JPH01262454A - 蓄積性蛍光板からのｘ線回折像読取り方法 - Google Patents
蓄積性蛍光板からのｘ線回折像読取り方法Info
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- JPH01262454A JPH01262454A JP63089000A JP8900088A JPH01262454A JP H01262454 A JPH01262454 A JP H01262454A JP 63089000 A JP63089000 A JP 63089000A JP 8900088 A JP8900088 A JP 8900088A JP H01262454 A JPH01262454 A JP H01262454A
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- 238000009825 accumulation Methods 0.000 title abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract description 9
- 230000029777 axis specification Effects 0.000 abstract 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、Ｘ線回折像を潜像として記録している蓄積性
蛍光板に励起光線を照射して、そこから発生する蛍光を
検出する形式のＸ線回折＠読取り方法に関し、特に、被
測定単結晶の軸立てを行うための読取り方法に関する。
蛍光板に励起光線を照射して、そこから発生する蛍光を
検出する形式のＸ線回折＠読取り方法に関し、特に、被
測定単結晶の軸立てを行うための読取り方法に関する。
［従来の技術］
この種の蓄積性蛍光板からＸ線回折像を読み取るには、
レーザ光などの励起光線を、蓄積性蛍光板上で走査し、
発生する蛍光を所定のサンプリング間隔で測定している
。読取りの画素サイズは、Ｘ線回折像が必要とする分解
能に応じて定められる。単結晶の＃ｌ造解析を行うため
には、単結晶による回折強度を精度良く測定しなければ
ならず、したがって、画素サイズは小さくする必要があ
る。
レーザ光などの励起光線を、蓄積性蛍光板上で走査し、
発生する蛍光を所定のサンプリング間隔で測定している
。読取りの画素サイズは、Ｘ線回折像が必要とする分解
能に応じて定められる。単結晶の＃ｌ造解析を行うため
には、単結晶による回折強度を精度良く測定しなければ
ならず、したがって、画素サイズは小さくする必要があ
る。
ところで、Ｘ線回折像による結晶構造解析の際には、被
測定単結晶の軸立てが正しくなされていれば、その後の
処理がより簡単にかつ迅速になる。
測定単結晶の軸立てが正しくなされていれば、その後の
処理がより簡単にかつ迅速になる。
ここで、「軸立て」とは、測定すべき単結晶の特定の結
晶軸を、Ｘ線入射軸および結晶回転軸に対して所定の方
向に正確に位置決めすることである。
晶軸を、Ｘ線入射軸および結晶回転軸に対して所定の方
向に正確に位置決めすることである。
この軸立てを行うには、まず、ゴニオメータヘッドにセ
ットした単結晶に対して、予備的なＸ線回折測定を行う
。そして、この回折パターンを参考にしてゴニオメータ
ヘッドを微調整し、単結晶を正しい方向にもっていく。
ットした単結晶に対して、予備的なＸ線回折測定を行う
。そして、この回折パターンを参考にしてゴニオメータ
ヘッドを微調整し、単結晶を正しい方向にもっていく。
このような軸立て作業を何回も繰り返すことによって、
軸立てが完了することになる。
軸立てが完了することになる。
［発明が解決しようとする課題］
結晶構造解析の精度を良くするために読取りの画素サイ
ズは小ざくされているので、蓄積性蛍光板の読取りには
ある程度の時間がかかる。一方で、上述の軸立て作業に
あっては、蓄積性蛍光１反の読取りを何回も行わなけれ
ばならず、その都度、励起光線を走査することになる。
ズは小ざくされているので、蓄積性蛍光板の読取りには
ある程度の時間がかかる。一方で、上述の軸立て作業に
あっては、蓄積性蛍光１反の読取りを何回も行わなけれ
ばならず、その都度、励起光線を走査することになる。
したがって、軸立て作業には多くの時間が費やされてい
た。
た。
本発明は、このような事情に罵みてなされたものであり
、その目的は、軸立て作業時間を短縮できるような読取
り方法を堤供することにある。
、その目的は、軸立て作業時間を短縮できるような読取
り方法を堤供することにある。
［課題を解決するための手段コ
上記目的を達成するため、本発明の読取り方ｊ人は、被
測定単結晶の軸立てを行うために、正規の読取り画素サ
イズよりも大きな画素サイズで読取りを行うことを特徴
とする。
測定単結晶の軸立てを行うために、正規の読取り画素サ
イズよりも大きな画素サイズで読取りを行うことを特徴
とする。
また、本発明に係る別の読取り方法では、被測定単結晶
の軸立てを行うために、正規の読取り領域よりも狭い中
心領域だけで読取りを行うことを特徴とする。
の軸立てを行うために、正規の読取り領域よりも狭い中
心領域だけで読取りを行うことを特徴とする。
本発明に係るさらに別の読取り方法では、上述の二つの
読取り方法を組み合わせている。
読取り方法を組み合わせている。
し作用］
軸立てに必要な情報は、回折パターンのみであり、正確
な回折強度は必要ではない。したがって、必要な範囲内
で画素サイズを大きくすれば、全体の読取り時間が短縮
できる。
な回折強度は必要ではない。したがって、必要な範囲内
で画素サイズを大きくすれば、全体の読取り時間が短縮
できる。
また、正規の読取り領域よりも狭い中心領域だけを読み
取れば、読取り時間の短縮に直接つながる。軸立てをす
るには、中心領域だけの回折パターンがあれば十分であ
る。
取れば、読取り時間の短縮に直接つながる。軸立てをす
るには、中心領域だけの回折パターンがあれば十分であ
る。
さらに、上述の二つの読取り方法を組み合わせれば、当
然、読取り時間は、より短縮される。すなわら、中心領
域だけを、大きな画素サイズで読み取るわけである。
然、読取り時間は、より短縮される。すなわら、中心領
域だけを、大きな画素サイズで読み取るわけである。
［実施例］
次に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第４図は本発明の読取り方法で使用している読取り装置
の一例を示した斜視図である。平面状の蓄積性蛍光板１
０の正面には、蛍光読取り装置が配置されている。この
蛍光読取装置は、Ｘ−Ｙ二次元スキャン方式であり、上
下方向に移動するＸステージと、このＸステージに載っ
ていて水平方向に移動するＹステージとを有する。Ｘス
テージには反則ミラー１１が固定され、Ｙステージには
、反射ミラー１２と対物レンズ１３が固定されている。
の一例を示した斜視図である。平面状の蓄積性蛍光板１
０の正面には、蛍光読取り装置が配置されている。この
蛍光読取装置は、Ｘ−Ｙ二次元スキャン方式であり、上
下方向に移動するＸステージと、このＸステージに載っ
ていて水平方向に移動するＹステージとを有する。Ｘス
テージには反則ミラー１１が固定され、Ｙステージには
、反射ミラー１２と対物レンズ１３が固定されている。
反則ミラー１１の下方には別の反則ミラー１４があり、
この反射ミラー１４には孔１５が開いている。反射ミラ
ー１４の下方にはレーザ発生装置１７があり、反射ミラ
ー１４の手前には光電子増倍管１６が配置されている。
この反射ミラー１４には孔１５が開いている。反射ミラ
ー１４の下方にはレーザ発生装置１７があり、反射ミラ
ー１４の手前には光電子増倍管１６が配置されている。
光電子増倍管１６の出力はアナログ・ディジタル変換器
でディジタル信号に変換されるが、このとき、所定のサ
ンプリングタイムでディジタル信号をホールドしている
。異体的な例を挙げると、入力されたアナログ信号を１
００ｎＳの間だけ（４分して、その値をディジタル信号
としてホールドする。そして、その後は、１０μｓの間
だけ、ホールドを続ける。次に、また１００ｎＳの間だ
け入力アナログ信号を積分して、その値をディジタル信
号としてホールドする。このようにして、１０μｓごと
にサンプリングを行っている。
でディジタル信号に変換されるが、このとき、所定のサ
ンプリングタイムでディジタル信号をホールドしている
。異体的な例を挙げると、入力されたアナログ信号を１
００ｎＳの間だけ（４分して、その値をディジタル信号
としてホールドする。そして、その後は、１０μｓの間
だけ、ホールドを続ける。次に、また１００ｎＳの間だ
け入力アナログ信号を積分して、その値をディジタル信
号としてホールドする。このようにして、１０μｓごと
にサンプリングを行っている。
レーザ発生装置１７から発射されたレーザ光は、反則ミ
ラー１４の孔１５を通過して、反射ミラー１１と反射ミ
ラー１２と対物レンズ１３とを経て、蓄積性蛍光板１０
に当たる。そのとき発生した蛍光は、同様の経路を戻っ
ていき、最終的に光電子増倍管１６で検出される。この
読取りは、Ｘ−Ｙ二次元スキャンとともに実施される。
ラー１４の孔１５を通過して、反射ミラー１１と反射ミ
ラー１２と対物レンズ１３とを経て、蓄積性蛍光板１０
に当たる。そのとき発生した蛍光は、同様の経路を戻っ
ていき、最終的に光電子増倍管１６で検出される。この
読取りは、Ｘ−Ｙ二次元スキャンとともに実施される。
この実施例で使用する蓄積性蛍光板は、二価のユーロピ
ウムイオンをドープしたバリウムフロロブロマイド（Ｂ
ａＦＢｒ ： Ｅｕ” ）の粉末結晶蛍光体を、プラス
チックフィルム上に塗布したものである。読取りに使用
するレーザ光は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（波長６３３ｎｍ
＞であり、発生する蛍光は波長３９０ｎｍにピークを持
つものである。
ウムイオンをドープしたバリウムフロロブロマイド（Ｂ
ａＦＢｒ ： Ｅｕ” ）の粉末結晶蛍光体を、プラス
チックフィルム上に塗布したものである。読取りに使用
するレーザ光は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（波長６３３ｎｍ
＞であり、発生する蛍光は波長３９０ｎｍにピークを持
つものである。
第２図は、正規のＸ線回折測定における読取り方法を示
す。すなわち、被測定単結晶の軸立てが完了した状態で
、そのＸ線回折像が蓄積性蛍光板に記録されてあり、こ
の蓄積性蛍光板に対して読取りを行うものである。この
図の黒丸２０は、各サンプリング時刻における、蓄積性
蛍光板上でのレーザ光の位置を示す。すなわち、蛍光が
読み取られる位置を示している。レーザ光は水平に走査
されていき、水平方向でのサンプリング間隔はａである
。レーザ光が蓄積性蛍光板の端まで到達すると、距離ａ
だけ下に移動して、反対方向に走査されていく。図の縦
横の直線２１．２２で区切られた正方形は、一つの読取
り位置が代表する領域を表す。この実施例では、２００
ｍｍｘ２００ｍｍの寸法の蓄積性蛍光板に対して、読取
り画素サイズは、１０５μｍＸ１０５μｍである。すな
わちａ＝１０５μｍである。レーザ光のビーム径は、こ
の画素サイズに合わせて、１０５μｍに絞られている。
す。すなわち、被測定単結晶の軸立てが完了した状態で
、そのＸ線回折像が蓄積性蛍光板に記録されてあり、こ
の蓄積性蛍光板に対して読取りを行うものである。この
図の黒丸２０は、各サンプリング時刻における、蓄積性
蛍光板上でのレーザ光の位置を示す。すなわち、蛍光が
読み取られる位置を示している。レーザ光は水平に走査
されていき、水平方向でのサンプリング間隔はａである
。レーザ光が蓄積性蛍光板の端まで到達すると、距離ａ
だけ下に移動して、反対方向に走査されていく。図の縦
横の直線２１．２２で区切られた正方形は、一つの読取
り位置が代表する領域を表す。この実施例では、２００
ｍｍｘ２００ｍｍの寸法の蓄積性蛍光板に対して、読取
り画素サイズは、１０５μｍＸ１０５μｍである。すな
わちａ＝１０５μｍである。レーザ光のビーム径は、こ
の画素サイズに合わせて、１０５μｍに絞られている。
第１図は、被測定単結晶の軸立てのための読取りを示す
。すなわち、軸立てのためのＸ線回折像が蓄積性蛍光板
に記録されており、この蓄積性蛍光板に対して読取りを
行うものである。第２図の場合と異なるのは、サンプリ
ング間隔すが、ａの２倍になっていることでおる。これ
は、レーザ光の走査速度を、Ｘ方向およびＹ方向で、２
倍にしているためである。したがって、画素サイズは、
２１０μｍｘ２１０μｍとなっている。すなわちｂ＝２
１０μｍである。破線で示す正方形２３は、一つの読取
り位置が代表する領域を表している。
。すなわち、軸立てのためのＸ線回折像が蓄積性蛍光板
に記録されており、この蓄積性蛍光板に対して読取りを
行うものである。第２図の場合と異なるのは、サンプリ
ング間隔すが、ａの２倍になっていることでおる。これ
は、レーザ光の走査速度を、Ｘ方向およびＹ方向で、２
倍にしているためである。したがって、画素サイズは、
２１０μｍｘ２１０μｍとなっている。すなわちｂ＝２
１０μｍである。破線で示す正方形２３は、一つの読取
り位置が代表する領域を表している。
このような読取り方法により、第２図のものに比べて、
読取り時間が４分の１に短縮されている。
読取り時間が４分の１に短縮されている。
もちろん、Ｘ方向のみ、あるいはＹ方向のみの走査速度
を２倍にすることもでき、この場合は、読取り時間は２
分の１に短縮される。
を２倍にすることもでき、この場合は、読取り時間は２
分の１に短縮される。
なあ、第１図の例では画素サイズを２倍にしているが、
これを任意の倍数にすることができるのはもちろんであ
る。
これを任意の倍数にすることができるのはもちろんであ
る。
第３図は、軸立ての際の読取り方法の別の例である。こ
の例では、蓄積性蛍光板１０の中心領域３０だけを読み
取っている。この領域３０の中では、第２図に示すのと
同じ読取り方法を行っている。この実施例では、２００
ｍｍｘ２００ｍｍの寸法の蓄積性蛍光板に対して、ｉｏ
ｏｍｍｘｌｏｏｍｍの中心領域３０を設定している。こ
れにより、読取り時間が４分の１に短縮されている。
の例では、蓄積性蛍光板１０の中心領域３０だけを読み
取っている。この領域３０の中では、第２図に示すのと
同じ読取り方法を行っている。この実施例では、２００
ｍｍｘ２００ｍｍの寸法の蓄積性蛍光板に対して、ｉｏ
ｏｍｍｘｌｏｏｍｍの中心領域３０を設定している。こ
れにより、読取り時間が４分の１に短縮されている。
実際は、大まかな軸立てに対しては、中心領域３０は、
５０ｍｍｘ５０ｍｍぐらイニしても問題はなく、この場
合は、読取り時間は、第２図のものに比べて、１６分の
１に短縮される。なあ、中心領域の寸法としては、これ
らの値以外にも、任意の寸法を取ることができるのはも
ちろんである。
５０ｍｍｘ５０ｍｍぐらイニしても問題はなく、この場
合は、読取り時間は、第２図のものに比べて、１６分の
１に短縮される。なあ、中心領域の寸法としては、これ
らの値以外にも、任意の寸法を取ることができるのはも
ちろんである。
さらに、第１図と第３図の読取り方法を組み合わせるこ
ともできる。すなわち、中心領域だけの読取りを行い、
しかも、２倍の画素サイズで読取りを行うのである。こ
うすれば、読取り時間は大幅に短縮される。何回かの軸
立て作業のうち、最初の方の軸立て作業では、必より精
度を必要としない場合も多く、したがって、このような
読取り方法も採用できる。
ともできる。すなわち、中心領域だけの読取りを行い、
しかも、２倍の画素サイズで読取りを行うのである。こ
うすれば、読取り時間は大幅に短縮される。何回かの軸
立て作業のうち、最初の方の軸立て作業では、必より精
度を必要としない場合も多く、したがって、このような
読取り方法も採用できる。
［発明の効果］
以上説明したように、請求項１の発明は、被測定単結晶
の軸立てを行うために、正規の読取り画素サイズよりも
大きな画素サイズで読取りを行っているので、読取り時
間が短縮される。
の軸立てを行うために、正規の読取り画素サイズよりも
大きな画素サイズで読取りを行っているので、読取り時
間が短縮される。
また、請求項２の発明は、被測定単結晶の軸立てを行う
ために、正規の読取り領域よりも狭い中心領域だけで読
取り゛を行っているので、同ＰＡｃ、読取り時間が短縮
される。
ために、正規の読取り領域よりも狭い中心領域だけで読
取り゛を行っているので、同ＰＡｃ、読取り時間が短縮
される。
ざらに、請求項３の発明では、上述の二つの読取り方法
を組み合わせているので、読取り時間が大幅に短縮され
る。
を組み合わせているので、読取り時間が大幅に短縮され
る。
第１図は本発明の一例を示す説明図、
第２図は正規の読取り方法を示す説明図、第３図は本発
明の別の例を示す説明図、第４図は本発明で使用してい
る読取り装置の一例を示す斜視図である。 ａ・・・正規の画素サイズ ｂ・・・大ぎな画素サイズ １０・・・蓄積性蛍光板 ３０・・・中心領域
明の別の例を示す説明図、第４図は本発明で使用してい
る読取り装置の一例を示す斜視図である。 ａ・・・正規の画素サイズ ｂ・・・大ぎな画素サイズ １０・・・蓄積性蛍光板 ３０・・・中心領域
Claims (3)
- （１）Ｘ線回折像を潜像として記録している蓄積性蛍光
板に励起光線を照射して、そこから発生する蛍光を検出
する形式のＸ線回折像読取り方法において、 被測定単結晶の軸立てを行うために、正規の読取り画素
サイズよりも大きな画素サイズで読取りを行うことを特
徴とする読取り方法。 - （２）Ｘ線回折像を潜像として記録している蓄積性蛍光
板に励起光線を照射して、そこから発生する蛍光を検出
する形式のＸ線回折像読取り方法において、 被測定単結晶の軸立てを行うために、正規の読取り領域
よりも狭い中心領域だけで読取りを行うことを特徴とす
る読取り方法。 - （３）Ｘ線回折像を潜像として記録している蓄積性蛍光
板に励起光線を照射して、そこから発生する蛍光を検出
する形式のＸ線回折像読取り方法において、 被測定単結晶の軸立てを行うために、正規の読取り画素
サイズよりも大きな画素サイズで、かつ、正規の読取り
領域よりも狭い中心領域だけで、読取りを行うことを特
徴とする読取り方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089000A JPH01262454A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 蓄積性蛍光板からのｘ線回折像読取り方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089000A JPH01262454A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 蓄積性蛍光板からのｘ線回折像読取り方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01262454A true JPH01262454A (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=13958536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63089000A Pending JPH01262454A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 蓄積性蛍光板からのｘ線回折像読取り方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01262454A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07219088A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Hitachi Cable Ltd | Ｘ線フィルム検査装置及び電力ケーブルのｘ線検査方法 |
| EP0777148A1 (en) * | 1995-12-01 | 1997-06-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image read-out apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5844039A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-14 | 株式会社東芝 | Ｃｔ画像表示方法 |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP63089000A patent/JPH01262454A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5844039A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-14 | 株式会社東芝 | Ｃｔ画像表示方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07219088A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Hitachi Cable Ltd | Ｘ線フィルム検査装置及び電力ケーブルのｘ線検査方法 |
| EP0777148A1 (en) * | 1995-12-01 | 1997-06-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image read-out apparatus |
| US5801391A (en) * | 1995-12-01 | 1998-09-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image read-out apparatus |
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