JPH01272945A - 表面欠陥の検査方法 - Google Patents
表面欠陥の検査方法Info
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- JPH01272945A JPH01272945A JP10136888A JP10136888A JPH01272945A JP H01272945 A JPH01272945 A JP H01272945A JP 10136888 A JP10136888 A JP 10136888A JP 10136888 A JP10136888 A JP 10136888A JP H01272945 A JPH01272945 A JP H01272945A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の概要］
レチクル、マスクなどの表面欠陥の検査方法に係わり、
より詳細には、レチクル、マスクの表面に付着している
、しみ、薄膜などの検査を行う際に、蛍光を当て発色さ
せ、これの色差を判定して欠陥を見つける方法に関し、 しみ、薄膜に対して効率よく検出できる表面欠陥の検査
方法を提供することを目的とし、有機物系の異物が付着
する被検物に一定波長の紫外線を照射し、その紫外線吸
収により前記異物から発する蛍光を検知し、有機物系の
特性による発色量の違いにより検査することを特徴とす
る表面欠陥の検査方法を含み構成する。
より詳細には、レチクル、マスクの表面に付着している
、しみ、薄膜などの検査を行う際に、蛍光を当て発色さ
せ、これの色差を判定して欠陥を見つける方法に関し、 しみ、薄膜に対して効率よく検出できる表面欠陥の検査
方法を提供することを目的とし、有機物系の異物が付着
する被検物に一定波長の紫外線を照射し、その紫外線吸
収により前記異物から発する蛍光を検知し、有機物系の
特性による発色量の違いにより検査することを特徴とす
る表面欠陥の検査方法を含み構成する。
本発明は、レチクル、マスクなどの表面欠陥の検査方法
に係わり、より詳細には、レチクル、マスクの表面に付
着している異物などの検査を行う際に、蛍光を照射し異
物から出る発色を検知し、これの色差を判定して欠陥を
見つげる方法に関する。
に係わり、より詳細には、レチクル、マスクの表面に付
着している異物などの検査を行う際に、蛍光を照射し異
物から出る発色を検知し、これの色差を判定して欠陥を
見つげる方法に関する。
近年、レチクルまたはマスクは、デバイスの微細化に伴
い、その回路パターンの集積度が密になってきており、
小さなじみや薄膜などの異物もパターン欠陥となり、こ
の欠陥を確実に検知できるものが要求されている。この
じみや薄膜などの欠陥は、−船釣に有機物系のものが多
い。従来のレチクル、マスクの表面検査装置においては
、主にヘリウム・ネオンなどのレーザ光を用いており、
このレーザ光を被検物であるレチクルあるいはマスクの
表面に照射し、この表面からの乱反射を利用して異物を
検査している。すなわち、レチクルあるいはマスクのク
ロムパターンは形状が決まっているため、レーザ光が一
定方向に散乱されるのに対して、異物などの場合には多
方向に散乱されるため、このことを利用して異物をパタ
ーンと区別し検査をしている。
い、その回路パターンの集積度が密になってきており、
小さなじみや薄膜などの異物もパターン欠陥となり、こ
の欠陥を確実に検知できるものが要求されている。この
じみや薄膜などの欠陥は、−船釣に有機物系のものが多
い。従来のレチクル、マスクの表面検査装置においては
、主にヘリウム・ネオンなどのレーザ光を用いており、
このレーザ光を被検物であるレチクルあるいはマスクの
表面に照射し、この表面からの乱反射を利用して異物を
検査している。すなわち、レチクルあるいはマスクのク
ロムパターンは形状が決まっているため、レーザ光が一
定方向に散乱されるのに対して、異物などの場合には多
方向に散乱されるため、このことを利用して異物をパタ
ーンと区別し検査をしている。
従来のレチクルあるいはマスクの表面検査装置では、レ
ーザ光の乱反射により異物を判断しているため、比較的
に厚さのある異物は検知できたが、薄いものについては
、散乱光が弱いため異物として捕らえにくかった。その
ため、厚さの無いじみや薄膜などの異物の検知が十分に
できず、しばしば異物がないと判断することがあり、露
光後デノ＼イスに欠陥を生している問題があった。
ーザ光の乱反射により異物を判断しているため、比較的
に厚さのある異物は検知できたが、薄いものについては
、散乱光が弱いため異物として捕らえにくかった。その
ため、厚さの無いじみや薄膜などの異物の検知が十分に
できず、しばしば異物がないと判断することがあり、露
光後デノ＼イスに欠陥を生している問題があった。
そこで本発明は、しみ、薄膜などの異物に対して効率よ
く検出できる表面欠陥の検査方法を提供することを目的
とする。
く検出できる表面欠陥の検査方法を提供することを目的
とする。
上記課題は、有機物系の異物が付着する被検物に一定波
長の紫外線を照射し、その紫外線吸収により前記異物か
ら発する蛍光を検知し、有機物系の特性による発色量の
違いにより検査することを特徴とする表面欠陥の検査方
法によって解決される。
長の紫外線を照射し、その紫外線吸収により前記異物か
ら発する蛍光を検知し、有機物系の特性による発色量の
違いにより検査することを特徴とする表面欠陥の検査方
法によって解決される。
第１図は本発明の原理説明図である。同図において、１
１は被検物であるレチクルあるいはマスクのガラス基板
、１２はこのガラス基板１１に形成された集積回路など
のクロムパターン、１３は異物となる薄膜、１４は異物
となる塵、１５はガラス基板１１の表面に照射する検査
用の紫外線である。この紫外線１５をガラス基板１１表
面に照射することにより、クロムパターン１２、薄膜１
３、塵１４は、紫外線１５を吸収し、同時に一定の波長
及び強度の蛍光（ルミネセンス）を発する。そして、こ
のクロムパターン１２、薄膜１３、塵１４の発する蛍光
は、強度、波長に差が生じており、特に金属であるクロ
ムパターン１２と、有機物系である薄膜１３及び塵１４
との間に強度が大きく異なっている。この違いを利用し
て予め用意しておいた色差データと比較して検査を行う
ものである。
１は被検物であるレチクルあるいはマスクのガラス基板
、１２はこのガラス基板１１に形成された集積回路など
のクロムパターン、１３は異物となる薄膜、１４は異物
となる塵、１５はガラス基板１１の表面に照射する検査
用の紫外線である。この紫外線１５をガラス基板１１表
面に照射することにより、クロムパターン１２、薄膜１
３、塵１４は、紫外線１５を吸収し、同時に一定の波長
及び強度の蛍光（ルミネセンス）を発する。そして、こ
のクロムパターン１２、薄膜１３、塵１４の発する蛍光
は、強度、波長に差が生じており、特に金属であるクロ
ムパターン１２と、有機物系である薄膜１３及び塵１４
との間に強度が大きく異なっている。この違いを利用し
て予め用意しておいた色差データと比較して検査を行う
ものである。
本発明では、紫外線１５を被検物であるガラス基板１１
表面に照射すると、この表面のクロムパターン１２、薄
膜１３、塵１４は、それぞれの物質に応して所定の強度
、波長の蛍光を発する。この蛍光は紫外線により物質中
の電子が刺激され光を放出する現象であり、金属である
クロムパターン１２は弱いが、有機物系である薄膜１３
と塵１４は強く発する。
表面に照射すると、この表面のクロムパターン１２、薄
膜１３、塵１４は、それぞれの物質に応して所定の強度
、波長の蛍光を発する。この蛍光は紫外線により物質中
の電子が刺激され光を放出する現象であり、金属である
クロムパターン１２は弱いが、有機物系である薄膜１３
と塵１４は強く発する。
この蛍光の特性を利用し、それをセンサなどで色差など
を測定し、クロムパターン１２か、薄膜１３あるいは塵
１４などの異物かを、予め用意しておいた色差データと
比較することにより、その差異により判定する。
を測定し、クロムパターン１２か、薄膜１３あるいは塵
１４などの異物かを、予め用意しておいた色差データと
比較することにより、その差異により判定する。
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明する
。
。
第２図は本発明実施例の検査装置の構成図である。なお
、第１図に対応する部分は同一の符号を記す。第２図に
おいて、検査装置は、水平方向に移動するＸＹステージ
１６上に、被検物であるレチクルまたはマスクのガラス
基板１１が配置されている。このガラス基板１１上には
、異物として例えば有機物系の薄膜１３が付着している
。そして、ハロゲンランプまたは水銀ランプ１７から発
した光は、フィルタ１８を通し、例えば３５０ｎｍ〜４
００ｎｍ程度の波長の紫外線１５が選択され、ダイクロ
イック・ハーフミラ−１９で反射され、薄膜１３が有る
ガラス基板１１表面上に照射される。ガラス基板１１表
面に紫外線１５が照射され、薄膜１３から発した蛍光は
、ダイクロインク・ハーフミラ−１９を通過し、センサ
ー２０で検知される。このセンサー２０は、蛍光の強度
を測定し、その結果を比較器２１に出力する。この比較
器２１は、センサー２０で検知した蛍光の強度と、予め
入力されている有機物系の発光データとを比較して、被
検物が異物かどうか判断する。
、第１図に対応する部分は同一の符号を記す。第２図に
おいて、検査装置は、水平方向に移動するＸＹステージ
１６上に、被検物であるレチクルまたはマスクのガラス
基板１１が配置されている。このガラス基板１１上には
、異物として例えば有機物系の薄膜１３が付着している
。そして、ハロゲンランプまたは水銀ランプ１７から発
した光は、フィルタ１８を通し、例えば３５０ｎｍ〜４
００ｎｍ程度の波長の紫外線１５が選択され、ダイクロ
イック・ハーフミラ−１９で反射され、薄膜１３が有る
ガラス基板１１表面上に照射される。ガラス基板１１表
面に紫外線１５が照射され、薄膜１３から発した蛍光は
、ダイクロインク・ハーフミラ−１９を通過し、センサ
ー２０で検知される。このセンサー２０は、蛍光の強度
を測定し、その結果を比較器２１に出力する。この比較
器２１は、センサー２０で検知した蛍光の強度と、予め
入力されている有機物系の発光データとを比較して、被
検物が異物かどうか判断する。
次に、上記の検査装置による検査の方法を説明する。
第３図は本発明実施例の検査方法を示すフローチャート
である。
である。
まず、被検物であるレチクルまたはマスクをＸＹステー
ジ１６上に置く（ステップ５ＴＩ）。次に、水銀ランプ
１７を点灯し、フィルタ１８により３５０ｎｍ〜４００
ｎｍ程度の波長の紫外線１５が選択される（ステップＳ
Ｔ２，５Ｔ３）。そして、選択された紫外線１５は、ダ
イクロイック・ハーフミラ−１９で反射され、被検物を
照射する（ステップ５Ｔ４）。次に、照射された被検物
上に異物が有るか無いかにより、無い場合にはＸＹステ
ージ１６を別の検査位置に移動し被検物を照射し、また
有る場合には照明光とは別の波長の光（蛍光）を異物が
発する（ステップＳＴ５〜５Ｔ７）。この蛍光は、ダイ
クロイック・ハーフミラ−１９を通り抜け、センサー２
０で検知され、測定される（ステップＳＴ８．５Ｔ９）
。そして、測定されたセンサー２０の出力は、比較器２
１において、予め人力されているデータと比較され、そ
のデータと違う場合には警報（アラーム）が出され、そ
のデータと同じ場合には異物と判断される（ステップ５
Ｔ１０〜５Ｔ１２）。次に、検査を続けるかを判断し、
続ける場合には再び被検物を照射する以降のステップを
繰り返し、続けない場合には終了する（ステップ５Ｔ１
３）。
ジ１６上に置く（ステップ５ＴＩ）。次に、水銀ランプ
１７を点灯し、フィルタ１８により３５０ｎｍ〜４００
ｎｍ程度の波長の紫外線１５が選択される（ステップＳ
Ｔ２，５Ｔ３）。そして、選択された紫外線１５は、ダ
イクロイック・ハーフミラ−１９で反射され、被検物を
照射する（ステップ５Ｔ４）。次に、照射された被検物
上に異物が有るか無いかにより、無い場合にはＸＹステ
ージ１６を別の検査位置に移動し被検物を照射し、また
有る場合には照明光とは別の波長の光（蛍光）を異物が
発する（ステップＳＴ５〜５Ｔ７）。この蛍光は、ダイ
クロイック・ハーフミラ−１９を通り抜け、センサー２
０で検知され、測定される（ステップＳＴ８．５Ｔ９）
。そして、測定されたセンサー２０の出力は、比較器２
１において、予め人力されているデータと比較され、そ
のデータと違う場合には警報（アラーム）が出され、そ
のデータと同じ場合には異物と判断される（ステップ５
Ｔ１０〜５Ｔ１２）。次に、検査を続けるかを判断し、
続ける場合には再び被検物を照射する以降のステップを
繰り返し、続けない場合には終了する（ステップ５Ｔ１
３）。
なお、上記実施例においては、レチクル、マスクのしみ
、薄膜などの欠陥を検知しているが、少なくとも有機物
系の異物が付着する被検物に−・定波長の紫外線を照射
し、紫外線吸収により異物から発する蛍光を検知し、有
機物系の特性による発色量の違いにより検査すればよく
、紫外線の波長は有機物系の特性に応じて検知しやすい
ものが選択される。
、薄膜などの欠陥を検知しているが、少なくとも有機物
系の異物が付着する被検物に−・定波長の紫外線を照射
し、紫外線吸収により異物から発する蛍光を検知し、有
機物系の特性による発色量の違いにより検査すればよく
、紫外線の波長は有機物系の特性に応じて検知しやすい
ものが選択される。
以」二の様に本発明によれば、紫外線を照射し、その紫
外線吸収により異物から発する蛍光を検知し特性による
発色量の違いから検査することにより、薄膜などの薄い
異物も検知可能であり、検査精度が向上し、レチクル、
マスクなどの品質向上に寄与するところが大きい。
外線吸収により異物から発する蛍光を検知し特性による
発色量の違いから検査することにより、薄膜などの薄い
異物も検知可能であり、検査精度が向上し、レチクル、
マスクなどの品質向上に寄与するところが大きい。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明実施例の検査装置の構成図、第３図は本
発明実施例の検査方法を示すフローチャートである。 図中、 １１はガラス基板、 １２はクロｌ、パターン、 １３は薄膜、 １４は塵、 １５は紫外線、 １６はＸＹステージ、 １７は水銀ランプ、 １８はフィルタ、 １９はダイクロイック・ハーフミラ−１２０はセンサー
、 ２１は比較器 を示ず。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 駆 書 １訃 一匹 ヤ 子 一’（１１１−
発明実施例の検査方法を示すフローチャートである。 図中、 １１はガラス基板、 １２はクロｌ、パターン、 １３は薄膜、 １４は塵、 １５は紫外線、 １６はＸＹステージ、 １７は水銀ランプ、 １８はフィルタ、 １９はダイクロイック・ハーフミラ−１２０はセンサー
、 ２１は比較器 を示ず。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 駆 書 １訃 一匹 ヤ 子 一’（１１１−
Claims (1)
- 有機物系の異物が付着する被検物に一定波長の紫外線（
１５）を照射し、その紫外線（１５）吸収により前記異
物から発する蛍光を検知し、有機物系の特性による発色
量の違いにより検査することを特徴とする表面欠陥の検
査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10136888A JPH01272945A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 表面欠陥の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10136888A JPH01272945A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 表面欠陥の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272945A true JPH01272945A (ja) | 1989-10-31 |
Family
ID=14298881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10136888A Pending JPH01272945A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 表面欠陥の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01272945A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02307047A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Nec Corp | レティクル異物検査装置 |
| JP2001059820A (ja) * | 1999-06-16 | 2001-03-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 微小異物の検出方法及びそれを用いたプラスチック絶縁電力ケ−ブルの製造方法 |
| JP2002116150A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Menicon Co Ltd | 眼用レンズの汚れ検出方法及び装置 |
| JP2006201015A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Toppan Printing Co Ltd | 直線ライン状紫外照明光を用いた検査装置 |
| WO2009070817A1 (de) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zum ermitteln von rückständen eines materials sowie verwendung hierfür |
| WO2016002273A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | 株式会社Sumco | 半導体基板表面の有機物汚染評価方法およびその利用 |
| US20220276153A1 (en) * | 2019-08-02 | 2022-09-01 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Broadband pulsed light source apparatus and spectroscopic measurement method |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP10136888A patent/JPH01272945A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02307047A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Nec Corp | レティクル異物検査装置 |
| JP2001059820A (ja) * | 1999-06-16 | 2001-03-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 微小異物の検出方法及びそれを用いたプラスチック絶縁電力ケ−ブルの製造方法 |
| JP2002116150A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Menicon Co Ltd | 眼用レンズの汚れ検出方法及び装置 |
| JP2006201015A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Toppan Printing Co Ltd | 直線ライン状紫外照明光を用いた検査装置 |
| WO2009070817A1 (de) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zum ermitteln von rückständen eines materials sowie verwendung hierfür |
| WO2016002273A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | 株式会社Sumco | 半導体基板表面の有機物汚染評価方法およびその利用 |
| JP2016018822A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 株式会社Sumco | 半導体基板表面の有機物汚染評価方法およびその利用 |
| US20220276153A1 (en) * | 2019-08-02 | 2022-09-01 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Broadband pulsed light source apparatus and spectroscopic measurement method |
| US12259317B2 (en) * | 2019-08-02 | 2025-03-25 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Broadband pulsed light source apparatus and spectroscopic measurement method |
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