JPH01278493A - 分子線発生装置 - Google Patents
分子線発生装置Info
- Publication number
- JPH01278493A JPH01278493A JP10611388A JP10611388A JPH01278493A JP H01278493 A JPH01278493 A JP H01278493A JP 10611388 A JP10611388 A JP 10611388A JP 10611388 A JP10611388 A JP 10611388A JP H01278493 A JPH01278493 A JP H01278493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- opening
- molecular beam
- temperature
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract description 6
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 21
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超高真空中で半導体エピタキシャル結晶成長を
行なう分子線エピタキシ法（以下ＭＢＥ法とする。）で
使用する分子線発生装置に関し、特にＡＱ分子線源とし
て使用する分子線発生装置の改良に関する。
行なう分子線エピタキシ法（以下ＭＢＥ法とする。）で
使用する分子線発生装置に関し、特にＡＱ分子線源とし
て使用する分子線発生装置の改良に関する。
従来、ＭＢＥ法でアルミニウム分子線源として使用する
分子線発生装置は第３図に示すようにＰＢＮ（パイロリ
ティック窒化ホウ素）製のるつぼ３１の外側をヒータ３
２が一様に加熱する構造になっており、るつぼ全体が均
一に加熱される。３４は熱反射板、３３は高純度アルミ
ニウムである。
分子線発生装置は第３図に示すようにＰＢＮ（パイロリ
ティック窒化ホウ素）製のるつぼ３１の外側をヒータ３
２が一様に加熱する構造になっており、るつぼ全体が均
一に加熱される。３４は熱反射板、３３は高純度アルミ
ニウムである。
この種の分子線発生装置ではるつぼ３１内へ高純度アル
ミニウム３３をソースとして充填して加熱溶融した場合
、高温のるつぼ３１とアルミニウム３３とのなじみが非
常に良いため、ＰＢＮ製のるつぼ３１の内壁を高純度ア
ルミニウム３３が濡れ上がる現象が見られる０通常、高
純度アルミニウム３３を新規で充填したとき、又は追加
したときは、それを分子線として使用する前に真空中で
使用温度よりも高温で加熱してその中の残留ガス及び蒸
着圧の高い残留不純物を放出させる。この際に前述した
アルミニウムの濡れ上がり現象が顕著に生じ、るつぼ３
１の開口部からアルミニウム３３が濡れ出て、分子線発
生装置のヒータ３２をショートさせ、使用不能にすると
いう問題が頻発していた。又、ヒータ３２のまわりを包
んで熱の放散を防いでいるタンタル製の熱反射板３４ヘ
アルミニウム３３が流れ出し、アルミニウム３３を通し
た熱伝導で熱反射板３４自身が加熱され、タンタル内の
残留不純物が放出され、成長した結晶の純度が低下する
という問題もあった。
ミニウム３３をソースとして充填して加熱溶融した場合
、高温のるつぼ３１とアルミニウム３３とのなじみが非
常に良いため、ＰＢＮ製のるつぼ３１の内壁を高純度ア
ルミニウム３３が濡れ上がる現象が見られる０通常、高
純度アルミニウム３３を新規で充填したとき、又は追加
したときは、それを分子線として使用する前に真空中で
使用温度よりも高温で加熱してその中の残留ガス及び蒸
着圧の高い残留不純物を放出させる。この際に前述した
アルミニウムの濡れ上がり現象が顕著に生じ、るつぼ３
１の開口部からアルミニウム３３が濡れ出て、分子線発
生装置のヒータ３２をショートさせ、使用不能にすると
いう問題が頻発していた。又、ヒータ３２のまわりを包
んで熱の放散を防いでいるタンタル製の熱反射板３４ヘ
アルミニウム３３が流れ出し、アルミニウム３３を通し
た熱伝導で熱反射板３４自身が加熱され、タンタル内の
残留不純物が放出され、成長した結晶の純度が低下する
という問題もあった。
本発明の目的は前記課題を解決した分子線発生装置を提
供することにある。
供することにある。
以上述べた従来の分子線発生装置に対し、本発明はるつ
ぼの開１」部を底部に比べて常に温度を戚く保ち、充填
した原料アルミニウムか開口部まで流動することを防ぐ
という相違点を有する。
ぼの開１」部を底部に比べて常に温度を戚く保ち、充填
した原料アルミニウムか開口部まで流動することを防ぐ
という相違点を有する。
上記目的を達成するため、本発明は分子線を発生させる
原料の充填用るつぼの底部付近のみを加熱するヒータを
装備し、該るつぼの開口部の温度を該るつぼの底部より
も常に低温状態に設定したものである。
原料の充填用るつぼの底部付近のみを加熱するヒータを
装備し、該るつぼの開口部の温度を該るつぼの底部より
も常に低温状態に設定したものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を用いて詳細に説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の第１の実施例である分子線発生装置の
断面図である。
断面図である。
分子線源となる物質を充填するるつぼ１はＰＢＮ（パイ
ロリティック窒化ホウ素）製で円筒形状をしており、約
２０ｃｃの内容積を持つ、ヒータ２はタングステン製で
あり、るつぼ１の底部１２からるつぼ１の開口部１１の
方向へ約半分の高さの所まで−ａにるつぼ１をとり囲む
ように巻いである。るつぼ１及びヒータ２の外ｆｆ１ｌ
ｌを熱反射板３として８重のタンタル板で被い、熱電対
４によって温度測定を行ない、ヒータ２への電力の供給
を制御している。上述のようにヒータ２を巻いた構造に
することにより、るつぼ１の開口部１１の温度をるつぼ
１の底部１２のそれと比較して常に低く保つ。
ロリティック窒化ホウ素）製で円筒形状をしており、約
２０ｃｃの内容積を持つ、ヒータ２はタングステン製で
あり、るつぼ１の底部１２からるつぼ１の開口部１１の
方向へ約半分の高さの所まで−ａにるつぼ１をとり囲む
ように巻いである。るつぼ１及びヒータ２の外ｆｆ１ｌ
ｌを熱反射板３として８重のタンタル板で被い、熱電対
４によって温度測定を行ない、ヒータ２への電力の供給
を制御している。上述のようにヒータ２を巻いた構造に
することにより、るつぼ１の開口部１１の温度をるつぼ
１の底部１２のそれと比較して常に低く保つ。
この分子線発生装置にアルミニウム、５を約１０ｇ充填
し、超高真空中にて熱電対４での温度測定値に基いて通
常の使用温度よりも約１００ｄＯ（１高い１３５０℃で
２時間保持した後、アルミニウム５の濡れ上がりの状態
を調べた。従来の分子線発生装置では同一の条件下にお
いて、アルミニウム５の濡れ上がりは顕著で、はとんど
の場合、アルミニウムがるつぼ１の開口部１１を越えて
流れ出し、熱反射板３に達してしまう、ところが、本発
明の分子線発生装置ではアルミニウム５の濡れ上がりは
るつぼ１の開に１部１１まで達することなく、赤外放射
温度計でるつぼ１の開［１部１１の温度を比較したとこ
ろ、従来の分子線発生袋；ηよりも約５０ ｄｅｇ低い
ことがわかった。
し、超高真空中にて熱電対４での温度測定値に基いて通
常の使用温度よりも約１００ｄＯ（１高い１３５０℃で
２時間保持した後、アルミニウム５の濡れ上がりの状態
を調べた。従来の分子線発生装置では同一の条件下にお
いて、アルミニウム５の濡れ上がりは顕著で、はとんど
の場合、アルミニウムがるつぼ１の開口部１１を越えて
流れ出し、熱反射板３に達してしまう、ところが、本発
明の分子線発生装置ではアルミニウム５の濡れ上がりは
るつぼ１の開に１部１１まで達することなく、赤外放射
温度計でるつぼ１の開［１部１１の温度を比較したとこ
ろ、従来の分子線発生袋；ηよりも約５０ ｄｅｇ低い
ことがわかった。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２の分子！！発生装置を示す図
である。るつぼ１、ヒータ２、熱反射板３、熱電対４の
材質及び構成は実施例１とまったく同一である。この実
施例の場合、るつぼ１の開口部１１の外側に密着するよ
うにモリブデン製のヒートシンク６を設置し、るつぼ１
の開［１部１１からの熱の放Ｒｋを増して、実施例１よ
りもさらに効果的にるつぼ１の開口部１１の温度をるつ
ぼ１の底部１２よりも低下させることができるという利
点がある。
である。るつぼ１、ヒータ２、熱反射板３、熱電対４の
材質及び構成は実施例１とまったく同一である。この実
施例の場合、るつぼ１の開口部１１の外側に密着するよ
うにモリブデン製のヒートシンク６を設置し、るつぼ１
の開［１部１１からの熱の放Ｒｋを増して、実施例１よ
りもさらに効果的にるつぼ１の開口部１１の温度をるつ
ぼ１の底部１２よりも低下させることができるという利
点がある。
以上説明したように本発明はるつぼ底部付近を主に加熱
するヒータ構造を有することにより、常にるつぼ開口部
付近をアルミニウムの濡れ上がる温度よりも低温にて分
子線発生装置を使用することができ、したがって、アル
ミニウムの濡れ上がりを防止でき、濡れ上がりが原因と
なってヒータショートが生じ、分子線発生装置が使用不
能になることを防止できる。又、熱反射板が濡れ上がっ
たアルミニウムと接して加熱され、熱反射板内の残留不
純物が放出され、成長した結晶の純度が低下することを
なくすことができる効果がある。
するヒータ構造を有することにより、常にるつぼ開口部
付近をアルミニウムの濡れ上がる温度よりも低温にて分
子線発生装置を使用することができ、したがって、アル
ミニウムの濡れ上がりを防止でき、濡れ上がりが原因と
なってヒータショートが生じ、分子線発生装置が使用不
能になることを防止できる。又、熱反射板が濡れ上がっ
たアルミニウムと接して加熱され、熱反射板内の残留不
純物が放出され、成長した結晶の純度が低下することを
なくすことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の実施例２を示す断面図、第３図は従来の分子線
発生装置を示す断面図である。 １・・・るつぼ ２・・・ヒータ３・・・熱
反射板 ４・・・熱電対５・・・アルミニウム
６・・・ヒートシンク１１・・・るつぼのｔｉｎ
０部 １２・・・るつぼの底部第２図
本発明の実施例２を示す断面図、第３図は従来の分子線
発生装置を示す断面図である。 １・・・るつぼ ２・・・ヒータ３・・・熱
反射板 ４・・・熱電対５・・・アルミニウム
６・・・ヒートシンク１１・・・るつぼのｔｉｎ
０部 １２・・・るつぼの底部第２図
Claims (1)
- （１）分子線を発生させる原料の充填用るつぼの底部付
近のみを加熱するヒータを装備し、該るつぼの開口部の
温度を該るつぼの底部よりも常に低温状態に設定したこ
とを特徴とする分子線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10611388A JPH01278493A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 分子線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10611388A JPH01278493A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 分子線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01278493A true JPH01278493A (ja) | 1989-11-08 |
Family
ID=14425408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10611388A Pending JPH01278493A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 分子線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01278493A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072005A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸発源、真空蒸着装置及び有機ｅｌ表示装置製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730321A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Molecular beam source for molecular beam epitaxy |
| JPS62287616A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Rohm Co Ltd | 分子線エピタキシヤル装置のシヤツタ構造 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10611388A patent/JPH01278493A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730321A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Molecular beam source for molecular beam epitaxy |
| JPS62287616A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Rohm Co Ltd | 分子線エピタキシヤル装置のシヤツタ構造 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072005A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸発源、真空蒸着装置及び有機ｅｌ表示装置製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6913430B2 (ja) | Ｖｂ／ｖｇｆ法による結晶成長用石英管及び装置 | |
| CN104047047B (zh) | 一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法 | |
| JPH0254430B2 (ja) | ||
| WO1982002409A1 (en) | The method and apparatus for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound | |
| KR20140085448A (ko) | 코팅된 도가니 및 코팅된 도가니를 제조하는 방법 | |
| CN106395770B (zh) | 一种氮化铝原料的纯化装置及纯化方法 | |
| CN111809243B (zh) | 一种制备碲化镉或碲锌镉多晶料的方法 | |
| US20130029278A1 (en) | Method for synthesizing group ii-vi compound semiconductor polycrystals | |
| JP2517803B2 (ja) | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体多結晶の合成方法 | |
| EP3587627A1 (en) | Semiconductor synthesizing device and method | |
| CN111349968A (zh) | 一种硒硫化镉多晶的合成方法 | |
| JPH0142919B2 (ja) | ||
| JPS6077195A (ja) | ３―５族化合物半導体単結晶の製造装置 | |
| JP2024167891A (ja) | 断熱材及び製造装置 | |
| JPH0471871B2 (ja) | ||
| JPH069025Y2 (ja) | 化合物半導体単結晶製造装置 | |
| JPH10247625A (ja) | ＣｄＴｅ膜の形成方法とそれを用いた太陽電池 | |
| JP2024167510A (ja) | 製造装置 | |
| JPH0234592A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
| JP2534341B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
| JPH0473285B2 (ja) | ||
| JPH10167873A (ja) | 化合物結晶の製造装置および製造方法 | |
| JPH0582357B2 (ja) | ||
| JPH04114993A (ja) | 分子線源用セル | |
| CN111254492A (zh) | 一种磷硅镉多晶料的高压合成装置及方法 |