JPH01270525A - 光回路用ガラス膜の製造方法 - Google Patents
光回路用ガラス膜の製造方法Info
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- JPH01270525A JPH01270525A JP9478188A JP9478188A JPH01270525A JP H01270525 A JPH01270525 A JP H01270525A JP 9478188 A JP9478188 A JP 9478188A JP 9478188 A JP9478188 A JP 9478188A JP H01270525 A JPH01270525 A JP H01270525A
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
- C03B19/1423—Reactant deposition burners
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は簡便かつ加工性に富んだ光回路用ガラス膜の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
〔従来の技術・発明が解決しにうとする課題〕光回路用
ガラス膜を製造する従来技術は２つに分類できる。その
概念図を第６図に示す。第６図（ａ）は、特開昭４９−
１００５４号に示されているにうにガラス基板上に３ｉ
ＣＪ４゜Ｇ ｅ Ｃ４４などの原料を酸水素トーチのよ
うなガラス微粒子合成トーヂにより生成されたガラス微
粒子を基板上に堆積する方法や特開昭５６−８５７０９
号に示されているにうにガラス基板を半導体膜形成の分
野で知られているＣＶＤ反応管と類似の反応管内に高温
度で保持し、反応管内でＳ １ｃＪａ 、ＧｅＣ４４等
の熱酸化反応により生成されたガラス微粒子を基板上に
堆積する方法で代表される従来技術の概念を示している
。この従来技術では気相原料が気相反応することを基本
にしている。気相原料供給口１１がら気相原料を基板１
２に向って入射させ、気相原料供給口１１と基板１２と
の間に加熱等により原料が気相反応覆ることにより微粒
子が生成する微粒子生成部１５を設けることにより基板
上１２にガラス微粒子の堆積層１３を形成している。図
中１４は気相原料部で・ある。ここで（よ、この従来技
術を気相反応型と呼ぶ。この方法では原料が気相で反応
するため基板上に堆ｆｉｉるものが０．０１〜１μｍ径
ぐらいの微粒子となる１、このため微粒子同士を導；Ｌ
板上で固相反応させるためには基板の保持温度を非常に
高くづる必要がある。従って、気相反応型では基板−１
−に堆積される多孔質ガラス層（、（力（３密度が約０
．１５〜０．２ｙ／ｃｎｆの非常に柔らかい膜とイ栄る
。そのためバｆ槓しｊ、：多孔質膜を反応■イオンエツ
ブング等により加重Ｊることや液浸法によりドーパント
を添加することが困難ぐあるという本質的な問題点があ
るとともに、堆積されたＬ１板の取り扱いに注意を要Ｊ
るという問題点があった。
ガラス膜を製造する従来技術は２つに分類できる。その
概念図を第６図に示す。第６図（ａ）は、特開昭４９−
１００５４号に示されているにうにガラス基板上に３ｉ
ＣＪ４゜Ｇ ｅ Ｃ４４などの原料を酸水素トーチのよ
うなガラス微粒子合成トーヂにより生成されたガラス微
粒子を基板上に堆積する方法や特開昭５６−８５７０９
号に示されているにうにガラス基板を半導体膜形成の分
野で知られているＣＶＤ反応管と類似の反応管内に高温
度で保持し、反応管内でＳ １ｃＪａ 、ＧｅＣ４４等
の熱酸化反応により生成されたガラス微粒子を基板上に
堆積する方法で代表される従来技術の概念を示している
。この従来技術では気相原料が気相反応することを基本
にしている。気相原料供給口１１がら気相原料を基板１
２に向って入射させ、気相原料供給口１１と基板１２と
の間に加熱等により原料が気相反応覆ることにより微粒
子が生成する微粒子生成部１５を設けることにより基板
上１２にガラス微粒子の堆積層１３を形成している。図
中１４は気相原料部で・ある。ここで（よ、この従来技
術を気相反応型と呼ぶ。この方法では原料が気相で反応
するため基板上に堆ｆｉｉるものが０．０１〜１μｍ径
ぐらいの微粒子となる１、このため微粒子同士を導；Ｌ
板上で固相反応させるためには基板の保持温度を非常に
高くづる必要がある。従って、気相反応型では基板−１
−に堆積される多孔質ガラス層（、（力（３密度が約０
．１５〜０．２ｙ／ｃｎｆの非常に柔らかい膜とイ栄る
。そのためバｆ槓しｊ、：多孔質膜を反応■イオンエツ
ブング等により加重Ｊることや液浸法によりドーパント
を添加することが困難ぐあるという本質的な問題点があ
るとともに、堆積されたＬ１板の取り扱いに注意を要Ｊ
るという問題点があった。
さらに気相反応型では多孔質ガラス層を焼結して透明化
覆る必要があるのＣ１多孔質ガラス層のカリ−密度が焼
結特性に大きく影響覆る。また、この従来技術では多孔
質ガラス層のカリ密度が小さいため、焼結工程での多孔
質ガラス層の収縮割合が人さくなり、基板に大きな応力
を生じるとと６に基板の−・部のみにしか均一な透明刀
ラス膜を形成できないという問題点があった。
覆る必要があるのＣ１多孔質ガラス層のカリ−密度が焼
結特性に大きく影響覆る。また、この従来技術では多孔
質ガラス層のカリ密度が小さいため、焼結工程での多孔
質ガラス層の収縮割合が人さくなり、基板に大きな応力
を生じるとと６に基板の−・部のみにしか均一な透明刀
ラス膜を形成できないという問題点があった。
第６図（ｂ）は、半導体膜形成の分野で良く知られてい
るＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法等による膜Ｍ成性を使
って光回路用ガラス膜を基板−１にｊｉｔ積づ−る方法
を示している。この従来技術では気相原料がちｔ板上で
表面反応することを基本にし−（いる。第６図（ａ）と
の差は微粒子生成部の有無のみであり、Ｍ板表面までき
た気相原料部１４に存在する原料が固体表面Ｔ” Ｌａ
ｎｇｍｕｉｒ−ｌｌｉｎｓｈｅ１ｗｏｏｄ機構またはＲ
ｉｄｅａｌ−Ｅｌｅｙ機構により表面反応し、基板上１
２に透明ガラスの」イｆ積層１３を形成する。
るＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法等による膜Ｍ成性を使
って光回路用ガラス膜を基板−１にｊｉｔ積づ−る方法
を示している。この従来技術では気相原料がちｔ板上で
表面反応することを基本にし−（いる。第６図（ａ）と
の差は微粒子生成部の有無のみであり、Ｍ板表面までき
た気相原料部１４に存在する原料が固体表面Ｔ” Ｌａ
ｎｇｍｕｉｒ−ｌｌｉｎｓｈｅ１ｗｏｏｄ機構またはＲ
ｉｄｅａｌ−Ｅｌｅｙ機構により表面反応し、基板上１
２に透明ガラスの」イｆ積層１３を形成する。
ここでｔよこの従来技術を表面反応型ど呼ぶ。この方法
では原料が気相反応しないことが必要不可欠であるため
、気相原料部１４での原おｌは」−分に不活性以体で希
釈されている。従って表面反応型では１（（−積速度が
普通数人へ・数１０人／ ＳｅＣとガく、光回路用ガラ
ス膜のように数１０μｍの膜厚を作製づるには長時間を
必要とするという問題点かあっｌｃｏそのため、均一な
膜を再用性良く作製することが困￥１１であ−１１１こ
。さらに従来技術の表面反応型は密閉系になっているた
め、長時間の膜１イｆ積（１反応容器内面を汚し、装置
保守が大変になるという問題点があった。
では原料が気相反応しないことが必要不可欠であるため
、気相原料部１４での原おｌは」−分に不活性以体で希
釈されている。従って表面反応型では１（（−積速度が
普通数人へ・数１０人／ ＳｅＣとガく、光回路用ガラ
ス膜のように数１０μｍの膜厚を作製づるには長時間を
必要とするという問題点かあっｌｃｏそのため、均一な
膜を再用性良く作製することが困￥１１であ−１１１こ
。さらに従来技術の表面反応型は密閉系になっているた
め、長時間の膜１イｆ積（１反応容器内面を汚し、装置
保守が大変になるという問題点があった。
また気相反応型と表面反応型とも従来技術では反応が生
じるのがそれぞれ微粒子生成部と固体表面であるため１
種類の反応しかできず、半導体ドープガラスのような相
合カラス膜を作製することが本質的に回動であるという
問題点もあった。
じるのがそれぞれ微粒子生成部と固体表面であるため１
種類の反応しかできず、半導体ドープガラスのような相
合カラス膜を作製することが本質的に回動であるという
問題点もあった。
そこで、本発明は［記従来技術の欠点を除去した光回路
用ガラス膜の製造方法を提供することを目的としている
。
用ガラス膜の製造方法を提供することを目的としている
。
本発明は、基板上に光回路用ガラス膜をイｆ積づる方法
において、粒成長しない原料の気相部分と原料が気相反
応して粒成長づる部分から構成される火炎から気相状態
の原料と微粒子を基板に入射ざし、基板トに微粒子を墳
積させるとともに１（（槓した微粒子表面で気相状態の
原料の表面反応による成長を＜１い、基板−Ｌに表面反
応で成長した固相物と微粒子の混合物ｈｌ ｌうなる多
孔質層を形成した後、高温焼結し透明にづ−ることを特
徴ど４−るものて・あり、気相反応と表面反応とを同時
に利用することを最も主要な特徴とし−Ｃいる。第６図
に示した従来技術の概念図と対比する１、、：め、本発
明の概念図を第１図に示す。気相原料の供給口２１がら
原料濃度が大きく気相反応しやすい気相原料と原料濃度
が小さく気相反応しない気相原料どが空間的に分離して
基板２２に向って入射しており、従来技術が１秤類の気
相原料を気相原料の供給［コ１１から入射しているのと
異っている。この原料の希釈割合が異った２種類の気相
原料は気相原料の供給口２１と基板２２どの間で表面反
応用気相原料部２４１と気相反応用気相原料部２４２と
からなる火炎構造を構成している。表面反応用気相原料
部２４１ど気相反応用気相原料部２４２とは気相原料の
供給口２１ど基板２２との間にある微粒子生成部２５ま
で空間的に分離させてあり、気相反応用気相原料部２４
２でのみ微粒子生成部２５で微粒子が生成している。気
相反応用気相原料部２４２で生成した微粒子ど表面反応
用気相原料は基板ｈ２２で混合されており、基板上２２
には表面反応による生成物と微粒子とからなる堆積層２
３が形成される。
において、粒成長しない原料の気相部分と原料が気相反
応して粒成長づる部分から構成される火炎から気相状態
の原料と微粒子を基板に入射ざし、基板トに微粒子を墳
積させるとともに１（（槓した微粒子表面で気相状態の
原料の表面反応による成長を＜１い、基板−Ｌに表面反
応で成長した固相物と微粒子の混合物ｈｌ ｌうなる多
孔質層を形成した後、高温焼結し透明にづ−ることを特
徴ど４−るものて・あり、気相反応と表面反応とを同時
に利用することを最も主要な特徴とし−Ｃいる。第６図
に示した従来技術の概念図と対比する１、、：め、本発
明の概念図を第１図に示す。気相原料の供給口２１がら
原料濃度が大きく気相反応しやすい気相原料と原料濃度
が小さく気相反応しない気相原料どが空間的に分離して
基板２２に向って入射しており、従来技術が１秤類の気
相原料を気相原料の供給［コ１１から入射しているのと
異っている。この原料の希釈割合が異った２種類の気相
原料は気相原料の供給口２１と基板２２どの間で表面反
応用気相原料部２４１と気相反応用気相原料部２４２と
からなる火炎構造を構成している。表面反応用気相原料
部２４１ど気相反応用気相原料部２４２とは気相原料の
供給口２１ど基板２２との間にある微粒子生成部２５ま
で空間的に分離させてあり、気相反応用気相原料部２４
２でのみ微粒子生成部２５で微粒子が生成している。気
相反応用気相原料部２４２で生成した微粒子ど表面反応
用気相原料は基板ｈ２２で混合されており、基板上２２
には表面反応による生成物と微粒子とからなる堆積層２
３が形成される。
上記火炎構造としては、表面反応用気相原料部を石英系
ガラス原料（ＳｉＣＩ４．ＳｉＨ４゜Ｓ ！ ＥＩ Ｃ
Ｊ ３等の５ｉｎ２用気相原料とＧｅＣＩ４．ＧｅＨａ
、ＰＣＪ！３ 、Ｔ ｉ ＣＩ４等のドーパント用気
相原料）と０２及びＡｒ、Ｎ２等の不活性気体とし、気
相反応用気相原料部を酸水素炎中で加水分解反応する石
英系ガラス微粒子とすることができる。また、上記火炎
構造として、表面反応用気相原料部を半導体気相原料（
ＳｉＨ４：Ｇａ （Ｃ１，３）４ 、ＡＳＩ−１３
： ｉｎ （ＣＩ−１３＞３ 、ＰＨ３等）とト１
２及びＡｒ、Ｎ２等の不活性気体どじ、気相反応用気相
原料部を火炎中で粒成長覆る酸化物ガラス微粒子とする
こともできる。
ガラス原料（ＳｉＣＩ４．ＳｉＨ４゜Ｓ ！ ＥＩ Ｃ
Ｊ ３等の５ｉｎ２用気相原料とＧｅＣＩ４．ＧｅＨａ
、ＰＣＪ！３ 、Ｔ ｉ ＣＩ４等のドーパント用気
相原料）と０２及びＡｒ、Ｎ２等の不活性気体とし、気
相反応用気相原料部を酸水素炎中で加水分解反応する石
英系ガラス微粒子とすることができる。また、上記火炎
構造として、表面反応用気相原料部を半導体気相原料（
ＳｉＨ４：Ｇａ （Ｃ１，３）４ 、ＡＳＩ−１３
： ｉｎ （ＣＩ−１３＞３ 、ＰＨ３等）とト１
２及びＡｒ、Ｎ２等の不活性気体どじ、気相反応用気相
原料部を火炎中で粒成長覆る酸化物ガラス微粒子とする
こともできる。
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
実施例１
第２図は本発明による石英ガラス膜の作製方法を示す。
また、第２図に示すバーナの詳細な構造を第３図に示す
。３インチ用Ｓｉウェハーと同形の石英板３２を基板と
して用い、回転可能な基板保持部３３に石英基板３２を
設置し１’−１１基板保持部３３は」「積膜の均一性を
」二げるため５ ｐｐｍで回転させた。基板保持部３３
はカーボン製ヒータ３２に接しており、基板加熱部に接
続されたヒータ用電源３５ど熱電対３６により基板温度
を±１℃以内で制御した。図中３７は基板渇僚制御部で
ある。表面反応川原お１と微粒子を石英基板上に供給す
るため第３図に示す構造を有する石英製バーナ３１を使
った。第３図（ａ）、（ｂ）において４１は表面反応用
原料供給部、４２は分離用不活性気体供給部、／ｌ−３
は火炎用水素供給部、４４は気相反応用原料供給部、４
５は火炎用酸素供給部である。このバーナ３１において
、中心部の表面反応用原料供給部４１にはＡｒで十分に
希釈したＳ！ Ｈ４，０２を流し、外部、′ＴＩなわち
上記供給部４３．４４．４５には微粒子を火炎内で生成
するＩこめ火炎用気体と気相反応用原料気体を流した。
。３インチ用Ｓｉウェハーと同形の石英板３２を基板と
して用い、回転可能な基板保持部３３に石英基板３２を
設置し１’−１１基板保持部３３は」「積膜の均一性を
」二げるため５ ｐｐｍで回転させた。基板保持部３３
はカーボン製ヒータ３２に接しており、基板加熱部に接
続されたヒータ用電源３５ど熱電対３６により基板温度
を±１℃以内で制御した。図中３７は基板渇僚制御部で
ある。表面反応川原お１と微粒子を石英基板上に供給す
るため第３図に示す構造を有する石英製バーナ３１を使
った。第３図（ａ）、（ｂ）において４１は表面反応用
原料供給部、４２は分離用不活性気体供給部、／ｌ−３
は火炎用水素供給部、４４は気相反応用原料供給部、４
５は火炎用酸素供給部である。このバーナ３１において
、中心部の表面反応用原料供給部４１にはＡｒで十分に
希釈したＳ！ Ｈ４，０２を流し、外部、′ＴＩなわち
上記供給部４３．４４．４５には微粒子を火炎内で生成
するＩこめ火炎用気体と気相反応用原料気体を流した。
表面反応用原料と微粒子は分離用不活性気体供給部４２
に流したＡｒにＪ：り石英基板−１−３２まで空間的に
分離されている。酸水素バーナ３１を基板３２に対して
傾けて設置し、かつ排気管３日を酸水素バーナ３１に対
向して設置することにより基板上３２で表面反応用原料
と微粒子の混合が生じる。以下に作製条件を示す。
に流したＡｒにＪ：り石英基板−１−３２まで空間的に
分離されている。酸水素バーナ３１を基板３２に対して
傾けて設置し、かつ排気管３日を酸水素バーナ３１に対
向して設置することにより基板上３２で表面反応用原料
と微粒子の混合が生じる。以下に作製条件を示す。
表面反応川原Ｉｆ Ｓ ｉ Ｈ４： ２０ｓｃｃｍ
。
。
０２ ： ２００ｓｅｃｍ。
Ａｒ：１０ｓ、／ｍ
分離用不活性気体 Δｒ５ｓＪｍ
気相反応用原料 ＋＋２ ： ２ ｓＪｍ 。
Ｏｚ：４ＳＪｍ
Ｓ ｉ ＣＩ４ ： ２０ｓｃｃｍ
基板温疫 ５００ ’Ｃ
また比較のため、表面反応用原料のみを流した場合と気
相反応用原料のみを流した場合について膜堆積を行った
。さらに堆積した膜を１４８０℃で焼結し透明ガラス化
を行った。表１にイれぞれの膜特性を示づ。
相反応用原料のみを流した場合について膜堆積を行った
。さらに堆積した膜を１４８０℃で焼結し透明ガラス化
を行った。表１にイれぞれの膜特性を示づ。
表１ 作製した膜特性
この結果、本発明による方払では、従来技術の気相反応
型よりはカサ密度が大きく、かつ表面反応型より堆積速
度の大ぎい堆積膜を行えることがわかる。
型よりはカサ密度が大きく、かつ表面反応型より堆積速
度の大ぎい堆積膜を行えることがわかる。
本実施例では、本発明の本質を明確にするため、最も単
純なＳｉＯ２膜の作製例について述べたが、ＧｅＯ２，
Ｔ ｉ ０２ 、Ｐ２０Ｓ等のドーパン１〜を含／υだ
ガラス膜を作製するには、それぞれ適当な気相原料を供
給すれば良いことは今まで述べたことで自明である。
純なＳｉＯ２膜の作製例について述べたが、ＧｅＯ２，
Ｔ ｉ ０２ 、Ｐ２０Ｓ等のドーパン１〜を含／υだ
ガラス膜を作製するには、それぞれ適当な気相原料を供
給すれば良いことは今まで述べたことで自明である。
実施例２
第２図に示した作製系を密閉容器に入れて３ｉド一プ系
石英ガラス膜を作製した。第３図に示づ一バーブに流し
た原料条（’＋を以下に示す。表面反応用原料供給部Ｓ
ｉ １−」４２０ｓｃｃｍ、 ｆ１２５ ｓＪ ｍ
；分離用不活性気体供給部ＡＡｒ３５Ｊ；火炎用水素供
給部Ｈ２２ｓＪｍ、気相反応用原料供給部Ｓ ｉ ＣＪ
４２０ｓｅｃｍ、 ０２５０ｓｃｃｍ、 ；火炎用酸
累供給部Ｃ）２４．５ｓＪｍ、。本実施例では表面反応
で８１が効率的成長させるため酸水素炎のかわりに水素
〜塩索炎を用いた３、さらに作製系を入れた密閉容器に
Δｒを流し、表面反応用原利部への酸素の渥入を極力小
さくした。これらはづべて表面反応の効率を上げる目的
で行ったもので、実施例１において表面反応用原石のみ
を変えてもＳｉドープ石英ガラス膜を作製できる。基板
温度を１０００℃にして３ｉ含右多孔質ガラス膜を賄積
した後１４８０℃でガラス化を行った。作製したガラス
膜のＸ線回折図を第４図に、また透過特性を第５図に示
覆。第４図のＸ線回折図には３ｉ０２と結晶性Ｓ１のピ
ークが現れており、第５図の透過特性には３ｉのバンド
間吸収が波長１．１μ７ｎから始まっている。この結果
、本発明により８１ド一プ石英ガラス膜を作製できてい
ることがわかる。
石英ガラス膜を作製した。第３図に示づ一バーブに流し
た原料条（’＋を以下に示す。表面反応用原料供給部Ｓ
ｉ １−」４２０ｓｃｃｍ、 ｆ１２５ ｓＪ ｍ
；分離用不活性気体供給部ＡＡｒ３５Ｊ；火炎用水素供
給部Ｈ２２ｓＪｍ、気相反応用原料供給部Ｓ ｉ ＣＪ
４２０ｓｅｃｍ、 ０２５０ｓｃｃｍ、 ；火炎用酸
累供給部Ｃ）２４．５ｓＪｍ、。本実施例では表面反応
で８１が効率的成長させるため酸水素炎のかわりに水素
〜塩索炎を用いた３、さらに作製系を入れた密閉容器に
Δｒを流し、表面反応用原利部への酸素の渥入を極力小
さくした。これらはづべて表面反応の効率を上げる目的
で行ったもので、実施例１において表面反応用原石のみ
を変えてもＳｉドープ石英ガラス膜を作製できる。基板
温度を１０００℃にして３ｉ含右多孔質ガラス膜を賄積
した後１４８０℃でガラス化を行った。作製したガラス
膜のＸ線回折図を第４図に、また透過特性を第５図に示
覆。第４図のＸ線回折図には３ｉ０２と結晶性Ｓ１のピ
ークが現れており、第５図の透過特性には３ｉのバンド
間吸収が波長１．１μ７ｎから始まっている。この結果
、本発明により８１ド一プ石英ガラス膜を作製できてい
ることがわかる。
本実施例では本発明にＪ：り半導体ドープガラスを作製
Ｊる１例を具体的に述べたが、他の半導体ドープガラス
も本発明により作製できることは自明である。さらに実
施例で使用した火炎はト１２−０２ 、Ｈ２−ＣＪ２系
ではあるが、本発明の本質は火炎、すなわち発熱反応Ｊ
る気体系（例えばＣ０−０２、Ｆ２ Ｈ２Ｏ，ＣｎＨ
２ｎ＋２−０２ 。
Ｊる１例を具体的に述べたが、他の半導体ドープガラス
も本発明により作製できることは自明である。さらに実
施例で使用した火炎はト１２−０２ 、Ｈ２−ＣＪ２系
ではあるが、本発明の本質は火炎、すなわち発熱反応Ｊ
る気体系（例えばＣ０−０２、Ｆ２ Ｈ２Ｏ，ＣｎＨ
２ｎ＋２−０２ 。
ＳＦ６−３ ： ＨＪ系等）であれば何を使用しても良
く、何ら制限を受りるものではない。
く、何ら制限を受りるものではない。
（発明の効果）
以上説明したように、表面反応と気相反応とを同時に利
用する本発明ににれば、力１ノ密度の人さい多孔質膜を
形成でき、これによって反応性イオンエツヂング等の加
工や液浸法にＪ：るドーパン１〜を添加することが可能
である、取扱いが容易である、基板の広い範囲に均一な
透明ガラス膜を形成できる、等の効果が得られる。また
、Ｍｔ積速瓜が速く均一・な膜を再現性良く作製づるこ
とかできる＝ １２− という効果が得られる一方、装置の保守が容易である等
の効果を得られる。
用する本発明ににれば、力１ノ密度の人さい多孔質膜を
形成でき、これによって反応性イオンエツヂング等の加
工や液浸法にＪ：るドーパン１〜を添加することが可能
である、取扱いが容易である、基板の広い範囲に均一な
透明ガラス膜を形成できる、等の効果が得られる。また
、Ｍｔ積速瓜が速く均一・な膜を再現性良く作製づるこ
とかできる＝ １２− という効果が得られる一方、装置の保守が容易である等
の効果を得られる。
したがって、本発明によれば、光回路用ガラス膜に適合
しｌｃ膜特性を右づる多様なガラス膜を簡便に作製でき
る。さらに本発明は、多様なガラス膜を多層にイを積し
、フォト・リソグラフィーによるパターン化と反応性イ
オン丁ツヂング等による加工技術を適用することで、導
波路、分波器、光スイッチ等の光導波回路のプロレス技
術に貢献することが犬である。また、本発明により複合
ガラス膜を簡便に作製できることから、機能悄導波路の
作製に利点がある。
しｌｃ膜特性を右づる多様なガラス膜を簡便に作製でき
る。さらに本発明は、多様なガラス膜を多層にイを積し
、フォト・リソグラフィーによるパターン化と反応性イ
オン丁ツヂング等による加工技術を適用することで、導
波路、分波器、光スイッチ等の光導波回路のプロレス技
術に貢献することが犬である。また、本発明により複合
ガラス膜を簡便に作製できることから、機能悄導波路の
作製に利点がある。
第１図は本発明の光回路用ガラス膜の製造方法を示す概
念図、第２図は本発明の一実施例を示す説明図、第３図
（ａ）は第２図に示づバーナの側断面図、第３図（ｂ）
は同正面図、第４図は本発明により作製した膜のＸ線回
折図、第５図は本発明により作製した膜の透過特性を示
ず図、第６図（ａ＞、（ｂ）はいずれも従来の光回路用
ガラス膜の製造方法を示覆慨念図である。 ２１・・・気相原料の供給口、２２・・・基板、２３・
・・Ｘｉ積層、２５・・・微粒子生成部、２４１・・・
表面反応用気相原料部、２４２・・・気相反応用気相原
料部。 区 Φ 綜
念図、第２図は本発明の一実施例を示す説明図、第３図
（ａ）は第２図に示づバーナの側断面図、第３図（ｂ）
は同正面図、第４図は本発明により作製した膜のＸ線回
折図、第５図は本発明により作製した膜の透過特性を示
ず図、第６図（ａ＞、（ｂ）はいずれも従来の光回路用
ガラス膜の製造方法を示覆慨念図である。 ２１・・・気相原料の供給口、２２・・・基板、２３・
・・Ｘｉ積層、２５・・・微粒子生成部、２４１・・・
表面反応用気相原料部、２４２・・・気相反応用気相原
料部。 区 Φ 綜
Claims (1)
- 基板上に光回路用ガラス膜を堆積する方法において、粒
成長しない原料の気相部分と原料が気相反応して粒成長
する部分から構成される火炎から気相状態の原料と微粒
子を基板に入射させ、基板上に微粒子を堆積させるとと
もに堆積した微粒子表面で気相状態の原料の表面反応に
よる成長を行い、基板上に表面反応で成長した固相物と
微粒子の混合物からなる多孔質層を形成した後、高温焼
結し透明にすることを特徴とする光回路用ガラス膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9478188A JPH01270525A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 光回路用ガラス膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9478188A JPH01270525A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 光回路用ガラス膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270525A true JPH01270525A (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=14119631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9478188A Pending JPH01270525A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 光回路用ガラス膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01270525A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465857A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スート堆積方法 |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP9478188A patent/JPH01270525A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465857A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スート堆積方法 |
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