JPH0126532B2 - - Google Patents

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JPH0126532B2
JPH0126532B2 JP57204070A JP20407082A JPH0126532B2 JP H0126532 B2 JPH0126532 B2 JP H0126532B2 JP 57204070 A JP57204070 A JP 57204070A JP 20407082 A JP20407082 A JP 20407082A JP H0126532 B2 JPH0126532 B2 JP H0126532B2
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Isamu Kitahiro
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体素子の組立方法、特にワイヤボ
ンデイング法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 半導体装置は近年ますます高密度化、高機能化
され、ピン数が増大している。従来のボンデイン
グ法、例えば金線熱圧着法では、半導体素子上電
極（以下パツドと称す）の大きさは110μm角、パ
ツド間隔は150μm程度必要であり、ピツチは約
250μmとなる。このことは必然的にチツプサイズ
を増大させるため、ボンデイングをどうするか今
後VLSIになれば大きな問題となる。
以下に従来のワイヤボンデイング法について説
明する。第１図Ａにおいては１はチツプ載置部、
２は半導体素子、３は外部リード、４は素子２上
のパツド、５は金属細線である。第１図Ｂは金線
を用いた熱圧着法によりワイヤボンデイングされ
た半導体装置の断面構造を示したもので、第１図
Ａの断面構造でもある。Ｂにおいて、１〜５は第
１図Ａと同一番号を付した。６は金属細線の先端
で通常ネールヘツドと呼ばれている。通常は第１
図Ａに示す如く金属細線５でパツド４とリード３
間が接続されるが、その金属細線の方向は一定し
ていない。第１図Ｂに示した断面図の如く、金線
を用いた熱圧着法ではボンデイングツールとして
キヤプラリーと呼ばれる中央に金線を通す貫通孔
を有する構造のものが使用される。熱圧着法で
は、ツール先端から引き出された金線の先端が直
径100μm程度の球形になつており、それをパツド
に打ちつけるため、第１図Ｂのネールヘツド６の
ような形状になるとともに、ボンデイング時の方
向性がない。即ち、第１図Ａの状態で、半導体素
子、収納容器を回転することなく、全周をボンデ
イングすることが可能である。これが熱圧着法の
最大の長所であるが、一方、素子上のパツドは約
100μm角で150μm間隔程度にする必要がある。
一方、アルミ線を用いた超音波ワイヤボンデイ
ン法がよく使用される。これは第２図に示すボン
デングツールを使用するため、方向性があり、半
導体素子を回転させなければ全周ボンデイングす
ることができず、樹脂封止用の多連のリードフレ
ームに適用できない。第２図において２１はツー
ル、２２はアルミ線である。この方法では金属細
線の先端を球状にしないため、パツドも50μm角
で良く、間隔も場合によつては30μm位で良い。
しかしながら、上述の如く、全周ボンデイングす
るためには半導体素子を回転させねばならず、装
置が非常に大がかりになる上、ボンデイング速度
が極めて低下するため特殊な収納容器にしか適用
できない。
発明の目的 本発明は以上のような従来の問題点に鑑み、金
属細線先端に球を作ることなく、全方向ボンデイ
ングの可能なボンデイング方法を提供することを
目的とする。
発明の構成 本発明は半導体素子上電極と外部リードとを接
続し終えた金属細線を切断するにあたり、従来は
面に垂直にボンデイングツールを引きあげていた
のに対し、次に接続すべき素子上のパツドと外部
リードを結ぶ直線に平行にツールを移動させてか
ら細線を切断することにより、あらかじめ、金属
細線の先端に方向性をもたせておき、半導体素子
を回転させることなく全周ボンデイングを可能と
するものである。
実施例の説明 第３図は本発明の実施例におけるボンデイング
法を示す図である。番号１〜４は第１図と同一箇
所を示す。３１は第１パツド、３２は第１リー
ド、３３は第２パツド、３４は第２リード、３
５，３７はボンデイングツールを示す。３６，３
７は金属細線先端、３９，３９′，４０は方向を
示す仮想線である。
第３図にしたがつて本実施例のボンデイング法
を説明する。まず、第１パツド３１に第１ボンド
レ、第１リード３２に第２ボンドするが、従来法
ではツールを上方にひき上げて細線を切つていた
ため、３６に示す如くツールに残つた細線先端は
仮想線３９′の方を向いていた。一方本実施例で
は第２ボンド終了後、仮想線３９の方向即ち仮想
線４０と平行の方向にツールを移動させて切断す
るため、ツールに残つた細線先端は仮想線３９の
方向即ち仮想線４０と平行に向いている。したが
つて次に第２パツド３３と第２リード３４を金属
細線で接続する際、細線先端は正しい方向を向い
ていることになる。これをくり返せば全周にわた
つて先端に球を作ることなく、全方向ボンデイン
グが可能となる。
本発明の実施例として、素子側パツドからリー
ド側へ接続する場合で説明したが、リード側から
素子側パツドへ接続する場合も全く同様にしてボ
ンデイングできる。さらに現在は全自動ワイヤボ
ンデイングが一般に採用されており、１本先の接
続の方向は容易に求めることができる。さらに、
本発明の方法は、金線を用いた超音波法、熱圧着
法、超音波・熱圧着併用法、またはアルミ線を用
いた超音波法いずれにも適用できる。
発明の効果 以上のように本発明は金属細線切断時にツール
を次に接続すべき金属細線の仮想線上に移動させ
て切断するため、ツールに残つた細線先端の方向
が正しい向きとなり、細線に球を作ることなく、
全周ワイヤボンデイングができる。このことは装
置の単純化だけでなく、細線先端に球をつくらな
いために素子側パツドが小さくても良く間隔も狭
くて良い。従来250μm必要としていたピツチに比
べ本方法では80μmピツチのボンデイングが高速
で実現できることになる。
【図面の簡単な説明】
第１図Ａ，Ｂはボンデイング法を説明するため
の図、第２図はアルミ線を用いた超音波ワイヤボ
ンデイングを示す図、第３図は本発明の一実施例
のボンデイング方法を示す図である。 １……チツプ載置部、２……半導体素子、３，
３２，３４……外部リード、４，３１，３３……
パツド、５……金属細線、３５，３７……ボンデ
イングツール、３９，３９′，４０……方向を示
す仮想線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ボンデイングツールから金属細線を出し半導
    体素子上の第１の電極と収納容器の第１のリード
    とを前記金属細線で接続した後、前記ボンデイン
    グツールを前記半導体素子上の第２の電極と前記
    収納容器の第２のリード先端とを結ぶ直線に平行
    に移動させて前記金属細線を切断し、次のボンデ
    イングサイクルに入ることを特徴とするボンデイ
    ング方法。 ２ 先端圧接部が円形でその中央に貫通孔が設け
    られており、前記貫通孔より金属細線が供給され
    るボンデイングツールを用いることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載のボンデイング方法。
JP57204070A 1982-11-19 1982-11-19 ボンデイング方法 Granted JPS5994431A (ja)

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JP57204070A JPS5994431A (ja) 1982-11-19 1982-11-19 ボンデイング方法

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JPS5994431A JPS5994431A (ja) 1984-05-31
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JP57204070A Granted JPS5994431A (ja) 1982-11-19 1982-11-19 ボンデイング方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2723277B2 (ja) * 1989-01-30 1998-03-09 株式会社東芝 ワイヤボンディング方法
JP5734236B2 (ja) 2011-05-17 2015-06-17 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びボンディング方法

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JPS5994431A (ja) 1984-05-31

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