JPH01254880A - 磁気パターン検出装置 - Google Patents
磁気パターン検出装置Info
- Publication number
- JPH01254880A JPH01254880A JP63082448A JP8244888A JPH01254880A JP H01254880 A JPH01254880 A JP H01254880A JP 63082448 A JP63082448 A JP 63082448A JP 8244888 A JP8244888 A JP 8244888A JP H01254880 A JPH01254880 A JP H01254880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic pattern
- resistance
- power supply
- magnetic sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野さ
本発明は、超電導体磁気抵抗素子を複数配設して、磁気
パターンを検出する装置に関するものである。
パターンを検出する装置に関するものである。
〈従来の技術さ
従来の磁気測定装置は形状が大きく、又、精度や操作性
から細かい磁気パターンを測定することは難しかつ念。
から細かい磁気パターンを測定することは難しかつ念。
特に、微弱な磁界にも高感度で、高速の測定とするＳＱ
Ｕ Ｉ Ｄ （超電導＋１子干渉デバイス）があるが、
５ＱＵＩＤはそのトｈ造がデリケートであり、かつ、そ
の５ＱＵＩＤ＋でよる磁気測定には、関連するエレクト
ロニクスの技術が複雑になるため、感度がよい超電導磁
気センサの応用として最も期待されている心磁波や脳臓
波の磁気パターンの検出や測定のために多数の５ＱＵＩ
Ｄをアレイ化するのは困難で１人の被測定者には、せい
ぜい数筺所での磁波同時計測が限度であった。
Ｕ Ｉ Ｄ （超電導＋１子干渉デバイス）があるが、
５ＱＵＩＤはそのトｈ造がデリケートであり、かつ、そ
の５ＱＵＩＤ＋でよる磁気測定には、関連するエレクト
ロニクスの技術が複雑になるため、感度がよい超電導磁
気センサの応用として最も期待されている心磁波や脳臓
波の磁気パターンの検出や測定のために多数の５ＱＵＩ
Ｄをアレイ化するのは困難で１人の被測定者には、せい
ぜい数筺所での磁波同時計測が限度であった。
しかも、５ＱＵＩＤも含め、それに接続するエレクトロ
ニクス機器は非常に高価であり、数箇所の同時測定には
数千万円を要求することになり、現実的でなかった。
ニクス機器は非常に高価であり、数箇所の同時測定には
数千万円を要求することになり、現実的でなかった。
〈発明が解決しようとする問題点〉
磁気パターンを精密に測定するためには、小型の磁気セ
ンサーを、測定する磁気パターン前に、高密度に配置す
ることになるが、この要求に使用できる磁気センサーは
、先に作製された粒界により弱い磁界を検出する超電導
磁気抵抗素子が適している。本発明は、この超電導体磁
気センサを用いることにより、効率よく磁気パターンを
険する装置を提供することを目的とする。
ンサーを、測定する磁気パターン前に、高密度に配置す
ることになるが、この要求に使用できる磁気センサーは
、先に作製された粒界により弱い磁界を検出する超電導
磁気抵抗素子が適している。本発明は、この超電導体磁
気センサを用いることにより、効率よく磁気パターンを
険する装置を提供することを目的とする。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、小型にしても磁気検出感度の低下をさせるこ
となく、超電導特有の極めて高速の磁気検出特性をもつ
超電導磁気抵抗素子を用いるが、この素子へ電流を供給
する電線をマトリックス状に配置した磁気検出部に対し
、その電源の端子からの接続を交互に配線し、給電線に
隣接した素子で共通使用するように素子を接続するなど
により電流電源用の配線を最小にすることで素子密度を
上げる磁気パターン検出装置である、。
となく、超電導特有の極めて高速の磁気検出特性をもつ
超電導磁気抵抗素子を用いるが、この素子へ電流を供給
する電線をマトリックス状に配置した磁気検出部に対し
、その電源の端子からの接続を交互に配線し、給電線に
隣接した素子で共通使用するように素子を接続するなど
により電流電源用の配線を最小にすることで素子密度を
上げる磁気パターン検出装置である、。
上記の超電導磁気抵抗素子には、測定する磁界の方向に
対する感度の指向性が非常に小さいのでその素子を配設
するときの制約は殆んどない１゜なお、本発明に使用す
る超電導磁気抵抗素子は精密な加工による無誘導構成で
、その素子を流れる電流で、近接した素子に影響する磁
界全発生しないようにできる。
対する感度の指向性が非常に小さいのでその素子を配設
するときの制約は殆んどない１゜なお、本発明に使用す
る超電導磁気抵抗素子は精密な加工による無誘導構成で
、その素子を流れる電流で、近接した素子に影響する磁
界全発生しないようにできる。
〈作 用〉
小型化による感度低下がなく、超電導特性により検出速
度が極めて速い、粒界の効果で動作する超電導磁気抵抗
素子を磁気パターンを検出する面に高密度で配役できる
ので、微細な磁気パターンの高速度の変化まで計測でき
る磁気パターン検出装置にできる。
度が極めて速い、粒界の効果で動作する超電導磁気抵抗
素子を磁気パターンを検出する面に高密度で配役できる
ので、微細な磁気パターンの高速度の変化まで計測でき
る磁気パターン検出装置にできる。
〈実施例〉
本発明の実施例を図面を参照して詳７削に説明する。
第６図は、本発明の実施例に使用した粒界を有するセラ
ミック高温超電導磁気抵抗素子の特性の１例を示した図
で、この図の横軸は素子に印加した磁界の強さ、縦軸は
素子発生した抵抗値で、素子には電流Ｉ＝０．１ｍＡを
流していた３゜０１１記のセラミック高温超電導磁気抵
抗素子はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の酸化膜で、その臨界温
度（Ｔｃ）は約９０にであるから、測定は液体窒素温度
の７７にで行−ている。使用する超？！Ｊ体は粉末の原
料を焼成して作製したバルク状超電導体から切り出して
使用することもできるが、スパッタリング法やＣＶＤ法
などによりμｍオーダーの薄膜、又は厚膜にすれば素子
を小型化でき、また発生する抵抗値を大きくできるので
計測が容易になる。
ミック高温超電導磁気抵抗素子の特性の１例を示した図
で、この図の横軸は素子に印加した磁界の強さ、縦軸は
素子発生した抵抗値で、素子には電流Ｉ＝０．１ｍＡを
流していた３゜０１１記のセラミック高温超電導磁気抵
抗素子はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の酸化膜で、その臨界温
度（Ｔｃ）は約９０にであるから、測定は液体窒素温度
の７７にで行−ている。使用する超？！Ｊ体は粉末の原
料を焼成して作製したバルク状超電導体から切り出して
使用することもできるが、スパッタリング法やＣＶＤ法
などによりμｍオーダーの薄膜、又は厚膜にすれば素子
を小型化でき、また発生する抵抗値を大きくできるので
計測が容易になる。
加によ−て、その粒界近辺から超電導状態が噛れて抵抗
が発生するので、磁界の増加に対する素子の抵抗の増加
は急激である。
が発生するので、磁界の増加に対する素子の抵抗の増加
は急激である。
第３図と第４図は、１個の磁気センサ部６の構成の例を
示し之超電導体磁気抵抗素子１と抵抗５を直列に接続し
、その両端３．４は素子１へ電流を流すための電源から
の或諒線３．４に接続され素子１と抵抗２の接続部から
信号端子５を出している。この信号端子５から電源電圧
の端子３，４へ印加された電圧が、素子１と抵抗２で分
圧した電圧を出力する。従コて、信号端子５の出力変化
から磁界の強さの変化を計測することができる１゜ここ
で、第４図の素子１は、超７こ導体の膜に分断線を入れ
、抵抗としての長さを長くし、がっ、無誘導構造にして
、素子１を流れる電流から発生磁場を極く小さくし、周
囲の素子への干渉を小さくしたものである。
示し之超電導体磁気抵抗素子１と抵抗５を直列に接続し
、その両端３．４は素子１へ電流を流すための電源から
の或諒線３．４に接続され素子１と抵抗２の接続部から
信号端子５を出している。この信号端子５から電源電圧
の端子３，４へ印加された電圧が、素子１と抵抗２で分
圧した電圧を出力する。従コて、信号端子５の出力変化
から磁界の強さの変化を計測することができる１゜ここ
で、第４図の素子１は、超７こ導体の膜に分断線を入れ
、抵抗としての長さを長くし、がっ、無誘導構造にして
、素子１を流れる電流から発生磁場を極く小さくし、周
囲の素子への干渉を小さくしたものである。
＠３図と第４１句の例は、素子１に抵抗２を１咽部列に
接続した構成であるが、この図の・溝底に並列に抵抗を
接続するか、抵抗と可変抵抗を接続して素子の磁界に対
する特注をａ整することもできる。
接続した構成であるが、この図の・溝底に並列に抵抗を
接続するか、抵抗と可変抵抗を接続して素子の磁界に対
する特注をａ整することもできる。
第１図は、本発明の第１の実施例で、前記の第３図と第
４図で説明した磁気センサ部６を電、Ｊｇ、線３と４の
間にｎ個並列に接続したアレイである。
４図で説明した磁気センサ部６を電、Ｊｇ、線３と４の
間にｎ個並列に接続したアレイである。
この実施例の出力端子である５１から５０の計測から、
ｌ１人元の磁気パターンを検出することができる。
ｌ１人元の磁気パターンを検出することができる。
第２図は第１の実施例の１次元アレイを２次元のアレイ
に接読した第２の実施例である。この第２の実施例では
電源線を１γ口略化するため電源線をその両側の磁気セ
ンサ部６を共通使用できるよう電源線３と４を交互に配
設している。
に接読した第２の実施例である。この第２の実施例では
電源線を１γ口略化するため電源線をその両側の磁気セ
ンサ部６を共通使用できるよう電源線３と４を交互に配
設している。
しかし、第２の例も、電ｒｊｆＡ線３と４を交互に配）
１″ｔしないで、単に、第１の実施例の１状元のアレイ
を２次元に配置してもよい。この第２の実施例の構成で
は、信号端子５（５１〜５ｎ、・・・５１ｎ１〜５ｎ
Ｌｋ計測して、２次元の磁気パターンを検出すること
ができる。
１″ｔしないで、単に、第１の実施例の１状元のアレイ
を２次元に配置してもよい。この第２の実施例の構成で
は、信号端子５（５１〜５ｎ、・・・５１ｎ１〜５ｎ
Ｌｋ計測して、２次元の磁気パターンを検出すること
ができる。
第５図は、長い線状超電導磁気抵抗素子７．８を行列に
交差して配置し之第３の実施例を示している。ここで、
行の超電導磁気抵抗素子８１．８２、・・・、８ｎは、
列の超電導磁気抵抗素子？ １．７２、・・・７ｍと互
に絶縁され行列に配列されている。
交差して配置し之第３の実施例を示している。ここで、
行の超電導磁気抵抗素子８１．８２、・・・、８ｎは、
列の超電導磁気抵抗素子？ １．７２、・・・７ｍと互
に絶縁され行列に配列されている。
更に前記の磁気抵抗素子の１端は電源線の８、又は３′
に接続され、他の１端はそれぞれ抵抗２を介して他の電
源端子４、又は４′に接続され、その素子と抵抗２の接
続部から信号出力端子５１゜５２、・・・、５ｎ、及び
５１’、 ５２’、・・・、５ｍ′が設けら贋、ている
９、従って、磁界Ｉ］が図の破線の円状のように局所的
に印加されると、この磁界Ｈにより抵抗変化する素子は
７２と８２のみでありこの変化は信号端子５２′と５２
の出力変化として検出することができる。従って、行と
列に配置した信号端子をマトリックス状に走査して計測
すれば行と列の素子の交点の磁界を検出して、２次元の
ｊ鼓界パターンを作成することができる。なお測定する
磁界のパターンによっては、例えば、電源端子４．及び
４′と電源の間にスイッチング回路（図示せず）を設け
、測定の走査点に対応する素子、例えば７１と８ｊのみ
に電流を流す構成にすれば、その素子に流れる電流によ
る磁界でその素子の交点で相互にバイアス磁界を印加し
合うことで、その交点の磁界に対し、選択性をもｔせて
計測するようにもできる。
に接続され、他の１端はそれぞれ抵抗２を介して他の電
源端子４、又は４′に接続され、その素子と抵抗２の接
続部から信号出力端子５１゜５２、・・・、５ｎ、及び
５１’、 ５２’、・・・、５ｍ′が設けら贋、ている
９、従って、磁界Ｉ］が図の破線の円状のように局所的
に印加されると、この磁界Ｈにより抵抗変化する素子は
７２と８２のみでありこの変化は信号端子５２′と５２
の出力変化として検出することができる。従って、行と
列に配置した信号端子をマトリックス状に走査して計測
すれば行と列の素子の交点の磁界を検出して、２次元の
ｊ鼓界パターンを作成することができる。なお測定する
磁界のパターンによっては、例えば、電源端子４．及び
４′と電源の間にスイッチング回路（図示せず）を設け
、測定の走査点に対応する素子、例えば７１と８ｊのみ
に電流を流す構成にすれば、その素子に流れる電流によ
る磁界でその素子の交点で相互にバイアス磁界を印加し
合うことで、その交点の磁界に対し、選択性をもｔせて
計測するようにもできる。
〈発明の効果〉
本発明の磁気パターン検出装置は、磁界に対して感度が
高く、小型化による感度低下がなくかつ高速に動作する
結晶粒界を有する超電導磁気抵抗素子からなる磁気セン
サーを、１次元、又は２次元に、高密度にも配置できる
ので、微弱な磁気パターンの高速な変化も高密度に検出
できる。
高く、小型化による感度低下がなくかつ高速に動作する
結晶粒界を有する超電導磁気抵抗素子からなる磁気セン
サーを、１次元、又は２次元に、高密度にも配置できる
ので、微弱な磁気パターンの高速な変化も高密度に検出
できる。
第１図は本発明の＠１の実施例の構成図、第２図は本発
明の第２の実施例の構成図、第３図と第４図は磁気検出
センサ一部の構成図、第５図は本発明の第３の実施例の
構成図、第６図は超電導磁気抵抗素子の特性の一例を示
す図である。 １及び１１．１２・・・、１１’、１２’・・・、７１
゜７２、・・・７ｍ、８１．８２・・・８ｎは超電導磁
気抵抗素子、２は抵抗、３と４は電源線、５は信号端子
、６は磁気センサ部である、。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 第２図 第５図 第４囚
明の第２の実施例の構成図、第３図と第４図は磁気検出
センサ一部の構成図、第５図は本発明の第３の実施例の
構成図、第６図は超電導磁気抵抗素子の特性の一例を示
す図である。 １及び１１．１２・・・、１１’、１２’・・・、７１
゜７２、・・・７ｍ、８１．８２・・・８ｎは超電導磁
気抵抗素子、２は抵抗、３と４は電源線、５は信号端子
、６は磁気センサ部である、。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 第２図 第５図 第４囚
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気パターン検出面に、超電導体磁気抵抗素子とそ
の抵抗変化検出部を接続した磁気センサ部を複数配置し
、前記各磁気センサ部に共通接続する電源配線を設ける
ことを特徴とする磁気パターン検出装置。 ２、磁気パターンを検出する大きさの前に、細長い形状
で、粒界をもつ超電導磁気抵抗素子を、それぞれ複数本
を、絶縁層を介し、行と列に交差するマトリックス状に
配置し、前記超電導体磁気抵抗素子の一端を共通の行電
源と、列電源線に接続し、かつ、その他の一端を個別に
抵抗変化検出部を介して電源線に接続し、前記行と列の
超電導体の抵抗変化検出部の出力を走査して計測するこ
とを特徴とする磁気パターン検出装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082448A JPH0672915B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 磁気パターン検出装置 |
| DE3888659T DE3888659T2 (de) | 1987-12-25 | 1988-12-23 | Supraleitendes Magnetwiderstandsgerät. |
| US07/289,312 US5126667A (en) | 1987-12-25 | 1988-12-23 | Superconductive magneto-resistive device for sensing an external magnetic field |
| EP88312296A EP0323187B1 (en) | 1987-12-25 | 1988-12-23 | Superconductive magneto-resistive device |
| US07/593,898 US5227721A (en) | 1987-12-25 | 1990-10-05 | Superconductive magnetic sensor having self induced magnetic biasing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082448A JPH0672915B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 磁気パターン検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01254880A true JPH01254880A (ja) | 1989-10-11 |
| JPH0672915B2 JPH0672915B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=13774805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63082448A Expired - Fee Related JPH0672915B2 (ja) | 1987-12-25 | 1988-04-04 | 磁気パターン検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0672915B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016125967A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 日本電産サンキョー株式会社 | 磁気センサ装置および検出装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0683608U (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-29 | 岐阜プラスチック工業株式会社 | ごみ容器の蓋体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810879A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-21 | Kangiyou Denki Kiki Kk | 半導体磁気抵抗素子 |
| JPS5917175A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Aisin Seiki Co Ltd | 極低温用磁場検出素子 |
-
1988
- 1988-04-04 JP JP63082448A patent/JPH0672915B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810879A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-21 | Kangiyou Denki Kiki Kk | 半導体磁気抵抗素子 |
| JPS5917175A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Aisin Seiki Co Ltd | 極低温用磁場検出素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016125967A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 日本電産サンキョー株式会社 | 磁気センサ装置および検出装置 |
| WO2016111114A1 (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-14 | 日本電産サンキョー株式会社 | 磁気センサ装置および検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0672915B2 (ja) | 1994-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5247278A (en) | Magnetic field sensing device | |
| JP3465059B2 (ja) | 磁化反転導体と一又は複数の磁気抵抗レジスタとからなる磁界センサ | |
| EP1004033B1 (en) | Magnetic field sensing device | |
| US3973182A (en) | Method and apparatus for detecting uneven magnetic field by hall effect in semiconductor | |
| US5237879A (en) | Apparatus for dynamically varying the resolution of a tactile sensor array | |
| US3973183A (en) | Method and apparatus for detecting uneven magnetic field by a change in resistance of semiconductor element | |
| JP2520848B2 (ja) | 磁気式面圧入力パネル | |
| US5500590A (en) | Apparatus for sensing magnetic fields using a coupled film magnetoresistive transducer | |
| KR890000880A (ko) | 자전변환 소자를 이용한 검지기 | |
| US10012707B2 (en) | Magnetic field sensor with 3-axes self test | |
| EP2722681B1 (en) | Magnetic field direction detector | |
| KR0175979B1 (en) | Magnetic field sensor and method for its manufacture | |
| WO2021059391A1 (ja) | 熱流センサ | |
| JP3089406B2 (ja) | 大きさ計測用磁気抵抗センサー及び大きさ計測装置 | |
| US4048557A (en) | Planar magnetoresistance thin film probe for magnetic field alignment | |
| JP3367230B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| US3546579A (en) | Thin-ferromagnetic-film magnetoresistance magnetometer sensitive to easy axis field components and biased to be insensitive to hard axis field components | |
| US5298689A (en) | Coordinate input device using Matteucci effect | |
| JPH07190804A (ja) | 磁気抵抗式センサ装置を備えた磁界測定装置 | |
| EP0444873B1 (en) | Apparatus for measuring distribution of magnetic field | |
| JPS63302301A (ja) | 距離測定装置 | |
| US4996392A (en) | Superconductor magnetic image detection device | |
| US3259844A (en) | Signal amplitude discriminator having a plurality of superconducting loops arranged to respond to the magnetic field produced by the signal | |
| JPH0672915B2 (ja) | 磁気パターン検出装置 | |
| JP3369186B2 (ja) | 不揮発性記憶装置を伴うピーク磁界検出器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |