JPH01254212A - セラミック製分離膜の製造方法および製造装置 - Google Patents
セラミック製分離膜の製造方法および製造装置Info
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- JPH01254212A JPH01254212A JP8164388A JP8164388A JPH01254212A JP H01254212 A JPH01254212 A JP H01254212A JP 8164388 A JP8164388 A JP 8164388A JP 8164388 A JP8164388 A JP 8164388A JP H01254212 A JPH01254212 A JP H01254212A
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 41
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 claims description 42
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims description 17
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims description 17
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004924 electrostatic deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/4505—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は液体或は空気中から、その中に存在する各種
細菌等の超微粒子を分離する際に使用するための、数十
人の超微細孔を形成せるセラミック製分離膜の製造方法
およびその製造装置に関するものである。
細菌等の超微粒子を分離する際に使用するための、数十
人の超微細孔を形成せるセラミック製分離膜の製造方法
およびその製造装置に関するものである。
ｆｉＣ来の技術
上述のような数１０人のＢｉ微細孔を有するセラミック
製分離膜を１するには、従来ｌＯナノメータ程度の粒径
の揃った超微粒子を規則的に配列し、それを焼成すれば
得られると期待されているが、実際上は不可能であった
。そして従来のこの種のものの製造方法および製造装置
はセラミックの微粒子を高圧で圧縮して多孔質板を形成
し、その表面に溶媒を塗布して、それを焼成するもので
あるが、それは微細孔径の制御が難しく精密な分１ｒｙ
Ａを製造することが困龍である。
製分離膜を１するには、従来ｌＯナノメータ程度の粒径
の揃った超微粒子を規則的に配列し、それを焼成すれば
得られると期待されているが、実際上は不可能であった
。そして従来のこの種のものの製造方法および製造装置
はセラミックの微粒子を高圧で圧縮して多孔質板を形成
し、その表面に溶媒を塗布して、それを焼成するもので
あるが、それは微細孔径の制御が難しく精密な分１ｒｙ
Ａを製造することが困龍である。
発明が解決しようとする課題
この発明の目的は上述のように、従来その製「ヤが不可
能視されていた数１０人の超微Ｎ几を有するセラミック
製分Ｍｌを製造する方法および装置を得ることである。
能視されていた数１０人の超微Ｎ几を有するセラミック
製分Ｍｌを製造する方法および装置を得ることである。
池の目的は微粒子を焼成する際に生ずる微細孔径の制御
を容易にして、その結果として精密な分離膜を得る事で
ある。
を容易にして、その結果として精密な分離膜を得る事で
ある。
課題を解決するための手段
この発明のセラミック製分ＭＭの製造方法はＣｖｂ反応
管内で生成したセラミックの超微粒子を沿面放電極と粒
子泳動用電極の間で荷電すると共に、該荷電した超微粒
子を前記両ｆＩＬｆＩ間に於ける該粒子泳動用ｔｆＩ寄
りに配置した多孔質焼結体の面に静電付着して、多孔質
の超微粒子堆積層を形成し、該超微粒子堆積層をそのま
まの状態で加熱する゛ことによって、該多孔質焼結体・
の面に多孔質の超微粒子焼結膜を生成することである。
管内で生成したセラミックの超微粒子を沿面放電極と粒
子泳動用電極の間で荷電すると共に、該荷電した超微粒
子を前記両ｆＩＬｆＩ間に於ける該粒子泳動用ｔｆＩ寄
りに配置した多孔質焼結体の面に静電付着して、多孔質
の超微粒子堆積層を形成し、該超微粒子堆積層をそのま
まの状態で加熱する゛ことによって、該多孔質焼結体・
の面に多孔質の超微粒子焼結膜を生成することである。
又この発明のセラミック製分１１１１Ｍの製造装置はＣ
ＶＤ反応ガスの流れの上流側にＣＶＤ反応管を具備した
超微粒子生成装置、その下流側に沿面放電極と粒子泳動
用電極とからなる静電成膜装置と、焼成装置をそれぞれ
配設し、該沿面放電極をアルミナ磁器層の肉厚内に埋設
した面状誘導電極と、そのアルミナ磁器層の面に形成さ
れた線状電極とで形成し、それら両電極の間に高周波高
圧電源を接続し、さらに前記沿面放１Ｘａｉと粒子泳動
用ｔｆＩどの間に直流高圧電源を接続したものである。
ＶＤ反応ガスの流れの上流側にＣＶＤ反応管を具備した
超微粒子生成装置、その下流側に沿面放電極と粒子泳動
用電極とからなる静電成膜装置と、焼成装置をそれぞれ
配設し、該沿面放電極をアルミナ磁器層の肉厚内に埋設
した面状誘導電極と、そのアルミナ磁器層の面に形成さ
れた線状電極とで形成し、それら両電極の間に高周波高
圧電源を接続し、さらに前記沿面放１Ｘａｉと粒子泳動
用ｔｆＩどの間に直流高圧電源を接続したものである。
作用
ＣＶＤ反応ガスをＣＶＤ反応管を具備した超微粒子生成
装置に供給し、その中で生成したセラミックの超微粒子
を静電成膜装置に供給して、その中に設けられている沿
面放電極の沿面コロナ放電によって荷電すると共に、そ
の沿面放を極と粒子泳動用を極の間の直流電界で粒子泳
動用電価に向かって駆動し、予め該粒子泳動用電極の手
前に配置しておいた多孔質焼結体の表面に堆積して、多
孔性の超微粒子堆積層を形成する。その後多孔性の超微
粒子堆積層を前記多孔質焼結体の表面に堆積したままの
状態で、電気炉等の焼成装置で加熱し、多孔質の超微粒
子焼結膜を生成してセラミック製分離膜を製造するもの
である。
装置に供給し、その中で生成したセラミックの超微粒子
を静電成膜装置に供給して、その中に設けられている沿
面放電極の沿面コロナ放電によって荷電すると共に、そ
の沿面放を極と粒子泳動用を極の間の直流電界で粒子泳
動用電価に向かって駆動し、予め該粒子泳動用電極の手
前に配置しておいた多孔質焼結体の表面に堆積して、多
孔性の超微粒子堆積層を形成する。その後多孔性の超微
粒子堆積層を前記多孔質焼結体の表面に堆積したままの
状態で、電気炉等の焼成装置で加熱し、多孔質の超微粒
子焼結膜を生成してセラミック製分離膜を製造するもの
である。
実施例
この発明の方法および装置の実施例を添は図面によって
説明すると、第１図および第２図に示すごとく反応ガス
１の流れの上流側にＣＶＤ反応管２とヒータ３とを具１
弱した超微粒子生成装置ｉｉ：４を設け、その反応ガス
１をシースガス１ａと共にＣＶＤ反応管２内に供給し、
そこで発生した例えば窒１ヒ珪素の超１紋拉子ｐを図示
のごとくビームＩｂ状にして、前記超微粒子生成装置４
の下流側に設けた静電成Ｍ装ｒＩ１７内の沿面放電ｆｌ
ｌｉｉ５と粒子泳動用電極６の間の空間に供給する、ま
た該沿面放電極５をアルミナ磁器ＮＪ９の内部に埋設し
た棒状の誘導電極１０と、そのアルミナ磁器層９の外面
に形成されたコイル（ビッヂ２〜３１１ＩＩＩ）状の線
状１１ｆｆｉｌｌとで形成し、それら両電ｌｌ１１０．
１１の間に高周波高圧電源１２を接続し、その間に高周
波高電圧（ＩＯＫＨｚ 、 １５ＫＨｚロナには正及び
負のイオンが混在しているが、沿面放電＠５と粒子泳動
用電極６の間に直流高圧を源１３で直流高電圧（１，５
ｋ ｖ 〜０．５ ｋ ｖ ）を印加すると、その極性
にしたがって沿面放電極５の表面近傍に正または負極性
のみの単極性イオンが取り出せ、この近傍を通過する粒
子は効率良く単極性に荷電される。荷電された超微粒子
ｐは前記直流電圧によるクーロン力ｆを受け、本装置の
中央部から放射方向に泳動し、円筒形の多孔質焼結体１
４の内面に沈着し、多孔質の超微粒子堆積／！１５を生
成する。該円筒形焼結体１４は矢印Ａ１４方向にゆっく
り回転しながら上または下方に連続的に移動するので、
その内面に均質な多孔質の超微粒子ＪＩ１５が形成され
る。
説明すると、第１図および第２図に示すごとく反応ガス
１の流れの上流側にＣＶＤ反応管２とヒータ３とを具１
弱した超微粒子生成装置ｉｉ：４を設け、その反応ガス
１をシースガス１ａと共にＣＶＤ反応管２内に供給し、
そこで発生した例えば窒１ヒ珪素の超１紋拉子ｐを図示
のごとくビームＩｂ状にして、前記超微粒子生成装置４
の下流側に設けた静電成Ｍ装ｒＩ１７内の沿面放電ｆｌ
ｌｉｉ５と粒子泳動用電極６の間の空間に供給する、ま
た該沿面放電極５をアルミナ磁器ＮＪ９の内部に埋設し
た棒状の誘導電極１０と、そのアルミナ磁器層９の外面
に形成されたコイル（ビッヂ２〜３１１ＩＩＩ）状の線
状１１ｆｆｉｌｌとで形成し、それら両電ｌｌ１１０．
１１の間に高周波高圧電源１２を接続し、その間に高周
波高電圧（ＩＯＫＨｚ 、 １５ＫＨｚロナには正及び
負のイオンが混在しているが、沿面放電＠５と粒子泳動
用電極６の間に直流高圧を源１３で直流高電圧（１，５
ｋ ｖ 〜０．５ ｋ ｖ ）を印加すると、その極性
にしたがって沿面放電極５の表面近傍に正または負極性
のみの単極性イオンが取り出せ、この近傍を通過する粒
子は効率良く単極性に荷電される。荷電された超微粒子
ｐは前記直流電圧によるクーロン力ｆを受け、本装置の
中央部から放射方向に泳動し、円筒形の多孔質焼結体１
４の内面に沈着し、多孔質の超微粒子堆積／！１５を生
成する。該円筒形焼結体１４は矢印Ａ１４方向にゆっく
り回転しながら上または下方に連続的に移動するので、
その内面に均質な多孔質の超微粒子ＪＩ１５が形成され
る。
この様にして超微粒子層１５が形成された円筒形の多孔
質焼結体１４はその外側に設けられた焼成装置８で焼成
されて互いに隣接する超微粒子が焼結し、Ｈ１微綱孔を
有するセラミック製分離膜となる。この際形成される分
離膜の膜厚はＢｌｉ故粒子粒子度及び円筒形焼結体１４
の前記移動速度によって制御される。またその分離膜の
微細孔径は超は粒子の大きさと粒子の堆積状態で制御す
る。
質焼結体１４はその外側に設けられた焼成装置８で焼成
されて互いに隣接する超微粒子が焼結し、Ｈ１微綱孔を
有するセラミック製分離膜となる。この際形成される分
離膜の膜厚はＢｌｉ故粒子粒子度及び円筒形焼結体１４
の前記移動速度によって制御される。またその分離膜の
微細孔径は超は粒子の大きさと粒子の堆積状態で制御す
る。
その超微粒子の大きさはその生成条件で制御され、また
超微粒子堆積／１１５の形成過程における粒子の堆積状
態は、前記コロナ放電の際のコロナイオン密度と両電極
５．６間の直流印加電圧で制御する。
超微粒子堆積／１１５の形成過程における粒子の堆積状
態は、前記コロナ放電の際のコロナイオン密度と両電極
５．６間の直流印加電圧で制御する。
以上本発明を第１図乃至第２図の実施例について説明し
たが、本発明はそれだけに限定されるものでなく、本発
明の構成の範囲内において具体的手段を変更して実施す
ることも可能である。
たが、本発明はそれだけに限定されるものでなく、本発
明の構成の範囲内において具体的手段を変更して実施す
ることも可能である。
第３図乃至第６図に示すものはその例であり、それは窒
化珪素の超微粒子生成装置４、超微粒子の静電成膜装置
７、および超微粒子焼結膜１６の焼成装置８から構成さ
れている。
化珪素の超微粒子生成装置４、超微粒子の静電成膜装置
７、および超微粒子焼結膜１６の焼成装置８から構成さ
れている。
、該焼成装置４で生成した超微粒子は石英管１８内にお
いて、円筒状の流れ１ｃになって静電ｒＳ、股装置７に
輸送され、沿面放を極５の表面近傍に導かれる。ここで
超微粒子は単極性に荷電され、沿面放電極５と粒子泳動
用電極６の間に形成された直流電界でクーロン力を受け
、石英ｇｌＳの中心部に向かって泳動し、焼結体支持具
Ｉ７によって該中心部に予め支持された円筒状多孔質＜
ｉ結体１４の外面に沈着し、超１紋粒子堆積層Ｉ５を形
成する。
いて、円筒状の流れ１ｃになって静電ｒＳ、股装置７に
輸送され、沿面放を極５の表面近傍に導かれる。ここで
超微粒子は単極性に荷電され、沿面放電極５と粒子泳動
用電極６の間に形成された直流電界でクーロン力を受け
、石英ｇｌＳの中心部に向かって泳動し、焼結体支持具
Ｉ７によって該中心部に予め支持された円筒状多孔質＜
ｉ結体１４の外面に沈着し、超１紋粒子堆積層Ｉ５を形
成する。
その後円筒状多孔質Ｊ！１結体Ｉ４の外面に沈着した状
邪の超微粒子堆積層Ｉ５を、そのままの状態で焼結装置
８に移動しそこで焼結する。
邪の超微粒子堆積層Ｉ５を、そのままの状態で焼結装置
８に移動しそこで焼結する。
沿面放電極５は第４図乃至第６図に示すごとゾψ謔−す
磁器Ｈ１９で形成せる絶縁体を介して設けた線状電極１
１と面状誘導電極１０とでｆｕ成されている。該両電極
１０．１１とも厚さ０．０５ｍｍ以下のタングステン製
円筒状のもので、内側の線状電極１１は第４図および第
５図でで示されたような形状をしている。
磁器Ｈ１９で形成せる絶縁体を介して設けた線状電極１
１と面状誘導電極１０とでｆｕ成されている。該両電極
１０．１１とも厚さ０．０５ｍｍ以下のタングステン製
円筒状のもので、内側の線状電極１１は第４図および第
５図でで示されたような形状をしている。
誘導電極１０と線状電極ＩＩとの間に電源Ｉ２で高交に
些＾コナには正及び負のイオンが混在しているが、線状
型ｆ１１１と中心部に設置された棒状の粒子泳動用電極
６の間に直流高電圧を印加すると、その極性に従って沿
面放電極５の表面近傍１呼返に正または負極性のみの単
極性イオンが取り出せ、この近傍を通過こる粒子は効率
よく単極性に荷電される。
些＾コナには正及び負のイオンが混在しているが、線状
型ｆ１１１と中心部に設置された棒状の粒子泳動用電極
６の間に直流高電圧を印加すると、その極性に従って沿
面放電極５の表面近傍１呼返に正または負極性のみの単
極性イオンが取り出せ、この近傍を通過こる粒子は効率
よく単極性に荷電される。
′Ｒ電された超微粒子は直流電界でクーロン力を受け、
本装置の中心部に向かって泳動し、円筒状の多孔質焼結
体１４の外面にｆ１着し、多孔質な粒子堆積層１５を生
成する。
本装置の中心部に向かって泳動し、円筒状の多孔質焼結
体１４の外面にｆ１着し、多孔質な粒子堆積層１５を生
成する。
この°際円筒状焼結体Ｉ４は矢印Ａ１４方向にゆっくり
回転しながら上または下方に連続的に移動するので、そ
の外面には均質な粒子堆積層１５が形成される。
回転しながら上または下方に連続的に移動するので、そ
の外面には均質な粒子堆積層１５が形成される。
粒子堆積層１５が形成された円筒状焼結体１４はそのま
まの状態で焼成装２８に移動し、そこで焼成されて微細
孔を有するセラミック１１１１６ができる。
まの状態で焼成装２８に移動し、そこで焼成されて微細
孔を有するセラミック１１１１６ができる。
発明の効果
本発明は上述の通りであり、ＣＶＤ法による超微粒子を
、静電成膜装置のクーロン力で矛７図に示す様に円筒状
焼結体の面に堆積し、その状態で焼結するので、その超
微粒子の径が揃っているため、焼結後のセラミック製分
離膜の膜厚及び極細孔径の制御が容易であり、また従来
不可能視されていた１０数人のセラミック製分離膜の製
造が可能で２８１図に示す様なすぐれた分離膜が容易に
形成できる。さらに荷電された超微粒子をクーロン力で
気相中を泳動するので、その泳動度は熱泳動度と較べて
２桁以上も太き（なる。
、静電成膜装置のクーロン力で矛７図に示す様に円筒状
焼結体の面に堆積し、その状態で焼結するので、その超
微粒子の径が揃っているため、焼結後のセラミック製分
離膜の膜厚及び極細孔径の制御が容易であり、また従来
不可能視されていた１０数人のセラミック製分離膜の製
造が可能で２８１図に示す様なすぐれた分離膜が容易に
形成できる。さらに荷電された超微粒子をクーロン力で
気相中を泳動するので、その泳動度は熱泳動度と較べて
２桁以上も太き（なる。
又さらく本発明によって得られる分離膜は苛酷な条件下
での膜分離が可１ｍＫなるので、石油、製薬、食品工業
など非水系への分離膜の導入が実現し、その場合は従来
の高エネルギ消費型の蒸留に代わる可能性がある。更に
又バイオリアクタへの応用や超低温、超臨界などの新し
い分野への応用も可能となる。
での膜分離が可１ｍＫなるので、石油、製薬、食品工業
など非水系への分離膜の導入が実現し、その場合は従来
の高エネルギ消費型の蒸留に代わる可能性がある。更に
又バイオリアクタへの応用や超低温、超臨界などの新し
い分野への応用も可能となる。
また更に超微粒子の荷電特性、動力学特性等は物質の種
類忙殆んど依存しないで、この発明はアルミナを始めと
して酸化チタン、ジルコニア、窒化珪素、シリカなど、
殆んどの超微粒子に適用できる。
類忙殆んど依存しないで、この発明はアルミナを始めと
して酸化チタン、ジルコニア、窒化珪素、シリカなど、
殆んどの超微粒子に適用できる。
矛１図は本発明の実施例の正面図、１１２図はその要部
の拡大断面図１．？３図は他の実施例の正面図、矛４図
は、ＩＦ３図の■−■線部の断面図、矛５図は矛４図の
ｖ−ｖ線部の展開図１才６図は矛３図の一部の拡大断面
図、矛７図は本発明の方法又は本発明の装置で製造した
セラミック板の一部分で、多孔質焼結体の表面上に超微
粒１・・・反応ガス ２・・・ＣＶＤ反応菅 ４・・・超微粒子生成装置 ５・・・沿面放電極 ６・・・粒子泳動用電極 ７・・・静電成膜装置 ８、・・・焼成装置 ９・・・アルミナ磁器層 １０・・・誘導電極 １１・・・線状電極 １２・・・高周波高圧電源 １３・・・直流高圧電源 １４・・・多孔質焼結体 １５・・・超微粒子堆積層 １６・・・超微粒子焼結膜
の拡大断面図１．？３図は他の実施例の正面図、矛４図
は、ＩＦ３図の■−■線部の断面図、矛５図は矛４図の
ｖ−ｖ線部の展開図１才６図は矛３図の一部の拡大断面
図、矛７図は本発明の方法又は本発明の装置で製造した
セラミック板の一部分で、多孔質焼結体の表面上に超微
粒１・・・反応ガス ２・・・ＣＶＤ反応菅 ４・・・超微粒子生成装置 ５・・・沿面放電極 ６・・・粒子泳動用電極 ７・・・静電成膜装置 ８、・・・焼成装置 ９・・・アルミナ磁器層 １０・・・誘導電極 １１・・・線状電極 １２・・・高周波高圧電源 １３・・・直流高圧電源 １４・・・多孔質焼結体 １５・・・超微粒子堆積層 １６・・・超微粒子焼結膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＣＶＤ反応管内で生成したセラミックの超微粒子を
沿面放電極と粒子泳動用電極の間で荷電すると共に、該
荷電した超微粒子を前記両電極間に於ける該粒子泳動用
電極寄りに配置した多孔質焼結体の面に静電付着して、
多孔質の超微粒子堆積層を形成し、該超微粒子層をその
ままの状態で加熱することによって、該多孔質焼結体の
面に多孔質の超微粒子焼結膜を生成することを特徴とす
るセラミック製分離膜の製造方法 ２、沿面放電極がアルミナ磁器層を介して配設された線
状電極と誘導電極とからなり、また該線状電極に対向し
て粒子泳動用電極を設けられていることを特徴とする請
求項１記載のセラミック製分離膜の製造方法 ３、沿面放電極が棒状の誘導電極とその外周にアルミナ
磁器層を介して形成された線状電極とからなり、また粒
子泳動用電極が円管状に形成され、その中心に前記沿面
放電極が設けられていることを特徴とする請求項１記載
のセラミック製分離膜の製造方法 ４、沿面放電極がアルミナ磁器製円筒の肉厚内に埋設さ
れた面状誘導電極と、その円筒の外面に形成された線状
電極とからなり、それら両電極の間に高周波高圧電源が
接続されていることを特徴とする請求項１記載のセラミ
ック製分離膜の製造方法 ５、沿面放電装置が円筒形のアルミナ磁器層の肉厚内に
面状誘導電極を埋設し、その内周面に線状電極を形成し
、それら両電極の間に高周波高圧電源を接続したもので
あることを特徴とする請求項１記載のセラミック製分離
膜の製造方法 ６、ＣＶＤ反応ガスの流れの上流側にＣＶＤ反応管を具
備した超微粒子生成装置、その下流側に沿面放電極と粒
子泳動用電極とからなる静電成膜装置と、焼成装置をそ
れぞれ配設し、該沿面放電極をアルミナ磁器層の肉厚内
に埋設した面状電極と、そのアルミナ磁器層の面に形成
された線状電極とで形成し、それら両電極の間に高周波
高圧電源を接続し、さらに前記沿面放電極と粒子泳動用
電極との間に直流高圧電源を接続していることを特徴と
するセラミック製分離膜の製造装置 ７、沿面放電極が棒状誘導電極とその外周にアルミナ磁
器層を介して形成された線状電極とからなり、それら両
電極の間に高周波高圧電源が接続されていることを特徴
とする請求項６記載のセラミック製分離膜の製造装置 ８、沿面放電極がアルミナ磁器製円筒の肉厚内に埋設さ
れた面状誘導電極と、その円筒の内面に形成された線状
電極とからなり、それら両電極の間に高周波高圧電源が
接続されていることを特徴とする請求項６記載のセラミ
ック製分離膜の製造装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8164388A JPH0815537B2 (ja) | 1988-04-02 | 1988-04-02 | セラミック製分離膜の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8164388A JPH0815537B2 (ja) | 1988-04-02 | 1988-04-02 | セラミック製分離膜の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01254212A true JPH01254212A (ja) | 1989-10-11 |
| JPH0815537B2 JPH0815537B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=13752022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8164388A Expired - Lifetime JPH0815537B2 (ja) | 1988-04-02 | 1988-04-02 | セラミック製分離膜の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815537B2 (ja) |
-
1988
- 1988-04-02 JP JP8164388A patent/JPH0815537B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0815537B2 (ja) | 1996-02-21 |
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