JPH01258427A - 半導体ウェハーの製造装置 - Google Patents
半導体ウェハーの製造装置Info
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- JPH01258427A JPH01258427A JP63086683A JP8668388A JPH01258427A JP H01258427 A JPH01258427 A JP H01258427A JP 63086683 A JP63086683 A JP 63086683A JP 8668388 A JP8668388 A JP 8668388A JP H01258427 A JPH01258427 A JP H01258427A
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- waste gas
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- Pending
Links
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Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハー（以下ウェハーという）の製造
装置に関し、特にウェハーをドライエツチング処理する
半導体ウェハー製造装置に関するものである。
装置に関し、特にウェハーをドライエツチング処理する
半導体ウェハー製造装置に関するものである。
ウェハーのドライエツチング処理工程は、反応性ガスと
して三塩化ボロン（ＢＣＩｓ ） 、四塩化炭素（ＣＣ
ｌ４ ） 、塩素（ｃｌ□）などを使用しグロー放電プ
ラズマ中にて、ウェハーをエツチング処理する工程であ
る。
して三塩化ボロン（ＢＣＩｓ ） 、四塩化炭素（ＣＣ
ｌ４ ） 、塩素（ｃｌ□）などを使用しグロー放電プ
ラズマ中にて、ウェハーをエツチング処理する工程であ
る。
従来、反応性ガス（Ｂｃｌｓ 、 ＣＣｌ４ 、 Ｃ
Ｉ２など）を使用するドライエツチング装置として、第
３図に示すごとき構成のエツチング装置が使用されてい
る。第３図において、ドライエツチング装置はエツチン
グチェンバー１と、グロー放電プラズマを発生させるＲ
Ｆ電源５と、上部電極２と、下部電極３と、前記エツチ
ングチェンバー１内に反応性ガスを導入するガス配管９
と、反応性ガス流量をコントロールするマスフロー８と
、エツチングチェンバー１を排気するメカニカルブース
ターポンプ６と、ロータリーポンプ７と、前記ロータリ
ーポンプ７の排気処理を行なう吸着剤１１を内蔵する廃
ガス処理部１０とから構成されていた。図中、１２は排
気ダクト、１３は排気管である。
Ｉ２など）を使用するドライエツチング装置として、第
３図に示すごとき構成のエツチング装置が使用されてい
る。第３図において、ドライエツチング装置はエツチン
グチェンバー１と、グロー放電プラズマを発生させるＲ
Ｆ電源５と、上部電極２と、下部電極３と、前記エツチ
ングチェンバー１内に反応性ガスを導入するガス配管９
と、反応性ガス流量をコントロールするマスフロー８と
、エツチングチェンバー１を排気するメカニカルブース
ターポンプ６と、ロータリーポンプ７と、前記ロータリ
ーポンプ７の排気処理を行なう吸着剤１１を内蔵する廃
ガス処理部１０とから構成されていた。図中、１２は排
気ダクト、１３は排気管である。
上述した従来の廃ガス処理部１０は、真空排気系におい
て外部リークが発生した場合でも早期発見が不可能であ
り、長時間リークが発生した状態で使用していると、廃
ガス処理部１０の内部の吸着剤１１にすでに吸着されて
いる未反応のエツチングガス特にＢＣｌ２（三塩化ボロ
ン）と、外部リーク時の大気中に含まれている水分とが
反応して多量の粉状のホウ酸か発生するため、廃ガス処
理部１０の内部か閉塞状態になり、ロータリーポンプ７
と廃ガス処理部１０の間の圧力が異常に上昇することに
なり、ポンプの故障及びシール部分からのガス漏れ又、
廃ガス処理部の再生費用がかかるなどの安全面、コスト
面で種々の問題があった。
て外部リークが発生した場合でも早期発見が不可能であ
り、長時間リークが発生した状態で使用していると、廃
ガス処理部１０の内部の吸着剤１１にすでに吸着されて
いる未反応のエツチングガス特にＢＣｌ２（三塩化ボロ
ン）と、外部リーク時の大気中に含まれている水分とが
反応して多量の粉状のホウ酸か発生するため、廃ガス処
理部１０の内部か閉塞状態になり、ロータリーポンプ７
と廃ガス処理部１０の間の圧力が異常に上昇することに
なり、ポンプの故障及びシール部分からのガス漏れ又、
廃ガス処理部の再生費用がかかるなどの安全面、コスト
面で種々の問題があった。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体ウェハーの製
造装置を提供することにある。
造装置を提供することにある。
上述した従来の廃ガス処理部に対し、本発明は真空排気
系において、外部リーク発生時に廃ガス処理部の内部の
反応熱を検出することにより、早期にリーク時の異常を
検知できるという相違点を有する。
系において、外部リーク発生時に廃ガス処理部の内部の
反応熱を検出することにより、早期にリーク時の異常を
検知できるという相違点を有する。
上記目的を達成するため、本発明においては、半導体ウ
ェハーをドライエツチング処理する装置において、廃ガ
スを排気する排気路に、リーク発生時に生ずる廃ガス処
理部の化学反応熱の温度変化を検出する検知部を有する
ものである。
ェハーをドライエツチング処理する装置において、廃ガ
スを排気する排気路に、リーク発生時に生ずる廃ガス処
理部の化学反応熱の温度変化を検出する検知部を有する
ものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す概略図である。
第１図に示すようにウェハーをドライエツチング処理す
る半導体ウェハーの製造装置において、エツチングチェ
ンバー１内にグロー放電プラズマを発生させる上部電極
２、下部電極３にＲＦｔ源５が接続され、前記エツチン
グチェンバー１内には反応性ガスを供給するガス配管９
及びガス流量を調整するマスフロー８が接続されている
。又、前記エツチングチェンバー１を真空排気するメカ
ニカルブースターポンプ６、ロータリーポンプ７により
反応性ガスの排気を行なっている。前記ロータリーポン
プ７の排気管１３が廃ガス処理部１０に接続され、前記
廃ガス処理部１０の内部に充填されている吸着剤１１に
吸着処理されたものが排気ダクト１２よりメイン排気ダ
クトへ排出される。
る半導体ウェハーの製造装置において、エツチングチェ
ンバー１内にグロー放電プラズマを発生させる上部電極
２、下部電極３にＲＦｔ源５が接続され、前記エツチン
グチェンバー１内には反応性ガスを供給するガス配管９
及びガス流量を調整するマスフロー８が接続されている
。又、前記エツチングチェンバー１を真空排気するメカ
ニカルブースターポンプ６、ロータリーポンプ７により
反応性ガスの排気を行なっている。前記ロータリーポン
プ７の排気管１３が廃ガス処理部１０に接続され、前記
廃ガス処理部１０の内部に充填されている吸着剤１１に
吸着処理されたものが排気ダクト１２よりメイン排気ダ
クトへ排出される。
又、前記廃ガス処理部１０へ導入された反応性ガスは、
吸着剤１１の下段部より吸着されてゆき、徐々に上段部
へ吸着帯が進行してゆく。
吸着剤１１の下段部より吸着されてゆき、徐々に上段部
へ吸着帯が進行してゆく。
本発明は廃ガス処理部１０の下段部に、外部リーク時の
反応熱を検知する温度センサー１４、及び該センサー１
４の出力に基づき警報を発する警報器１５を装面したも
のである。ここに、温度センサー１４及び警報器１５等
により外部リークを検出する検知部が構成される０本発
明によれば、リーク時廃ガス処理部１０の異常を早期に
発見可能となっている。
反応熱を検知する温度センサー１４、及び該センサー１
４の出力に基づき警報を発する警報器１５を装面したも
のである。ここに、温度センサー１４及び警報器１５等
により外部リークを検出する検知部が構成される０本発
明によれば、リーク時廃ガス処理部１０の異常を早期に
発見可能となっている。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２の概略図である。ロータリー
ポンプ７及び廃ガス処理部１０を接続している排気管１
３の途中には、バイパス配管１６が接続され、廃ガス処
理部１０を通さずに排気ダクト１２へ接続されている。
ポンプ７及び廃ガス処理部１０を接続している排気管１
３の途中には、バイパス配管１６が接続され、廃ガス処
理部１０を通さずに排気ダクト１２へ接続されている。
この実施例では、バイパス配管１６が設けられているた
め、警報器１５よりの信号により巽常時、自動的に廃ガ
ス処理部１０の前後のバルブを閉じ、バイパス配管１６
のバルブを閉じることにより、ロータリーポンプ及び廃
ガス処理部を保護できるという利点がある。
め、警報器１５よりの信号により巽常時、自動的に廃ガ
ス処理部１０の前後のバルブを閉じ、バイパス配管１６
のバルブを閉じることにより、ロータリーポンプ及び廃
ガス処理部を保護できるという利点がある。
以上説明したように本発明は、ドライエツチング処理時
に排出された廃ガスを吸着剤にて吸着処理し、かつ真空
排気での外部リーク発生時、自動的に異常を検知できる
ため、ロータリーポンプの故障及びシール部からの反応
性ガスの漏れによる危険性又、廃ガス処理部の詰まり等
も防止できる。
に排出された廃ガスを吸着剤にて吸着処理し、かつ真空
排気での外部リーク発生時、自動的に異常を検知できる
ため、ロータリーポンプの故障及びシール部からの反応
性ガスの漏れによる危険性又、廃ガス処理部の詰まり等
も防止できる。
以上のように本発明によれば、安全面及び経費の節約等
に資する効果は大である。
に資する効果は大である。
第１図は本発明の実施例１を示す［略図、第２図は本発
明の実施例２を示す概略図、第３図は従来のドライエツ
チング装置の概略図である。 １・・・エツチングチェンバー ２・・・上部な極 ３・・・下部電極４・・
・ウェハー ５・・・ＲＦ電源６・・・メカ
ニカルブースターポンプ ７・・・ロータリーポンプ ８・・・マスフロー ９・・・ガス配管１０・
・・廃ガス処理部 １１・・・吸着剤１２・・・
排気ダクト １３・・・排気管１４・・・温度
センサー １５・・・警報器１６・・・バイパス
配管 特許出願人 日本電気株式会社 第３図
明の実施例２を示す概略図、第３図は従来のドライエツ
チング装置の概略図である。 １・・・エツチングチェンバー ２・・・上部な極 ３・・・下部電極４・・
・ウェハー ５・・・ＲＦ電源６・・・メカ
ニカルブースターポンプ ７・・・ロータリーポンプ ８・・・マスフロー ９・・・ガス配管１０・
・・廃ガス処理部 １１・・・吸着剤１２・・・
排気ダクト １３・・・排気管１４・・・温度
センサー １５・・・警報器１６・・・バイパス
配管 特許出願人 日本電気株式会社 第３図
Claims (1)
- （１）半導体ウェハーをドライエッチング処理する装置
において、廃ガスを排気する排気路に、リーク発生時に
生ずる廃ガス処理部の化学反応熱の温度変化を検出する
検知部を有することを特徴とする半導体ウェハーの製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63086683A JPH01258427A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体ウェハーの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63086683A JPH01258427A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体ウェハーの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01258427A true JPH01258427A (ja) | 1989-10-16 |
Family
ID=13893806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63086683A Pending JPH01258427A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体ウェハーの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01258427A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111238669A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 用于半导体射频处理装置的温度测量方法 |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP63086683A patent/JPH01258427A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111238669A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 用于半导体射频处理装置的温度测量方法 |
| CN111238669B (zh) * | 2018-11-29 | 2022-05-13 | 拓荆科技股份有限公司 | 用于半导体射频处理装置的温度测量方法 |
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