JPH01272177A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH01272177A JPH01272177A JP10028388A JP10028388A JPH01272177A JP H01272177 A JPH01272177 A JP H01272177A JP 10028388 A JP10028388 A JP 10028388A JP 10028388 A JP10028388 A JP 10028388A JP H01272177 A JPH01272177 A JP H01272177A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layers
- layer
- semiconductor laser
- laser
- clad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は１発振波長が異なる複数の半導体レーザ素子を
同一半導体基板上に一集積した半導体レーザに関する。
同一半導体基板上に一集積した半導体レーザに関する。
（従来の技術）
同一半導体基板上に発振波長の異なる複数の半導体レー
ザ素子を集積したものとして１例えば特開昭５９−１６
５４８７号公報に記載された第３図に示すものが知られ
ている。
ザ素子を集積したものとして１例えば特開昭５９−１６
５４８７号公報に記載された第３図に示すものが知られ
ている。
これは次のようにして形成される。即ち、ｐ型ＧａＡｓ
基板４１上にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層４２を液相エピタ
キシャル成長した後、幅１１ｔ＊Ｖｓ（Ｖ工〉ｗ２）を
有するストライプ溝４３．４４を電流阻止層４２が除去
されるまでエツチングし、電流通路を形成する。再度液
相エピタキシャル成長法でＰ−Ｇａ１−ｖＡｌｙＡｓク
ラッド層４５、Ｇａ、−１ＡＱｚＡｓ活性層４６（０＜
工＜ｙ＜１）、 ｎ−Ｇａｚ−ｖＡ４ｙＡｓクラッド層
４７、ｎ−ＧａＡｓキャップ層４８を順次積層し、更に
基板４１上にｐ側電極４９．キャップ層４８上にｎ側電
極５０を形成する。次に、ストライプ溝４３．４４単位
でレーザ動作用多層結晶を分割するため、ｎ側電極５０
表面より分離溝５１をストライプ溝４３．４４と平行に
刻設し、その深さが電流阻止層４２に達するまでエツチ
ングする。
基板４１上にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層４２を液相エピタ
キシャル成長した後、幅１１ｔ＊Ｖｓ（Ｖ工〉ｗ２）を
有するストライプ溝４３．４４を電流阻止層４２が除去
されるまでエツチングし、電流通路を形成する。再度液
相エピタキシャル成長法でＰ−Ｇａ１−ｖＡｌｙＡｓク
ラッド層４５、Ｇａ、−１ＡＱｚＡｓ活性層４６（０＜
工＜ｙ＜１）、 ｎ−Ｇａｚ−ｖＡ４ｙＡｓクラッド層
４７、ｎ−ＧａＡｓキャップ層４８を順次積層し、更に
基板４１上にｐ側電極４９．キャップ層４８上にｎ側電
極５０を形成する。次に、ストライプ溝４３．４４単位
でレーザ動作用多層結晶を分割するため、ｎ側電極５０
表面より分離溝５１をストライプ溝４３．４４と平行に
刻設し、その深さが電流阻止層４２に達するまでエツチ
ングする。
以上により１幅の異なるストライプ溝４３．４４の直上
に積層される多層結晶の活性層４６をそれぞれ湾曲、平
坦化し溝幅に対応して活性層４６を成長速度の異なるエ
ピタキシャル成長層に設定し、このエピタキシャル成長
層の成長速度に対応した発振波長の異なる発振動作部が
得られる。
に積層される多層結晶の活性層４６をそれぞれ湾曲、平
坦化し溝幅に対応して活性層４６を成長速度の異なるエ
ピタキシャル成長層に設定し、このエピタキシャル成長
層の成長速度に対応した発振波長の異なる発振動作部が
得られる。
（発明が解決しようとする課題）
ストライプ溝の幅の差を利用して成長速度の異なる活性
層領域を形成し、異なる発振波長を得る半導体レーザで
は、ストライプ溝の幅の大きい領域の活性層を湾曲化す
るため、活性層を薄膜化し高出力を得るには、不十分で
あると共に、出力の変化に伴い横モードが不安定になり
易い。
層領域を形成し、異なる発振波長を得る半導体レーザで
は、ストライプ溝の幅の大きい領域の活性層を湾曲化す
るため、活性層を薄膜化し高出力を得るには、不十分で
あると共に、出力の変化に伴い横モードが不安定になり
易い。
また各半導体レーザ素子の発振波長の差は５〜４０＋ａ
ｍ程度と小さく、発振波長の差の大きい複数個の半導体
レーザ素子を安易にかつバラツキが少ないものを得るに
は大変困難である。
ｍ程度と小さく、発振波長の差の大きい複数個の半導体
レーザ素子を安易にかつバラツキが少ないものを得るに
は大変困難である。
本発明はこの様な欠点を除去するもので、高出力で発振
波差が大きい複数個の半導体レーザ素子を同一半導体基
板上に安易に形成することができる、光通信用および光
情報処理用の発振波長の異なる半導体レーザを提供する
ことを目的とする。
波差が大きい複数個の半導体レーザ素子を同一半導体基
板上に安易に形成することができる、光通信用および光
情報処理用の発振波長の異なる半導体レーザを提供する
ことを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体レーザは、同一半導体基板上に独立に動
作可能な複数個の半導体レーザ素子が集積された半導体
レーザにおいて、少なくとも１個の半導体レーザ素子の
ダブルヘテロ接合を、他の半導体レーザ素子のダブルヘ
テロ接合と異なるエピタキシャル成長層で形成したこと
を特徴とする。
作可能な複数個の半導体レーザ素子が集積された半導体
レーザにおいて、少なくとも１個の半導体レーザ素子の
ダブルヘテロ接合を、他の半導体レーザ素子のダブルヘ
テロ接合と異なるエピタキシャル成長層で形成したこと
を特徴とする。
（作 用）
複数の半導体レーザ素子のダブルヘテロ接合のエピタキ
シャル成長層を別個に形成することにより、三元又は四
元系の混晶半導体の組成比を個々大きい独立駆動可能な
複数の半導体レーザ素子を同一半導体基板上に形成でき
る。また、同様に活性層を容易に薄膜化できるので、高
出力の半導体レーザが形成できる。
シャル成長層を別個に形成することにより、三元又は四
元系の混晶半導体の組成比を個々大きい独立駆動可能な
複数の半導体レーザ素子を同一半導体基板上に形成でき
る。また、同様に活性層を容易に薄膜化できるので、高
出力の半導体レーザが形成できる。
（実 施 例）
第１図は本発明の一実施例に係る半導体レーザの斜視図
を示す。
を示す。
半導体レーザ３０は、同一の半導体基板１上に第１の半
導体レーザ素子３１と第２の半導体レーザ素子３２とが
集積形成されている。そして、第１の半導体レーザ素子
３１のダブルヘテロ接合を構成するクラッド層４、活性
層５及びクラッド層６と、第２の半導体レーザ素子３２
のダブルヘテロ接合を構成するクラッド層１０、活性層
１１及びクラッド層１２とは、それぞれ異なるエピタキ
シャル成長により形成されている。
導体レーザ素子３１と第２の半導体レーザ素子３２とが
集積形成されている。そして、第１の半導体レーザ素子
３１のダブルヘテロ接合を構成するクラッド層４、活性
層５及びクラッド層６と、第２の半導体レーザ素子３２
のダブルヘテロ接合を構成するクラッド層１０、活性層
１１及びクラッド層１２とは、それぞれ異なるエピタキ
シャル成長により形成されている。
以下、この半導体レーザ３０の製造工程を第２図を参照
して説明する。
して説明する。
まず、ｐ型ＧａＡｓ基板の表面にエツチングにより凹部
２０を形成する（第２図（ａ））、次に、ｎ−ＧａＡｓ
電流阻止層２を液相エピタキシャル成長した後、凹部２
０において矩形状のストライプ溝３をエツチングにより
深さがｐ型ＧａＡｓ基板１に達するまで形成する（同図
（ｂ））、このストライプ溝３は、電流阻止層２が除去
されて第１のレーザ素子３１の電流通りラッド層４ 、
Ｇａ、−ｘＡｊｌ、Ａｇ活性層５ 、ｎ−Ｇａ１−ｙＡ
ｆｆｉｙＡｓクラッド層６ （０＜ ｘ ＜ ｙ ＜
１ ）、ｎ−ＧａＡｓオーミックＭ７を順次積層する（
同図（ｃ））、これにより発振波長λ１の第１のレーザ
素子動作用のダブルヘテロ接合の多層結晶層４，５．６
が形成される６次に、第２のレーザ素子３２を形成する
ため、凹部２０間で深さが少なくとも電流阻止部２に達
すまで第１のダブルヘテロ接合の多層結合層４，５，６
およびオーミック層７をエツチングにより除去する（同
図（ｄ））。
２０を形成する（第２図（ａ））、次に、ｎ−ＧａＡｓ
電流阻止層２を液相エピタキシャル成長した後、凹部２
０において矩形状のストライプ溝３をエツチングにより
深さがｐ型ＧａＡｓ基板１に達するまで形成する（同図
（ｂ））、このストライプ溝３は、電流阻止層２が除去
されて第１のレーザ素子３１の電流通りラッド層４ 、
Ｇａ、−ｘＡｊｌ、Ａｇ活性層５ 、ｎ−Ｇａ１−ｙＡ
ｆｆｉｙＡｓクラッド層６ （０＜ ｘ ＜ ｙ ＜
１ ）、ｎ−ＧａＡｓオーミックＭ７を順次積層する（
同図（ｃ））、これにより発振波長λ１の第１のレーザ
素子動作用のダブルヘテロ接合の多層結晶層４，５．６
が形成される６次に、第２のレーザ素子３２を形成する
ため、凹部２０間で深さが少なくとも電流阻止部２に達
すまで第１のダブルヘテロ接合の多層結合層４，５，６
およびオーミック層７をエツチングにより除去する（同
図（ｄ））。
第１のレーザ素子３１のダブルヘテロ接合部分が凸状に
残っている基板上に、再度液相エピタキシャル成長法で
ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層８を積層する。この後、ストラ
イプ溝９をストライプ溝３と同じようにエツチングによ
り深さが少なくとも基板１上に達するまで形成する（同
図（ｅ））、このストライプ溝９は第２のレーザ素子３
２の電流通路となる。
残っている基板上に、再度液相エピタキシャル成長法で
ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層８を積層する。この後、ストラ
イプ溝９をストライプ溝３と同じようにエツチングによ
り深さが少なくとも基板１上に達するまで形成する（同
図（ｅ））、このストライプ溝９は第２のレーザ素子３
２の電流通路となる。
再度、液相エピタキシャル成長法、 ｐ−Ｇａ１−Ｂｉ
ｇＡｓクラッド層１０、Ｇａ１−ｔＡｊ５Ａｓ活性層１
１． ｎ−Ｇｎ−Ｇａ１−ｇＡ１クラッド層（０＜ ｔ
＜ ｓ ＜ １ ）１２． ｎ−ＧａＡｓオーミック
層１３を順次積層する（同図（ｆ））、これにより、発
振波数λ２の第２レーザ素子動作用のダプルヘテロ接合
の多層結晶層ｔｏ、 １１．１２が形成される。
ｇＡｓクラッド層１０、Ｇａ１−ｔＡｊ５Ａｓ活性層１
１． ｎ−Ｇｎ−Ｇａ１−ｇＡ１クラッド層（０＜ ｔ
＜ ｓ ＜ １ ）１２． ｎ−ＧａＡｓオーミック
層１３を順次積層する（同図（ｆ））、これにより、発
振波数λ２の第２レーザ素子動作用のダプルヘテロ接合
の多層結晶層ｔｏ、 １１．１２が形成される。
次に第１のレーザ素子３１上に積層された、少なくとも
第２のレーザ素子３２動作用のダブルヘテロ接合の多層
結晶層１０．１１．１２およびオーミック層１３をエツ
チングにより除去して、第１のレーザに電流が流れるよ
うにする（同図（ｇ））。
第２のレーザ素子３２動作用のダブルヘテロ接合の多層
結晶層１０．１１．１２およびオーミック層１３をエツ
チングにより除去して、第１のレーザに電流が流れるよ
うにする（同図（ｇ））。
再度、液相エピタキシャル成長法により、第１のレーザ
素子３１と第２のレーザ素子３２がそれぞれ凹部２１、
凸部２２に形成された基板上に、ｎ−ＧａＡｓオーミッ
ク層１４を積層し平坦にする０次に、基板１の裏面を研
磨してヘキ開の可能な厚さにした後、蒸着によりｐ側電
極１５、ｎ側電極１６をそれぞれ基可能にするようにレ
ーザ動作用多層結晶層を分割するため、ｎ側電極１６の
表面より分離溝１７およびヘキ開溝１８をストライプ溝
３，９と平行に刻設し。
素子３１と第２のレーザ素子３２がそれぞれ凹部２１、
凸部２２に形成された基板上に、ｎ−ＧａＡｓオーミッ
ク層１４を積層し平坦にする０次に、基板１の裏面を研
磨してヘキ開の可能な厚さにした後、蒸着によりｐ側電
極１５、ｎ側電極１６をそれぞれ基可能にするようにレ
ーザ動作用多層結晶層を分割するため、ｎ側電極１６の
表面より分離溝１７およびヘキ開溝１８をストライプ溝
３，９と平行に刻設し。
その深さがＧａＡｓ基板１に達するまでエツチング加工
する（同図（ｉ））。
する（同図（ｉ））。
次にヘキ開溝１８に沿って分離して、第１図に示すスト
ライプ溝３，９の直上にそれぞれ対応する活性層５，１
１の領域でそれぞれ独立に駆動可能なレーザ発振動作部
が形成された本発明の半導体レーザが得られる。
ライプ溝３，９の直上にそれぞれ対応する活性層５，１
１の領域でそれぞれ独立に駆動可能なレーザ発振動作部
が形成された本発明の半導体レーザが得られる。
本発明によれば、ストライプ溝３の直上に第１のレーザ
素子３１動作用のダブルヘテロ接合の多層結晶層４，５
，６、ストライプ溝９の直上に第２のレーザ素子３２動
作用のダブルヘテロ接合の多層結晶層１０．１１．１２
というように、ダブルヘテロ接合を異なるエピタキシャ
ル成長層で形成する。これにより、第１のレーザ素子動
作用のダブルヘテロ接合の活性層５とクラッド層４，６
とのＡＱ混晶比工、ソと第２のレーザ素子動作用のダブ
ルヘテロ接合の活性層１１とクラッド層１０．１２との
Ａ２混晶比ｓ、ｔとをそれぞれ別個に設定でき、また活
性層５，１１厚をそれぞれ別個になおかつ平坦に設定が
きるので、レーザ発振部からそれぞれ発振波長の異なる
レーザ出力光が得られると共に、高光出力化に不可欠な
活性層の薄膜化ができる。
素子３１動作用のダブルヘテロ接合の多層結晶層４，５
，６、ストライプ溝９の直上に第２のレーザ素子３２動
作用のダブルヘテロ接合の多層結晶層１０．１１．１２
というように、ダブルヘテロ接合を異なるエピタキシャ
ル成長層で形成する。これにより、第１のレーザ素子動
作用のダブルヘテロ接合の活性層５とクラッド層４，６
とのＡＱ混晶比工、ソと第２のレーザ素子動作用のダブ
ルヘテロ接合の活性層１１とクラッド層１０．１２との
Ａ２混晶比ｓ、ｔとをそれぞれ別個に設定でき、また活
性層５，１１厚をそれぞれ別個になおかつ平坦に設定が
きるので、レーザ発振部からそれぞれ発振波長の異なる
レーザ出力光が得られると共に、高光出力化に不可欠な
活性層の薄膜化ができる。
上記実施例では、ダブルヘテロ接合の多層結晶層毎に１
個づつレーザ動作部を形成したものについて説明したが
、同一のダブルヘテロ接合の多層結晶層に独立動作可能
なレーザを複数形成してもかまわない。
個づつレーザ動作部を形成したものについて説明したが
、同一のダブルヘテロ接合の多層結晶層に独立動作可能
なレーザを複数形成してもかまわない。
本発明によれば、同一半導体基板上に独立に動作可能な
発振波長が異なり高出力で横モードが安定な複数個の半
導体レーザ素子を容易に集積形成できる。また、個々の
レーザ素子のダブルヘテロ接合の多層結晶層を異なるエ
ピタキシャル成長層で形成したので、発振波長を容易に
設定でき、かつ発振波長差の大きい半導体レーザが得ら
れる。
発振波長が異なり高出力で横モードが安定な複数個の半
導体レーザ素子を容易に集積形成できる。また、個々の
レーザ素子のダブルヘテロ接合の多層結晶層を異なるエ
ピタキシャル成長層で形成したので、発振波長を容易に
設定でき、かつ発振波長差の大きい半導体レーザが得ら
れる。
第１図は本発明の実施例を示す半導体レーザの斜線図、
第２図は本発明の半導体レーザの製造工程を示す図、第
３図は従来例の半導体レーザの斜視線である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
第２図は本発明の半導体レーザの製造工程を示す図、第
３図は従来例の半導体レーザの斜視線である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
Claims (1)
- 同一半導体基板上に独立に動作可能な複数個の半導体レ
ーザ素子が集積された半導体レーザにおいて、少なくと
も１個の半導体レーザ素子のダブルヘテロ接合が、他の
半導体レーザ素子のダブルヘテロ接合と異なるエピタキ
シャル成長層から形成されたことを特徴とする半導体レ
ーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10028388A JPH01272177A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10028388A JPH01272177A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272177A true JPH01272177A (ja) | 1989-10-31 |
Family
ID=14269867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10028388A Pending JPH01272177A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01272177A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016319A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Sony Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| US6646975B1 (en) | 1998-06-26 | 2003-11-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser array and its manufacturing method, optical integrated unit and optical pickup |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP10028388A patent/JPH01272177A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6646975B1 (en) | 1998-06-26 | 2003-11-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser array and its manufacturing method, optical integrated unit and optical pickup |
| JP2002016319A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Sony Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4758532A (en) | Method for making a heterostructure semiconductor laser device by pressure cleaving of a cantilever structure | |
| US4719633A (en) | Buried stripe-structure semiconductor laser | |
| JP2716693B2 (ja) | 半導体レーザー | |
| US5939734A (en) | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same | |
| JPH07312462A (ja) | 面発光レーザダイオードの製造方法，及び面発光レーザダイオード | |
| JP2687495B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH03238813A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JP3505913B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP3689733B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6119186A (ja) | 二波長モノリシツク半導体レ−ザアレイの製造方法 | |
| JPH046113B2 (ja) | ||
| JPH084176B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPH0671115B2 (ja) | 量子井戸半導体レ−ザ | |
| JP3057188B2 (ja) | 独立駆動型マルチビームレーザとその製造方法 | |
| JPS6242592A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置およびその製造方法 | |
| JP2538258B2 (ja) | 半導体レ―ザ | |
| JPH01293686A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH03244178A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH04296081A (ja) | 可視光半導体レーザ | |
| JPS60158688A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2000183463A (ja) | 半導体レーザおよびその製法 | |
| JPH07202339A (ja) | 半導体レーザー素子及びその製造方法 | |
| JPH03153090A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS60161688A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH01175791A (ja) | 埋め込み構造半導体レーザの製造方法 |