来のＤＣＥＬ素子に於いては
、真空蒸着法により形成されたＡ１薄膜を背面電極に用
いるため、ＥＬ発光動作時にＡ２電極の陽極酸化が局所
的に生じることにより電流集中を生じ、局所的に高温加
熱されて破壊を生じる問題があった。
、真空蒸着法により形成されたＡ１薄膜を背面電極に用
いるため、ＥＬ発光動作時にＡ２電極の陽極酸化が局所
的に生じることにより電流集中を生じ、局所的に高温加
熱されて破壊を生じる問題があった。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので
あって、透明な絶縁性基板上に、透明電極、発光層、抵
抗層および背面電極を順次積層したＥＬ素子において、
背面電極に導電性粉末を主成分とした導電性ペーストを
硬化固着させた導電層を用いる。
あって、透明な絶縁性基板上に、透明電極、発光層、抵
抗層および背面電極を順次積層したＥＬ素子において、
背面電極に導電性粉末を主成分とした導電性ペーストを
硬化固着させた導電層を用いる。
前記導電性粉末としては、酸化が起こりにくいＡｕ＋
ｐｔ、 Ａｇなどの貴金属、ＲｕＯ２、５ｎ０Ｈなどの
導電性酸化物あるいはカーボンの粉末が使用できるが、
中でもカーボン粉末が化学的に非常に安定であり、かつ
低抵抗体であるのでＥＬ素子の背面電極材料として最も
好ましい。
ｐｔ、 Ａｇなどの貴金属、ＲｕＯ２、５ｎ０Ｈなどの
導電性酸化物あるいはカーボンの粉末が使用できるが、
中でもカーボン粉末が化学的に非常に安定であり、かつ
低抵抗体であるのでＥＬ素子の背面電極材料として最も
好ましい。
上記導電性粉末の形状としては、導電性ペーストとして
取り扱える範囲の大きさであれば任意の大きさのものが
使用できる。内でも０．０２〜０．５μｍの微粒の粉末
が高い導電率を実現できるので好ましい。
取り扱える範囲の大きさであれば任意の大きさのものが
使用できる。内でも０．０２〜０．５μｍの微粒の粉末
が高い導電率を実現できるので好ましい。
父上記導電性粉末を含む導電性ペーストとしては、例え
ば導電性粉末、樹脂、有機溶媒等を混合した物等が例示
できる。又これに限らず塗布操作によって導電層を形成
できるものであればかまわない。
ば導電性粉末、樹脂、有機溶媒等を混合した物等が例示
できる。又これに限らず塗布操作によって導電層を形成
できるものであればかまわない。
上記導電性ペーストは、硬化固着されて電極として使用
されるが、例えば前記導電性粉末、樹脂、有機溶媒等の
混合物は乾燥することによって硬化・固着できる。
されるが、例えば前記導電性粉末、樹脂、有機溶媒等の
混合物は乾燥することによって硬化・固着できる。
本発明によれば、背面電極に導電性粉末、好ましくはカ
ーボン粉末を主成分とした導電性ペーストを硬化固着さ
せた導電層を用いているため、ＥＬ発光動作時に背面電
極が化学変化して導電性が損なわれることがなくなり、
素子の破壊を防止することができる。
ーボン粉末を主成分とした導電性ペーストを硬化固着さ
せた導電層を用いているため、ＥＬ発光動作時に背面電
極が化学変化して導電性が損なわれることがなくなり、
素子の破壊を防止することができる。
特に、カーボン粉末を用いた背面電極はＥＬ素子の表示
面側から入射した外部光を該背面電極が吸収して反射光
を減すので、高いコントラストの表示が得られる効果が
ある。
面側から入射した外部光を該背面電極が吸収して反射光
を減すので、高いコントラストの表示が得られる効果が
ある。
以下、本発明の実施例について説明する。第１図は本発
明に係るＥＬ素子の基本構造を示した断面図である。
明に係るＥＬ素子の基本構造を示した断面図である。
ガラス基板（１）上に、透明電極（２）をスパッタリン
グ法により約４００ｎｍの厚さのＩＴＯ膜で形成し、そ
の後ホトリソ−エツチング法により所定の電極形状にパ
ターニングした。
グ法により約４００ｎｍの厚さのＩＴＯ膜で形成し、そ
の後ホトリソ−エツチング法により所定の電極形状にパ
ターニングした。
次に、発光層（３）を真空蒸着法により、約１μｍの厚
さのＭｎがドープされたＺｎＳ膜で形成した。
さのＭｎがドープされたＺｎＳ膜で形成した。
次に： ＭｎＯ□の粉末がバインダー樹脂とシンナーの
混合液に分散された塗料をスプレー法で塗布し、続いて
乾燥して抵抗率が約ｌＸＩＯ３Ω■で膜厚が約２０μｍ
の抵抗層をべた膜で形成した。
混合液に分散された塗料をスプレー法で塗布し、続いて
乾燥して抵抗率が約ｌＸＩＯ３Ω■で膜厚が約２０μｍ
の抵抗層をべた膜で形成した。
次に、カーボンの粉末がバインダー樹脂とシンナーの混
合液に分散されたペースト（市販されているカーボンペ
ーストを使用）をスクリーン印刷法により背面電極の形
状に印刷し、続いて乾燥硬化して、抵抗率が約ｌＸｌ０
−”Ωｃｍで膜厚が約３０μｍの背面電極（５）を形成
した。
合液に分散されたペースト（市販されているカーボンペ
ーストを使用）をスクリーン印刷法により背面電極の形
状に印刷し、続いて乾燥硬化して、抵抗率が約ｌＸｌ０
−”Ωｃｍで膜厚が約３０μｍの背面電極（５）を形成
した。
次に、前記べた膜状の抵抗層をダイヤモンド針により、
前記背面電極（５）の溝部に当る部分をスクライブし、
背面電極と相似のパターン形状の抵抗層（４）を形成し
た。
前記背面電極（５）の溝部に当る部分をスクライブし、
背面電極と相似のパターン形状の抵抗層（４）を形成し
た。
本実施例におけるＥＬ素子は、従来の背面電極ＡＮを用
いたＥＬ素子が約１０００時間の発光動作で発光面積の
約２０％が背面電極の陽極酸化により局部的過電流が流
れるようになって破壊したのに対して、５％以下の破壊
が見られた程度で大幅に素子破壊が改善された。
いたＥＬ素子が約１０００時間の発光動作で発光面積の
約２０％が背面電極の陽極酸化により局部的過電流が流
れるようになって破壊したのに対して、５％以下の破壊
が見られた程度で大幅に素子破壊が改善された。
本発明によれば、背面電極に導電性粉末、好ましくはカ
ーボン粉末を主成分とした導電性ペーストを硬化固着さ
せた導電層を用いているので、長寿命で安定な表示特性
を持ったＥＬ素子が得られる。
ーボン粉末を主成分とした導電性ペーストを硬化固着さ
せた導電層を用いているので、長寿命で安定な表示特性
を持ったＥＬ素子が得られる。
また、本発明によれば、背面電極をスクリーン印刷性等
安価の方法で形成できるので従来の真空蒸着法による背
面電極材料法に較べて製造設備費が安く生産性が高いの
で安価なりＣＥＬ素子を提供することが出来る。
安価の方法で形成できるので従来の真空蒸着法による背
面電極材料法に較べて製造設備費が安く生産性が高いの
で安価なりＣＥＬ素子を提供することが出来る。
第１図は本発明による直流印加型ＥＬ素子の断面図であ
る。 １ニガラス基板、２：透明電極、３：ＥＬ発光層、４：
抵抗層、５：背面電極。 第１図
る。 １ニガラス基板、２：透明電極、３：ＥＬ発光層、４：
抵抗層、５：背面電極。 第１図
Claims (2)
- （１） 透明な絶縁性基板上に透明電極、発光層、抵抗
層および背面電極を順次積層したエレクトロルミネッセ
ンス素子において、該背面電極が導電性粉末を主成分と
した導電性ペーストを硬化固着させた導電層であること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。 - （２） 前記導電性粉末がカーボン粉末である請求項１
記載のエレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080461A JPH01253193A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080461A JPH01253193A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253193A true JPH01253193A (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=13718899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63080461A Pending JPH01253193A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01253193A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438699U (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-31 | ||
| JPH0888088A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Nec Kansai Ltd | 表示用ｅｌ素子及びその製造方法 |
| EP0853334A4 (en) * | 1996-06-19 | 2001-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | PHOTOELECTRONIC MATERIAL, THIS APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195895A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-28 | アルプス電気株式会社 | エレクトロルミネツセンス素子 |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP63080461A patent/JPH01253193A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195895A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-28 | アルプス電気株式会社 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438699U (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-31 | ||
| JPH0888088A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Nec Kansai Ltd | 表示用ｅｌ素子及びその製造方法 |
| EP0853334A4 (en) * | 1996-06-19 | 2001-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | PHOTOELECTRONIC MATERIAL, THIS APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD |
| US6730934B2 (en) | 1996-06-19 | 2004-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optoelectronic material, device using the same and method for manufacturing optoelectronic material |
| US6838743B2 (en) | 1996-06-19 | 2005-01-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optoelectronic material, device using the same and method for manufacturing optoelectronic material |
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