JPH01256047A - 強誘電性高分子メモリーの記録再生方法 - Google Patents
強誘電性高分子メモリーの記録再生方法Info
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- JPH01256047A JPH01256047A JP63082678A JP8267888A JPH01256047A JP H01256047 A JPH01256047 A JP H01256047A JP 63082678 A JP63082678 A JP 63082678A JP 8267888 A JP8267888 A JP 8267888A JP H01256047 A JPH01256047 A JP H01256047A
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- recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光ディスク、光カード等に用いられる強誘電
性高分子を光記録媒体として用いた光メモリーの記録方
法に関するものである。。
性高分子を光記録媒体として用いた光メモリーの記録方
法に関するものである。。
（従来の技術）
従来、分極を一方向に揃えた強誘電体を部分的に加熱し
て、その部分の分極を消去したり、分極が反転しない程
度の分極と逆向きの電界を印加した状態で部分的に加熱
しその部分の分極を反転させるという方法を用い、加熱
した部分と加熱しない部分の分極の違いという形で情報
を記録する方式があった。第２図に′示されるように、
強誘電性高分子メモリーの情報記憶部分は一対の電極２
に挟まれた強誘電体薄膜ｌからなっており、この強誘電
性高分子メモリーの記憶の消去、書き込み、読み出しは
以下のようにして行われる。
て、その部分の分極を消去したり、分極が反転しない程
度の分極と逆向きの電界を印加した状態で部分的に加熱
しその部分の分極を反転させるという方法を用い、加熱
した部分と加熱しない部分の分極の違いという形で情報
を記録する方式があった。第２図に′示されるように、
強誘電性高分子メモリーの情報記憶部分は一対の電極２
に挟まれた強誘電体薄膜ｌからなっており、この強誘電
性高分子メモリーの記憶の消去、書き込み、読み出しは
以下のようにして行われる。
ｉ）消去：第３Ａ図に示されるように、電源４によって
強誘電体薄膜１の抗電界より大きい電界を強誘電体薄膜
１に加え、薄膜の分極を一方向に揃える。
強誘電体薄膜１の抗電界より大きい電界を強誘電体薄膜
１に加え、薄膜の分極を一方向に揃える。
ｉｉ）書き込み：第３Ｂ図に示されるように、消去時と
逆極性の抗電界以下の電界を薄膜１に加えながらレーザ
ー光３で薄膜１を局部的に加熱する。
逆極性の抗電界以下の電界を薄膜１に加えながらレーザ
ー光３で薄膜１を局部的に加熱する。
温度上昇による抗電界の減少により照射部分のみの分極
が反転する。
が反転する。
ｉｉｉ ）読み出し：第３Ｃ図に示されるように、不可
逆な分極変化が生じない程度の弱いレーザー光スポット
３で薄膜１表面を走査し、照射点の焦電電流を電流アン
プ５およびそれにつながる信号処理システム６で検出し
て分極の極性を読み取る。
逆な分極変化が生じない程度の弱いレーザー光スポット
３で薄膜１表面を走査し、照射点の焦電電流を電流アン
プ５およびそれにつながる信号処理システム６で検出し
て分極の極性を読み取る。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、この従来の方法では、書き込みの際に、
それ以前に記録された情報を一度消すという操作が必要
であった。即ち、消去、書き込みという二段階で記録が
なされていた。
それ以前に記録された情報を一度消すという操作が必要
であった。即ち、消去、書き込みという二段階で記録が
なされていた。
（課題を解決するための手段）
本発明では、部分加熱する際に、書き込む情報の０／１
に対応して、それだけでは分極が反転しない程度の正負
の電界を印加し、それ以前の分極の極性がどちら向きで
あっても、印加した電界の方向に分極の向きが揃うとい
う方法を用いる。
に対応して、それだけでは分極が反転しない程度の正負
の電界を印加し、それ以前の分極の極性がどちら向きで
あっても、印加した電界の方向に分極の向きが揃うとい
う方法を用いる。
（作 用）
加熱すると抗電界が低下し、熱する前には反転しないよ
うな分極と逆極性の低電界下においても分極反転を生じ
るようになる。従来は、この分極反転を生じるという性
質を用い、分極反転させたい部分のみ選択的に加熱を行
っていたが、本発明では、分極と逆極性の電界下で加熱
すると反転し、同極性の電界下では反転しないこと、即
ち、最終的に電界の極性と分極の極性が一致する性質を
利用して書き込みを行う。
うな分極と逆極性の低電界下においても分極反転を生じ
るようになる。従来は、この分極反転を生じるという性
質を用い、分極反転させたい部分のみ選択的に加熱を行
っていたが、本発明では、分極と逆極性の電界下で加熱
すると反転し、同極性の電界下では反転しないこと、即
ち、最終的に電界の極性と分極の極性が一致する性質を
利用して書き込みを行う。
（発明の効果）
本発明によれば、−度消去してから書き込みを行う場合
と比較して、書き込み時間が半分ですむという効果を有
する。
と比較して、書き込み時間が半分ですむという効果を有
する。
（実施例）
以下に、本発明の一実施例につき図面を用いて詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明による情報の記録の説明図である。１
はフッ化ビニリデン／三フッ化エチレン共重合体からな
る記録媒体、２はこの記録媒体１を挟んでなる一対の電
極、３は記録媒体１にレーザー光をスポット状に集光し
レーザー光を０Ｎ−ＯＦＦする光学系、４は記録時に電
極２に対して電圧を印加する電源、５は再生時にレーザ
ー光照射部から発生した焦電流を検出するための電流ア
ンプである。可変出力電源４は、Ｔ／Ｗ信号がＲ（再生
）時は出力ゼロ、Ｗ（記録）時は記録信号の０／１に対
応して＋／−の電圧（記録媒体の抗電界以下の電圧）を
発生する。電流アンプ５には記録時に可変出力電源４の
発生する電圧の極性が反転するとき、また、レーザー光
照射部の分極が反転するときに大きな電流が流れるので
、この過入力をバイパスする適当な保護回路を有するも
のが望ましい。
はフッ化ビニリデン／三フッ化エチレン共重合体からな
る記録媒体、２はこの記録媒体１を挟んでなる一対の電
極、３は記録媒体１にレーザー光をスポット状に集光し
レーザー光を０Ｎ−ＯＦＦする光学系、４は記録時に電
極２に対して電圧を印加する電源、５は再生時にレーザ
ー光照射部から発生した焦電流を検出するための電流ア
ンプである。可変出力電源４は、Ｔ／Ｗ信号がＲ（再生
）時は出力ゼロ、Ｗ（記録）時は記録信号の０／１に対
応して＋／−の電圧（記録媒体の抗電界以下の電圧）を
発生する。電流アンプ５には記録時に可変出力電源４の
発生する電圧の極性が反転するとき、また、レーザー光
照射部の分極が反転するときに大きな電流が流れるので
、この過入力をバイパスする適当な保護回路を有するも
のが望ましい。
厚さ１μｍのフッ化ビニリデン／三フッ化エチレン共重
合体フィルムからなる記録媒体１上に電源４により±３
０ＭＶ／ｍの電界を加えながら、光学系３から発する１
０ｍ−のレーザー光で書き込みを行った。これにより、
分極が電界の極性に従って反転し、情報の記録が行われ
ることが確認された。
合体フィルムからなる記録媒体１上に電源４により±３
０ＭＶ／ｍの電界を加えながら、光学系３から発する１
０ｍ−のレーザー光で書き込みを行った。これにより、
分極が電界の極性に従って反転し、情報の記録が行われ
ることが確認された。
第１図は、本発明による情報の記録方法を説明する図で
ある。 第２図は、従来の強誘電性高分子メモリーの概略図であ
り、第３Ａ図、第３Ｂ図及び第３Ｃ図はそれぞれ強誘電
性高分子メモリーの消去、書き込み及び読み出しの基本
的な操作を説明する図である。 １・・・記録媒体、２・・・電極、３・・・光学系、４
・・・電源、５・・・電流ランプ。 第２図 第３Ａ図 第３Ｂ図 第３０図 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 ■、事件の表示 昭和６３年特許願第８２６７８号
２、発明の名称 強誘電性高分子メモリーの記録方
法３、補正をする者 事件との関係 出願人 名称 （６７９）理化学研究所 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和６３年６月２８日６、補
正の対象 代理権を証明する書面明細書・全図
面
ある。 第２図は、従来の強誘電性高分子メモリーの概略図であ
り、第３Ａ図、第３Ｂ図及び第３Ｃ図はそれぞれ強誘電
性高分子メモリーの消去、書き込み及び読み出しの基本
的な操作を説明する図である。 １・・・記録媒体、２・・・電極、３・・・光学系、４
・・・電源、５・・・電流ランプ。 第２図 第３Ａ図 第３Ｂ図 第３０図 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 ■、事件の表示 昭和６３年特許願第８２６７８号
２、発明の名称 強誘電性高分子メモリーの記録方
法３、補正をする者 事件との関係 出願人 名称 （６７９）理化学研究所 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和６３年６月２８日６、補
正の対象 代理権を証明する書面明細書・全図
面
Claims (1)
- 情報の０／１に対応してその極性をかえた抗電界以下の
電界を強誘電性高分子からなる記録素子に印加しながら
記録点にレーザー光を照射し情報を記録する強誘電性高
分子メモリーの記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082678A JP2869651B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 強誘電性高分子メモリーの記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082678A JP2869651B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 強誘電性高分子メモリーの記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01256047A true JPH01256047A (ja) | 1989-10-12 |
| JP2869651B2 JP2869651B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=13781076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63082678A Expired - Fee Related JP2869651B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 強誘電性高分子メモリーの記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2869651B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7208555B2 (en) | 2002-09-25 | 2007-04-24 | Kureha Chemical Industry Company, Limited | Process for preparing polyvinylidene fluoride copolymer |
| JP2007522590A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-08-09 | インテル・コーポレーション | ブロック・アドレスの可能な大容量ストレージ・システムのためのインターフェイス |
-
1988
- 1988-04-04 JP JP63082678A patent/JP2869651B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7208555B2 (en) | 2002-09-25 | 2007-04-24 | Kureha Chemical Industry Company, Limited | Process for preparing polyvinylidene fluoride copolymer |
| EP1568719A4 (en) * | 2002-09-25 | 2008-10-01 | Kureha Corp | POLYVINYLIDE FLUORIDE COPOLYMER AND SOLUTION THEREOF |
| JP2007522590A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-08-09 | インテル・コーポレーション | ブロック・アドレスの可能な大容量ストレージ・システムのためのインターフェイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2869651B2 (ja) | 1999-03-10 |
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