JPH01276687A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH01276687A JPH01276687A JP10482888A JP10482888A JPH01276687A JP H01276687 A JPH01276687 A JP H01276687A JP 10482888 A JP10482888 A JP 10482888A JP 10482888 A JP10482888 A JP 10482888A JP H01276687 A JPH01276687 A JP H01276687A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 15
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
半導体基板の研磨方法に関するものである。
従来、半導体レーザは、半導体基板にダブルへテロ構造
の半導体層を成長、形成した後、成長層側にオーミック
電極を形成、さらに半導体基板側を機械研磨して、厚さ
１００μｒｎ程度にし、半導体基板側にオーミック電極
を形成して製造されていた。
の半導体層を成長、形成した後、成長層側にオーミック
電極を形成、さらに半導体基板側を機械研磨して、厚さ
１００μｒｎ程度にし、半導体基板側にオーミック電極
を形成して製造されていた。
しかし、従来の技術では、ａ械研磨で研磨するため、半
導体基板にストレスが入り、半導体レーザの寿命が短く
なるという問題点を有していた。
導体基板にストレスが入り、半導体レーザの寿命が短く
なるという問題点を有していた。
また、機械研磨でＧａＡｓ基板を研磨する場合、研磨中
に有毒ガスが発生し、作業に危険が伴なうという問題点
を有していた。
に有毒ガスが発生し、作業に危険が伴なうという問題点
を有していた。
さらに機械研磨では鏡面研磨するには、非常に手間がか
かるため通常は鏡面研磨しない、そのためオーミック電
極の金属の密着性が悪くワイヤボンドする際に金属がは
がれてしまうこともある。
かるため通常は鏡面研磨しない、そのためオーミック電
極の金属の密着性が悪くワイヤボンドする際に金属がは
がれてしまうこともある。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、半導体基板にストレスを与える
ことなく、安全かつ簡単に半導体基板を鏡面研磨すると
ころにある。
の目的とするところは、半導体基板にストレスを与える
ことなく、安全かつ簡単に半導体基板を鏡面研磨すると
ころにある。
上記課題を解決するために本発明の半導体レーザの製造
方法は、 （１）半導体基板上にダブルへテロＷＩ造の半導体層を
形成する工程と、前記半導体基板の前記半導体層を形成
した面とは異なる反対側の面を鏡面研磨した後、オーミ
ック電極を形成することを特徴とする。
方法は、 （１）半導体基板上にダブルへテロＷＩ造の半導体層を
形成する工程と、前記半導体基板の前記半導体層を形成
した面とは異なる反対側の面を鏡面研磨した後、オーミ
ック電極を形成することを特徴とする。
（２）前記半導体基板がＧａＡｓ基板であり、前記Ｇ
ａ Ａ ｓ基板をアンモニア水、過酸化水素水、水の混
合液を用いて鏡面研磨することを特徴とする。
ａ Ａ ｓ基板をアンモニア水、過酸化水素水、水の混
合液を用いて鏡面研磨することを特徴とする。
第１図は本発明の実施例における半導体レーザの製造工
程を示す図である。厚さ３５０μｍの（１０１）ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板にＭＯＣＶＤ法により、ＧａＡｓ及び、ＡＪ
ＩＧａＡｓからなるダブルへテロｍ造の（１０２）半導
体成長層を形成する（第１図（ａ））、（１０２）半導
体成長層上に（１０３）Ｐ型オーミック電極を蒸着形成
する（第１図（ｂ））、次に（１０１）ｎ型Ｇ ａ Ａ
ｓ基板をアンモニア水（３０容量％）：過酸化水素水
（２９容量％）；水＝１：５：Ｏの容量比の混合液を用
いて厚さ１００μｍになるまでエツチング研磨する（第
１図（Ｃ））、この研磨はウェットエツチングであるか
ら、基板にストレスがかかることはない、またアンモニ
ア系の混合液は研磨した面が鏡面になる。最後に（１０
４）ｎ型オーミック電極を研磨した面に蒸着形成する（
第１図（ｄ））、この後、半導体レーザチップはザブマ
ウントに（１０３）Ｐ型オーミック電極側からダイボン
ドされ、（１０４）ｎ型オーミック電極がワイヤボンド
される。この際、（１０４’）ｎ型オーミック電極は鏡
面研磨された面に形成されるため密着性が非常に高くワ
イヤボンディングではがれてしまうことはない。
程を示す図である。厚さ３５０μｍの（１０１）ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板にＭＯＣＶＤ法により、ＧａＡｓ及び、ＡＪ
ＩＧａＡｓからなるダブルへテロｍ造の（１０２）半導
体成長層を形成する（第１図（ａ））、（１０２）半導
体成長層上に（１０３）Ｐ型オーミック電極を蒸着形成
する（第１図（ｂ））、次に（１０１）ｎ型Ｇ ａ Ａ
ｓ基板をアンモニア水（３０容量％）：過酸化水素水
（２９容量％）；水＝１：５：Ｏの容量比の混合液を用
いて厚さ１００μｍになるまでエツチング研磨する（第
１図（Ｃ））、この研磨はウェットエツチングであるか
ら、基板にストレスがかかることはない、またアンモニ
ア系の混合液は研磨した面が鏡面になる。最後に（１０
４）ｎ型オーミック電極を研磨した面に蒸着形成する（
第１図（ｄ））、この後、半導体レーザチップはザブマ
ウントに（１０３）Ｐ型オーミック電極側からダイボン
ドされ、（１０４）ｎ型オーミック電極がワイヤボンド
される。この際、（１０４’）ｎ型オーミック電極は鏡
面研磨された面に形成されるため密着性が非常に高くワ
イヤボンディングではがれてしまうことはない。
以上のようにして長寿命な半導体レーザが歩留りよく製
造できる。
造できる。
また本実施例ではアンモニア水：過酸化水素水量水＝１
：５：０の組成を用いたが、これ以外の組成を用いても
かまわない０組成を適当に変えることによりエツチング
速度を０〜１３μｒｎ／Ｉ！ｆｉｎ、程度の間で変える
ことができる。
：５：０の組成を用いたが、これ以外の組成を用いても
かまわない０組成を適当に変えることによりエツチング
速度を０〜１３μｒｎ／Ｉ！ｆｉｎ、程度の間で変える
ことができる。
以上述べたように本発明によれば、半導体レーザの基板
研磨で、半導体レーザ結晶にストレスを加えることなく
研磨を行なうことができ、半導体レーザの寿命を大きく
のばすことができる。また研磨した面は鏡面となるため
、電極を密着性よく形成でき、ワイヤボンディングで電
極がはがれるような不良はなくなり、歩留りを大きく向
上できるという効果を有する。さらにウェットエツチン
グによる研磨であるから、ｎ械研磨のように研磨中にＧ
ａＡｓ基板から有毒ガスが生ずることがなく作業の安全
性が著しく向上するという効果も有する。
研磨で、半導体レーザ結晶にストレスを加えることなく
研磨を行なうことができ、半導体レーザの寿命を大きく
のばすことができる。また研磨した面は鏡面となるため
、電極を密着性よく形成でき、ワイヤボンディングで電
極がはがれるような不良はなくなり、歩留りを大きく向
上できるという効果を有する。さらにウェットエツチン
グによる研磨であるから、ｎ械研磨のように研磨中にＧ
ａＡｓ基板から有毒ガスが生ずることがなく作業の安全
性が著しく向上するという効果も有する。
第１図（ａ）〜（ｄ）図は本発明の実施例における半導
体レーザの製造工程を示す図である。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）情４べ長Ａ に潤５ｐＡ＊、！ｃ坂 Ｆ−之オーミ１．り１乙）シ ）／ＩＪ！ オーミック゛電１石に
体レーザの製造工程を示す図である。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）情４べ長Ａ に潤５ｐＡ＊、！ｃ坂 Ｆ−之オーミ１．り１乙）シ ）／ＩＪ！ オーミック゛電１石に
Claims (2)
- （１）半導体基板上にダブルヘテロ構造の半導体層を形
成する工程と、前記半導体基板の前記半導体層を形成し
た面とは異なる反対側の面を鏡面研磨した後、オーミッ
ク電極を形成することを特徴とする半導体レーザの製造
方法。 - （２）前記半導体基板がＧａＡｓ基板であり、前記Ｇａ
Ａｓ基板をアンモニア水、過酸化水素水、水の混合液を
用いて鏡面研磨することを特徴とする請求項１記載の半
導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10482888A JPH01276687A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10482888A JPH01276687A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276687A true JPH01276687A (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14391244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10482888A Pending JPH01276687A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01276687A (ja) |
-
1988
- 1988-04-27 JP JP10482888A patent/JPH01276687A/ja active Pending
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