JPH01263261A - Ｘ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法 - Google Patents
Ｘ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法Info
- Publication number
- JPH01263261A JPH01263261A JP63092845A JP9284588A JPH01263261A JP H01263261 A JPH01263261 A JP H01263261A JP 63092845 A JP63092845 A JP 63092845A JP 9284588 A JP9284588 A JP 9284588A JP H01263261 A JPH01263261 A JP H01263261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beryllium
- ray source
- thin
- thin plate
- sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001572 beryllium Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0005—Separation of the coating from the substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B3/00—Rolling materials of special alloys so far as the composition of the alloy requires or permits special rolling methods or sequences ; Rolling of aluminium, copper, zinc or other non-ferrous metals
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/4998—Combined manufacture including applying or shaping of fluent material
- Y10T29/49982—Coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/4998—Combined manufacture including applying or shaping of fluent material
- Y10T29/49988—Metal casting
- Y10T29/49991—Combined with rolling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＸ線発生装置のＸ線通過窓用として使用され
るベリリウム単体またはベリリウム合金製薄板の製造方
法に関し、例えば真空蒸着法によって形成したベリリウ
ム薄板を熱間圧延または冷間圧延することにより、簡単
な製造方法によって高密度、高強度のＸ線源窓用ベリリ
ウム薄板を得るものである。
るベリリウム単体またはベリリウム合金製薄板の製造方
法に関し、例えば真空蒸着法によって形成したベリリウ
ム薄板を熱間圧延または冷間圧延することにより、簡単
な製造方法によって高密度、高強度のＸ線源窓用ベリリ
ウム薄板を得るものである。
一般に、Ｘ線露光装置として用いられるＸ線発生装置に
あっては、第８図に示すように、電子銃１１からの電子
ビームをパラジウムターゲット１３にす、？射し、Ｘ線
かベリリウム窓１５を介してウェハ１７に放射される。
あっては、第８図に示すように、電子銃１１からの電子
ビームをパラジウムターゲット１３にす、？射し、Ｘ線
かベリリウム窓１５を介してウェハ１７に放射される。
このベリリウム窓１５は真空のターゲツト室１９と大気
圧のウェハ載置部との仕切りとなるもので、例えば５０
μｒｎ程度の薄いベリリウムの薄板；こよって形成され
ている。
圧のウェハ載置部との仕切りとなるもので、例えば５０
μｒｎ程度の薄いベリリウムの薄板；こよって形成され
ている。
そして、このＸ線源窓用ベリリウム薄板１５が厚すぎる
とＸ線の一部が吸収されてしまい、薄板の透過量か減っ
てしまっていた。逆に、ベリリウム薄板１５が薄過ぎる
と上記大気圧に耐えることができない他、そのベリリウ
ム薄板１５の微小孔から空気が洩れるという不都合があ
った。
とＸ線の一部が吸収されてしまい、薄板の透過量か減っ
てしまっていた。逆に、ベリリウム薄板１５が薄過ぎる
と上記大気圧に耐えることができない他、そのベリリウ
ム薄板１５の微小孔から空気が洩れるという不都合があ
った。
従来、この種のＸ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法と
しては、例えば粉末冶金法によるものと、真空蒸着法に
よるものとが知られていた。
しては、例えば粉末冶金法によるものと、真空蒸着法に
よるものとが知られていた。
前者によれは、まず、ベリリウムのインゴットヲ溶解し
、次に、ボールミル等によってベリリウムを粉体化し、
冷間プレスし、さらに、熱間真空プレスｉ水熱間圧延す
るものである。
、次に、ボールミル等によってベリリウムを粉体化し、
冷間プレスし、さらに、熱間真空プレスｉ水熱間圧延す
るものである。
一方、後者によれは、真空蒸着法によって銅の基板上に
ベリリウム合金の薄膜を形成し、その後この銅基板を例
えは硝酸によって溶解するものである。
ベリリウム合金の薄膜を形成し、その後この銅基板を例
えは硝酸によって溶解するものである。
しかしながら、このような従来のＸ線源窓用・′＼リリ
ウム薄板の製造方法として、前者にあっては、ベリリウ
ムのインゴットをボールミル等により粉体化するため粉
末の表面に酸化物ができ、このため、純度が低くかつ強
度も低いベリリウム薄板しか製造することができなかっ
た。また、後者ここあっては、真空蒸着法による結果と
して低密度、低強度のへリリウム薄板しか得ることがで
きなかったという問題点があった。
ウム薄板の製造方法として、前者にあっては、ベリリウ
ムのインゴットをボールミル等により粉体化するため粉
末の表面に酸化物ができ、このため、純度が低くかつ強
度も低いベリリウム薄板しか製造することができなかっ
た。また、後者ここあっては、真空蒸着法による結果と
して低密度、低強度のへリリウム薄板しか得ることがで
きなかったという問題点があった。
そこで、本発明は、高純度でかつ高強度のベリリウム薄
板を得るとともに、工程数の減少によって安価に製造す
ることを可能としたＸ線源窓用ベリリウム薄板の製造方
法を提供することをその目的としている。
板を得るとともに、工程数の減少によって安価に製造す
ることを可能としたＸ線源窓用ベリリウム薄板の製造方
法を提供することをその目的としている。
本発明は、気相成長法によってベリリウム薄板を形成す
る工程と、その後このベリリウム薄板を圧延する工程と
を備えたＸ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法を提供す
るものである。この場合、ベリリウム薄板とは、・人す
リウム単体のみからなる薄板及びベリリウム合金による
薄板の双方を含むものである。
る工程と、その後このベリリウム薄板を圧延する工程と
を備えたＸ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法を提供す
るものである。この場合、ベリリウム薄板とは、・人す
リウム単体のみからなる薄板及びベリリウム合金による
薄板の双方を含むものである。
本発明に係るＸ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法にあ
っては、気相成長法、例えば真空蒸着法によってベリリ
ウム薄板を例えば銅製の基板上に積層、形成し、その後
基板を溶解等してベリリウム薄板を得る。そして、この
状態では薄板の内部に微小気泡が存在することから、こ
の後熱間圧延または冷間圧延によってこのベリリウム薄
板を高密度化、高強度化するものである。圧延加工によ
ってベリリウム薄板の結晶粒かｉ２細化することによる
ものである。
っては、気相成長法、例えば真空蒸着法によってベリリ
ウム薄板を例えば銅製の基板上に積層、形成し、その後
基板を溶解等してベリリウム薄板を得る。そして、この
状態では薄板の内部に微小気泡が存在することから、こ
の後熱間圧延または冷間圧延によってこのベリリウム薄
板を高密度化、高強度化するものである。圧延加工によ
ってベリリウム薄板の結晶粒かｉ２細化することによる
ものである。
第１図〜第７図は本発明に係るＸ線源窓用ベリリウム薄
板の製造方法の第１実施例を示している。
板の製造方法の第１実施例を示している。
すなわち、第１図に示すように、まず、所定厚さのニッ
ケルまたは銅の基板１１１を用意する。
ケルまたは銅の基板１１１を用意する。
次に、第２図に示すように、この基板１１１の下面に３
００°Ｃ〜５００℃の温度条件でシリコン膜１１３を所
定の厚さに蒸着する。これはベリリウムへの銅１１１の
拡散を防止するためである。
００°Ｃ〜５００℃の温度条件でシリコン膜１１３を所
定の厚さに蒸着する。これはベリリウムへの銅１１１の
拡散を防止するためである。
次に、第３図に示すように、このシリコン膜１１３上に
所定の厚さのベリリウム膜１１５を蒸着によって積層す
る。
所定の厚さのベリリウム膜１１５を蒸着によって積層す
る。
次に、第４図に示すように、蒸着炉からこの積層体であ
る基板１１１を取り出した後、例えは硝酸によって銅基
板１１１をエツチングして除去する。この結果、シリコ
ン膜１１３の下面に所定厚さの・＼リリウム膜１１δが
固着した状態で積層体は残存する。
る基板１１１を取り出した後、例えは硝酸によって銅基
板１１１をエツチングして除去する。この結果、シリコ
ン膜１１３の下面に所定厚さの・＼リリウム膜１１δが
固着した状態で積層体は残存する。
次に、第５図に示すように、例えばイオン照射によって
、または、他の機械的な手段によってシリコン膜１１３
をこの積層体から除去する。従って、所定の膜厚のベリ
ツウ１４膜１１５のみが残るものである。
、または、他の機械的な手段によってシリコン膜１１３
をこの積層体から除去する。従って、所定の膜厚のベリ
ツウ１４膜１１５のみが残るものである。
次に、必要に応して、例えば１，０５０℃、１８０ＭＰ
ａの条件によって静水圧処理を行う。二のときの板歪は
Ｏ，Ｏｃ５ｍｍ〜０．５ｍｍである。
ａの条件によって静水圧処理を行う。二のときの板歪は
Ｏ，Ｏｃ５ｍｍ〜０．５ｍｍである。
次に、第６図に示すように、１００°Ｃ〜６００°Ｃて
の熱間圧延後（圧延率は２０％〜５０％）、６００°Ｃ
〜８５０°Ｃの温度て焼鈍し、また、これらの圧延、焼
鈍の各処理を繰り返してベリリウム？１４反 １ １
５ＧＯ，００！５ｍｍ〜０． ０５ｍｍの板、ＩＷ
）こする。なお、この中間焼鈍条件としては真空中また
はアルゴンガス雰囲気中で６００℃〜９００°Ｃにおい
て行うものとする。
の熱間圧延後（圧延率は２０％〜５０％）、６００°Ｃ
〜８５０°Ｃの温度て焼鈍し、また、これらの圧延、焼
鈍の各処理を繰り返してベリリウム？１４反 １ １
５ＧＯ，００！５ｍｍ〜０． ０５ｍｍの板、ＩＷ
）こする。なお、この中間焼鈍条件としては真空中また
はアルゴンガス雰囲気中で６００℃〜９００°Ｃにおい
て行うものとする。
さらに、この後、ベリリウム薄板１１５を冷間圧延ある
いは熱間圧延で最終寸法（０，００２ｍｍ〜０．０δｍ
ｍ）にまで仕上げる。
いは熱間圧延で最終寸法（０，００２ｍｍ〜０．０δｍ
ｍ）にまで仕上げる。
以上のようにして得られたベリリウム薄板１１５の板厚
（縦軸）とこれを使用したＸ線窓の径（横軸）との関係
を第７図に示している。
（縦軸）とこれを使用したＸ線窓の径（横軸）との関係
を第７図に示している。
この図に実線で示すように、非破壊領域Ｙは破壊領域Ｚ
に対してのものであり、本発明に係るベリリウム窓１１
δは従来のそれ（破線）に比較して高強度を有している
。これは、添付写真第１（本発明）と第２（従来）とを
比較して明かなように結晶粒が変化したからである。
に対してのものであり、本発明に係るベリリウム窓１１
δは従来のそれ（破線）に比較して高強度を有している
。これは、添付写真第１（本発明）と第２（従来）とを
比較して明かなように結晶粒が変化したからである。
写真第１及び写真第２において、１１５はベリリウム薄
板を示している。
板を示している。
以上説明してきたように、本発明によれば、Ｘ線源窓用
ベリリウム薄板の製造が工程数の減少によって簡単にな
るとともに、この結果安価に製造されたＸ線源窓用ベリ
リウム薄板が高強度で高密度のものとなっている。
ベリリウム薄板の製造が工程数の減少によって簡単にな
るとともに、この結果安価に製造されたＸ線源窓用ベリ
リウム薄板が高強度で高密度のものとなっている。
第１図〜第６図は本発明の第１実施例に係るＸ線源窓用
ベリリウム薄板の製造方法の各工程を示すその縦断面図
、 第７図は第１実施例に係るベリリウム薄板の板圧とＸ線
透過窓の径との関係を示すグラフ、第８図はＸ線発生装
置の概略斜視図である。 添付写真第１は第１実施例に係るＸ線源窓用ベリリウム
薄板の結晶構造を示すもので、添付写真第２は同じ〈従
来のベリリウム薄板の結晶構造を示すものである。 １１５・・・・・・・・ベリリウム薄板。 特許出願人 ヤマハ株式会社代理人
弁理士 桑井 清−第１図 第１電斃例の工程Ｅ示す楔断面（２） 第２図 ％１賞惟例の工程ヒポＴ模＠面図 第３図 第便施勿の工程ε示Ｔ績幇面図 第乙図 第１實施例の工程ε示Ｔ漿析面口 第５図 第１！施例の工程ミ示す績岬面区 第６図 第１費莞使の工程ヒポすａ折市閉 第７図 筑１髪永イ幻のベリリウム５拳板の扱方とＸ・線速ｊ「
紀の窪との関係と示す’２’う７第８図 Ｘ線多トし装置の栂ホ眠殊現図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６３年特許願 第９２８４５号 ２、発明の名称 Ｘ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 静岡県浜松市中沢町１０番１号名称 −（４０
７）ヤマハ株式会社 代表者 用土 浩 ４、代理′人 〒１５０ 居所 東京都渋谷区神山町４０番４号氏名 弁理士
（８９１７） 桑井 清−電話 （０３）４６９−７
４１８ ５、補正命令の日付 昭和６３年７月２６日 ６、補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄、および、
「図面の簡単な説明」の欄。 （２）図面。 ７、補正の内容 （１）明細書第７頁第９行〜第１０行に「これは、添付
写真第１（本発明）と第２（従来）とを」とあるのを、
「これは、第９図（本発明）と第１０図（従来）とを」
と補正する。 （２）同第７頁第１２行に「写真第１及び写真第２にお
いて」とあるのを、 「第９図及び第１０図において」
と補正する。 （３）同第８頁第８行〜第１１行に「添付写真第１は第
１実施例に係るＸ線源窓用ベリリウム薄板の結晶構造を
示すもので、添付写真箱２は同じ〈従来のベリリウム薄
板の結晶構造を示すものである。」とあるのを、 「第
９図は第１実施例に係るＸ線源窓用ベリリウム薄板の結
晶構造を示す顕微鏡写真、第１０図は従来のベリリウム
薄板の結晶構造を示す顕微鏡写真である。」と補正する
。 （４）別紙の通り、図面に「写真第１」とあるのは、「
第９図」と、「写真第２」とあるのは、「第１０図」と
補正する。なお、第１図〜第８図は内容に変更のないた
め提出は省略する。 ８、添付書類の目録 （１）図面の第９図及び第１０図 １通以上 第９図 第７６７図
ベリリウム薄板の製造方法の各工程を示すその縦断面図
、 第７図は第１実施例に係るベリリウム薄板の板圧とＸ線
透過窓の径との関係を示すグラフ、第８図はＸ線発生装
置の概略斜視図である。 添付写真第１は第１実施例に係るＸ線源窓用ベリリウム
薄板の結晶構造を示すもので、添付写真第２は同じ〈従
来のベリリウム薄板の結晶構造を示すものである。 １１５・・・・・・・・ベリリウム薄板。 特許出願人 ヤマハ株式会社代理人
弁理士 桑井 清−第１図 第１電斃例の工程Ｅ示す楔断面（２） 第２図 ％１賞惟例の工程ヒポＴ模＠面図 第３図 第便施勿の工程ε示Ｔ績幇面図 第乙図 第１實施例の工程ε示Ｔ漿析面口 第５図 第１！施例の工程ミ示す績岬面区 第６図 第１費莞使の工程ヒポすａ折市閉 第７図 筑１髪永イ幻のベリリウム５拳板の扱方とＸ・線速ｊ「
紀の窪との関係と示す’２’う７第８図 Ｘ線多トし装置の栂ホ眠殊現図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６３年特許願 第９２８４５号 ２、発明の名称 Ｘ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 静岡県浜松市中沢町１０番１号名称 −（４０
７）ヤマハ株式会社 代表者 用土 浩 ４、代理′人 〒１５０ 居所 東京都渋谷区神山町４０番４号氏名 弁理士
（８９１７） 桑井 清−電話 （０３）４６９−７
４１８ ５、補正命令の日付 昭和６３年７月２６日 ６、補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄、および、
「図面の簡単な説明」の欄。 （２）図面。 ７、補正の内容 （１）明細書第７頁第９行〜第１０行に「これは、添付
写真第１（本発明）と第２（従来）とを」とあるのを、
「これは、第９図（本発明）と第１０図（従来）とを」
と補正する。 （２）同第７頁第１２行に「写真第１及び写真第２にお
いて」とあるのを、 「第９図及び第１０図において」
と補正する。 （３）同第８頁第８行〜第１１行に「添付写真第１は第
１実施例に係るＸ線源窓用ベリリウム薄板の結晶構造を
示すもので、添付写真箱２は同じ〈従来のベリリウム薄
板の結晶構造を示すものである。」とあるのを、 「第
９図は第１実施例に係るＸ線源窓用ベリリウム薄板の結
晶構造を示す顕微鏡写真、第１０図は従来のベリリウム
薄板の結晶構造を示す顕微鏡写真である。」と補正する
。 （４）別紙の通り、図面に「写真第１」とあるのは、「
第９図」と、「写真第２」とあるのは、「第１０図」と
補正する。なお、第１図〜第８図は内容に変更のないた
め提出は省略する。 ８、添付書類の目録 （１）図面の第９図及び第１０図 １通以上 第９図 第７６７図
Claims (1)
- （１）気相成長法によってベリリウム薄板を形成する工
程と、 その後このベリリウム薄板を圧延する工程とを備えたこ
とを特徴とするＸ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63092845A JPH01263261A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Ｘ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法 |
| US07/337,824 US5017245A (en) | 1988-04-15 | 1989-04-14 | Process of fabricating beryllium plate member with large mechanical strength |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63092845A JPH01263261A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Ｘ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01263261A true JPH01263261A (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=14065769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63092845A Pending JPH01263261A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Ｘ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5017245A (ja) |
| JP (1) | JPH01263261A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5161179A (en) * | 1990-03-01 | 1992-11-03 | Yamaha Corporation | Beryllium window incorporated in X-ray radiation system and process of fabrication thereof |
| JPH0681354B2 (ja) * | 1990-10-04 | 1994-10-12 | ヤマハ株式会社 | 音響機器用振動板の製造方法 |
| US5535495A (en) * | 1994-11-03 | 1996-07-16 | Gutowski; Donald A. | Die cast bullet manufacturing process |
| CN104395983B (zh) | 2012-04-20 | 2017-10-10 | 布鲁克Axs手持设备公司 | 用于保护辐射窗口的设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58202908A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-26 | Pioneer Electronic Corp | 金属薄板の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3657804A (en) * | 1970-07-17 | 1972-04-25 | Mallory & Co Inc P R | Method of making beryllium-aluminum wrought material |
| US3895671A (en) * | 1972-11-15 | 1975-07-22 | Nippon Musical Instruments Mfg | Method of manufacturing a thin sheet of beryllium or an alloy thereof |
| JPS63274295A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Yamaha Corp | 音響機器用振動板の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP63092845A patent/JPH01263261A/ja active Pending
-
1989
- 1989-04-14 US US07/337,824 patent/US5017245A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58202908A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-26 | Pioneer Electronic Corp | 金属薄板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5017245A (en) | 1991-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6676728B2 (en) | Sputtering target, method of making same, and high-melting metal powder material | |
| JPH1157810A (ja) | チタン合金シート材の製造方法 | |
| WO2001023635A1 (en) | Tungsten target for sputtering and method for preparing thereof | |
| JPH11276866A (ja) | 水素透過膜及びその作製方法 | |
| JPH01263261A (ja) | Ｘ線源窓用ベリリウム薄板の製造方法 | |
| WO1991013719A1 (en) | Brazing sheet comprising brazing material based on aluminum-magnesium-silicon alloy | |
| US4925741A (en) | Getter wire | |
| JPH03150356A (ja) | タングステンまたはモリブデンターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2003226964A (ja) | スパッタリング用タングステンターゲットの製造方法 | |
| JP3926708B2 (ja) | 水素透過膜 | |
| JPS60128253A (ja) | エツチング時のスジむらの発生を抑制したシヤドウマスク用鉄−ニツケル基合金の製造方法 | |
| TWI707968B (zh) | 靶材與背板之接合體、及靶材與背板之接合體之製造方法 | |
| RU2731636C1 (ru) | Способ получения вакуумноплотной фольги из бериллия | |
| US4504738A (en) | Input screen for an image intensifier tube and a method of making the same | |
| RU2739457C1 (ru) | Способ получения тонкой вакуумноплотной бериллиевой фольги | |
| US11407202B2 (en) | Roll-bonded laminate, method for producing the same, and heat radiation reinforcement member for electronic equipment | |
| JP3260537B2 (ja) | フランジ部付石英ガラス製器具 | |
| JP3086447B1 (ja) | スパッタリング用タングステンターゲットおよびその製造方法 | |
| JP3776788B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びその製造方法 | |
| JPS58202908A (ja) | 金属薄板の製造方法 | |
| EP0177110A1 (en) | Process for accelerating amorphization of intermetallic compounds by a chemical reaction using lattice defects | |
| JP2003082453A (ja) | パーティクル発生の少ないＭｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JPS62152299A (ja) | スピ−カ用振動板の製造方法 | |
| JP2003247063A (ja) | パーティクル発生の少ないｗスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2004323881A (ja) | 高減衰能Ｔｉ−Ｎｉ−Ｃｕ−Ｈ合金の製造法 |