JPH01283368A - スローアウェイターゲットの製造方法 - Google Patents
スローアウェイターゲットの製造方法Info
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- JPH01283368A JPH01283368A JP11228088A JP11228088A JPH01283368A JP H01283368 A JPH01283368 A JP H01283368A JP 11228088 A JP11228088 A JP 11228088A JP 11228088 A JP11228088 A JP 11228088A JP H01283368 A JPH01283368 A JP H01283368A
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- targets
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- plate
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、ターゲット素材とバッキングプレート累月
とを一体にしたスローアウェイターゲットの製造方法に
関する。
とを一体にしたスローアウェイターゲットの製造方法に
関する。
「従来の技術」
スパッタリングの方式には、直流二極スパッタリング、
高周波スパッタリング、マグネトロンスパッタリングな
どがあり、これらのいずれの方式においても、被膜形成
物質となるターゲットが使用されている。このようなタ
ーゲットは、通常冷却板となるバッキングプレートに単
体金属や合金からなるターゲット本体が接合された構造
となっている。そして、使用に際しては、ターゲットが
所定景消費された段階でバッキングプレートから剥され
、そのバッキングプレートに新たなターゲット本体が取
りイ」けられて再使用される。
高周波スパッタリング、マグネトロンスパッタリングな
どがあり、これらのいずれの方式においても、被膜形成
物質となるターゲットが使用されている。このようなタ
ーゲットは、通常冷却板となるバッキングプレートに単
体金属や合金からなるターゲット本体が接合された構造
となっている。そして、使用に際しては、ターゲットが
所定景消費された段階でバッキングプレートから剥され
、そのバッキングプレートに新たなターゲット本体が取
りイ」けられて再使用される。
ところで、上記のターゲットを製造するには、予め所望
する形状・寸法に成形されたターゲット本体とこのター
ゲット本体に対応するようにして成形されたバッキング
プレートとを、ターゲット本体の交換が可能なように軟
ろう祠や接着剤で接合してターゲットとしている。
する形状・寸法に成形されたターゲット本体とこのター
ゲット本体に対応するようにして成形されたバッキング
プレートとを、ターゲット本体の交換が可能なように軟
ろう祠や接着剤で接合してターゲットとしている。
「発明が解決しようとする課題」
しかしながら、上記の製造方法により得られたターゲッ
トにあっては、予めターゲット本体おにびバッキングプ
レートをそれぞれ所望する形状・寸法に成形した後、接
合してターゲットとすることから、生産性に劣るといっ
た問題がある。
トにあっては、予めターゲット本体おにびバッキングプ
レートをそれぞれ所望する形状・寸法に成形した後、接
合してターゲットとすることから、生産性に劣るといっ
た問題がある。
また、このようにして作製されたターゲットにあっては
、そのターゲット本体の交換時、バッキングプレーＩ・
にハフ研磨仕」−げ、脱脂性どｆＩ智の前処理を施ざな
ければならず、作業性に劣るといった問題かある。
、そのターゲット本体の交換時、バッキングプレーＩ・
にハフ研磨仕」−げ、脱脂性どｆＩ智の前処理を施ざな
ければならず、作業性に劣るといった問題かある。
この発明は」１記問題を解決するためになされたもので
、その［１的とするところは、使用に際してその作業性
が高いスパックリンク用ターゲットを作製しえ、しかも
生産性の高いス［ｌ−アウェイターゲットの製造方法を
提供することにある。
、その［１的とするところは、使用に際してその作業性
が高いスパックリンク用ターゲットを作製しえ、しかも
生産性の高いス［ｌ−アウェイターゲットの製造方法を
提供することにある。
１課題を解決するだめの手段］
この発明で（」、ターケラト素ｉ４とバッキングプレー
１・素材とを接合して得られた接合材に切断加工あるい
は打し抜き加工を施して複数枚のバッキングプレ−１−
（−１ターケソ）・を作製ずろことを」１記課題の解決
手段とした。
１・素材とを接合して得られた接合材に切断加工あるい
は打し抜き加工を施して複数枚のバッキングプレ−１−
（−１ターケソ）・を作製ずろことを」１記課題の解決
手段とした。
以下、この発明のスローアウＪイターゲットの製造方法
について詳しく説明オろ。
について詳しく説明オろ。
この発明の製造方法によりスパッタリンク用ターゲット
を製造するには、まずターゲノ）・素材およびバッキン
グプレー１・素材として、大型寸法のもので、切断ある
いは打し抜きにより所望４〜る形状・寸法のターゲット
が複数枚作製可能となるものを用意する。
を製造するには、まずターゲノ）・素材およびバッキン
グプレー１・素材として、大型寸法のもので、切断ある
いは打し抜きにより所望４〜る形状・寸法のターゲット
が複数枚作製可能となるものを用意する。
次に、ターゲット素材とハゾギンクプレーＩ−累＋月と
を接合して接合材を作製する。この場合に、ターゲット
素材とハッギンクプレート累しとを接合ずろにあたって
（」、ターゲット素＋Ａとハノキノクプレート索Ｈとを
直接接合ずろ圧接法か好適に採用されろ。［］−接法は
、接続オー・き両金属を粘ヤ１状態あるいは溶融に近い
状態において機械的打撃または圧力を加えて圧着する方
法であり、これに属する方法としては例えば爆圧接（爆
着）や、抵抗溶接、熱間〔）−ル圧延、拡散接合なとの
方法か挙げられろ。
を接合して接合材を作製する。この場合に、ターゲット
素材とハッギンクプレート累しとを接合ずろにあたって
（」、ターゲット素＋Ａとハノキノクプレート索Ｈとを
直接接合ずろ圧接法か好適に採用されろ。［］−接法は
、接続オー・き両金属を粘ヤ１状態あるいは溶融に近い
状態において機械的打撃または圧力を加えて圧着する方
法であり、これに属する方法としては例えば爆圧接（爆
着）や、抵抗溶接、熱間〔）−ル圧延、拡散接合なとの
方法か挙げられろ。
爆圧接は、火薬か爆発するときに発生ずる強力なエネル
ギーを利用して２枚の板を圧接する方法であって、例え
ばターゲット累祠とバッキングプレー）・素材のそれぞ
れの背面に火薬を装填し、この火薬を爆発さして両者を
激突さし、その際の強圧によって接合する方法である。
ギーを利用して２枚の板を圧接する方法であって、例え
ばターゲット累祠とバッキングプレー）・素材のそれぞ
れの背面に火薬を装填し、この火薬を爆発さして両者を
激突さし、その際の強圧によって接合する方法である。
抵抗溶接は、抵抗発熱によって被溶接側の局部温度を上
げ、加圧力の作用下に、溶接部を溶融させあるいは溶融
させることなく接合する方法である。
げ、加圧力の作用下に、溶接部を溶融させあるいは溶融
させることなく接合する方法である。
熱間ロール圧延は、ターゲット素材およびバッキングプ
レ−１・素材を加熱した状態で回転ロール間に通し、タ
ーゲット素材およびバッキングプレート素材を圧接する
方法である。
レ−１・素材を加熱した状態で回転ロール間に通し、タ
ーゲット素材およびバッキングプレート素材を圧接する
方法である。
拡散接合としては、例えば励振された超音波振動エネル
ギーを、ある加圧のもとに被接合部に与えてターゲット
素材とバンキングプレート素材とを接合する超音波溶接
法や、ターケラト素材とバッキングプレート素材とを重
ね合わせ、適当な治具で加圧固定し、アルゴンや水素な
どの無酸化状態の気流中で加熱しながら接合せしめる炉
中圧接法などが挙げられろ。
ギーを、ある加圧のもとに被接合部に与えてターゲット
素材とバンキングプレート素材とを接合する超音波溶接
法や、ターケラト素材とバッキングプレート素材とを重
ね合わせ、適当な治具で加圧固定し、アルゴンや水素な
どの無酸化状態の気流中で加熱しながら接合せしめる炉
中圧接法などが挙げられろ。
このような圧接法によってターゲット素材とバッキング
プレ−１・素材とを接合すれば、ターゲット素材とバッ
キングプレート素材との間に強固な接合強度か得られる
。
プレ−１・素材とを接合すれば、ターゲット素材とバッ
キングプレート素材との間に強固な接合強度か得られる
。
また、このようにして得た接合＋Ａからターゲットを作
製すれば、得られたターゲソ）・は、ターゲット素材と
バッキングプレート素材とが強固に接合しているため、
スパッタリング中にターゲット素材がバッキングプレー
ト素材から剥離し脱落するといった不都合かなくなり、
さらにろう祠等の接合用材料を使用していないため、接
合用＋４訓の溶解に起因するターゲット素材の剥離が起
こらず、よって高出力のスパッタリングが可能となる。
製すれば、得られたターゲソ）・は、ターゲット素材と
バッキングプレート素材とが強固に接合しているため、
スパッタリング中にターゲット素材がバッキングプレー
ト素材から剥離し脱落するといった不都合かなくなり、
さらにろう祠等の接合用材料を使用していないため、接
合用＋４訓の溶解に起因するターゲット素材の剥離が起
こらず、よって高出力のスパッタリングが可能となる。
なお、ターゲット素材とバッキングプレート素材とを接
合するにあたっては、−ヒ記圧接法に限ることなく、ろ
う付（Ｊ法や、金属を溶融状態あるいは高温により部分
的に気化状態にして、ターゲット素材とバッキングプレ
ート素材とを、あるいはこれらと外部から適当な方法で
供給された溶融金属とを融合凝固させて接合する融接法
を採用してもよい。
合するにあたっては、−ヒ記圧接法に限ることなく、ろ
う付（Ｊ法や、金属を溶融状態あるいは高温により部分
的に気化状態にして、ターゲット素材とバッキングプレ
ート素材とを、あるいはこれらと外部から適当な方法で
供給された溶融金属とを融合凝固させて接合する融接法
を採用してもよい。
次いで、この接合材に打ち抜き加工あるいは切断加工を
施し、所望する形状・寸法で、ターケラト素＋ａとバッ
キングプレート素材とが一体に接合されてなるハノギン
グプレートイ」ターゲットを複数枚作製する。ここで、
切断加工としては、機械的切削法やガス（酸素）切断、
アーク切断などが採用される。また、打ち抜き加工とし
ては、泪」圧プレスによる加工法などが採用される。
施し、所望する形状・寸法で、ターケラト素＋ａとバッ
キングプレート素材とが一体に接合されてなるハノギン
グプレートイ」ターゲットを複数枚作製する。ここで、
切断加工としては、機械的切削法やガス（酸素）切断、
アーク切断などが採用される。また、打ち抜き加工とし
ては、泪」圧プレスによる加工法などが採用される。
「作用」
このような製造方法によれば、ターゲット素材とバッキ
ングプレート素材とを接合して接合材とし、次いでこの
接合材に切断加工あるいは打ち抜き加工を施して複数枚
のバッキングプレート付ターゲットを作製するので、−
度の接合工程で複数枚のターゲットの作製が可能となり
、よって生産性が向上し、製造コストの低下が図れる。
ングプレート素材とを接合して接合材とし、次いでこの
接合材に切断加工あるいは打ち抜き加工を施して複数枚
のバッキングプレート付ターゲットを作製するので、−
度の接合工程で複数枚のターゲットの作製が可能となり
、よって生産性が向上し、製造コストの低下が図れる。
また、このようにして作製されたターゲットにあっては
、低コストで製造されることから、スローアウェイ式（
使い捨て式）のターゲットとして使用し得る。
、低コストで製造されることから、スローアウェイ式（
使い捨て式）のターゲットとして使用し得る。
「実施例」
以下、実施例によりこの発明の製造方法を具体的に説明
する。
する。
（実施例１ ）
まず、ターゲット素材として幅６８０ｍＭ、長さ１２８
０１１ｍ、厚さ６１１肩のニッケル板を用意した。
０１１ｍ、厚さ６１１肩のニッケル板を用意した。
また、バッキングプレート素材として幅６５０ ｍｍ。
長さ＋２５０ｘｉ、厚さ２２ｍｍの無酸素銅板を用意し
た。次に、これらニッケル板および無酸素銅板のそれぞ
れの接合面をパフ研磨仕上げし、さらに脱脂洗浄を施し
た。次いで、これらニッケル板と無酸素銅板のそれぞれ
の背面に火薬を装填し、この火薬を爆発させて両者を激
突させ、その際の強圧によってニッケル板と無酸素銅板
とを接合せしめた。その後、接合された画板を直径５イ
ンチの円板状に切り出し、４５枚のスローアウェイター
ゲットＡを作製した。
た。次に、これらニッケル板および無酸素銅板のそれぞ
れの接合面をパフ研磨仕上げし、さらに脱脂洗浄を施し
た。次いで、これらニッケル板と無酸素銅板のそれぞれ
の背面に火薬を装填し、この火薬を爆発させて両者を激
突させ、その際の強圧によってニッケル板と無酸素銅板
とを接合せしめた。その後、接合された画板を直径５イ
ンチの円板状に切り出し、４５枚のスローアウェイター
ゲットＡを作製した。
（実施例２ ）
まず、ターゲット素材として幅＋６０＋１１、長さ２０
５０ ａｍ、厚さ６次肩のニッケル板を用意した。
５０ ａｍ、厚さ６次肩のニッケル板を用意した。
また、バッキングプレート素材として幅１５０ｍ１１！
、長さ２０００７１Ｉｍ、厚さ２０ｍＩの無酸素銅板を
用意した。次に、これらニッケル板および無酸素銅板の
それぞれの接合面をパフ研磨仕上げし、さらに脱脂洗浄
を施した。次いて、上記ニッケル板と無酸素銅板とを重
ね合わせ、ローラ電極により連続的にンーム溶接を行っ
てニッケル板と無酸素銅板とを接合した。その後、接合
された画板を直径５インチの円板状に切り出し、１５枚
のスローアウェイターゲットＢを作製した。
、長さ２０００７１Ｉｍ、厚さ２０ｍＩの無酸素銅板を
用意した。次に、これらニッケル板および無酸素銅板の
それぞれの接合面をパフ研磨仕上げし、さらに脱脂洗浄
を施した。次いて、上記ニッケル板と無酸素銅板とを重
ね合わせ、ローラ電極により連続的にンーム溶接を行っ
てニッケル板と無酸素銅板とを接合した。その後、接合
された画板を直径５インチの円板状に切り出し、１５枚
のスローアウェイターゲットＢを作製した。
上記実施例１．２で作製したスローアウェイターゲット
Ａ、Ｈの、ターゲット素＋ｇとバッキングプレート素材
との接合強度を測定し、さらにこれらをターゲットとし
てスパッタリングに使用した際の使用出力限界を測定し
、その結果を第１表に示した。
Ａ、Ｈの、ターゲット素＋ｇとバッキングプレート素材
との接合強度を測定し、さらにこれらをターゲットとし
てスパッタリングに使用した際の使用出力限界を測定し
、その結果を第１表に示した。
また、熱間ロール圧延法および拡散接合法によってそれ
ぞれ作製したスローアウェイターゲットＣ１Ｄの接合強
度および使用出力限界も同様に測定し、その結果を第１
表に示した。
ぞれ作製したスローアウェイターゲットＣ１Ｄの接合強
度および使用出力限界も同様に測定し、その結果を第１
表に示した。
さらに、比較のため、直径５インチ、厚さ３ｍｍのニッ
ケル製ターゲット本体と、直径５インチ、厚さ３ｍｍの
無酸素銅製のバッキングプレートとの間にろう祠を挟み
、加熱・加圧を施して接合する従来のろう付ｉ−１ｉに
よってターゲットを作製し、接合強度および使用出力限
界を測定してその結果を第１表に示した。
ケル製ターゲット本体と、直径５インチ、厚さ３ｍｍの
無酸素銅製のバッキングプレートとの間にろう祠を挟み
、加熱・加圧を施して接合する従来のろう付ｉ−１ｉに
よってターゲットを作製し、接合強度および使用出力限
界を測定してその結果を第１表に示した。
第１表
第１表に示しノコ結果より、本発明の製造方法によるス
ローアウＪイターゲットは、いずれも従来法によるター
ゲットに比較して接合強度および使用出力限界に優れて
いることが確認された。
ローアウＪイターゲットは、いずれも従来法によるター
ゲットに比較して接合強度および使用出力限界に優れて
いることが確認された。
また、本発明方法によるス〔ｌ−アウエイターゲノ１−
Ａ、Ｂ、Ｃ，１つと、ろうイマ１（−１法による従来品
とを透過Ｘ線で観察したところ、従来品ではターゲット
本体とバッキングプレートとの間に空隙が形成されてい
るのか確認されたが、本発明方法によるスローアウェイ
ターゲラ）・Δ、１Ｂ、Ｃ，Ｄでは全く空隙が観察され
ず、ターゲット素材とバッキングプレート素材とが良好
に接合していることが確認された。
Ａ、Ｂ、Ｃ，１つと、ろうイマ１（−１法による従来品
とを透過Ｘ線で観察したところ、従来品ではターゲット
本体とバッキングプレートとの間に空隙が形成されてい
るのか確認されたが、本発明方法によるスローアウェイ
ターゲラ）・Δ、１Ｂ、Ｃ，Ｄでは全く空隙が観察され
ず、ターゲット素材とバッキングプレート素材とが良好
に接合していることが確認された。
同様の結果はターゲット素材として、チタン板を、又、
バッキングプレート素十Ａとして銅合金板を用いた場合
にも得られた。
バッキングプレート素十Ａとして銅合金板を用いた場合
にも得られた。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明のス〔ｌ−アウェイター
ゲットの製造方法は、ターゲット素材とバッキングプレ
ート素祠とを接合して接合材とし、次いでこの接合材に
切断加工あるいは打ち抜き加工を施して複数枚のハノキ
ンクプレートイ・ｊターケノトを作製止るものであるか
ら、−度の接合工程で複数枚のターゲットの作製が可能
となり、よって従来に比較して生産性を大幅に向上する
ことかでき、したがって製造コストの低下を図ることか
できる。
ゲットの製造方法は、ターゲット素材とバッキングプレ
ート素祠とを接合して接合材とし、次いでこの接合材に
切断加工あるいは打ち抜き加工を施して複数枚のハノキ
ンクプレートイ・ｊターケノトを作製止るものであるか
ら、−度の接合工程で複数枚のターゲットの作製が可能
となり、よって従来に比較して生産性を大幅に向上する
ことかでき、したがって製造コストの低下を図ることか
できる。
ま）こ、このようにして作製されたターケノ）・にあっ
ては、低コストで製造されることから、スローアウェイ
式（使い捨て式）のターゲソＩ・どして使用でき、にっ
てスパツタリングの作業性を従来に比較して改善するこ
とができる。
ては、低コストで製造されることから、スローアウェイ
式（使い捨て式）のターゲソＩ・どして使用でき、にっ
てスパツタリングの作業性を従来に比較して改善するこ
とができる。
Claims (1)
- ターゲット素材とバッキングプレート素材とを接合して
得られた接合材に切断加工あるいは打ち抜き加工を施し
て複数枚のバッキングプレート付ターゲットを作製する
ことを特徴とするスローアウェイターゲットの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11228088A JPH01283368A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | スローアウェイターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11228088A JPH01283368A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | スローアウェイターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283368A true JPH01283368A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14582747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11228088A Pending JPH01283368A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | スローアウェイターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283368A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244556A (en) * | 1990-09-20 | 1993-09-14 | Fujitsu Limited | Method for depositing thin film on substrate by sputtering process |
| US5342496A (en) * | 1993-05-18 | 1994-08-30 | Tosoh Smd, Inc. | Method of welding sputtering target/backing plate assemblies |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6243250A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Hitachi Ltd | ト−キ−接続方式 |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP11228088A patent/JPH01283368A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6243250A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Hitachi Ltd | ト−キ−接続方式 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244556A (en) * | 1990-09-20 | 1993-09-14 | Fujitsu Limited | Method for depositing thin film on substrate by sputtering process |
| US5342496A (en) * | 1993-05-18 | 1994-08-30 | Tosoh Smd, Inc. | Method of welding sputtering target/backing plate assemblies |
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