JPH0127302Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は電子同調チユーナの受信帯域の切換
えに伴なう電圧切換回路を備えた局部発振器の直
流バイアス回路に関する。

（従来の技術） VTR等に使われるテレビジヨンチユーナは、
小型、軽量、高性能化が要求されている。そのう
え最近のテレビジヨンチユーナは、一般テレビ放
送のVHFバンドと有線テレビ放送のCATVバン
ドとを含めた広い周波数帯域を、共振回路を切り
換えるのみで受信できることが要求されている。
このようなテレビジヨンチユーナでは、広い周波
数帯域を扱ううえにUHF帯に近い高い周波数も
扱うため、諸性能の変動許容範囲が狭く、諸性能
の変動要因である電源電圧のわずかな変動も無視
できないものである。

第１図に従来のテレビジヨンチユーナのVHF
帯局部発振器の回路例を示す。図中１は局部発振
波を次段の混合回路（図示せず）へ伝える注入コ
ンデンサ、２は発振周波数可変範囲を補正するコ
ンデンサ、３は発振周波数を決める共振用可変容
量ダイオード、４は高周波阻止用抵抗、５，１４
は高周波信号接地用コンデンサ、６，１６は電圧
調整用抵抗、７はバンド切換用スイツチングダイ
オードである。８はハイバンド用共振コイル、１
３はローバンド用共振コイルであつて、コンデン
サ２および可変容量ダイオード３と共に共振回路
を構成する。１０，１２はベースバイアス用抵抗
であつて、コレクタ電圧を分圧してベースに加え
るものである。１１はコレクタ接地の発振能動素
子としてのトランジスタ、９は共振回路とトラン
ジスタ１１のベースとを接続する結合コンデン
サ、１５はエミツタバイアス用抵抗、１７は可変
要量ダイオード３に逆バイアス電圧を加える選局
電圧端子、１８はハイバンド電源端子、１９はロ
ーバンド電源端子である。

第１図の従来回路において、ハイバンド受信時
にはハイバンド電源端子１８に正電圧が加えら
れ、その正電圧は抵抗６で適宜な値に低減されて
スイツチングダイオード７、共振コイル１３を介
してトランジスタ１１のコレクタに加わる。また
ローバンド受信時にはローバンド電源端子１９に
正電圧が加えられ、その正電圧は抵抗１６で適宜
な値に低減されてトランジスタ１１のコレクタに
加わる。そこで抵抗６および１６によつて、それ
ぞれのバンドにおいてトランジスタ１１が最適な
バイアス状態で動作するようにコレクタ電圧が設
定されている。

第２図は、他の従来回路例であり、第１図の回
路においてトランジスタ１１のコレクタとアース
間にツエナダイオード２０を接続したものであ
る。第２図の回路では、トランジスタのコレクタ
電圧は、ツエナダイオード２０によつて一定に保
たれ、電源電圧の変動による影響を受けない。

（考案が解決しようとする課題） 第１図に示した従来例では、電源電圧の変動に
伴なつてトランジスタ１１のコレクタ電圧が変動
し、トランジスタ１１の動作が不安定になる。ま
た第２図に示した従来例ではコレクタ電圧を安定
にできる反面、各バンド毎に最適なバイアス状態
で動作するようにコレクタ電圧を異ならせて設定
することができないという問題がある。

そこでこの考案は、電源電圧変動の影響を受け
にくく、かつ各バンドにおいて適切なバイアス条
件でトランジスタを動作させることができる、局
部発振器のバイアス回路を提供するものである。

（問題点を解決するための手段） この考案による局部発振器のバイアス回路は、
コレクタがコンデンサを介して接地されると共に
エミツタがエミツタバイアス用抵抗を介して接地
された局部発振用トランジスタと、コレクタと基
準電位端間に接続されたツエナダイオードと、ハ
イバンド受信時に共振定数切り換え用の第１のダ
イオードとローバンド用共振コイルとを直列に介
してコレクタに電力を加えるハイバンド電源端子
と、ローバンド受信時に第２のダイオードを介し
てコレクタに電力を加えるローバンド電源端子
と、ローバンド電源端子とエミツタを接続するバ
イアス抵抗とを備えている。

（作用） 局部発振用トランジスタのコレクタ電圧はツエ
ナダイオードによつて安定に保たれる。またエミ
ツタは、ハイバンド受信時には、エミツタ電流に
よつてエミツタバイアス用抵抗に生じるバイアス
電圧でバイアスされ、ローバンド受信時には、ロ
ーバンド電源端子からバイアス抵抗を介してエミ
ツタバイアス用抵抗に加えられる電流とエミツタ
電流との合成電流によつて、エミツタバイアス用
抵抗に生じるバイアス電圧でバイアスされる。

（実施例） 第３図に本考案による実施例を示して、以下第
３図にもとづいて本考案を説明する。第３図の回
路において第１図の回路と同等の構成には同じ符
号を付けて重複する説明を省略する。

第３図の回路において第１図の回路と異なる点
は、トランジスタ１１のコレクタとアース間にツ
エナダイオード２０を付加すると共に、ローバン
ド受信時の電圧調整用抵抗１６とコレクタ間に逆
流防止用ダイオード２１を直列に接続し、抵抗１
６とダイオード２１との接続点とエミツタとをバ
イアス用抵抗２２で接続した点にある。

第３図の回路において、ハイバンド受信時に
は、ハイバンド電源端子１８に直流電圧が加えら
れ、抵抗６、スイツチングダイオード７および共
振コイル１３を介した後、ツエナダイオード２０
によつて所定のコレクタ電圧に安定化されて、ト
ランジスタ１１のコレクタに加えられる。この時
スイツチングダイオード７は導通状態になつて、
ハイバンド用共振コイル８の一端がコンデンサ５
を介して高周波的に接地され、共振コイル８と可
変容量ダイオード３およびコンデンサ２によつて
ハイバンド共振回路が構成される。またトランジ
スタ１１のエミツタはエミツタ電源によつてエミ
ツタバイアス用抵抗１５に生じるバイアス電圧で
バイアスされる。そしてダイオード２１はカソー
ドにコレクタ電圧が加わり、アノードにエミツタ
電圧が加わつて逆バイアス状態のため非導通であ
る。

一方ローバンド受信時には、ローバンド電源端
子１９に直流電圧が加えられ、抵抗１６、ダイオ
ード２１を介した後、ツエナダイオード２０によ
つて所定のコレクタ電圧に安定化されて、トラン
ジスタ１１のコレクタに加えられる。この時スイ
ツチングダイオード７はカソードにコレクタ電圧
が加わり逆バイアス状態のため非導通状態にあ
り、共振コイル８，１３と可変容量ダイオード３
およびコンデンサ２によつてローバンド共振回路
が構成される。またトランジスタ１１のエミツタ
は、ローバンド電源端子１９から抵抗１６，２２
を介してエミツタバイアス用抵抗１５に加えられ
る電流とエミツタ電流との合成電流によつて、エ
ミツタバイアス用抵抗１５に生じるバイアス電圧
でバイアスされる。

即ち、トランジスタのコレクタ電圧およびベー
スバイアス電圧は、ハイおよびローのいずれのバ
ンドを受信する場合も、ツエナダイオード２０に
よつて安定に保たれる。またトランジスタのエミ
ツタ電圧はハイバンド受信時とローバンド受信時
とで、それぞれ異なる値に設定されている。

（考案の効果） 以上説明したように、本考案によれば、局部発
振用のトランジスタは、コレクタ電圧およびベー
スバイアス電圧が安定に保たれる。またエミツタ
バイアス電圧が受信バンドの切換えに応じて、そ
れぞれの受信バンドにおける最適な電圧に設定で
きる。したがつて、局部発振器が安定に動作し、
発振出力が均一化する等のきわめて大きな効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は従来のVHF帯局部発振器の
回路図、第３図はこの考案によるVHF局部発振
器の回路図である。 ７……スイツチングダイオード、８，１３……
共振コイル、１１……トランジスタ、１５……エ
ミツタバイアス用抵抗、１８……ハイバンド電源
端子、１９……ローバンド電源端子、２０……ツ
エナダイオード、２１……ダイオード、２２……
バイアス用抵抗。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 コレクタがコンデンサを介して接地されると共
   にエミツタがエミツタバイアス用抵抗を介して接
   地された局部発振用トランジスタと、 前記コレクタと基準電位端間に接続されたツエ
   ナダイオードと、 ハイバンド受信時に共振定数切り換え用の第１
   のダイオードとローバンド用共振コイルとを直列
   に介して前記コレクタに電力を加えるハイバンド
   電源端子と、 ローバンド受信時に第２のダイオードを介して
   前記コレクタに電力を加えるローバンド電源端子
   と、 前記ローバンド電源端子と前記エミツタとを接
   続するバイアス抵抗とを備えたことを特徴とする
   局部発振器のバイアス回路。