JPH01257226A - 炎感知器 - Google Patents
炎感知器Info
- Publication number
- JPH01257226A JPH01257226A JP8620188A JP8620188A JPH01257226A JP H01257226 A JPH01257226 A JP H01257226A JP 8620188 A JP8620188 A JP 8620188A JP 8620188 A JP8620188 A JP 8620188A JP H01257226 A JPH01257226 A JP H01257226A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flame
- flames
- light receiving
- receiving means
- emission
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- Pending
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、炎の放射する特徴的な発光スペクトルのみ
感知し、他の発熱物体による誤動作をなくしたことを特
徴とする炎感知器に関する。
感知し、他の発熱物体による誤動作をなくしたことを特
徴とする炎感知器に関する。
［従来の技術］
従来より赤外線式炎感知器については、いろいろな方式
が提案されているが、いずれも下記原理に基づくもので
ある。
が提案されているが、いずれも下記原理に基づくもので
ある。
炎以外の黒体から放射される赤外線の発光スペクトル分
布はブランクの法則に従い、連続スペクトルとなってお
り、そのピーク値は黒体の温度により決定され、２００
℃、４００℃、１０００℃の黒体の発光スペクトル分布
は第１図（イ）、（ロ）、（ハ）に示すようになる。こ
れに対し、炎を伴う物体においては、ブランクの法則に
従わず、第１図中（ニ）に示すような特徴的な発光スペ
クトル分布を持っている。この４．３μｍ付近のピーク
は、ＣＯｚ共鳴放射現象によるものである。従って、炎
を感知す仝には、この４．３μｍ付近のピークを検出す
ればよいわけであり、従来においては、４．３μｍ付近
の放射線量とＣＯ２共鳴放射のない３．５μｒｎ付近の
放射線量の差を検出する手段（特許公開公報４８−９０
０３０号）が提案されている。しかし、この手段によれ
ば。
布はブランクの法則に従い、連続スペクトルとなってお
り、そのピーク値は黒体の温度により決定され、２００
℃、４００℃、１０００℃の黒体の発光スペクトル分布
は第１図（イ）、（ロ）、（ハ）に示すようになる。こ
れに対し、炎を伴う物体においては、ブランクの法則に
従わず、第１図中（ニ）に示すような特徴的な発光スペ
クトル分布を持っている。この４．３μｍ付近のピーク
は、ＣＯｚ共鳴放射現象によるものである。従って、炎
を感知す仝には、この４．３μｍ付近のピークを検出す
ればよいわけであり、従来においては、４．３μｍ付近
の放射線量とＣＯ２共鳴放射のない３．５μｒｎ付近の
放射線量の差を検出する手段（特許公開公報４８−９０
０３０号）が提案されている。しかし、この手段によれ
ば。
第１図中（イ）、又は（ロ）の如くエネルギー放射量の
ピークが３．５μｍよりも長い波長域にあるような発光
スペクトル分布を有する放射物体を炎と感知してしまう
。従って、４．３μｍとその近傍の２波長の単なる差を
取るだけでは、炎のみを選択的に感知できるとは限らな
いのである。
ピークが３．５μｍよりも長い波長域にあるような発光
スペクトル分布を有する放射物体を炎と感知してしまう
。従って、４．３μｍとその近傍の２波長の単なる差を
取るだけでは、炎のみを選択的に感知できるとは限らな
いのである。
このような誤動作を防止するため、３．５μｍ、４．３
μｍ及び５．１μｍという３波長における放射線量を検
出し、４．３μｍにおけるそれが他の２波長におけるそ
れより一定値以上になったとき、炎を感知するようにし
先手段（特許公開公報５０−２４９７号）が提案されて
いるが、この手段では、第１図中（ロ）に示すような発
光スペクトル分布を有する炎を伴わない発熱体を基本的
に炎と感知する。このため、一定値の設定に非常な困難
を伴う。
μｍ及び５．１μｍという３波長における放射線量を検
出し、４．３μｍにおけるそれが他の２波長におけるそ
れより一定値以上になったとき、炎を感知するようにし
先手段（特許公開公報５０−２４９７号）が提案されて
いるが、この手段では、第１図中（ロ）に示すような発
光スペクトル分布を有する炎を伴わない発熱体を基本的
に炎と感知する。このため、一定値の設定に非常な困難
を伴う。
又、炎の発光スペクトル分布の形状に着目し、それが第
１図に示すように２μｍ、４．３μｍ付近に２つのピー
クを有することを、２．５μｒｎ、３．５μｍ、４．３
μｍの３波長の選択的受光により、３．５μｒｎが他の
２波長より低いことによって検出し、炎を感知する手段
（特許公開公報５７−６９４９２号）が提案されている
が、この手段によれば、発光を伴わない低温、高温の２
つの放射物体からの赤外線が重畳して存在するとき、そ
れを炎と感知するときがあり、更に自動車の排気ガス中
等に含まれるＨＣガスは、３．４μｍの赤外線を選択的
に吸収するので、これによる誤動作も考えられる。
１図に示すように２μｍ、４．３μｍ付近に２つのピー
クを有することを、２．５μｒｎ、３．５μｍ、４．３
μｍの３波長の選択的受光により、３．５μｒｎが他の
２波長より低いことによって検出し、炎を感知する手段
（特許公開公報５７−６９４９２号）が提案されている
が、この手段によれば、発光を伴わない低温、高温の２
つの放射物体からの赤外線が重畳して存在するとき、そ
れを炎と感知するときがあり、更に自動車の排気ガス中
等に含まれるＨＣガスは、３．４μｍの赤外線を選択的
に吸収するので、これによる誤動作も考えられる。
［発明が解決しようとする問題点］
炎を伴う放射物体と他の放射物体との明確な区分及びそ
れらの物体からの放射線が重畳し、尚且つその強度が炎
を伴わない物体の方が強いときでも、その中に炎の存在
を感知すること。
れらの物体からの放射線が重畳し、尚且つその強度が炎
を伴わない物体の方が強いときでも、その中に炎の存在
を感知すること。
［問題を解決するための手段］
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであ
って、その手段とするところは、炎の発光スペクトル特
有の形を明確に識別するために、４．３μｍを含む、少
なくとも３つ以上の特定の波長のみを選択的に受光する
受光手段を有し、４゜９μｍ付近での発光スペクトル分
布の変化率と、それを含まない波長帯での変化率の比を
とることにより、炎の発光スペクトルを明確に区別する
ことである。
って、その手段とするところは、炎の発光スペクトル特
有の形を明確に識別するために、４．３μｍを含む、少
なくとも３つ以上の特定の波長のみを選択的に受光する
受光手段を有し、４゜９μｍ付近での発光スペクトル分
布の変化率と、それを含まない波長帯での変化率の比を
とることにより、炎の発光スペクトルを明確に区別する
ことである。
これを第１図の記載に基づき、説明する。
例えば、３．５μｍ、３．９μｍ及び４．３５μｍのバ
ンドパスフィルタを用い、それぞれの波長における放射
量を検出し、それをｅ （３，５）、ｅ （３，９）及
びｅ （４，３５）とすれば、以下の式のようになる。
ンドパスフィルタを用い、それぞれの波長における放射
量を検出し、それをｅ （３，５）、ｅ （３，９）及
びｅ （４，３５）とすれば、以下の式のようになる。
ｌ ｅ （３，９） −ｅ （３，５） ｌ第１式
により、前述の演算を行い、Ａがある一定値以上のとき
、炎を感知する。
により、前述の演算を行い、Ａがある一定値以上のとき
、炎を感知する。
これにより、炎を伴わないほかの放射物体と炎を伴う放
射物体との区別が明確になり、尚且つ炎を伴わないいろ
いろな温度の物体の放射線同志が重畳したときも誤動作
がなく、更にそれらと炎の放射線が重畳して存在したと
きにおいても、炎の存在を感知することができる。
射物体との区別が明確になり、尚且つ炎を伴わないいろ
いろな温度の物体の放射線同志が重畳したときも誤動作
がなく、更にそれらと炎の放射線が重畳して存在したと
きにおいても、炎の存在を感知することができる。
［実施例］
この発明の実施例を図面の記載にもとづき、説明する。
実施例として、３．５μｍ、３．９μｍ及び４゜３５μ
ｍの３つのバンドパスフィルタを有する炎感知器を説明
する。
ｍの３つのバンドパスフィルタを有する炎感知器を説明
する。
第２図が、そのブロック図で、赤外線放射物体１１より
放射された赤外線は、バンドパスフィルタ１，２．３を
介して、それぞれの光電変換器４゜５．６へ達する。３
．５μｍ、３．９μｍ、４゜３５μｍを受光する光電変
換器の出力をｅ（３゜５） 、ｅ （３，９） 、ｅ
（４，３５）とすれば、その出力は、差動増幅器７．絶
対値増幅器８へ入力され、 （４，３５） −ａ （３，９）＝ｂ ’１（３，９
） ｅ 、（３，５） ｌ ＝ａなる演算を行う、
しかる後にａ、ｂは割算器９へ入力され、ｂ／ａなる演
算を行い、その結果を警報発生器１ｏへ送り、その値が
一定値以」二のとき。
放射された赤外線は、バンドパスフィルタ１，２．３を
介して、それぞれの光電変換器４゜５．６へ達する。３
．５μｍ、３．９μｍ、４゜３５μｍを受光する光電変
換器の出力をｅ（３゜５） 、ｅ （３，９） 、ｅ
（４，３５）とすれば、その出力は、差動増幅器７．絶
対値増幅器８へ入力され、 （４，３５） −ａ （３，９）＝ｂ ’１（３，９
） ｅ 、（３，５） ｌ ＝ａなる演算を行う、
しかる後にａ、ｂは割算器９へ入力され、ｂ／ａなる演
算を行い、その結果を警報発生器１ｏへ送り、その値が
一定値以」二のとき。
警報を発するものである。
［発明の効果］
このように構成された炎感知器では、炎に特有な発光ス
ペクトル分布のみを検出し、他の物体に対する誤動作が
なく、また工場等における複数の放射物体からの放射線
が複雑に重畳する環境においても、炎の存在を明確に感
知することが可能であり、工業的利用価値は大きい。
ペクトル分布のみを検出し、他の物体に対する誤動作が
なく、また工場等における複数の放射物体からの放射線
が複雑に重畳する環境においても、炎の存在を明確に感
知することが可能であり、工業的利用価値は大きい。
第１図は、各物体の発光スペクトル分布、第２図は、炎
感知器のブロック図である。 （イ）２００℃の黒体の発光スペクトル分布（ロ）４０
０℃ （ハ）１０００℃ （ニ）炎を伴う物体 ！！ １〜３−−−一赤外線バンドパスフィルタ４〜５−一一
一光電変換器 ７−−−−ｍ−差動増幅器 ８−−−−−一絶対値増幅器 ９−一一一〜−割算器 １０−−−−−一警報発生器 １１−−一−−一赤外線放射物体
感知器のブロック図である。 （イ）２００℃の黒体の発光スペクトル分布（ロ）４０
０℃ （ハ）１０００℃ （ニ）炎を伴う物体 ！！ １〜３−−−一赤外線バンドパスフィルタ４〜５−一一
一光電変換器 ７−−−−ｍ−差動増幅器 ８−−−−−一絶対値増幅器 ９−一一一〜−割算器 １０−−−−−一警報発生器 １１−−一−−一赤外線放射物体
Claims (1)
- 炎に特有なＣＯ＿２の共鳴放射による波長４．３μｍの
赤外線を検出する炎感知器において、この波長を選択的
に受光する第１の受光手段と、上記波長帯を含まず、尚
且つ上記波長近傍の赤外線を選択的に受光する第２、第
３、もしくはそれ以上の受光手段を有し、第１の受光手
段と第２の受光手段との放射強度の差と、第２の受光手
段と第３の受光手段との放射強度の差を演算し、この２
つの比が一定値以上のとき、炎を感知することにより、
炎特有な４．３μｍ付近の線スペクトルのみに感知し、
他の物体が放射する連続スペクトルとの区別を明確にし
、誤動作をなくしたことを特徴とする炎感知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8620188A JPH01257226A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 炎感知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8620188A JPH01257226A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 炎感知器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257226A true JPH01257226A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13880165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8620188A Pending JPH01257226A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 炎感知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01257226A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5358807A (en) * | 1988-11-22 | 1994-10-25 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP8620188A patent/JPH01257226A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5358807A (en) * | 1988-11-22 | 1994-10-25 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US5484671A (en) * | 1988-11-22 | 1996-01-16 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US5830606A (en) * | 1988-11-22 | 1998-11-03 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US5948574A (en) * | 1988-11-22 | 1999-09-07 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6106981A (en) * | 1988-11-22 | 2000-08-22 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6420075B1 (en) | 1988-11-22 | 2002-07-16 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6458497B2 (en) | 1988-11-22 | 2002-10-01 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6548213B2 (en) | 1988-11-22 | 2003-04-15 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6733933B2 (en) | 1988-11-22 | 2004-05-11 | Renesas Technology Corporation | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US7008736B2 (en) | 1988-11-22 | 2006-03-07 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device fabrication method using a mask having a phase shifting film covering region and an opening region |
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