JPH01268032A - ウエハ研磨方法および装置 - Google Patents
ウエハ研磨方法および装置Info
- Publication number
- JPH01268032A JPH01268032A JP9550588A JP9550588A JPH01268032A JP H01268032 A JPH01268032 A JP H01268032A JP 9550588 A JP9550588 A JP 9550588A JP 9550588 A JP9550588 A JP 9550588A JP H01268032 A JPH01268032 A JP H01268032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- surface plate
- semiconductor wafer
- chuck
- Prior art date
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- Pending
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は研磨技術、特に、半導体ウェハの如き薄板材料
の研磨に適用して効果のある技術に関するものである。
の研磨に適用して効果のある技術に関するものである。
従来、半導体ウェハ（以下、単にウェハということがあ
る。）の研磨技術については、株式会社工業調査会、昭
和５８年１１月１５日発行、「電子材料Ｊ １９８３年
別冊、Ｐ４９〜Ｐ５６に記載されている。
る。）の研磨技術については、株式会社工業調査会、昭
和５８年１１月１５日発行、「電子材料Ｊ １９８３年
別冊、Ｐ４９〜Ｐ５６に記載されている。
ところで、本発明者は半導体ウェハの研磨技術について
検討した。すなわち、半導体ウェハの研磨はウェハ全面
を研磨布上に強く押し当て、研磨布上に研磨剤を流しな
がら研磨布およびウェハを回転させることによって、そ
の摩擦で研磨を行うものである。
検討した。すなわち、半導体ウェハの研磨はウェハ全面
を研磨布上に強く押し当て、研磨布上に研磨剤を流しな
がら研磨布およびウェハを回転させることによって、そ
の摩擦で研磨を行うものである。
しかしながら、上記従来技術は、ウェハを研磨布に押し
当てたとき、研磨圧力がウェハ外周部で高く、中央部で
低くなり、全体的には不均一になるという問題、また、
研磨布全面にウェハが均一に作用しないために研磨布の
摩耗が不均一になる問題がある。さらに、研磨布の上あ
るいは中に異物が堆積し易くなるという問題がある。
当てたとき、研磨圧力がウェハ外周部で高く、中央部で
低くなり、全体的には不均一になるという問題、また、
研磨布全面にウェハが均一に作用しないために研磨布の
摩耗が不均一になる問題がある。さらに、研磨布の上あ
るいは中に異物が堆積し易くなるという問題がある。
本発明の目的は、ウェハを平坦に精度良く研磨する技術
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の他の目的は、ウェハに傷をつけることなく研磨
する技術を提供することにある。
する技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
〔課題を解決するための手段］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、研磨チャックに保持した半導体ウェハの一部
を研磨定盤または研磨布から外側にはみ出させた状態で
研磨を行うものである。
を研磨定盤または研磨布から外側にはみ出させた状態で
研磨を行うものである。
上記した手段によれば、ウェハの一部分が研磨布から外
にはみ出すことにより、ウェハがはみ出している部分は
研磨されないために、ウェハの外周部のブレを打ち消す
ことができる。
にはみ出すことにより、ウェハがはみ出している部分は
研磨されないために、ウェハの外周部のブレを打ち消す
ことができる。
また、研磨布から外にウェハが出ることにより、研磨布
全面が均一に摩耗する。さらに、研磨布上または中の異
物は、ウェハが研磨布から外に出るときに研磨布外（；
掃き出すことができる。
全面が均一に摩耗する。さらに、研磨布上または中の異
物は、ウェハが研磨布から外に出るときに研磨布外（；
掃き出すことができる。
第１図は本発明の一実施例である研磨装置の概略を示す
横断面図、第２図はウェハの平坦精度とはみ出し徽との
関係を示す説明図である。
横断面図、第２図はウェハの平坦精度とはみ出し徽との
関係を示す説明図である。
本実施例の研磨装置は１つの研磨チャックに１枚の半導
体ウェハ（薄板材）をたとえば真空吸着力などで保持す
る枚葉式＠暦装置である。
体ウェハ（薄板材）をたとえば真空吸着力などで保持す
る枚葉式＠暦装置である。
この研磨装置は研磨定盤１を有し、この研磨定盤１はモ
ータ２により回転速度Ｎで矢印方向に強制回転される。
ータ２により回転速度Ｎで矢印方向に強制回転される。
この研磨定盤１の上面すなわち被研磨面には、研磨布３
が内径ｄを除いた部分に設けられている。
が内径ｄを除いた部分に設けられている。
研磨定盤１の上方には、研磨チャック４が設けられ、薄
板材の一例としての半導体ウェハ５を研磨定盤１と対向
させて研磨チャック４に枚葉式に保持する。また、研磨
チャック４の研磨定盤１側には、半導体ウェハ５の真空
吸着用のパッド６およびガードリング７を有している。
板材の一例としての半導体ウェハ５を研磨定盤１と対向
させて研磨チャック４に枚葉式に保持する。また、研磨
チャック４の研磨定盤１側には、半導体ウェハ５の真空
吸着用のパッド６およびガードリング７を有している。
研麿チ丁ツク４は摺い機構８を介し、モータ９により、
上記研磨定盤１と同一方向に回転速度ｎで強制回転され
る。また、本実施例の研磨チャック４は研磨定盤１に対
して水平方向に往復運動するようになっている。
上記研磨定盤１と同一方向に回転速度ｎで強制回転され
る。また、本実施例の研磨チャック４は研磨定盤１に対
して水平方向に往復運動するようになっている。
さらに、研磨定盤１の上方には研磨剤を供給するための
ノズル１０が垂下されており、研磨定盤１の中心および
外側より研磨剤が排液される。
ノズル１０が垂下されており、研磨定盤１の中心および
外側より研磨剤が排液される。
次に、本実施例の作用について説明する。
研磨される半導体ウェハ５は、研磨チャック４により、
各チャック４について１枚ずつ枚葉式に真空吸着などで
保持される。この半導体ウェハ５は、研磨チャック４を
モータ９で回転させることにより該研磨チャック４と共
に回転速度ｎで強制回転され、モータ２で回転速度Ｎで
強制回転されている研磨定盤ｌ上の研磨布３の上に押圧
される。
各チャック４について１枚ずつ枚葉式に真空吸着などで
保持される。この半導体ウェハ５は、研磨チャック４を
モータ９で回転させることにより該研磨チャック４と共
に回転速度ｎで強制回転され、モータ２で回転速度Ｎで
強制回転されている研磨定盤ｌ上の研磨布３の上に押圧
される。
この状態で半導体ウェハ５は研磨チャック４と共に回転
速度Ｎとｎで回転しながら研磨定盤１の半径方向に往復
運動する。これにより、半導体ウェハ５は研磨定盤１の
内側と外側でその一部分が研磨布３からはみ出しながら
研磨布３との摩擦によって研磨される。
速度Ｎとｎで回転しながら研磨定盤１の半径方向に往復
運動する。これにより、半導体ウェハ５は研磨定盤１の
内側と外側でその一部分が研磨布３からはみ出しながら
研磨布３との摩擦によって研磨される。
その結果、本実施例においては、半導体ウェハ５は研磨
布３からはみ出した部分が研磨されないため、第２図の
ようにはみ出しｉｌＷの変化で凸型または凹型に研磨で
き、適当なはみ出し量Ｗを選ぶことで平坦精度良く研磨
できる。
布３からはみ出した部分が研磨されないため、第２図の
ようにはみ出しｉｌＷの変化で凸型または凹型に研磨で
き、適当なはみ出し量Ｗを選ぶことで平坦精度良く研磨
できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、研磨チャック４は半導体ウェハ５の一部が研
磨定盤１または研磨布３の外側にはみ出るよう偏心回転
される構造としてもよい。
磨定盤１または研磨布３の外側にはみ出るよう偏心回転
される構造としてもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である半導体ウェハに適用した場合につ
いて説明したが、これに限定されるものではなく、たと
えば他の薄板材の如きウェハにも適用することができる
。
をその利用分野である半導体ウェハに適用した場合につ
いて説明したが、これに限定されるものではなく、たと
えば他の薄板材の如きウェハにも適用することができる
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、半導体ウェハの研磨方法であって、各研磨チ
ャックに半導体ウェハを１枚ずつ保持し、その半導体ウ
ェハの一部を研磨定盤または研磨布から外側にはみ出さ
せた状態で研磨することにより、ウェハの外周部のブレ
をなくし、被研磨面の全体にわたって均一に、平坦精度
良く研磨することができる。
ャックに半導体ウェハを１枚ずつ保持し、その半導体ウ
ェハの一部を研磨定盤または研磨布から外側にはみ出さ
せた状態で研磨することにより、ウェハの外周部のブレ
をなくし、被研磨面の全体にわたって均一に、平坦精度
良く研磨することができる。
また、本発明によれば、はみ出し量を変えることで凸形
状から凹形状に研磨でき、適切なはみ出し量を選択する
ことによって所望の平坦精度の高い研磨が可能となる。
状から凹形状に研磨でき、適切なはみ出し量を選択する
ことによって所望の平坦精度の高い研磨が可能となる。
さらに、本発明によれば、ウェハが研磨チャックの水平
往復運動または偏心回転運動によって研磨布の外に出る
ことにより、研磨布の摩耗が均一になり、加えて研磨布
上あるいは研磨布内の異物が研磨布の外に掃き出される
ため、ウェハに傷をつけることなく研磨を行うことがで
きる。
往復運動または偏心回転運動によって研磨布の外に出る
ことにより、研磨布の摩耗が均一になり、加えて研磨布
上あるいは研磨布内の異物が研磨布の外に掃き出される
ため、ウェハに傷をつけることなく研磨を行うことがで
きる。
第１図は本発明の一実施例である研磨装置の概略を示す
横断面図、 第２図はウェハの平坦精度とはみ出し量との関係を示す
説明図である。
横断面図、 第２図はウェハの平坦精度とはみ出し量との関係を示す
説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハの研磨方法であって、各研磨チャック
に半導体ウェハを１枚ずつ保持し、その半導体ウェハの
一部を研磨定盤または研磨布から外側にはみ出させた状
態で研磨することを特徴とするウェハ研磨方法。 ２、半導体ウェハを自転させながら前記研磨定盤の半径
方向に往復運動または偏心回転運動させることを特徴と
する請求項１記載のウェハ研磨方法。 ３、半導体ウェハの研磨装置であって、所定の回転数で
所定の方向に水平面内で回転する研磨定盤と、この研磨
定盤上に設けられた研磨布と、半導体ウェハの被研磨面
が前記研磨布と接触するよう各々に半導体ウェハを１枚
ずつ保持し、前記研磨定盤と同一方向に所定の回転数で
回転され、前記研磨定盤の半径方向に往復運動可能また
は偏心回転可能である研磨チャックとからなることを特
徴とするウェハ研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9550588A JPH01268032A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ウエハ研磨方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9550588A JPH01268032A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ウエハ研磨方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268032A true JPH01268032A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14139453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9550588A Pending JPH01268032A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ウエハ研磨方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01268032A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4125732A1 (de) * | 1990-08-06 | 1992-02-13 | Micron Technology Inc | Verfahren und geraet fuer die mechanische planierung und endpunktermittlung eines halbleiterwafers |
| US5429711A (en) * | 1992-09-18 | 1995-07-04 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for manufacturing wafer |
| US5783497A (en) * | 1994-08-02 | 1998-07-21 | Sematech, Inc. | Forced-flow wafer polisher |
| EP0911115A1 (en) * | 1992-09-24 | 1999-04-28 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US6332826B1 (en) | 1997-11-21 | 2001-12-25 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP9550588A patent/JPH01268032A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4125732A1 (de) * | 1990-08-06 | 1992-02-13 | Micron Technology Inc | Verfahren und geraet fuer die mechanische planierung und endpunktermittlung eines halbleiterwafers |
| DE4125732C2 (de) * | 1990-08-06 | 2002-05-29 | Micron Technology Inc | Verfahren und Gerät zum Polieren eines flachen Wafers |
| US5429711A (en) * | 1992-09-18 | 1995-07-04 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for manufacturing wafer |
| EP0911115A1 (en) * | 1992-09-24 | 1999-04-28 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US5783497A (en) * | 1994-08-02 | 1998-07-21 | Sematech, Inc. | Forced-flow wafer polisher |
| US6332826B1 (en) | 1997-11-21 | 2001-12-25 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US6413146B1 (en) | 1997-11-21 | 2002-07-02 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US6918814B2 (en) | 1997-11-21 | 2005-07-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US7101255B2 (en) | 1997-11-21 | 2006-09-05 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
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