JPH01280846A - メモリ装置 - Google Patents

メモリ装置

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JPH01280846A
JPH01280846A JP63111100A JP11110088A JPH01280846A JP H01280846 A JPH01280846 A JP H01280846A JP 63111100 A JP63111100 A JP 63111100A JP 11110088 A JP11110088 A JP 11110088A JP H01280846 A JPH01280846 A JP H01280846A
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Hiroshi Mizuguchi
博 水口
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は並列書き込み直列読出し型のメモリ装置に関す
るものである。
従来の技術 従来からワンチップのマイクロプロセッサfxトにおい
て多用されているシリアルデータの通信装置では、シフ
トレジスタとシフトカウンタ、さらにはバッファレジス
タによって構成され、その典型的な例が特公昭60−5
8482号公報に示されている。それによればシリアル
データの送信を行なうには、データバスからバッファレ
ジスタに1フレ一ム分のデータ(多くの場合4ビツトま
たは8ビツトが1フレームとなる。)を転送したうえで
、シフトレジスタから直列データを送出するようにして
いる。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の構成では、−度に数フレーム分のデ
ータ群を送信するにはバッファレジスタを複数組用意し
なければならず、並列データの入出力部分での配線が増
加するという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、数フレーム分の直列データ
を連続して送信する場合にも、データの入出力部の配線
が増加しないバラフッレジスタ群の実現、より具体的に
は、配線数が少なく、複数フレーム分のデータが格納で
き、直列データの取り出しもできるメモリ装置を提供す
ることを目的としている。
課題を解決するための手段 前記した課題を解決するために本発明のメモリ装置では
、データ格納ビットを複数個配置して構成されたフレー
ムのビット位置を選択するデコーダと、データ格納ビッ
トにそれぞれ接続された複数のビット選択線路と、デー
タの書き込み時にはビット選択線路に並列データを供給
するとともに、データの出力時には前記ビット選択線路
にデコーダを接続する線路切シ換え手段を備えている。
作  用 本発明では前記した構成によって、並列データの書き込
みとデータ出力時のビット位置の選択が共通の線路を介
して行なわれて、これらの動作を行なわせるだめの配線
数が大幅に軽減される。
実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
第1図は本発明の一実施例におけるメモリ装置の回路構
成図を示したものであり、第1フレーム1ooはデータ
格納ビット110,120,130゜140 、150
 、160 、170 、180によって構成されてい
る。データ格納ビット11oはインバータ111と3ス
テートインバータ112による単位メモリ七ルと、この
単位メモリセルの出力をSx端子に送出する3ステート
インバータ113と、インバータ111に書き込みデー
タを伝達する3ステートバツフア114と、3ステート
バツフ1114がアクティブ状態のときには3ステート
インバータ112の出力をハイインヒーダンス状態にさ
せるインバータ115と、xO端子、X1i子tX2端
子、YOI子、Yl 端子に供給されるデータによって
第1エリアの第8ビツトが選ばれたときに3ステートイ
ンバータ113をアクティブ状態にするANDゲート1
16によって構成され、データ格納ビット120〜18
0も同一の構成となっている。また、第1フレーム10
0と同様に第2フレーム200.第37レーム300が
構成されている。
一方、第1フレーム100 、第2フレーム2oO。
第3フレーム300を構成する各データ格納ビットに接
続されるビット選択線路群400には線路切シ換えスイ
ッチ群500の出力側が接続され、線路切り換えスイッ
チ群500を構成する3ステートバツフ1501〜50
8の入力側にはそれぞれD○端子〜D7端子が接続され
、3ステートバツフア511〜518の入力側にはデコ
ーダ600の出力が供給されている。
なお、第1図において、データの書き込み時には、Do
端子〜D7端子に第1フレーム1oO〜第3フレーム3
00に書き込むための並列データが供給され、PO端子
、P1端子に第1フレーム1oO〜第3フレーム300
のひとつを選択するための2ピツトのデータが供給され
るとともに、LOAD端子のレベルが一時的に′1”に
移行させられる。また、Sx端子からの直列データの出
力時には、YO端子、Y1端子に第1フレーム100〜
第3フレーム300のひとつを選択するため02ビツト
のデータが供給され、XO端子。
X1端子、X2端子には選択されたフレームのビット位
置を指定する3ビツトのデータが供給される。
以上のように構成されたメモリ装置について、第1図の
構成図および第2図に示した主要部のタイミングチャー
トをもとにその動作を説明する。
まず、第2図Aはシリアルデータの送信のためのクロッ
ク信号波形、第2図B、C,DはそれぞれxO端子、X
1端子、X2端子に供給される信号波形、第2図E、F
はそれぞれYO端子、Y1端子に供給される信号波形、
第2図GはSx端子からの出力データの変化のもようを
それぞれ示したものである。
さて、第1フレーム100に並列データの書き込みを行
なうには、po端子、P1端子のレベルをそれぞれ”1
”、′Ojに設定し、DO〜D了端子に送信データを供
給したうえで、さらに、LOAD端子のレベルを一時的
に、′1”に移行させる。これら一連の操作の操作によ
って、ANDゲート1の出力レベルが”1″に移行し、
D7端子のレベルを伝達する3ステートバツフ1508
もアクティブ状態となり、反対に、デコーダ600を構
成するANDゲート608の出力レベルLf伝達する3
ステートバツフ1618の出力はハイインピーダンス状
態となる。その結果、データ格納ピッ)110について
いえば、3ステートインバータ112の出力はハイイン
ピーダンス状態となって、反対に、3ステートバツフア
114がアクティブ状態となシ、D7端子のレベルをイ
ンバータ111に伝達してデータの書き込みが完了する
同様にして、第2フレーム200に並列データの書き込
みを行なうには、po端子、P1端子のレベルをそれぞ
れ”0′、′1″に設定し、DO〜D7端子に送信デー
タを供給したうえで、LOAD端子のレベルを一時的に
′″1”に移行させればよく、第3フレーム300に並
列データの書き込みを行なうには、PO端子、P1端子
のレベルをそれぞれ“11.”11に設定し、DO〜D
7端子に送信データを供給したうえで、LOAD端子の
レベルを一時的に1”に移行させればよい。
まだ、データの送信時にはLOAD端子のレベルを“0
”に固定したうえで、xO端子〜X2端子、Yo端子、
Y1端子に供給するレベルをそれぞれ第2図B−D、E
、Fのように変化させればSx端子に送出されるデータ
は第2図Gのように変化する。すなわち、第2図の時刻
t1以前にはXo端子〜x2端子、Yo端子、Y1端子
のレベルはすべて“1”になっているので、ANDゲー
ト608とANDゲート2の出力レベルはいずれも”1
″となシ、第1フレーム10oのデータ格納ビット18
0を構成するANDゲート186の出力レベルも′1”
となっている。したがって、この時点ではデータ格納ビ
ット18oの保持データが、3ステートインバータ18
3を介してSx端子に送出されている。時刻t1におい
てクロック信号のリーディングエツジ(前縁)が到来す
ると、Xo端子のレベルが11J′から101に移行し
く第2図B)、それによって、デコーダ600を構成す
るANDゲート607の出力レベルが”1”に移行し、
今度はデータ格納ビット17oの保持データがSx端子
に送出される。以後同様に時刻t2までは第1フレーム
10oの各データ格納ビットの出力が次々とSx端子に
送出される。
時刻t2においてクロック信号のリーディングエツジが
到来すると、Xo端子−x2端子のレベルがそれぞれ“
1jに移行するが、このときY。
端子のレベルは0″に移行(第2図E)L、その結果、
ANDゲート3の出力レベルが′1′に移行して、この
時点から時刻t3までは第2フレーム200の各データ
格納ビットの出力が次々とSX端子に送出される。
さらに、時刻t3から時刻t4までの間は第3フレーム
300の各データ格納ビットの出力が次々とSX端子に
送出される。
このようにして、第1図に示したメモリ装置では、送信
する複数フレーム分のデータを一度に格納しておくこと
ができ、また、xO端子〜x2端子、Yo端子、Y1端
子に与えるデータを変化させれば、Sx端子から順次直
列データを取り出すことができる。すなわち、第1図に
示したメモリ装置は従来のバッフ7レジスタとシフトレ
ジスタの機能を合わせ持っており、さらに、ビット選択
線路群400が各データ格納ビットの選択に用いられる
だけでなく、並列データの転送路としても用いられるの
で、内部の配線数が減少する。
つぎに、第3図は本発明の他の実施例を示した回路構成
図で、送信データの格納部分は第1フレーム100と第
2フレーム200からなり、データ格納ビットの構成が
第1図の装置とは異なる。
すなわち、データ格納ビット110′はインバータ11
1.115.3ステートインバータ112゜3ステート
バッファ114,117から構成され   ゛ておシ、
第1図の装置と比較すると、ANDゲート116が削除
され、3ステートインバータ113の代わりに3ステー
トバツフア117が用いられている。また、第1フレー
ム10σからの直列データは3ステートインバータ4を
介してSx端子に供給され、第2フレーム2oσからの
直列データは3ステートインバータ6を介してSx端子
に供給されている。したがって、第2図の装置ではP1
端子のレベルが′1”のときには第1フレーム10oか
らの直列データがSX端子に供給され、0”のときには
第2フレーム200’からの直列データがSX端子に供
給される。なお、その他の動作については第1図の装置
と同じであるので、説明は省略する。
発明の効果 本発明のメモリ装置は以上の説明からも明らかなように
、各々が単位メモリセルと単位メモリセルの出力を共通
の出力端子に伝達する出力スイッチ手段を具備したデー
タ格納ビットを複数個配置して構成されたフレームと、
フレームのピッI[置t−選択するデコーダと、データ
格納ピットにそれぞれ接続された複数のピット選択線路
と、データの書き込み時にはピット選択線路に並列デー
タを供給するとともに、データの出力時にはバット選択
線路にデコーダを接続する線路切り換え手段を備えてい
るので、数フレーム分の直列データを連続して送信する
場合にも、データの入出力部の配線が増加せず、直列デ
ータの取シ出しもできるメモリ装置が実現でき、大なる
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例におけるメモリ装置の回路構
成図、第2図は第1図の主要部のタイミングチャート、
第3図は本発明の他の実施例におけるメモリ装置の回路
構成図である。 100・・・・・・第1フレーム、180・・・・・・
データ格納ヒツト、183・・・・・・3ステートイン
バータ、183.200・・・・・・第27 v−ム、
300・・・・・・第3フレーム、400・・・・・・
ビット選択線路群、500・・・・・・線路切シ換えス
イッチ群、600・・・・・・デコーダ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 各々が単位メモリセルと前記単位メモリセルの出力を共
    通の出力端子に伝達する出力スイッチ手段を具備したデ
    ータ格納ビットを複数個配置して構成されたフレームと
    、前記フレームのビット位置を選択するデコーダと、前
    記データ格納ビットにそれぞれ接続された複数のビット
    選択線路と、データの書き込み時には前記ビット選択線
    路に並列データを供給するとともに、データの出力時に
    は前記ビット選択線路に前記デコーダを接続する線路切
    り換え手段とを具備してなるメモリ装置。
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