JPH01261636A - パターン形成法 - Google Patents
パターン形成法Info
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- JPH01261636A JPH01261636A JP63090833A JP9083388A JPH01261636A JP H01261636 A JPH01261636 A JP H01261636A JP 63090833 A JP63090833 A JP 63090833A JP 9083388 A JP9083388 A JP 9083388A JP H01261636 A JPH01261636 A JP H01261636A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
-
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2037—Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
- G03F7/2039—X-ray radiation
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- Toxicology (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子を襲造する際の電
子回路パターン等の微細なパターンをウェハ面上に転写
するリングラフィに好適なパターン形成法に関し、特に
波長１人〜１５０人程度のＸ線を用いたときのレジスト
の実効感度な高めたパターン形成法に関するものである
。
子回路パターン等の微細なパターンをウェハ面上に転写
するリングラフィに好適なパターン形成法に関し、特に
波長１人〜１５０人程度のＸ線を用いたときのレジスト
の実効感度な高めたパターン形成法に関するものである
。
（従来の技術）
最近ＩＣ，ＬＳＩ等のｔ導体素子製造用の露光装置にお
いては半導体素子の高ｊＪ稙化に伴って。
いては半導体素子の高ｊＪ稙化に伴って。
より高分解虎の焼付けか０■能な例えば波長１人〜１５
０人程度のＸ線を利用した露光装置が種々と提案されて
いる。
０人程度のＸ線を利用した露光装置が種々と提案されて
いる。
この所ｍ、Ｘ線リングラフィは直進性、非Ｔ−渉性およ
び低回折性等のＸ線固有の性質に基づき。
び低回折性等のＸ線固有の性質に基づき。
これまでのｉｉｌ視光や紫外光によるリングラフィと比
べて多くのより優れた点を有している。そのため、近年
ではサブミクロン用のリングラフィやクラオーターミク
ロン用のりソグラフィの有力な［没として注目されてき
ている。Ｘ線リングラフィは１１ｒ視光や紫外光による
リングラフィに比較して多くの優位点を持っているが、
Ｘ線源のパワー不足、レジストの低感度、アライメント
の困難さ４マスク材料の選定および加工方法の困難さ等
の問題点があった。
べて多くのより優れた点を有している。そのため、近年
ではサブミクロン用のリングラフィやクラオーターミク
ロン用のりソグラフィの有力な［没として注目されてき
ている。Ｘ線リングラフィは１１ｒ視光や紫外光による
リングラフィに比較して多くの優位点を持っているが、
Ｘ線源のパワー不足、レジストの低感度、アライメント
の困難さ４マスク材料の選定および加工方法の困難さ等
の問題点があった。
Ｘ線すングラフィ用としてのレジストとじては、ポジ型
として例えばポリメチルメタクツレート（ＰＭＭＡ）か
ある。
として例えばポリメチルメタクツレート（ＰＭＭＡ）か
ある。
又、ネガ型としては例えばクロ【１メチルスチレン（Ｃ
ＭＳ）かある。
ＭＳ）かある。
これらのレジスト材料はいずれも有機の高分子材ネ１て
あり、ボン型のレジスト材料は感度及びトライエンチン
グ耐性、ネガ型のレジスト材ネ４は現像におけるレジス
ト膜のｗｆｆＩに起因する低解像性簿か問題点となって
いる。
あり、ボン型のレジスト材料は感度及びトライエンチン
グ耐性、ネガ型のレジスト材ネ４は現像におけるレジス
ト膜のｗｆｆＩに起因する低解像性簿か問題点となって
いる。
これらの問題点のうちｘ＆ｌリソプラノイにおいて特に
大さな問題点の１つに感度かある。
大さな問題点の１つに感度かある。
過密、Ｘ線リソグラフィにおけるレジストのＸ線利用効
率は０．３％以下といわれており、これが感度の低ドを
来たしている０例えばＰＭＭＡの場合、Ｘ線としてＰｄ
にα線を使用すると実効感１ａはｌ ０００−２０００
ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ”程度である。
率は０．３％以下といわれており、これが感度の低ドを
来たしている０例えばＰＭＭＡの場合、Ｘ線としてＰｄ
にα線を使用すると実効感１ａはｌ ０００−２０００
ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ”程度である。
ここで、感Ｉ［は露光時のＸ線照射量で示している。す
なわち、照射量が低い程高感度である。高感度のレジス
トとしてはクロロメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ、東洋
ソーダ製）かあるか、１−述と同様の条件ての実効感度
は約１００ ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ２である。
なわち、照射量が低い程高感度である。高感度のレジス
トとしてはクロロメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ、東洋
ソーダ製）かあるか、１−述と同様の条件ての実効感度
は約１００ ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ２である。
現在ｘｖａ用レジストの実効感度をｌ Ｏｍ Ｊ ／ｃ
ｍ ２以ドにするごとか望まれている。
ｍ ２以ドにするごとか望まれている。
しかしながら−股にレジストの感度を増大させることは
大変困難である。
大変困難である。
（発明か解決しようとする問題点）
本発明は有機の高分子４Ｉ料より成るレジストとして、
従来より存在しえなかった性能１例えば奔帯電性、高熱
伝導性そして高耐ドライエツチング性等の性能を有する
新規なレジストを用いて、特にＸ線を用いたときのレジ
ストの実効感度を増強させた品性１ｔなパターン転写が
ＩＩＩ ｆｌ：なパターン形Ｉ＆法の提供を［１的とす
る。
従来より存在しえなかった性能１例えば奔帯電性、高熱
伝導性そして高耐ドライエツチング性等の性能を有する
新規なレジストを用いて、特にＸ線を用いたときのレジ
ストの実効感度を増強させた品性１ｔなパターン転写が
ＩＩＩ ｆｌ：なパターン形Ｉ＆法の提供を［１的とす
る。
（問題点を解決するためのＬ段）
レジスト層にＸ線により照射されたパターンを転写する
際、該レジストの主たる組成物をフッ化黒鉛により構成
し、該レジストへのＸ線照射中に紫ＩＡ、 ＆ｌ又は／
及びｒ＋（投光線を照射して該レジスト層にパターンを
形成するようにしたごとである。
際、該レジストの主たる組成物をフッ化黒鉛により構成
し、該レジストへのＸ線照射中に紫ＩＡ、 ＆ｌ又は／
及びｒ＋（投光線を照射して該レジスト層にパターンを
形成するようにしたごとである。
（実施例）
第１１３は未発明のパターン形成法をＸ線用露光装置に
適用したときの一実施例の概略図である。
適用したときの一実施例の概略図である。
同図においてｌはＸ線源で例えば金ＩＡ（Ｐｄ、Ｒｈ、
Ｍｏ、Ｗ、Ｃｎ、ＡＱ、Ｓ ｉ等）のに、Ｌ特性線で、
波長は４〜１３人程度の光を放射している。
Ｍｏ、Ｗ、Ｃｎ、ＡＱ、Ｓ ｉ等）のに、Ｌ特性線で、
波長は４〜１３人程度の光を放射している。
２は補助光源で、紫外線又は可視光線を放射する光源で
５例えば木鈑灯、クセノンランプ、ブラ・ツクライト、
ハロゲンランプ等である。３は環状のマスク枠で石英、
バイレウクス、ステンレス、シリコン等から成っている
。４はＸ線透過膜でポリイミド、ＳｉＮ、ＡＱＮ、Ｓｉ
Ｃ等から戊っている。５はマスクパターンてＸ線透過Ｉ
！＋１４面ヒに設けられており、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏ
等から成っている。
５例えば木鈑灯、クセノンランプ、ブラ・ツクライト、
ハロゲンランプ等である。３は環状のマスク枠で石英、
バイレウクス、ステンレス、シリコン等から成っている
。４はＸ線透過膜でポリイミド、ＳｉＮ、ＡＱＮ、Ｓｉ
Ｃ等から戊っている。５はマスクパターンてＸ線透過Ｉ
！＋１４面ヒに設けられており、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏ
等から成っている。
６はレジストでフッ化黒鉛（ＣＦ）を主成分として構成
されている。
されている。
７はウェハでシリコン、ガリウムヒ素、ガラス等から成
っている。
っている。
本実施例ではＸ線源ｌから発生したＸ線によりマスクパ
ターン５を照射し、該マスクパターン５をレジスト６に
転写している。このとき、Ｘ線の照射中に補助光源２か
らの光束をＸ線源１と同力向からマスクパターン５を介
してレジスト６面−Ｌ；を照射している。
ターン５を照射し、該マスクパターン５をレジスト６に
転写している。このとき、Ｘ線の照射中に補助光源２か
らの光束をＸ線源１と同力向からマスクパターン５を介
してレジスト６面−Ｌ；を照射している。
同図におい”Ｃレジスト６の斜線部はＸ線によるパター
ン人光部である。
ン人光部である。
第２［ｒは第１図でＸ線により照射されたマスクパター
ン５をウニへ面７−ｈのレジストに転写し。
ン５をウニへ面７−ｈのレジストに転写し。
該ウェハ７を現像した後のパターンの様ｆを示している
。
。
本実施例ではネガ型のパターンを示している。
このように本実施例ではフッ化黒鉛（ＣＦ）をト成分と
したレジスト６にＸ線を照射している間に紫外線（２０
００−４０００人）又は／及び０丁視光１９（４０００
〜８０００人）を所定Ｉ誹照射して、これによりレジス
トの実効感度を増強させている。
したレジスト６にＸ線を照射している間に紫外線（２０
００−４０００人）又は／及び０丁視光１９（４０００
〜８０００人）を所定Ｉ誹照射して、これによりレジス
トの実効感度を増強させている。
本実施例におけるレジスト材＃４は無機化合物て特にフ
ッ化黒鉛（ＣＦ）をｔ体とするもので、原理的にはＸ線
の照射によりフッソ（Ｆ）が分離してカーボンになる（
もどる）ものである、カーボンは導電性、高熱電導性、
高耐ドライエツチング性、アッシング性に優れており１
本発明はこの性質を利用していることを特長としている
。
ッ化黒鉛（ＣＦ）をｔ体とするもので、原理的にはＸ線
の照射によりフッソ（Ｆ）が分離してカーボンになる（
もどる）ものである、カーボンは導電性、高熱電導性、
高耐ドライエツチング性、アッシング性に優れており１
本発明はこの性質を利用していることを特長としている
。
本χ施例において紫外線や可視光線はパターン化には不
必要なのでこれらの光を例えばレジスト６面１．にマス
クのパターン５を介さずに斜方向から照射しても良い。
必要なのでこれらの光を例えばレジスト６面１．にマス
クのパターン５を介さずに斜方向から照射しても良い。
本実施例において紫外線及び可視光線は還元剤及びフッ
化黒鉛固有の吸収に対応したものが効果的である。
化黒鉛固有の吸収に対応したものが効果的である。
又、照射される紫外線やｕＴ視光線の照射量はパターン
形成の為のしきい値以下であることが望ましい。
形成の為のしきい値以下であることが望ましい。
本実施例で用いるフッ化黒鉛（ＣＦ）は黒鉛（カーボン
）の超微粉末なフッ素化して作成している。このときの
粒状性は０．０５１Ｌ程度に分４１しているか史に微細
な粒状性のものであっても良い。
）の超微粉末なフッ素化して作成している。このときの
粒状性は０．０５１Ｌ程度に分４１しているか史に微細
な粒状性のものであっても良い。
フッ化ｊＡ！鉛は何らかの手段を用いて！２膜する必要
があり１例えばバインダー材に分散懸架した後、塗［１
文（ハーコートデメップコートスピンコート、スプレー
コート簿）を用いて製膜している。
があり１例えばバインダー材に分散懸架した後、塗［１
文（ハーコートデメップコートスピンコート、スプレー
コート簿）を用いて製膜している。
バインター材車唱としてはゼラチン、カゼイン、ＰＶＡ
、’ＰＶＰ、ＣＭＣ，ポリアクリル酸、アクリルアシド
、アラビアゴム、ナイロン、ノボラック等、木、アルコ
ール、ケトン、アルカリ水溶液 ＋ｉｌ溶性樹脂か適し
ている。又、Ｎ像を安定させる即ち！！！度を上げる手
段の一つとしてハロゲンアクセプターを添加することも
有功である。
、’ＰＶＰ、ＣＭＣ，ポリアクリル酸、アクリルアシド
、アラビアゴム、ナイロン、ノボラック等、木、アルコ
ール、ケトン、アルカリ水溶液 ＋ｉｌ溶性樹脂か適し
ている。又、Ｎ像を安定させる即ち！！！度を上げる手
段の一つとしてハロゲンアクセプターを添加することも
有功である。
ハロゲンアクセプターとしてはゼラチン、カゼイン等の
ｖｌ質類、アルミニウムジ（インプロポキシド）モノメ
チルエーテルアセテート、アルミニウムジ（ブトキシド
）モノエチルアセテート、アルミニウムトリス（エチル
アセトアセテート）ｆｆのアルミニウムキレート化合物
、アセトンセシャルバゾン、亜硝酸ソーダ、ルイス酸１
がある。
ｖｌ質類、アルミニウムジ（インプロポキシド）モノメ
チルエーテルアセテート、アルミニウムジ（ブトキシド
）モノエチルアセテート、アルミニウムトリス（エチル
アセトアセテート）ｆｆのアルミニウムキレート化合物
、アセトンセシャルバゾン、亜硝酸ソーダ、ルイス酸１
がある。
又、還元剤の添加か増感剤として有効であり。
例えばジフェニルアミン、ハイドロキノン、カテコール
、ピロガロール、Ｐ−ジメチルアミノベンズアルデヒド
、ｌ、３ジフエニルアクリジン、クロルハイドロキノン
、アスコルビン酸、Ｐ−アミノフェノール、Ｎ−メチル
バラアミノフェノール、Ｐ−フェニレンジアミン、グリ
シン等の単剤及び複合〜１がある。
、ピロガロール、Ｐ−ジメチルアミノベンズアルデヒド
、ｌ、３ジフエニルアクリジン、クロルハイドロキノン
、アスコルビン酸、Ｐ−アミノフェノール、Ｎ−メチル
バラアミノフェノール、Ｐ−フェニレンジアミン、グリ
シン等の単剤及び複合〜１がある。
次に本発明に係るレジストの具体的な実施例を示す。
（実施例 り
フッ化黒鉛４０部、ＰＶＡ （ポリビニルアルコール）
２０ ｆＲｌ 、木４０ｆｆ＆、エチルアルコール１
０部をボールシルで１００時間混合してレジスト乳剤を
調整した。
２０ ｆＲｌ 、木４０ｆｆ＆、エチルアルコール１
０部をボールシルで１００時間混合してレジスト乳剤を
調整した。
酸化膜を設けたシリコンウェハーににヒ記乳剤をスピン
ナーて約２μ塗１して後５０℃１時間乾爆してレジスト
膜を作成した。
ナーて約２μ塗１して後５０℃１時間乾爆してレジスト
膜を作成した。
Ｘ線Ａ光装２１（チャンバー）の外側の石英窓を通して
補助光淵（クセノンランプ）で光照射を行った。
補助光淵（クセノンランプ）で光照射を行った。
Ｘ線源はＰｄ（パラジウム）のＬ線で特性線は４．４人
である。
である。
パターン形成用のマスク材料はチッ化アルミニウム（Ａ
ＪＩＮ）の２ｐｍ厚、マスクパターンは、タングステン
（Ｗ）の０．６終厚である。
ＪＩＮ）の２ｐｍ厚、マスクパターンは、タングステン
（Ｗ）の０．６終厚である。
Ｘ線は２０ＫＶ４８ｍＡで１２０分間、クセノン光は０
．５ｍＷ／秒をマスクパターンを介して同時にレジスト
面上に照射した。
．５ｍＷ／秒をマスクパターンを介して同時にレジスト
面上に照射した。
温水４０℃３分の現像により黒色のネガ型レジストパタ
ーンを得た。
ーンを得た。
従来はＸ線のみで照射した時はパターン形成に５時間を
要したが本実施例においては４０％の２１１１ｒ間てす
み約２．５倍の増感か計られた。
要したが本実施例においては４０％の２１１１ｒ間てす
み約２．５倍の増感か計られた。
（実施例 ２）
フッカ黒鉛３０．カゼインｌＯ１水５０±ＰＡ１０１で
４１１成されたバインダ材にジフェニルアミン２．パイ
トロキノン２部を添加混合した。
４１１成されたバインダ材にジフェニルアミン２．パイ
トロキノン２部を添加混合した。
酸化膜を設けたシリコンウェハーＬに１．記組成物をス
ピンナーて憤丁を行い約２μＪソのレジスト膜を形成し
た。
ピンナーて憤丁を行い約２μＪソのレジスト膜を形成し
た。
Ｘ線Ａ光チェンバー（２ｘｌＯ−’ｔｏｒｒ）に補助光
源（ａ高圧水銀灯）をＸ線源の近傍に設けた。ｘ＆ｌ源
としてＲｈ（ロジウム）のＬｔｉで特性線の波長は４．
６人である。
源（ａ高圧水銀灯）をＸ線源の近傍に設けた。ｘ＆ｌ源
としてＲｈ（ロジウム）のＬｔｉで特性線の波長は４．
６人である。
マスク材料はポリエチレンテレフタレートの６終厚、マ
スクパターンは金（Ａｕ）の０．８ｇ厚であ６．Ｘ線は
２０にＶ、４８ｍＡで６０分間、ＵＶ光（３６５０，４
０４７，４３５８人）を０．１ｍＷ／秒、同時にマスク
パターンを介してレジスト面上に照射した。
スクパターンは金（Ａｕ）の０．８ｇ厚であ６．Ｘ線は
２０にＶ、４８ｍＡで６０分間、ＵＶ光（３６５０，４
０４７，４３５８人）を０．１ｍＷ／秒、同時にマスク
パターンを介してレジスト面上に照射した。
ＮａＯＨ，０，５％水溶液、３０℃、３分の現像後、！
ａ色のネガ型レジストパターンを得た。
ａ色のネガ型レジストパターンを得た。
従来はＸ線のみを照射していたム、約３時間要していた
が、本実施例においては１時間ですみ。
が、本実施例においては１時間ですみ。
約３倍、増感させることができた。
（実施例 ３）
レジスト材料としてフェノールノボランク１０部、エチ
ルアルコール２００部のバインターにフン力黒鉛２０部
でＭ１成されたレジストをシリコンウェハー上にスピン
コードて約２終塗丁した。
ルアルコール２００部のバインターにフン力黒鉛２０部
でＭ１成されたレジストをシリコンウェハー上にスピン
コードて約２終塗丁した。
実に例２と同様な条件てｘ＆ｌｉｌ及び紫外光の露光を
行った。ＮａＯＨ２％２３℃２分の現像てネガダ１のパ
ターンか得られた。
行った。ＮａＯＨ２％２３℃２分の現像てネガダ１のパ
ターンか得られた。
従来は＾先に３蒔間を安していたか今回は１／３の１時
間で良好な結果が１１）られた。
間で良好な結果が１１）られた。
（実施例 ４）
実施例３と同様な！ＩＩ成のレジストをＩＴｌいてＸ線
源にＡＮのにα線、ｌ０ＫＶ、２０ｍＡ、補助光源にＸ
ｅｎｏｎｏ、３ｍＷ／ｓｅｃ、マスク透過膜にＡ交Ｎの
２に厚を用いた。
源にＡＮのにα線、ｌ０ＫＶ、２０ｍＡ、補助光源にＸ
ｅｎｏｎｏ、３ｍＷ／ｓｅｃ、マスク透過膜にＡ交Ｎの
２に厚を用いた。
Ｘ線によるマスクパターンの露光時間は４０分である。
実施例１と同様の現像？＆１黒色のネガ型パターンかＩ
りられた。
りられた。
（発明の効果）
本発明によればフッ化黒鉛なＬ成分としたレジストを用
い、Ｘ線の照射中に紫外線又は／及びｉ＋７視光線を照
射することにより、レジストの実効感度を高めた高性能
なパターン転写が口■能なリングラフィに好適なパター
ン形成法を１１！成することかできる。
い、Ｘ線の照射中に紫外線又は／及びｉ＋７視光線を照
射することにより、レジストの実効感度を高めた高性能
なパターン転写が口■能なリングラフィに好適なパター
ン形成法を１１！成することかできる。
＋３’ｓ１図は本発明のパターン形成法をｘ＆ｌ用露光
露光装置用したときの−χ実施例′Ｒ略図、第２図は第
１図に示す実施例において得られたウニへ面１−のパタ
ーンの説明図である。 図中ｌはＸｆｆ１＠、２は補助光源、３はマスク枠、４
はＸ線透過膜、５はマスクパターン、６はレジスト、７
はウェハである。
露光装置用したときの−χ実施例′Ｒ略図、第２図は第
１図に示す実施例において得られたウニへ面１−のパタ
ーンの説明図である。 図中ｌはＸｆｆ１＠、２は補助光源、３はマスク枠、４
はＸ線透過膜、５はマスクパターン、６はレジスト、７
はウェハである。
Claims (2)
- （１）レジスト層にＸ線により照射されたパターンを転
写する際、該レジストの主たる組成物をフッ化黒鉛より
構成し、該レジストへのＸ線照射中に紫外線又は／及び
可視光線を照射して該レジスト層にパターンを形成する
ようにしたことを特徴とするパターン形成法。 - （２）前記レジストへの紫外線又は／及び可視光線の照
射量を該レジストのしきい値以下としたことを特徴とす
る請求項１記載のパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63090833A JP2570803B2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | パターン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63090833A JP2570803B2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | パターン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01261636A true JPH01261636A (ja) | 1989-10-18 |
| JP2570803B2 JP2570803B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=14009587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63090833A Expired - Fee Related JP2570803B2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | パターン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570803B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105353587A (zh) * | 2015-12-15 | 2016-02-24 | 南方科技大学 | 一种纳米压印光刻胶及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61193145A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ネガ型レジスト |
| JPS61209434A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Mitsui Toatsu Chem Inc | レジスト用重合体 |
| JPH01197745A (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-09 | Canon Inc | レジスト組成物 |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP63090833A patent/JP2570803B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2570803B2 (ja) | 1997-01-16 |
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