JPH01264220A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPH01264220A JPH01264220A JP63093942A JP9394288A JPH01264220A JP H01264220 A JPH01264220 A JP H01264220A JP 63093942 A JP63093942 A JP 63093942A JP 9394288 A JP9394288 A JP 9394288A JP H01264220 A JPH01264220 A JP H01264220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- reduction projection
- shot
- substrate
- mountain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＬＳＩ製造における縮小投影露光装置に関
するものである。
するものである。
図２に示したように、縮小投影露光装置ではレジストを
塗布したウェハ（６）上に、レチクルパターンを縮小し
て投影する。投影する面積は、例えばニコン製ステッパ
ーで最大１５Ｘ１５ｆｆ”であり、５インチウェハには
３０〜４０シ讐ツトをステップアンドリピート法で行な
う。オートフォーカスはショットごとにシッット中心に
焦点゛を合わせ、ウェハの厚みに増減があっても、ショ
ットの中心部に焦点が合うようになっている。
塗布したウェハ（６）上に、レチクルパターンを縮小し
て投影する。投影する面積は、例えばニコン製ステッパ
ーで最大１５Ｘ１５ｆｆ”であり、５インチウェハには
３０〜４０シ讐ツトをステップアンドリピート法で行な
う。オートフォーカスはショットごとにシッット中心に
焦点゛を合わせ、ウェハの厚みに増減があっても、ショ
ットの中心部に焦点が合うようになっている。
従来の縮小投影露光装置は、第３図に示したように基板
載置台（７）上に異物（５）が付着している場合、ウェ
ハ（６）は真空吸着により異物のある位雪を山頂とする
起伏を描く。焦点が合うのはしラット中心のみであるか
ら中心と周辺に高低差■があると周辺部はデフォーカス
となる。しかもこの轟物の発見はむずかしく、量産時に
は大量の製品がデフォーカぶのまま処理されてしまうと
いう問題点があった。
載置台（７）上に異物（５）が付着している場合、ウェ
ハ（６）は真空吸着により異物のある位雪を山頂とする
起伏を描く。焦点が合うのはしラット中心のみであるか
ら中心と周辺に高低差■があると周辺部はデフォーカス
となる。しかもこの轟物の発見はむずかしく、量産時に
は大量の製品がデフォーカぶのまま処理されてしまうと
いう問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、オートフォーカス機構を利用し自動的に載置
台の異物を検出できる縮小投影露光装置を得ることを目
的とする。
たもので、オートフォーカス機構を利用し自動的に載置
台の異物を検出できる縮小投影露光装置を得ることを目
的とする。
この発明に係る縮小投影露光装置は基板載置台に真空吸
着によって載置された基板の平担度をオートフォーカス
機構を利用して測定し、載置台上の異物を自動検出する
ようにしたものである。
着によって載置された基板の平担度をオートフォーカス
機構を利用して測定し、載置台上の異物を自動検出する
ようにしたものである。
この発明による基板載置台上の異物の自動検出は、ステ
ップアンドリピート法による露光時に、焦点位習の変位
が一定値を越えたときに異物の存在を確認する。
ップアンドリピート法による露光時に、焦点位習の変位
が一定値を越えたときに異物の存在を確認する。
息下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において（１）は光源、（２）はマスク％（３）は縮
小レンズ、（４）はウニへの高さを検出するオートフォ
ーカス光学系、（５）はウェハチャック上に付着した異
物、（６１はウェハ、（７）は真空吸着によりウェハを
固定するウェハチャック、（８）はウニへの高さに合わ
せてチャックを上下させる駆動装置、（９）は異物の無
い場所とある場所に焦点を合わせたときの焦点距離の変
位Δｌである。
図において（１）は光源、（２）はマスク％（３）は縮
小レンズ、（４）はウニへの高さを検出するオートフォ
ーカス光学系、（５）はウェハチャック上に付着した異
物、（６１はウェハ、（７）は真空吸着によりウェハを
固定するウェハチャック、（８）はウニへの高さに合わ
せてチャックを上下させる駆動装置、（９）は異物の無
い場所とある場所に焦点を合わせたときの焦点距離の変
位Δｌである。
ｍ１図に示すようにウェハチャック（ｎ上に異物（５）
が付！するとウェハ（６）に山が生じる。今回のショッ
ト位置ではオートフォーカス光学系（４）によもウェハ
の平らな部分に焦点を合わせている。次のショットでは
ショット中心にウェハの山があるためにＦＢ駆動装置８
）によりウェハチャック（７）を△ｌだけ昇降させ焦点
を合わせる。この値△１（９）が規格値δを越えたとき
に異物の存在を認識し、警報を発する。
が付！するとウェハ（６）に山が生じる。今回のショッ
ト位置ではオートフォーカス光学系（４）によもウェハ
の平らな部分に焦点を合わせている。次のショットでは
ショット中心にウェハの山があるためにＦＢ駆動装置８
）によりウェハチャック（７）を△ｌだけ昇降させ焦点
を合わせる。この値△１（９）が規格値δを越えたとき
に異物の存在を認識し、警報を発する。
以上のように、この発明によれば基板載置台上に付着し
た異物をオートフォーカス機構を利用して自動的に検出
できるので、デフォーカスのまま基板を露光することが
ない精度の高い縮小投影露光装置が得られる。
た異物をオートフォーカス機構を利用して自動的に検出
できるので、デフォーカスのまま基板を露光することが
ない精度の高い縮小投影露光装置が得られる。
第１図はこの発明の一実施例による縮小投影露光装置の
断面図、第２図は従来の縮小投影露光装置の斜視図であ
る。第３図は従来の縮小投影露光装置の断面図である。 （１］は光源、（２）はマスク、（３）は縮小レンズ、
（４）はオートフォーカス光学系、（５）は異物、ｆ６
’ｌはウニへ、（７）はウェハチャック、（８）はチャ
ック駆ａｕｆｉ！、（９）は変位△ｌ、αＧは投影シ冒
ット、α男は高低差である。 図中同一符号は同一または相当部分を示す。
断面図、第２図は従来の縮小投影露光装置の斜視図であ
る。第３図は従来の縮小投影露光装置の断面図である。 （１］は光源、（２）はマスク、（３）は縮小レンズ、
（４）はオートフォーカス光学系、（５）は異物、ｆ６
’ｌはウニへ、（７）はウェハチャック、（８）はチャ
ック駆ａｕｆｉ！、（９）は変位△ｌ、αＧは投影シ冒
ット、α男は高低差である。 図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 基板との焦点距離を自動的に合わせる機能を備えた縮
小投影露光装置において露光時、焦点距離の変化量によ
り基板載置台に付着した異物を自動検出することを特徴
とする縮小投影露光装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63093942A JPH01264220A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63093942A JPH01264220A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01264220A true JPH01264220A (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=14096488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63093942A Pending JPH01264220A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01264220A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020066667A (ko) * | 2001-02-13 | 2002-08-21 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 노광 시스템 및 이를 이용한 웨이퍼의 평탄도 이상검출 및 경고방법 |
| US6897949B2 (en) | 1998-10-19 | 2005-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same |
| JP2007088465A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Asml Netherlands Bv | 露光装置、パーティクル検査システム、パーティクル検査方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2007123872A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
| US8558990B2 (en) | 2010-05-13 | 2013-10-15 | Elpida Memory, Inc. | Method of exposing a semiconductor wafer and exposure apparatus |
-
1988
- 1988-04-14 JP JP63093942A patent/JPH01264220A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897949B2 (en) | 1998-10-19 | 2005-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same |
| US7339662B2 (en) | 1998-10-19 | 2008-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same |
| KR20020066667A (ko) * | 2001-02-13 | 2002-08-21 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 노광 시스템 및 이를 이용한 웨이퍼의 평탄도 이상검출 및 경고방법 |
| JP2007088465A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Asml Netherlands Bv | 露光装置、パーティクル検査システム、パーティクル検査方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2007123872A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
| US8558990B2 (en) | 2010-05-13 | 2013-10-15 | Elpida Memory, Inc. | Method of exposing a semiconductor wafer and exposure apparatus |
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