JPH01264010A - Oscillation circuit - Google Patents

Oscillation circuit

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JPH01264010A
JPH01264010A JP63092498A JP9249888A JPH01264010A JP H01264010 A JPH01264010 A JP H01264010A JP 63092498 A JP63092498 A JP 63092498A JP 9249888 A JP9249888 A JP 9249888A JP H01264010 A JPH01264010 A JP H01264010A
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npn
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capacitor
resistor
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Yoshifumi Masuda
佳史 増田
Yoshihiro Otsuka
芳廣 大塚
Hisao Nagao
長尾 久夫
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/023Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of differential amplifiers or comparators, with internal or external positive feedback

Abstract

PURPOSE:To obtain an oscillation output subject to temperature compensation by providing a reference voltage generating circuit generating a forward voltage of a diode as a reference voltage. CONSTITUTION:The reference voltage generating circuit 27 generating a forward voltage of a diode as a reference voltage is provided. The reference voltage generating circuit 27 to give a reference voltage V2 to a comparator circuit 26 consists of a PNP transistor(TR) Q36, an NPN TR Q37, a resistor 28 and a diode 29. Thus, a temperature coefficient of a forward voltage of the diode of the reference voltage generating circuit 27 is applied as a negative element of the temperature coefficient of the oscillation period to apply temperature compensation of the oscillated period. Thus, the oscillation output whose oscillation period is subject to temperature compensation is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、コンデンサを充放電させる充放電回路を含む
発振回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an oscillation circuit including a charging/discharging circuit for charging and discharging a capacitor.

従来の技術 第212Iは従来の発振回路の一例を示す回路図である
1図において、定電流11を発生させるための定電流出
力回路1は、PNP)ランジスタQl。
Prior Art No. 212I is a circuit diagram showing an example of a conventional oscillation circuit. In FIG. 1, a constant current output circuit 1 for generating a constant current 11 is a PNP transistor Ql.

Q2.Q3と、NPN)ランジスタQ4.Q5と、抵抗
2.3とからなる。互いのベースを接続し合ってカレン
トミラーを精成する2つのPNPトランジスタQl、Q
2のエミッタは電源Vccに接続され、これらPNP 
)−ランジスタQl、Q2のベース電流を引き抜くため
にPNPトランジスタQ3のエミッタおよびベースが、
それぞれPNP )−ランジスタQl、Q2のベースお
よびPNP)ランジスタQ2のコレクタに接続され、P
NP)ランジスタQ3のコレクタは接地されている。
Q2. Q3 and NPN) transistor Q4. It consists of Q5 and resistor 2.3. Two PNP transistors Ql, Q whose bases are connected to form a current mirror.
The emitters of these PNPs are connected to the power supply Vcc.
) - The emitter and base of PNP transistor Q3 are
PNP) - connected to the base of transistor Ql, Q2 and PNP) - collector of transistor Q2, respectively, P
NP) The collector of transistor Q3 is grounded.

また、PNP)ランジスタQ1のコレクタはダイオード
接続されたNPNトランジスタQ4のコレクタに接続さ
れ、PNPトランジスタQ2のコレクタはNPNトラン
ジスタQ5のコレクタに接続され、2つのNPNトラン
ジスタQ4.Q5のベースは互いに接続されている。N
PN)ランジスタQ4のエミッタは接地され、NPN)
ランジスタQ5のエミッタは抵抗3の一端に接続され、
この抵抗3の他端は接地されている。
Furthermore, the collector of the PNP transistor Q1 is connected to the collector of the diode-connected NPN transistor Q4, the collector of the PNP transistor Q2 is connected to the collector of the NPN transistor Q5, and the collector of the two NPN transistors Q4. The bases of Q5 are connected together. N
PN) The emitter of transistor Q4 is grounded, and NPN)
The emitter of transistor Q5 is connected to one end of resistor 3,
The other end of this resistor 3 is grounded.

N P N +−ランジスタQ4.Q5のベースと電源
Vccとの間には、電源Vceの立」ユリ時にNPN 
l−ランジスタQ4.Q5にベース電圧を供給するため
の抵抗2が介挿されている。N P N )−ランジス
タQ5は、NPN)−ランジスタQ4の10倍のエミッ
タ面積を持つ。4はコンデンサ5を充放電させるための
充放電回路であって、PNPトランジスタQ6.Q7と
、 N P N lヘランジスタQ8゜Q9.QIOと
からなる。ベースをPNP )ランジスタQ2のベース
に接続して、このPNP l−ランジスタQ2とカレン
トミラーを構成する2つのPNPトランジスタQ6.Q
7のエミッタは電源Vccに接続されている。
N P N +- transistor Q4. There is an NPN between the base of Q5 and the power supply Vcc when the power supply Vce is turned on.
l-transistor Q4. A resistor 2 is inserted to supply a base voltage to Q5. NPN)-transistor Q5 has an emitter area ten times larger than NPN)-transistor Q4. 4 is a charging/discharging circuit for charging and discharging the capacitor 5, and includes a PNP transistor Q6. Q7 and N P N l helangistor Q8゜Q9. It consists of QIO. Two PNP transistors Q6, . Q
The emitter of 7 is connected to the power supply Vcc.

P N P l−ランジスタQ6のコレクタはダイオー
ド接続されたNPNI−ランジスタQ9のコレクタに接
続され、PNPt−ランジスタQ7のコレクタはNPN
1〜ランジスタQ10のコレクタに接続されている。2
つのNPNt−ランジスタQ9.QlOは互いのベース
を接続し合ってカレントミラーを構成し、それらのエミ
ッタはともに接地されている。NPN)−ランジスタQ
 10は、N F−’ N +・ランジスタQ9の2倍
のエミッタ面積を持つ。また、N P N )ランジス
タQ8のコレクタはNPNI−ランジスタQ9のコレク
タに接続され、N P N +−ランジスタQ8のエミ
ッタは接地されている。NPN l−ランジスタQ 1
.0のコレクタはコンデンサ5の一方の端子に接続され
、コンデンサ5の他方の端子は接地されている。
The collector of the P N P l-transistor Q6 is connected to the collector of the diode-connected NPNI-transistor Q9, and the collector of the PNPt-transistor Q7 is connected to the NPN
1 to the collectors of transistors Q10. 2
one NPNt-transistor Q9. The QIO's bases are connected to each other to form a current mirror, and their emitters are both grounded. NPN) - transistor Q
10 has an emitter area twice that of N F-' N + transistor Q9. Further, the collector of the N P N +- transistor Q8 is connected to the collector of the NPNI- transistor Q9, and the emitter of the N P N +- transistor Q8 is grounded. NPN l-transistor Q1
.. The collector of 0 is connected to one terminal of the capacitor 5, and the other terminal of the capacitor 5 is grounded.

6はコンデンサ5の端子電圧を基準電圧■1と比較する
ための比較回路であって、P N P l−ランジスタ
Ql 1.Q12.Q13と、NPNトランジスタQ1
4.Q15とからなる。ベースをPNPトランジスタQ
2のベースに接続して、このPNPI−ランジスタQ2
とカレントミラーを構成するPNP)−ランジスタQl
lのエミッタは電源VCCに接続され、そのコレクタは
2つのP N P l−ランジスタQ12.Q13のエ
ミッタにそれぞれ接続されている。PNPI−ランジス
タQ 12のベースはコンデンサ5の一方の端子に接続
され、コレクタはダイオード接続されたNPNトランジ
スタQ14のコレクタに接続され、またP N P l
−ランジスタQ13のコレクタはNPN)ランジスタQ
15のコレクタに接続されている。2つのNPN l−
ランジスタQ14.Q15は互いのベースを接続し合っ
てカレントミラーを構成し、それらのエミッタはともに
接地されている9 7は比較回路6に基準電圧■1を与えるための基i<1
電圧発生回路であって、P N P )ランジスタQ1
6と、NPNI−ランジスタQ17と、抵抗8゜9とか
らなる。ベースf!:PNPhランジスタQ2のベース
に接続して、このPNP)ランジスタQ2とカレン1〜
ミラーを構成するr−’ N P )−ランジスタQ1
6のエミッタは電源Vccに接続され、そのコレクタは
抵抗8の一方の端子に接続され、またその接続点がPN
P)ランジスタQ 1.3のベースに接続されている。
Reference numeral 6 denotes a comparison circuit for comparing the terminal voltage of the capacitor 5 with the reference voltage (1), which includes a P N P l-transistor Ql1. Q12. Q13 and NPN transistor Q1
4. It consists of Q15. The base is a PNP transistor Q
This PNPI-transistor Q2 is connected to the base of Q2.
and PNP constituting a current mirror) - transistor Ql
The emitter of l is connected to the power supply VCC, and its collector is connected to two P N P l-transistors Q12. Each is connected to the emitter of Q13. The base of the PNPI transistor Q 12 is connected to one terminal of the capacitor 5, the collector is connected to the collector of the diode-connected NPN transistor Q 14, and the P N P l
-The collector of transistor Q13 is NPN) transistor Q
It is connected to 15 collectors. 2 NPN l-
Ransistor Q14. Q15 connect their bases to each other to form a current mirror, and their emitters are both grounded. 9 7 is a base i < 1 for providing the reference voltage 1 to the comparator circuit 6.
A voltage generation circuit, comprising a P N P ) transistor Q1
6, an NPNI transistor Q17, and a resistor 8.9. Base f! : Connect to the base of PNPh transistor Q2, and connect this PNPh transistor Q2 and Karen 1 to
r-'NP)-transistor Q1 that constitutes a mirror
The emitter of 6 is connected to the power supply Vcc, the collector is connected to one terminal of the resistor 8, and the connection point is PN
P) connected to the base of transistor Q1.3.

抵抗8の他方の端子は抵抗9の一方の端子に接続され、
その抵抗9の他方の端子は接地されている。2つの抵抗
8.9の接続点にはNPNトランジスタQ17のコレク
タが接続され、そのエミッタは接地されている。
The other terminal of the resistor 8 is connected to one terminal of the resistor 9,
The other terminal of the resistor 9 is grounded. The collector of an NPN transistor Q17 is connected to the connection point between the two resistors 8.9, and its emitter is grounded.

10はコンデンサ5の充放電に伴って発振出力を収り出
すための出力回路であって、N P N +−ランジス
タQ18.Q19.Q20と、抵抗1】。
10 is an output circuit for generating an oscillation output as the capacitor 5 is charged and discharged, and includes an N P N +- transistor Q18. Q19. Q20 and resistance 1].

12.13.14.15とからなる。抵抗1】の一方の
端子は電源Vccに接続され、その他方の端子はNPN
トランジスタQ18のコレクタに接続され、そのコレク
タはNPN l−ランジスタQ17のベースに接続され
、エミッタは接地されている。抵抗12の一方の端子は
電源Vccに接続され、その他方の端子はN F’ N
 +−ランジスタQ19のコレクタに接続され、その接
続点が抵抗13を介してN P N +−ランジスタQ
 ]、 8のベースに接続されている。
It consists of 12.13.14.15. One terminal of resistor 1 is connected to the power supply Vcc, and the other terminal is NPN
It is connected to the collector of transistor Q18, whose collector is connected to the base of NPN l-transistor Q17, and whose emitter is grounded. One terminal of the resistor 12 is connected to the power supply Vcc, and the other terminal is connected to N F' N
+- is connected to the collector of transistor Q19, and its connection point is connected to N P N +- transistor Q through resistor 13.
], connected to the base of 8.

NPN+ヘランジスタQ19のベースはN P N +
−ランジスタQ15のコレクタに接続され、NPNトラ
ンジスタQ19のエミッタは接地されている。
The base of NPN + helangistor Q19 is N P N +
- It is connected to the collector of transistor Q15, and the emitter of NPN transistor Q19 is grounded.

また、抵抗182とNPNI〜ランジスタQ19の接続
点は抵抗14を介してN P N l−ランジスタQ8
のベースに接続されるとともに、抵抗15を介してNP
N)ランジスタQ20のベースに接続されている。NP
N)ランジスタQ20のコレクタは出力端子16に接続
され、エミッタは接地されている。
In addition, the connection point between the resistor 182 and the NPNI transistor Q19 is connected to the resistor 14 via the resistor 14.
is connected to the base of NP through a resistor 15.
N) Connected to the base of transistor Q20. NP
N) The collector of transistor Q20 is connected to output terminal 16, and the emitter is grounded.

上記した発振回路の動作は次のようにして行われる。The operation of the oscillation circuit described above is performed as follows.

定電流出力回路1の2つのPNPトランジスタQl、Q
2はカレン1〜ミラーを構成するので、PNPI−ラン
ジスタQ1.Q2にはコレクタ電流として同量の定電流
■1が発生し、それらの定電流■1はそれぞれNPN 
トランジスタQ4.Q5のコレクタ電流として流れる。
Two PNP transistors Ql, Q of constant current output circuit 1
2 constitute Karen 1 to mirror, so PNPI-transistor Q1. The same amount of constant current ■1 is generated in Q2 as the collector current, and each of these constant currents ■1 is an NPN
Transistor Q4. It flows as the collector current of Q5.

ここで、NPNトランジスタQ4のベース・エミッタ間
電圧を■、14、NPNトランジスタQ5のベース・エ
ミッタ間電圧をV、15、抵抗3の抵抗値をR2とする
と、の関係が成り立つ、先述したように、NPNトラン
ジスタQ5は、NPNトランジスタQ4の10倍のエミ
ッタ面積を持つので、VM g 4 + V B□はそ
れぞれ ただし k:ボルツマン定数 q:電子の電荷 T:絶対温度 Is:NPN)ランジスタQ4の飽和電流と表される。
Here, if the voltage between the base and emitter of the NPN transistor Q4 is 14, the voltage between the base and emitter of the NPN transistor Q5 is V, 15, and the resistance value of the resistor 3 is R2, then the following relationship holds true, as mentioned earlier. , NPN transistor Q5 has an emitter area 10 times that of NPN transistor Q4, so VM g 4 + V B □ are respectively where k: Boltzmann constant q: electron charge T: absolute temperature Is: NPN) Saturation of transistor Q4 Expressed as electric current.

第2式および第3式を第1式に代入すると、 の関係が成り立つ。Substituting the second and third equations into the first equation, we get The relationship holds true.

一方、PNP )ランジスタQ6.Q7.Ql 1゜Q
16もそれぞれPNPトランジスタQ2とカレントミラ
ーを構成しているため、これらのコレクタ電流として定
電流11が流れる。
On the other hand, PNP) transistor Q6. Q7. Ql 1゜Q
16 also constitute a current mirror with the PNP transistor Q2, so a constant current 11 flows as their collector current.

比較回路6において、PNP)−ランジスタQ12のベ
ース電圧よりもPNP)ランジスタQ13のベース電圧
が高い場き、つまりコンデンサ5の端子電圧よりも、基
準電圧V1が高い場合には、その差分に応じてPNP)
ランジスタQ13よりも多量のコレクタ電流がPNP)
ランジスタQ12に流れ、その電流はNPNトランジス
タQ14のコレクタ電流として流れる。
In the comparator circuit 6, when the base voltage of the PNP) transistor Q13 is higher than the base voltage of the PNP) transistor Q12, that is, when the reference voltage V1 is higher than the terminal voltage of the capacitor 5, PNP)
The collector current is larger than that of transistor Q13 (PNP)
The current flows through transistor Q12, and the current flows as a collector current of NPN transistor Q14.

2つのN l) N トランジスタQ14.Q15は互
いにカレン1〜ミラーを構成していて、NPNトランジ
スタQ15はNPN )−ランジスタQ14と同量のコ
レクタ電流を流そうとするが、このときの不足電流をN
PN)−ランジスタQ19のベースからは補給できない
、すなわち、このときNPN)ランジスタQ19はオフ
の状態であり、したがってN P N l−ランジスタ
Q8がオン、NPN)ランジスタQ18がオン、NPN
)ランジスタQ17がオフの状態にある。そこで、この
ときの基準電圧V1は vl=Lx (Re+R*)            
・・・(5)ただしR8:抵抗8の抵抗値 R9二抵抗9の抵抗値 となる。充放電回路4では、2つのNPN)−ランジス
タQ9.QIOが互いにカレントミラーを構成するけれ
ども、このときNPNトランジスタQ8がオンの状態に
あるため、これら2つのNPNトランジスタQ9.Ql
Oはともにオフの状態にあり、PNP )ランジスタQ
7から供給される定電流■1はすべてコンデンサ5に流
れ込む、すなわち、比較回路6の基準電圧V1が第5式
の値のとき、コンデンサ5は定電流工、で充電される。
Two N l) N transistors Q14. Q15 mutually constitute a current 1~mirror, and the NPN transistor Q15 attempts to flow the same amount of collector current as the NPN)-transistor Q14, but the insufficient current at this time is
PN) - cannot be supplied from the base of transistor Q19, i.e. at this time NPN) transistor Q19 is in the off state, therefore N P N l - transistor Q8 is on, NPN) transistor Q18 is on, NPN
) Transistor Q17 is in the off state. Therefore, the reference voltage V1 at this time is vl=Lx (Re+R*)
...(5) However, R8: resistance value of resistor 8 R9 becomes the resistance value of two resistors 9. In the charge/discharge circuit 4, two NPN) transistors Q9. QIO form a current mirror with each other, but since NPN transistor Q8 is in the on state at this time, these two NPN transistors Q9 . Ql
O are both in the off state, PNP ) transistor Q
All of the constant current 1 supplied from 7 flows into the capacitor 5. That is, when the reference voltage V1 of the comparator circuit 6 is the value of the fifth equation, the capacitor 5 is charged by the constant current generator.

上記充電動作が進行して、コンデンサ5の端子電圧つま
りPNPトランジスタQ12のベース電圧が第5式で与
えられる基準電圧■1を越えると、比較回路6では、P
NP)−ランジスタQ12よりもPNP)ランジスタQ
13のコレクタ電流の方が多くなる。NPN)−ランジ
スタQ14.Q15にはPNP )ランジスタQ12と
同量のコレクタ電流が流れるので、PNP)ランジスタ
Q12゜Q13のコレクタ電流の差分はNPN)−ラン
ジスタQ19のベース電流として流れることになり、N
PNI−ランジスタQ19はオフからオンに切り替わる
。これに件って、NPNトランジスタQ8がオフ、NP
N)ランジスタQ18がオフ、NPN )−ランジスタ
Q17がオンに切り替わる。このとき′jM準電圧V1
は V+= I +XRa              、
= (6)となる。充放電回路4では、このときNPN
)ランジスタQ8がオフ状態であり、先述したようにN
PNI−ランジスタQ10がNPN)ランジスタQ9の
2倍のエミッタ面積を持つことから、NPNトランジス
タQIOにはNPNトランジスタQ9に流れる電流の2
倍つまり11の電流が流れる。
When the above charging operation progresses and the terminal voltage of the capacitor 5, that is, the base voltage of the PNP transistor Q12 exceeds the reference voltage 1 given by the fifth equation, the comparator circuit 6
NP) - transistor Q than PNP) - transistor Q12
The collector current of No. 13 is larger. NPN) - transistor Q14. Since the collector current of the same amount as that of the PNP) transistor Q12 flows through Q15, the difference between the collector currents of the PNP) transistor Q12 and Q13 flows as the base current of the NPN) transistor Q19.
PNI-transistor Q19 switches from off to on. Regarding this, the NPN transistor Q8 is off, and the NPN transistor Q8 is turned off.
N) transistor Q18 is turned off, NPN) - transistor Q17 is switched on. At this time, ′jM quasi-voltage V1
is V+=I +XRa,
= (6). In the charge/discharge circuit 4, at this time, NPN
) transistor Q8 is in the off state, and as mentioned earlier N
Since the PNI transistor Q10 has an emitter area twice that of the NPN transistor Q9, the NPN transistor QIO has a current that is twice as large as the current flowing through the NPN transistor Q9.
11 times the current flows.

すなわち、比較回路6の基準電圧■、が第6式の値のと
き、コンデンサ15はNPN )ランジスタQIOを通
して定電FRI +で放電される。
That is, when the reference voltage (2) of the comparator circuit 6 is the value of the sixth equation, the capacitor 15 is discharged with a constant current FRI + through the NPN transistor QIO.

上記放電動作が進行して、コンデンサ5の端子電圧が第
6式で与えられる基準電圧■1まで降下すると、比較回
路6では、PNPトランジスタQ12、Q13のコレク
タ電流が等しくなり、NPN +−ランジスタQ19ヘ
ベース電流が供給されなくなって、NPN)ランジスタ
Q19はオンからオフに切り替わる。これに伴って、N
PNトランジスタQ8がオン、NPN)−ランジスタQ
18がオン、NPN)ランジスタQ17がオフに切り替
わっで、第5式の値念基準電圧V、とすると先述した充
電動作に切り替わる。
When the above-mentioned discharging operation progresses and the terminal voltage of the capacitor 5 drops to the reference voltage 1 given by the sixth formula, in the comparator circuit 6, the collector currents of the PNP transistors Q12 and Q13 become equal, and the NPN +- transistor Q19 Since no base current is supplied to the transistor Q19, the NPN transistor Q19 switches from on to off. Along with this, N
PN transistor Q8 is on, NPN) - transistor Q
18 is on, NPN transistor Q17 is switched off, and when the value reference voltage V of the fifth equation is set, the charging operation is switched to the above-mentioned charging operation.

以上の動作を縁り返すことによって、出力回路10のN
PNトランジスタQ20は、NPN)ランジスタQ19
がオフ充電動作時にオンとなり、またNPN)ランジス
タQ19がオンとなる放電動作時にオフとなって、第3
図(a)に示ずコンデンサ5の端子電圧の充放電波形に
対して、第3図(b)に示すような矩形波の発振出力が
出力端子16から取り出される。コンデンサ5の容量を
C1、充電および放電によるコンデンサ5の端子電圧の
変化分をΔ■とすると、上記した発振出力の発振周期T
1は と表される。Δ■は、第5式で与えられる基準電圧■1
と第6式で与えられる基準電圧■、の差、つまり ΔV= I 、x (Rs+R1) −I 、xR,・
・(8)であるから、第7式に第8式を代入して発振周
期T1は ”  2 Cs X Rs             
        ・・・(9)と表される。また、第9
式から発振周期T、の温度係数は と表される。
By repeating the above operation, the N of the output circuit 10 is
PN transistor Q20 is NPN) transistor Q19
turns on during off-charging operation, and turns off during discharging operation when NPN) transistor Q19 turns on, and the third
In contrast to the charging/discharging waveform of the terminal voltage of the capacitor 5 (not shown in FIG. 3(a)), a rectangular wave oscillation output as shown in FIG. 3(b) is taken out from the output terminal 16. If the capacitance of the capacitor 5 is C1, and the change in the terminal voltage of the capacitor 5 due to charging and discharging is Δ■, then the oscillation period T of the oscillation output described above is
1 is expressed as. Δ■ is the reference voltage ■1 given by the fifth equation
The difference between
・Since it is (8), by substituting the 8th equation into the 7th equation, the oscillation period T1 is "2 Cs X Rs
...It is expressed as (9). Also, the 9th
From the equation, the temperature coefficient of the oscillation period T is expressed as follows.

発明が解決しようとする課題 上記した従来の発振回路において、発振周期T1の温度
係数は、第10式で示すようにコンデンサ5の温度係数
と抵抗9の温度係数の和として与えられるため、コンデ
ンサ5の種類や抵抗9の種類に応じてその値が異なるこ
とになる。
Problems to be Solved by the Invention In the conventional oscillation circuit described above, the temperature coefficient of the oscillation period T1 is given as the sum of the temperature coefficient of the capacitor 5 and the temperature coefficient of the resistor 9, as shown in equation 10. The value will differ depending on the type of resistor 9 and the type of resistor 9.

すなわち、コンデンサ5については、外付けのアルミ電
解コンデンサかセラミックコンデンサか、あるいは半導
体装置内に形成される接合容量かに応じてその温度係数
が異なるし、抵抗9については、イオン打込み抵抗かベ
ース拡散抵抗かに応じてその温度係数が異なってくる。
In other words, the temperature coefficient of the capacitor 5 differs depending on whether it is an external aluminum electrolytic capacitor, a ceramic capacitor, or a junction capacitance formed within the semiconductor device, and the resistor 9 has a different temperature coefficient depending on whether it is an ion implanted resistor or a base diffusion capacitor. The temperature coefficient varies depending on the resistance.

加えて、抵抗9の場きは、そのシート抵抗に応じて温度
係数か異なる。
In addition, the field of resistor 9 has a different temperature coefficient depending on its sheet resistance.

たとえば、イオン打込み抵抗の場&には、シート抵抗が
IKΩ/口〜5IぐΩ/口(Ω/口は単位面招当たりの
抵抗値と示す〉の範囲で変1ヒすると、その温度係数は
3400 Fl p m / ℃〜5500 Pr−m
/’Ck範囲に亘って変化する。また、ベース拡散抵抗
の渇きには、シート抵抗が160Ω/′ロ〜310Ω/
口の範囲で変化すると、その温度係数は180.0 p
 p m / ”C〜3100 p p m 、−’ 
”Cの範囲に亘って変化する。
For example, in the case of ion implantation resistance, if the sheet resistance changes within the range of IKΩ/min to 5 IguΩ/min (Ω/min is the resistance value per unit surface), its temperature coefficient is 3400 Flpm/℃~5500 Pr-m
/'Ck varies over the range. In addition, for the thirst of the base diffusion resistance, the sheet resistance is 160Ω/'~310Ω/
Varying in the mouth range, its temperature coefficient is 180.0 p
p m / "C ~ 3100 p p m, -'
“Varies over a range of C.

したがって、たとえばコンデンサ5として外(=fけの
アルミ電解コンデンサを用い、抵抗9としてシート抵抗
5にΩ/口のイオン打込み抵抗を用いた場き、コンデン
サ5の温度係数は 抵抗9の温度係数は となって、発振周期T1の温度(糸数は=+6700 
p pm/℃ と非常に大きい値となり、温度による誤差が太きくなる
という問題があった。
Therefore, for example, if an aluminum electrolytic capacitor of external (=f) is used as the capacitor 5, and an ion-implanted resistor of Ω/mm is used for the sheet resistance 5 as the resistor 9, the temperature coefficient of the capacitor 5 is the temperature coefficient of the resistor 9. Therefore, the temperature of the oscillation period T1 (the number of threads is = +6700
There was a problem in that the value was very large, p pm/°C, and the error due to temperature became large.

したがって、本発明の目的は、発振周期が温度i+[i
償された発振出力を得ることのできる発振回路含提供す
ることである。
Therefore, an object of the present invention is to set the oscillation period to the temperature i+[i
An object of the present invention is to provide an oscillation circuit that can obtain compensated oscillation output.

課題と解決するだめの手段 本発明は、コンデンサを充放電させる充放電回路を含み
、コンデンサの端子電圧が上限の基準電圧に達すると前
記充放電回路の動作を放電に切り替え、コンデンサの端
子電圧が下限のM:準電圧に達すると前記充放電回路の
動作を充電に切り替えて、充電時間と放電時間の和を発
振周期とする発振出力を得るようにした発振回路におい
て、11り記、!!準電圧としてダイオードの順方向電
圧を発生する基I(e、電圧発生回路を設けたことを特
徴とする発振回路である。
Problems and Means for Solving the Problems The present invention includes a charging/discharging circuit that charges and discharges a capacitor, and when the terminal voltage of the capacitor reaches an upper limit reference voltage, the operation of the charging/discharging circuit is switched to discharging, so that the terminal voltage of the capacitor increases. Lower limit M: In an oscillation circuit that switches the operation of the charging/discharging circuit to charging when the quasi-voltage is reached, and obtains an oscillation output whose oscillation period is the sum of the charging time and the discharging time, 11. ! This oscillation circuit is characterized in that it includes a base I(e) voltage generation circuit that generates a forward voltage of a diode as a quasi-voltage.

作  用 本発明に1〕℃えば、基準電圧発生回路のダイオードの
順方向電圧の温度係数が、発振周期の温度係数の負の要
素として加わることになり、発振周期の温度補償が行わ
れる。
Effects According to the present invention, if the temperature is 1]°C, the temperature coefficient of the forward voltage of the diode of the reference voltage generating circuit is added as a negative element to the temperature coefficient of the oscillation period, so that temperature compensation of the oscillation period is performed.

実施例 第1図は本発明の発振回路の〜実施例の構成を示す回路
図である0図において、21は定電流I2を発生させる
ための定電流出力回路であって、PNP)ランジスタQ
21.Q22.Q23と、NPNI−ランジスタQ24
.Q25と、抵抗22゜23とからなる。互いのベース
を゛接続し合ってカレントミラーを構成する2つのPN
PトランジスタQ21.Q22のエミッタはTL流Vc
cに接続され、これらPNP)ランジスタQ21.Q2
2のベース電流を引き抜くなめにPNPI−ランジスタ
Q23のエミッタおよびベースが、それぞれPN I”
 l−ランジスタQ21.Q22のベースおよびP N
 P )−ランジスタQ22のコレクタに接続され、P
N P !−ランジスタQ23のコレクタは接地されて
いる。
Embodiment FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of embodiments of the oscillation circuit of the present invention. In FIG.
21. Q22. Q23 and NPNI-transistor Q24
.. It consists of Q25 and resistor 22°23. Two PNs that connect their bases to form a current mirror
P transistor Q21. The emitter of Q22 is TL flow Vc
Q21.c, these PNP) transistors Q21. Q2
In order to draw out the base current of transistor Q23, the emitter and base of transistor Q23 are
l-transistor Q21. Base of Q22 and P N
P) - connected to the collector of transistor Q22, P
NP! - The collector of transistor Q23 is grounded.

また、PNP l−ランジスタQ21のコレクタはダイ
オード接続されたNPN)−ランジスタQ211のコレ
クタに接続され、2つのNPNI−ランジスタQ24.
Q25のベースは互いに接続されている。NPNhラン
ジスタQ24のエミッタは接地され、N l” N l
−ランジスタQ25のエミッタは抵抗23の一端に接続
され、この抵抗23の他端は接地されている。NPNI
・ランジスタQ24.Q25のベースと電A V c 
cとの間には、電源VcCの立上り時にNPN)ランジ
スタQ24.Q25にベース″・は圧を供給するための
抵抗22が介挿されている。NPNI−ランジスタQ2
5は、NPN)・ランジスタQ24の10倍のエミッタ
面積を持つ。
Also, the collector of the PNP l transistor Q21 is connected to the collector of the diode-connected NPN transistor Q211, and the collector of the two NPNI transistors Q24.
The bases of Q25 are connected together. The emitter of NPNh transistor Q24 is grounded and N l” N l
- The emitter of transistor Q25 is connected to one end of a resistor 23, and the other end of this resistor 23 is grounded. NPNI
・Ran resistor Q24. Q25 base and electric A V c
When the power supply VcC rises, an NPN) transistor Q24. A resistor 22 for supplying pressure to the base is inserted in Q25. NPNI-transistor Q2
5 has an emitter area ten times that of the NPN transistor Q24.

24はコンデンサ25を充放電させるための充放゛1′
T:、回路であって、PNPt−ランジスタQ26゜(
コ27と、NPNトランジスタQ28.Q29゜Q30
とからなる。ベースをPNP トランジスタQ22のベ
ースに接続して、このP N P’ hランジスタQ2
2とカレントミラーを構成する2つのPN F’ l・
ランジスタQ26.Q27のエミッタは電源VCCに接
続されている。
24 is a charger 1' for charging and discharging the capacitor 25.
T:, circuit, PNPt-transistor Q26゜(
Q27, and an NPN transistor Q28. Q29゜Q30
It consists of. By connecting the base to the base of PNP transistor Q22, this P N P' h transistor Q2
2 and two PN F' l configuring the current mirror.
Ransistor Q26. The emitter of Q27 is connected to power supply VCC.

PNPトランジスタQ26のコレクタはダイオード接続
されたNPNトランジスタQ29のコレクタに接続され
、PNPトランジスタQ27のコレクタはN P N 
+−ランジスタQ30のコレクタに接続されている。2
つのNPNトランジスタQ29、Q30は互いのベース
を接続し合ってカレントミラーを構成し、それらのエミ
ッタはともに接地されている。NPNトランジスタQ3
0は、NPNI・ランジスタQ29の2倍のエミッタ面
積を持つ。
The collector of PNP transistor Q26 is connected to the collector of diode-connected NPN transistor Q29, and the collector of PNP transistor Q27 is connected to NPN transistor Q29.
+- Connected to the collector of transistor Q30. 2
Two NPN transistors Q29 and Q30 have their bases connected to each other to form a current mirror, and their emitters are both grounded. NPN transistor Q3
0 has an emitter area twice that of NPNI transistor Q29.

また、NPNトランジスタQ28のコレクタはNPN)
ランジスタQ29のコレクタに接続され、N P N 
I−ランジスタQ28のエミッタは接地されている。N
PNトランジスタQ30のコレクタはコンデンサ25の
一方の端子に接続され、コンデンサ25の池方の端子は
接地されている。26はコンデンサ25の端子電圧t!
−基準電圧V2と比較するための比較回路であって、P
NPトランジスタQ31.Q32.Q33と、NPN)
ランジスタQ34.Q35とからなる。ベースをPNP
)−ランジスタQ22のベースに接続して、このPNP
トランジスタQ22とカレントミラーを構成するPNP
トランジスタQ31のエミッタは電源Vccに接続され
、そのコレクタは2つのPNPトランジスタQ32.Q
33のエミッタにそれぞれ接続されている。
In addition, the collector of the NPN transistor Q28 is NPN)
Connected to the collector of transistor Q29, N P N
The emitter of I-transistor Q28 is grounded. N
The collector of the PN transistor Q30 is connected to one terminal of the capacitor 25, and the opposite terminal of the capacitor 25 is grounded. 26 is the terminal voltage t! of the capacitor 25!
- a comparison circuit for comparing with a reference voltage V2, comprising:
NP transistor Q31. Q32. Q33 and NPN)
Ransistor Q34. It consists of Q35. PNP base
) - connected to the base of transistor Q22 to connect this PNP
PNP forming a current mirror with transistor Q22
The emitter of transistor Q31 is connected to the power supply Vcc, and its collector is connected to two PNP transistors Q32. Q
33 emitters, respectively.

PNPI−ランジスタQ32のベースはコンデンサ25
の一方の端子に接続され、コレクタはダイオード接続さ
れたNPNトランジスタQ34のコレクタに接続され、
またPNPトランジスタQ33のコレクタはNPNトラ
ンジスタQ35のコレクタに接続されている。2つのN
 P N )−ランジスタQ34.Q35は互いのベー
スを接続し合ってカレントミラーを構成し、それらのエ
ミッタはともに接地されている。
PNPI - The base of transistor Q32 is capacitor 25
The collector is connected to the collector of a diode-connected NPN transistor Q34,
Further, the collector of PNP transistor Q33 is connected to the collector of NPN transistor Q35. two N's
P N )--transistor Q34. Q35's bases are connected to each other to form a current mirror, and their emitters are both grounded.

27は比較回路26に基準電圧■2を与えるための基t
JAT、圧発生回路であって、PNP !−ランジスタ
Q36とNPN)ランジスタQ37と抵抗28とダイオ
ード2つとからなる。ベースをPNPトランジスタQ2
2のベースに接続して、このPNPトランジスタQ22
とカレントミラーを構成するPNP)−ランジスタQ3
6のエミッタは電源Vccに接続され、そのコレクタは
抵抗28の一方の端子に接続され、またその接続点がP
NP トランジスタQ33のベースに接続されている。
27 is a base t for providing the reference voltage 2 to the comparator circuit 26.
JAT is a pressure generating circuit and is PNP! - transistor Q36 and NPN) consists of a transistor Q37, a resistor 28, and two diodes. The base is a PNP transistor Q2
This PNP transistor Q22 is connected to the base of Q22.
and PNP constituting a current mirror) - transistor Q3
The emitter of 6 is connected to the power supply Vcc, its collector is connected to one terminal of the resistor 28, and the connection point is connected to P.
Connected to the base of NP transistor Q33.

抵抗28の他方の端子はダイオード2つのアノードに接
続され、そのダイオード2つのカソードは接地されてい
る。抵抗28とダイオード29の接続点にはNPN)ラ
ンジスタQ37のコレクタが接続され、そのエミッタは
接地されている。
The other terminal of the resistor 28 is connected to the anodes of two diodes, and the cathodes of the two diodes are grounded. The collector of an NPN transistor Q37 is connected to the connection point between the resistor 28 and the diode 29, and its emitter is grounded.

30はコンデンサ25の充放電に伴って発振出力を取り
出すための出力回路であって、NPNトランジスタQ3
8.Q39.Q40と、抵抗31゜32.33,34.
35とからなる。抵抗31の一方の端子は電源Vccに
接続され、その他方の端子はNPNトランジスタQ38
のコレクタに接続され、そのコレクタはNPNトランジ
スタQ37のベースに接続され、エミッタは接地されて
いる。抵抗32の一方の端子は電源V c cに接続さ
れ、その他方の端子はNPNI−ランジスタQ39のコ
レクタに接続され、その接続点が抵抗33を介してNP
NトランジスタQ38のベースに接続されている。
30 is an output circuit for extracting oscillation output as the capacitor 25 is charged and discharged, and includes an NPN transistor Q3.
8. Q39. Q40 and resistance 31°32.33,34.
It consists of 35. One terminal of the resistor 31 is connected to the power supply Vcc, and the other terminal is connected to the NPN transistor Q38.
The collector is connected to the base of the NPN transistor Q37, and the emitter is grounded. One terminal of the resistor 32 is connected to the power supply Vcc, the other terminal is connected to the collector of the NPNI transistor Q39, and the connection point is connected to the NPNI transistor Q39 through the resistor 33.
Connected to the base of N transistor Q38.

N P N )−ランジスタQ39のベースはNPN)
ランジスタQ35のコレクタに接続され、NPNトラン
ジスタQ39のエミッタは接地されている。
NPN) - The base of transistor Q39 is NPN)
It is connected to the collector of transistor Q35, and the emitter of NPN transistor Q39 is grounded.

また、抵抗32とNPN )−ランジスタQ39の接続
点50は抵抗3,1を介してNPN)−ランジスタQ2
8のベースに接続されるとともに、抵抗35を介してN
P、NトランジスタQ40のベースに接続されている。
In addition, the connection point 50 between the resistor 32 and the NPN) transistor Q39 is connected via the resistors 3 and 1 to the NPN) transistor Q2.
8 and is connected to the base of N
It is connected to the base of P, N transistor Q40.

NPNトランジスタQ40のコレクタは出力端子36に
接続され、エミッタは接地されている。
The collector of NPN transistor Q40 is connected to output terminal 36, and the emitter is grounded.

一上記した発振回路の動作は、先述した従来の発振回路
の場合とほぼ同様にして行われる。
The above-described oscillation circuit operates in substantially the same manner as the conventional oscillation circuit described above.

すなわち、定電流出力回路21ではPNP )−ランジ
スタQ21.Q22にコレクタ電流として同量の定電流
■2が発生し、それらの定電流I2はそれぞれNPN 
l−ランジスタQ24.Q25のコレクタ電流として流
れる。抵抗23の抵抗値をRBと、すると、この定電流
I2は先の第4式と同様にと表される。
That is, in the constant current output circuit 21, PNP)-transistor Q21. The same amount of constant current ■2 is generated as the collector current in Q22, and each of these constant currents I2 is NPN
l-transistor Q24. It flows as the collector current of Q25. Letting the resistance value of the resistor 23 be RB, this constant current I2 is expressed as in the fourth equation above.

比較回路26では、コンデンサ25の端子電圧と基準電
圧V2との比較が行われ、PNP)−ランジスタQ27
からコンデンサ25に定TL流I2が流れ込む充電動作
では、NPNトランジスタQ37がオフとなって、基準
電圧V2は V2−I 2×R2m + VF          
    ・・・(5n)ただしR2,:抵抗28の抵抗
値 ■、:ダイオード2つの順方向電圧 となる。また、コンデンサ25からN P N )−ラ
ン′ジスタQ30を通して定電流■2が流れ出ず放電動
(Yでは、NPNトランジスタQ37がオンとなって、
基準電圧■2は V2= I 2×R2#              
・= (6a)となる、コンデンサ25の端子電圧が第
6a式で与えられる基準電圧■2まで降下すると、充電
動作に切り替わり、またコンデンサ25の端子電圧が第
5 a式で与えられる基準電圧■2まで上昇すると、放
電動作に切り替わり、以上の動作分繰り返すことによっ
て、出力回路30の出力端子36からコンデンサ25の
充放電に対応する矩形波の発振出力が取り出される。
In the comparison circuit 26, the terminal voltage of the capacitor 25 and the reference voltage V2 are compared, and the terminal voltage of the capacitor 25 is compared with the reference voltage V2.
In the charging operation in which the constant TL current I2 flows into the capacitor 25 from
...(5n) However, R2, : resistance value of the resistor 28, : forward voltage of two diodes. In addition, the constant current (2) does not flow from the capacitor 25 through the NPN)-Run' transistor Q30, and the discharge current (at Y, the NPN transistor Q37 is turned on,
Reference voltage ■2 is V2=I 2×R2#
・= (6a) When the terminal voltage of the capacitor 25 drops to the reference voltage ■2 given by Equation 6a, the charging operation is switched, and the terminal voltage of the capacitor 25 decreases to the reference voltage ■2 given by Equation 5a. When the voltage rises to 2, the operation switches to the discharging operation, and by repeating the above operation, a rectangular wave oscillation output corresponding to the charging and discharging of the capacitor 25 is extracted from the output terminal 36 of the output circuit 30.

コンデンサ25の容量をC2S、充電および放電による
コンデンサ25の端子電圧の変化をΔVとすると、上記
した発振出力の発振周期T、はと表される。Δ■は、第
5 a式で与えられる基準電圧■2と第6a式で与えら
れる基準電圧■2の差、つまり ΔV=V、               ・・・(8
a)であるから、第7式に第8a式を代入して発振周期
T2は となり、第9a式に第4 a式を代入すると(l   
      R,コ と表される。第9b式から発振周期T2の温度係数は と表される。いま、たとえばコンデンサ25として外1
・tけアルミ電解コンデンサを、抵抗23としてシート
抵抗が5にΩ/口のイオン打込み抵抗を用いた場合、第
10a式の右辺のそれぞれの温度係数は となり、これらを第10a式に代入すると、発振周期T
2の温度係数は =11ppm/”C L:、0 となる、すなわち、発振周期T2が温度補償された発振
出力を得ることができる。コンデンサ25として、別の
種類のものを用いた場合には、そのコンデンサ25の温
度係数が変わることになるが、この場合にはそれに合わ
せて抵抗23をイオン打込み抵抗からベース拡散抵抗に
変更したり、抵抗23のシート抵抗を適当に設定するこ
とによって、発振周期T2の温度係数を零に近い値に設
定することができる。
If the capacitance of the capacitor 25 is C2S, and the change in the terminal voltage of the capacitor 25 due to charging and discharging is ΔV, then the oscillation period T of the oscillation output described above is expressed as. Δ■ is the difference between the reference voltage ■2 given by formula 5a and the reference voltage ■2 given by formula 6a, that is, ΔV=V, ...(8
a), by substituting equation 8a into equation 7, the oscillation period T2 becomes, and by substituting equation 4a into equation 9a, (l
It is expressed as R, ko. From Equation 9b, the temperature coefficient of the oscillation period T2 is expressed as follows. Now, for example, as capacitor 25,
・If an ion-implanted resistor with a sheet resistance of 5 and a resistance of 5 Ω/hole is used as the resistor 23 for an aluminum electrolytic capacitor of 100 m, the respective temperature coefficients on the right side of Equation 10a are as follows, and when these are substituted into Equation 10a, Oscillation period T
The temperature coefficient of 2 is equal to 11 ppm/"C L:, 0. In other words, it is possible to obtain an oscillation output whose oscillation period T2 is temperature compensated. If another type of capacitor 25 is used, , the temperature coefficient of the capacitor 25 will change, but in this case, the oscillation can be suppressed by changing the resistor 23 from an ion implanted resistor to a base diffusion resistor, or by appropriately setting the sheet resistance of the resistor 23. The temperature coefficient of period T2 can be set to a value close to zero.

発明の効果 以上のように本発明の発振回路によれば、基準電圧発生
回路のダイオードの順方向電圧の温度係数が発振周期の
温度係数の負の要素として加わることになるので、発振
回路が温度補償された発振出力を得ることができる。
Effects of the Invention As described above, according to the oscillation circuit of the present invention, the temperature coefficient of the forward voltage of the diode of the reference voltage generation circuit is added as a negative element to the temperature coefficient of the oscillation cycle. Compensated oscillation output can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例である発振回路を示す回路図
、第2(21はb′C来の発振回路を示す回路図、第3
12I(a>、(b)はそれぞれその発振回路のコンデ
ンサの端子電圧および発振出力を示す波形図である。 21・・定電流出力回路、24・・・充放電回路、25
・・・コンデンサ、26・・・比較回路、27・・・基
準電圧発生回路、30・・・出力回路 代理人  弁理士 西教 圭一部
Fig. 1 is a circuit diagram showing an oscillation circuit according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 (21 is a circuit diagram showing an oscillation circuit according to b'C), and Fig. 3 is a circuit diagram showing an oscillation circuit according to an embodiment of the present invention.
12I (a>, (b) are waveform diagrams showing the capacitor terminal voltage and oscillation output of the oscillation circuit, respectively. 21. Constant current output circuit, 24. Charge/discharge circuit, 25.
... Capacitor, 26 ... Comparison circuit, 27 ... Reference voltage generation circuit, 30 ... Output circuit Agent Patent attorney Keiichi Nishikyo

Claims (1)

【特許請求の範囲】 コンデンサを充放電させる充放電回路を含み、コンデン
サの端子電圧が上限の基準電圧に達すると前記充放電回
路の動作を放電に切り替え、コンデンサの端子電圧が下
限の基準電圧に達すると前記充放電回路の動作を充電に
切り替えて、充電時間と放電時間の和を発振周期とする
発振出力を得るようにした発振回路において、 前記基準電圧としてダイオードの順方向電圧を発生する
基準電圧発生回路を設けたことを特徴とする発振回路。
[Claims] A charging/discharging circuit that charges and discharges a capacitor is included, and when the terminal voltage of the capacitor reaches an upper limit reference voltage, the operation of the charging/discharging circuit is switched to discharging, and the terminal voltage of the capacitor reaches the lower limit reference voltage. In the oscillation circuit, the operation of the charging/discharging circuit is switched to charging when the voltage reaches the threshold, and an oscillation output whose oscillation period is the sum of the charging time and the discharging time is obtained. An oscillation circuit characterized by being provided with a voltage generation circuit.
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