JPH01283573A - 電荷潜像による記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像が
形成される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電誘
導で生じた電圧がゲート電極に与えられる電圧検出用電
界効果トランジスタと、前記の電圧検出用電界効果トラ
ンジスタにおける入力側回路の静電容量に前記の電圧検
出用電界効果トランジスタのドレイン電極・ゲート電極
間の漏洩電流によって充電した電荷を放電させるための
リセット手段とを含んで構成されている電荷潜像による
記録再生装置、撮像型記録再生装置に関する。

（従来の技術） 記録再生の対象とされている情報（８号と対応する電荷
潜像を電荷潜像形成部材に形成させることによって情報
信号の記録を行い、また、電荷潜像形成部材（被検出体
）の表面に接近させた状態の電圧検出用電極へ、前記の
電荷潜像形成部材に形成させた電荷潜像による表面電位
から静ＷＩＭ導によって生じた電圧を検出することによ
り前記のようにして記録された情報信号を再生しようと
する場合には、従来から知られている被検出体の表面電
位の検出法が使用できる。

しかし、一般に、被検出体の表面電位の検出法における
電圧検出用電極回路は非常に高いインピーダンスを有し
ているものであるために、電圧検出用電極からの電圧の
取出しはインピーダンス変換回路を介して行われるよう
にされているのが通常である。

そし、て、前記したインピーダンス変換回路としては能
動素子として電界効果トランジスタを使用したものも使
用できるが、周知のように電界効果トランジスタにはド
レイン電極からゲート電極への漏洩電流が存在している
ために、前記の漏洩電流が電界効果トランジスタのゲー
ト電極の入力側回路の静電容量を充電して行き、それに
つれてゲート電極の電位が次第に上昇して行く。

それで、被検出体の表面電位と対応して静電誘導によっ
て生じた電圧が、電界効果トランジスタを用いたインピ
ーダンス変換回路を介して取出されるようにされた場合
に、検出動作が比較的に長い時間にわたって行われると
きには、検出された電圧値が不正確になってしまうとい
うことが問題になり、検出時間がさらに長くなった場合
には出力信号が飽和状態になって被検出体の表面電位の
検出は不能となる。

そのために、電界効果トランジスタを使用したインピー
ダンス変換回路では、電界効果トランジスタのゲート電
極の入力側回路の静電容量にドレイン電極・ゲート電極
間の漏洩電流によって充電した電荷を放電させることが
必要であり、従来から電界効果トランジスタのゲート電
極の入力側回路の静電容量にドレイン電極・ゲート電極
間の漏洩電流によって充電した電荷を放電させるために
、リセット手段が用いられていたが、前記した問題点の
存在及びそれの解決手段などは、被検出体の表面電位の
検出と同様な手段によって記録情報の再生が行われるよ
うになされている本発明の電荷潜像による記録再生装置
においても同様である。

第１９図は本発明の電荷潜像による記録再生装置におけ
る問題点の所在を説明するために例示した本出願人会社
による既提案の表面電位分布と対応する電気信号の発生
装置の一例構成のブロック図であり、第１９図において
○は被検出体、ＥＤＡは例えば第１１図示のような構成
態様のものとして構成されている検出ヘッドであって、
前記の検出ヘッドＥＤＡは、それの電圧検出用電極ＥＤ
と被検出体０の表面との間隔が、空間に設定された２つ
の所定の位置の間で変化されるようになされている。

第１９図において、検出ヘッドＥＤＡは変位駆動袋！Ｂ
ＣＭにおける可動部２６と連結部材Ｕによって連結され
ている。２５は変位駆動装置ＢＧＭにおける可動部２６
の中心保持子である。変位駆動袋［ＢＧＭとしては１例
えば、ボイスコイルモータ、あるいは電歪素子、その他
の適当な電気−機械変換素子を用いて構成させた変位駆
動装置が使用されるのであり、前記の変位駆動袋ｆｌｔ
ＢＧＭは信号発生器ＳＧで発生された駆動信号が供給さ
れることによって、第１９図中の実線位置の検出ヘッド
ＥＤＡのように、検出ヘッドＥＤＡにおける電圧検出用
電極ＥＤが被検出体○の表面に近接した所定の位置にな
るようにしたり、あるいは第１９図中の点線位置の検出
ヘッドＥＤＡのように、検出ヘッドＥＤＡにおける電圧
検出用電極ＥＤが被検出体Ｏの表面から離隔された所定
の位置になるようにしたり、検出ヘッドＥＤＡを空間中
の予め定められた２位置間で変位させる。２７は変位駆
動袋ｆｉＢＣＭの場合に可動コイルに対して磁界を与え
る永久磁石である。

複数の電圧検出用電極ＥＤ、ＥＤ・・・が所定の配列パ
ターンで配列されている検出ヘッドＥＤＡとしては例え
ば第１１回に示されているような構成態様のものが使用
される。第１１図においてＥＤｌ、、ＥＤ２．ＥＤ３・
・・ＥＤｎは電圧検出用電極であり、これらの電圧検出
用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３・・・ＥＤｎは、それぞ
れ個別の接続線Ｑ　１．　Ｑ　２．　Ｑ　３・・・ａｎ
によって電圧検出用電界効果トランジスタＤＰＩ。

ＤＦ２．ＤＦ３・・・ＤＦｎのゲート電極に接続されて
いるとともに、リセット用スイッチング手段として使用
される電界効果トランジスタＲＦＬ、ＲＦ２゜ＲＦ３・
・・ＲＦｎにおける対応するもののドレイン電極に接続
されている。

前記のリセット用スイッチング手段として使用される各
電界効果トランジスタＲＦＩ、ＲＦ２．ＲＦ３・・・Ｒ
Ｆｎにおけるゲート電極はリセットパルスの入力端子゛
２０に共通接続されており、また、各電界効果トランジ
スタＲＦＩ、ＲＦ２．ＲＦ３−ＲＦｎにおけるソース電
極は、リセット動作時に電圧検出用電極や電圧検出用電
界効果トランジスタのゲート電極に与えるべき基準電圧
を供給する電源Ｖｓｓに共通接続されている。

また、前記した各電圧検出用電界効果トランジスタＤ　
Ｆｌ、　Ｄ　Ｆ２．　Ｄ　Ｆ３−Ｄ　Ｆｎのドレイン電
極は動作用電源Ｖに対して共通に接続されていて、一定
の電圧が供給されており、また、前記した各電圧検出用
電界効果トランジスタＤＰＩ、ＤＦ２゜ＤＦ３・・・Ｄ
Ｆｎのソース電極は、それぞれ個別のスイッチング用電
界効果トランジスタＳＦＩ、ＳＦ２゜ＳＦ３・・・ＳＦ
ｎにおける対応するもののドレイン電極に接続されてお
り、さらに前記の個別のスイッチング用電界効果トラン
ジスタＳＦ！、、ＳＦ２゜ＳＦ３・・・ＳＦｎにおける
各ソース電極は共通に接続されて出力端子１０に接続さ
れている。ｆＪＳ１１図中のＲΩは負荷抵抗である。

前記の個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ　
Ｆｌ、　Ｓ　Ｆ２．Ｓ　Ｆ３−８　Ｆ　ｎにおける各ゲ
ートｆｉｌｌには、シフトレジスタＳＲからスイッチン
）ｆ　パルスＰＬ、Ｐ２．Ｐ３・・・Ｐｎが供給されて
いて、前記のシフトレジスタＳＲから出力されるスイッ
チングパルスＰＩ、Ｐ２．Ｐ３・・・Ｐｎは、第１３図
に例示されている波形図から明らかなように、シフトレ
ジスタＳＲのクロック端子８に供給されている第１３図
の（ａ）に示されているクロック信号Ｐｃによって、第
１３図の（ｂ）〜（ｄ）に例示されているように時間軸
上でＰ１→Ｐ２→Ｐ３→・・・のように順次にシフトレ
ジスタＳＲから出力されるから。

前記した個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ
　Ｆｌ、　Ｓ　Ｆ２．　Ｓ　Ｆ３−　Ｓ　Ｆ　ｎの内の
選択された次々の１個のものが時間軸上で順次にオンの
状態にされて行く。

それで、それぞれ個別の接続１ｉＡ　Ｑ　１．　Ｑ　２
．　Ａ　３・・・Ｑｎによって電圧検出用電界効果トラ
ンジスタＤＦｌ、ＤＦ２．ＤＦ３−ＤＦｎのゲート電極
に接続されている複数の電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２
．ＥＤ３・・・ＥＤｎに生じている被検出体の複数個所
における個々の個所の表面電位と対応する電圧は、前記
した複数の電圧検出用電界効果トランジスタＤＦｌ、Ｄ
Ｆ２．ＤＦ３−ＤＦｎのソース側から、それぞれ対応す
る個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ　Ｆｌ
、　Ｓ　Ｆ２．　Ｓ　Ｆ３−　Ｓ　Ｆ　ｎのドレインに
供給されているから、前記したシフトレジスタＳＲから
スイッチングパルスＰｉ、Ｐ２．　Ｆ３・・・が順次に
出力されるのに従って次々にオンの状態にさ／れる個別
のスイッチング用電界効果トランジスタＳ　Ｆｌ、　Ｓ
　Ｆ２．　Ｓ　Ｆ３−　Ｓ　Ｆ　ｎのソース側からは、
被検出体の複数個所における個々の個所の表面電位と対
応して静電誘導によって個別の電圧検出用電極Ｅ　Ｄｉ
、　Ｅ　Ｄ２．　Ｅ　Ｄ３−Ｅ　Ｄｎに生じた電圧と対
応している電圧が、時間軸上に直列的に出力端子類に送
出されることになる。

じたがって、例えば第１２図示のように複数の電圧検出
用電極ＥＤ１．ＥＤ２．ＥＤ３−ＥＤｎが１直線上に配
列しているように設けられている検出ヘッドと被検出体
とを、前記した複数の電圧検出用電極Ｅ　ＤＩ、　Ｅ　
Ｄ２．　Ｅ　Ｄ３−Ｅ　Ｄｎが整列している方向と直交
する方向に相対的に移動させると、被検出体に形成され
ている２次元的な電荷像と対応している時系列的な電気
信号が出力端子１０に送出されることになる。

前記した第１２図示の検出ヘッドは、複数の電圧検出用
電極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３−ＥＤｎや接続線Ｑｌ−Ｑ
ｎなどを周知の薄膜技術によって基体ＢＰに形成させた
構成態様のものである。

さて、第１９図示のように検出ヘッドＥＤＡを被検出体
０の上面に近接して配置した状態とし。

第１１図を参照して説明したようにシフトレジスタＳＲ
からのスイッチングパルスＰＬ、Ｐ２．　Ｆ３・・・が
順次に出力されるのにもｔって次々にオンの状態にされ
る個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ　Ｆｌ
、　Ｓ　Ｆ２．Ｓ　Ｆ３−５　Ｆ　ｎのソース側から。

被検出体の複数個所におけるＸ方向に整列している個々
の個所の表面電位と対応して静１１！誘導によって個別
の電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３・・・ＥＤｎ
に生じた電圧と対応する電圧が、時間軸上に直列的に並
んでいる１ブロツクの時系列４４号として出力端子１０
に送出されるようにし、前記した個別の電圧検出用電極
Ｅ　Ｄｉ、Ｅ　Ｄ２．Ｅ　Ｄ３・・・ＥＤｎに生じた電
圧のすべてに対応している電圧が時間軸上に直列的に並
んだ状態の１ブロツクの時系列信号が得られる度毎に入
力端子２０にリセットパルスＰｒを供給してリセット用
スイッチング手段を動作させ、前記したリセットパルス
が供給された時点において、すべての電圧検出用電極Ｅ
Ｄ１、ＥＤ２．ＥＤ３・・・ＥＤｎの電位とすべての電
圧検出用電界効果トランジスタＤＦＩ、ＤＦ２・・・の
ゲート電極の電位とはリセット電源の電圧Ｖｓｓに設定
される。

検出ヘッドＥＤＡは第１４図の（ａ）、（ｂ）に示され
ている矢印Ｘ方向について被検出体Ｏから１ブロツクの
時系列信号を出力し終ったときに前記のようにリセット
され、次に、被検出体Ｏと検出ヘッドＥＤＡとが第１４
図の（ａ）中の矢印Ｙの方向に所定の距離だけ相対的に
移動された後に、その移動された新たな位置における矢
印Ｘ方向について被検出体０から１ブロツクの時系列信
号を出力し、それが出力され終ったときに前記のように
リセットされるということを繰返して、被検出体○の表
面の２次元的な電荷像と対応する出力信号が検出ヘッド
ＥＤＡの出力端子ＩＱから送出されるのである。

第１４図の（ｂ）に示されているＡ−Ａ線、Ｂ−■３線
、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線などは、被検出体ＯのＹ方向にお
ける容具る位置で、検出ヘッドＥＤＡによって順次の１
ブロック信号を発生させたＸ方向の線を例示したもので
ある。

被検出体Ｏの表面電位を検出するのに、被検出体Ｏの表
面に電圧検出用電極ＥＤを接近させて、被検出体０の表
面電位に基づいて電圧検出用電極ＥＤに静電誘導により
生じた電圧を検出するようにした場合に、電圧検出用電
界効果トランジスタＤＦのソース電極側から検出ヘッド
ＥＤＡの出力端子１０に送出される出力電圧Ｖｏｕｔは
、電圧検出用電界効果トランジスタＤＦのゲートｉ′！
極の入力＠路側のＤ電容量の値をＣｉｎであるとし、ま
た。

被検出体Ｏの表面と電圧検出用電極ＥＤとの間の静電容
量をＣとし、被検出体０の表面電位をＶｆとすると、第
１５図中に示されている式のようなものとして表わされ
る。

また、前記したような構成の電圧検出電極回路は非常に
高いインピーダンスのものになるために、電圧検出用電
極ＥＤの電圧を取出す際にはインピーダンス変換回路を
介して取出すようにされるのであり、第１１図に例示さ
れている検出ヘッドにおいても、電圧検出用電極ＥＤ（
添字の記載を省Ｗ！８）を電圧検出用電界効果トランジ
スタＤＦ（添字の記載を省略）のゲート電極に接続し、
検出電圧がソース・フォロアー出力として得られるよう
にしているが、前記した電圧検出用電極ＥＤの電圧を取
出す際に用いられるインピーダンス変換回路が電界効果
トランジスタを使用して構成されてぃた場合には、Ｗｉ
界効果トランジスタにおけるドレイン電極からゲート電
極への漏洩電流により、電界効果トランジスタのゲート
電極の入力側回路の静電容量が充電されて、それにつれ
てゲート電極の電位が次第に上昇して行き、その電圧が
被検出体の表面電位と対応して０電誘導によって生じた
検出電圧値に重畳されるから、電界効果トランジスタの
ゲート電極の入力側回路の静電容量にドレイン電極・ゲ
ート電極間の漏洩電流によって充電した電荷を放電させ
るためにリセット手段が適用される。

前記のように電界効果トランジスタのゲート電極の入力
側回路のＷｐ電容量が電界効果トランジスタのドレイン
電極・ゲート電極間の漏洩電流によって充電されること
によりゲート電極の電位が時間の経過につれて次第に上
昇して行く状態と、１！界効果トランジスタのゲニト電
極の入力側回路の静電容量にドレインａｍ・ゲートｆｔ
極間の漏洩電流によって充電した電荷をリセット手段に
よって放電させた状態とは第１６図に例示されていると
おりであって、第１６図の（ａ）において、Ｓ　Ｗ　ｒ
はリセット手段として用いられているスイッチであり、
また、Ｃｉ　ｎは電圧検出用電界効果トランジスタＤＦ
のゲート電極の入力回路側の静電容量であり、ｉは電圧
検出用電界効果トランジスタＤＦのドレイン電極・ゲー
ト電極間の漏洩電流であり、また、第１６図の（ｂ）に
は第１６図の（ａ）におけるスイッチＳＷｒをオンの状
態（リセットの状態）にして電圧検出用電界効果トラン
ジスタＤＦのゲート電極の入力回路側の静電容量Ｃｉｎ
に蓄積された電荷を放電した後に、前記のスイッチＳＷ
ｒがオフの状態にされると、電圧検出用電界効果トラン
ジスタＤＦのゲート電極の入力ｖＪＮ側の静電容１ｃｉ
ｎが再びドレイン電極・ゲート電極間の漏洩電流ｉによ
って充電されて電圧検出用電界効果トランジスタＤＦの
ゲート電極の電位が次第に上昇されて行く状態を示して
いる。

第１８図の（ａ）、（ｂ）は、前記のように電圧検出電
極回路トランジスタＤＦのゲート電極の入力回路側の静
電容量Ｃｉｎがドレイン電極・ゲート電極間の漏洩電流
ｉによって充電されて行くことによって生じる電圧検出
用電界効果トランジスタＤＦのゲート［極の電位上昇に
対するリセット動作が、被検出体○における表面の電荷
像の電界が及ばない部分に電圧検出用電極ＥＤが位置し
ている状態（例えば、第１４図の（ｂ）でＡ−Ａ線の位
置、あるいは第１８図の（ａ）でリセットという表示で
矢印で示している場所）で行われた場合の説明図であり
、第１８図の（ａ）において０は被検出体であり、また
、前記した被検出体０の上方に示されているＥＤは電圧
検出用電極であって、前記した被検出体０の下方に示さ
れているグラフは被検出体Ｏの表面電位の分布状態を示
している。

第１８図の（ｂ）は、第１８図の（８）に示されている
ような表面電位分布を有する被検出体Ｏの表面電位の検
出を、第１８図の（ａ）中の被検出体０の上方に示され
ている電圧検出用電極ＥＤが図中にリセットと表示しで
ある位置（第１８図の（ｂ）においてはリセットパルス
Ｐｒが表示されている位置）でリセットした後に、電圧
検出用電極ＥＤを左方から右方に移動させて行った場合
の検出電圧の時間軸上での変化の状態を示しており、第
１８図の（ａ）、（ｂ）におけるａ、ｂの表示は、互に
対応している部分の対応関係を示すための符号である。

第１８図め（ａ）において電圧検出用電極ＥＤにリセッ
ト動作が行われた位置は第１４図の（ｂ）における検出
ヘッドＥＤＡが線Ａ−Ａｆｉ位置と対応しており、前記
のリセットにより電圧検出用電極ＥＤの電位は、第１４
図のＣＱ）と第１８図の（ｂ）に示されている。リセッ
ト電圧Ｖｓｓに設定される′ことになる。

そして、前記のように電圧検出用電界効果１−ランジス
タＤＦのゲート電極の電位上昇に対するリセット動作が
、被検出体Ｏにおける表面の電荷像の電界が及ばない部
分に電圧検出用電極ＥＤが位置している状態で行われて
、リセット動作により電圧検出用電極ＥＤがリセット電
圧Ｖ　ｓ　ｓに設定された後に、電圧検出用ｆｔ１極Ｅ
Ｄが被検出体○の電荷像による表面電位の検出位置に移
動されて電圧検出用電極ＥＤによって検出される電圧は
、第１８図の（ａ）に示されている被検出体０の電荷像
による表面電位と対応している第１８図の（ｂ）に示さ
れるようなものになる。

ところが、電圧検出用電界効果トランジスタＤＦのゲー
ト電極の電位上昇に対するリセット動作が、被検出体０
における表面の電荷像の電界が及ばない部分に電圧検出
用電極ＥＤが位置している状態（例えば、第１４図の（
ｂ）でＡ−Ａ線の位置、あるいは第１８図の（ａ）でリ
セットという表示で矢印で示している場所）で行われる
ようにされた場合におけろ前記のリセット動作は、被検
出体Ｏから検出ヘッドＥＤＡを離隔させた状態で行われ
るものであるから、前記のリセット動作は被検出体○上
の全電荷像の検出が終了した後に一回だけ行われるよう
にされるが、被検出体０上の全電荷像の検出には比較的
に長い時間が必要とされるから、その間に電圧検出用電
界効果トランジスタＤＦのゲート電極の入力回路側の静
１！容量Ｃｉｎがドレイン電極・ゲート電極間の漏洩電
流ｉによる充電によって電圧検出々力が飽和状態になる
ことも生じる。

前記の問題点の解決のためには、前記した電圧検出用電
界効果トランジスタＤＦのゲート電極の電位上昇に対す
るリセット動作が、例えば、第１４図（７）（ｂ）にお
けるＢ−Ｂ、１！、Ｃ−ＣＭ、Ｄ−Ｄ線のような各線の
位置における被検出体０の表面電位の検出が終了する度
毎に行われるようにすればよい。

ところが、前記のように電圧検出用電界効果トランジス
タＤＦのゲート電極の電位上昇に対するリセット動作が
１例えば第１４図の（ｂ）におけるＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線
、Ｄ−Ｄ線のように被検出体０の表面電位分布による電
界が存在している部分で行われた場合には、第１４図の
（ｂ）におけるＣ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ＠などの各線の位置の
検出電圧値が、その部分の表面電位と対応しているもの
ではなく、リセットされる以前に検出されていた電圧値
と、リセットされた後に検出された電圧値との差の電圧
値になるという問題が生じる。

第１４図の（ｄ）、（ｅ）及び第１８図の（ｃ）、（ｄ
）は前記した問題点の説明に使用される図であって、第
１４図の（ｄ）は検出ヘッドＥＤＡによる被検出体０の
Ｂ−Ｂ線位置におけるＸ方向の検出電圧出力を示し、ま
た、第１４図の（ｅ）における実線図示の曲線は、検出
ヘッドＥＤＡにより被検出体０のＢ−８１位置における
Ｘ方向の電位分布の検出の終了後にリセットが行われ１
次に検出ヘッドＥＤＡにより被検出体０におけるＣ−Ｃ
線位置におけるＸ方向の電位分布の検出が行われた場合
の検出電圧出力であるが、この第１４図の（ｅ）におけ
る実線図示の曲線で示される検出電圧出力は、被検出体
０のＣ−Ｃ線位置における実際の電位分布と対応してい
る第１４図の（８）中で点線で示しであるような電圧分
布を示してはいない。

すなわち、第１４図の（ｅ）における実線図示の曲線で
示される検出電圧出力は、被検出体ＱのＣ−ｃｍ位置に
おける実際の電位分布と対応している第１４図の（θ）
中で点線で示しである電圧分布ト、検出ヘッドＥＤＡに
よる被検出体ＯのＢ−Ｂ線位置におけるＸ方向の検出電
圧出力を示している第１４図の（ｄ）に示されている検
出電圧出力との差電圧である。

第１８図の（Ｑ）、（ｄ）は前記のように電圧検出用電
界効果トランジスタＤＦのゲート電極の入力回路側の静
電容量Ｃｉｎがドレイン電極・ゲート電極間の漏洩電流
ｉによって充電されて行くことによって生じる電圧検出
用電界効果トランジスタＤＦのゲート電極の電位上昇に
対するリセット動作が、被検出体０における表面の電荷
像の電界が及んでいる部分に電圧検出用電極ＥＤが位置
している状態（例えば、第１８図の（Ｑ）のａ点の位置
で示している場所）で行われた場合の説明図であり、第
１８図のＣＱ）において０は被検出体であり、また、前
記した被検出体Ｏの上方に示されているＥＤは電圧検出
用電極であって、前記した被検出体０の下方に示されて
いるグラフは被検出体Ｏの表面電位の分布状態を示して
いる。

第１８図の（ｄ）は、第１８図の（Ｑ）に示されている
ような表面電位分布を有する被検出体０の表面電位の検
出を、第１８図の（ｃ）中の被検出体Ｏの上方に示され
ている電圧検出用電極ＦＤが図中にリセットと表示しで
ある位置ａ　（第１８図の（ｄ）においてはリセットパ
ルスＰｒが表示されている位［ａ　）でリセットした後
に、Ｗｔ電圧検出用電極Ｄを左方から右方に移動させて
行った場合の検出電圧の時間軸上での変化の状態を示し
ており、第１８図のＣＧ＞、（ｄ）におけるａ、ｂの表
示は、互に対応している部分の対応関係を示すための符
号である。

第１８図の（ｃ）において電圧検出用電極ＥＤにリセッ
ト動作が行われた位９１ａは第１４図の（ｂ）における
検出ヘッドＥＤＡが例えばＭＢ−Ｂ線位置と対応してお
り、前記のリセットにより電圧検出用電極ＥＤの電位は
、第１４図の（ｄ）と第１８図の（ｄ）に示されている
リセット電圧Ｖｓｓに設定されることになる。

それで、前記のように電圧検出用電界効果トランジスタ
ＤＦのゲート電極の電位上昇に対するリセット動作が、
被検出体０における表面の電荷像の電界が及んでいる部
分に電圧検出用電極ＥＤが位置している状態で行われて
、リセット動作により電圧検出用電極ＥＤがリセット電
圧Ｖｓｓに設定された後に前記のリセット動作が解除さ
れ１次いで、電圧検出用電極ＥＤが被検出体○の電荷像
による表面電位の次の検出位置に移動されたときに電圧
検出用電極ＥＤによって検出される電位分布は、第１８
図の（Ｑ）に示されている被検出体０の電荷像による表
面電位と対応している第１８図の（ｄ）に点線図示の曲
線で示すような電圧分布ではなく、前記したリセット動
作が行われた点ａの電圧がリセット電圧Ｖｓｓに設定さ
れた状態の第１８図の（ｄ）に実線図示の曲線で示すよ
うな電圧分布として現われるのである。

第１７図の（ａ）は第１８図の（ｃ）の被検出体０にお
けるａ点でリセット動作が行われたときの状態を示して
おり、また、第１７図の（ｂ）は第１８図の（ｃ）の被
検出体Ｏにおけるａ点においてリセット動作が行われた
後にリセット動作が解除された状態を示している。この
第１７図の（ａ）、（ｂ）に示されている動作態様を見
れば、前記のように電圧検出用電界効果トランジスタＤ
Ｆのゲート電極の電位上昇に対するリセット動作が、被
検出体０における表面の電荷像の電界が及んでいる部分
に電圧検出用電極ＥＤが位置している状態で行われて電
圧検出用電極ＥＤがリセット電圧Ｖ　ｓ　ｓに設定され
た後に前記のリセット動作が解除され。

次いで、電圧検出用１ｉＥＤが被検出体０の電荷像によ
る表面電位の次の検出位置に移動されたときに電圧検出
用１１！極ＥＤによって検出される電位分布が、第１８
図の（ｄ）に実線図示の曲線で示すような電圧分布とし
て現すれることが容易に理解できる。

第１９図に示されている既提案の表面電位分布と対応す
る電気信号の発生装置は、検出ヘッドＥＤＡにおける電
圧検出用電極ＥＤと被検出体０の表面との間隔が、空間
に設定された２つの所定の位置の間で変化されるように
しておき、また、電圧検出用電界効果トランジスタＤＦ
におけるドレイン・ゲート間の漏洩電流によるゲート電
極の電位上昇に対するリセット動作を、例えば、第１４
図の（ｂ）におけるＢ−Ｂｆｉ、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線の
ような各線の位置↓こおける被検出体Ｏの表面電位の検
出が終了する度毎に行われるようにして検出電圧を飽和
させないようにした際における電圧検出のタイミングと
リセット動作の開始とリセット動作の解除のタイミング
とを、電圧検出用電極ＥＤと被検出体Ｏとの前記したよ
うな間隔と関連させて第２０図に示されるようなものに
設定して、その際に検出される電圧が被検出体の表面電
位分布と対応している状態のものとして得られるように
しているのであり、前記の第１９図示の既提案の表面電
位分布と対応する電気信号の発生装置が、例えば第１４
図の（ｂ）におけるＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ、ｌ、Ｄ−Ｄ線の
ような各線の位置における被検出体０の表面電位の検出
が終了する度毎に行われるようにして検出電圧を飽和さ
せないようにした際における電圧検出のタイミングとリ
セット動作の開始とリセット動作の解除のタイミングと
を、第２０図の（、）に示されている電圧検出用電極Ｅ
Ｄと被検出体Ｏとの間隔の変化態様に関連させて第２０
図の（ｂ）、（ｃ）に示すように設定して実施された場
合には、第１９図中に示されている変位駆動袋！ｔ！Ｂ
　ＧＭが信号発生器ＳＧで発生された駆動信号によって
、第１９図中の実線位置の検出ヘッドＥＤＡのように、
検出ヘッドＥＤＡにおける電圧検出用電極ＥＤが被検出
体Ｏの表面に近接した状態になされた状態において被検
出体０の表面電位と対応して静電誘導によって電圧検出
用電極ＥＤに生じた電圧が出力されるようにし、また、
変位ｙＪＡ′＃Ｊ装置！Ｂ　ＧＭが信号発生器ＳＧで発
生された駆動信号によって第１９図中の点線位置の検出
ヘッドＥＤＡのように、検出ヘッドＥＤＡにおける電圧
検出用ｍ極ＥＤが被検出体Ｏの表面から充分に離隔され
た状態、すなわち、電圧検出用電極ＥＤと被検出体Ｏと
の距離を第１５図中に示されている式中の静電容量値Ｃ
がＣｉｎの値よりも非常に小さい状態となるまで変化さ
せて、被検出体Ｏの表面電位と対応して電圧検出用電極
ＥＤに静電誘導で生じる電圧が充分に小さい電圧となさ
れるような状態において既述のようなリセット動作が行
われるのであり、また第１９図示の既提案の表面電位分
布と対応する電気信号の発生装置が、例えば第１４図の
（ｂ）におけるＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄｌｉのよう
な各線の位置における被検出体０の表面電位の検出が終
了する度毎に行われるようにして検出電圧を飽和させな
いようにした際における電圧検出のタイミングとリセッ
ト動作の開始とリセット動作の解除のタイミングとを、
第２０図の（、）に示されている電圧検出用電極ＥＤと
被検出体○との間隔の変化態様に関連させて第２０図の
（ｄ）、（ｅ）に示すように設定して実施された場合に
は、第１９図中に示されている変位駆動装置ＢＧＭが信
号発生器ＳＧで発生された駆動信号によって、第１９図
中の実線位置の検出ヘッドＥＤＡのように、検出ヘッド
ＥＤＡにおける電圧検出用電極ＥＤが被検出体Ｏの表面
に近接した状態になされた状態において既述のようなリ
セット動作が行われた後にリセット動作の解除が行われ
、次いで、変位駆動装置ＢＧＭが信号発生器ＳＧで発生
された駆動信号によって第１９図中の点線位置ノ検出ヘ
ッドＥＤＡのように、電圧検出圧電ｔＭＥＤと被検出体
０との距離を第１５図中に示されている式中の静電容量
値ＣがＣｉ　ｎの値よりも非常に小さい状態となるまで
変化させて、被検出体０の表面電位と対応して電圧検出
用電極ＥＤに静電誘導で生じる電圧が充分に小さい電圧
となされるような状態に検出ヘッドＥＤＡにおける電圧
検出用ｆｉｔ！ｉＥＤが被検出体Ｏの表面から充分に離
隔された状態において、前記のように検出ヘッドＥＤＡ
における電圧検出用電極ＥＤが被検出体Ｏの表面に近接
した状態で行われたリセット動作の解除時に被検出体Ｏ
の表面電位と対応して静電誘導によって電圧検出用電極
ＥＤに生じた電圧が出力されるようにするのである。

第１９図中における矢印Ｕは、電圧検出用電極ＥＤと被
検出体０との間隔の変化態様を示すためのものであり、
また、第２０図の（ｂ）〜（ｅ）における（ｂ）、（ｄ
）は、電圧検出用電極ＥＤと被検出体Ｏとの間隔が小さ
くなされる所定の位置に電圧検出圧電（７Ｂｏが位置さ
れる期間と、電圧検出用電極ＥＤと被検出体０との間隔
が大きくなされる所定の位置に電圧検出用電極ＥＤが位
置される期間とのそれぞれの期間の全体が電圧検出動作
とリセット動作とに使用される場合の例であり、また。

第２０図の（ｂ）〜（ｅ）における（ｃ）、（ｅ）は電
圧検出用電極ＥＤと被検出体Ｏとの間隔が小さくなされ
る所定の位置に電圧検出用電極ＥＤが位置される期間の
一部と、電圧検出用電極ＥＤと被検出体Ｏとの間隔が大
きくなされる所定の位置に電圧検出用↑電極ＥＤが位置
される期間の一部だけに電圧検出動作とリセット動作と
が行われる場合の例である。

第１９図示の既提案の表面電位分布と対応する電気信号
の発生装置が、例えば第１４図の（ｂ）におけるＢ−Ｂ
ａ、ｃ−ｃｍ、Ｄ　−Ｄ！（７）ような各線の位置にお
ける被検出体０の表面電位の検出が終了する度毎に行わ
れるようにして検出電圧を飽和させないようにした際に
おける電圧検出のタイミングとリセット動作の開始とり
セラ１へ動作の解除のタイミングとを、第２０図の（ａ
）に示されている電圧検出用ｆＵ４Ｅｏと被検出体Ｏと
の間隔の変化態様に関連させて第２０図の（ｂ）、（Ｑ
）に示すように設定して実施した場合と第２０図の（ａ
）に示されている電圧検出用電極ＥＤと被検出体０との
間隔の変化態様に関連させて第２０図の（ｄ）。

（ｅ）に示すように設定して実施した場合とでは、出力
される電圧の極性が逆になるが、何れにしてもこの第１
９図示の表面電位分布と対応する電気信号の発生装置に
おいては、被検出体の表面電位分布と対応している状態
の電圧が検出されるのである。

（発明が解決しようとする問題点） 第１９図に示されている既提案の表面電位分布と対応す
る電気信号の発生装置では、これまで第１１図乃至第１
８図を参照して説明したところからも判かるように、検
出ヘッドＥＤＡにおける電圧検出用電極ＥＤと被検出体
Ｏの表面との間隔が。

空間に設定された２つの所定の位置の間で変化されるよ
うにしておき、また、電圧検出用電界効果トランジスタ
ＤＦにおけるドレイン・ゲート間の漏洩電流によるゲー
ト電極の電位上昇に対するリセット動作を１例えば、第
１４図の（ｂ）におけるＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線−Ｄ−Ｄ線
のような各線の位置における被検出体０の表面電位の検
出が終了する度毎に行われるようにして検出電圧を飽和
させないようにした際における電圧検出のタイミングと
リセット動作の開始とリセット動作の解除のタイミング
とを、電圧検出用電極ＥＤと被検出体Ｏとの前記したよ
うな間隔と関連させて第２０図に示されるようなものに
設定することにより、被検出体の表面電位分布と対応し
ている状態の検出電圧が得られるので、この第１９図示
の既提案の装置によって従来の問題点は解決できたが、
これまでの説明からも判かるように、第１９図示の既提
案の表面電位分布と対応する電気信号の発生装置では、
それの実施に際して検出ヘッドＥＤＡにおける電圧検出
圧電ＪＩＥＤと被検出体０の表面との間隔が、空間に設
定された２つの所定の位置の間で変化されるようになさ
れることが必要とされるために機械的な振動機構を用い
なければならず、したがって、構成が大掛かりになると
いう欠点がある他、振動の発生や騒音の発生などが問題
になり、記録再生袋に、撮像型記録再生装置などの構成
に当っては前記のような諸欠点の無い装置の出現が望ま
れた。

（問題点を解決するための手段） 本発明は記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像が
形成される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静１ｔ
ｔＦＪ導で生じた電圧がゲート電極に与えられる電圧検
出用電界効果トランジスタと、前記の電圧検出用電界効
果トランジスタにおける入力側回路の静電容量に前記の
電圧検出用電界効果トランジスタのドレイン電極・ゲー
ト′ｅ＃＠間の漏洩電流によって充電した電荷を放電さ
せるためのリセット手段とを含んで構成されている電荷
潜像による記録再生装置において、電荷潜像形成部材の
記録再生領域からの電荷潜像の再生動作が、記録再生対
象の情報信号と対応する電荷Ｎ像による表面電位分布を
示す第１の領域と、予め定められた一定の表面電位分布
を示す第２の領域とについて順次交互に行われるように
する手段と、前記した第１の領域と第２の領域とにおけ
る予め定められた一方の領域においてリセット動作が行
われるようにする手段とを備えてなる電荷潜像による記
録再生装置、及び、記録再生対象の光学像情報と対応す
る電荷潜像が形成される電荷潜像形成部材の表面電位に
応じて静ｔｔｔ誘導で生じた電圧がゲート電極に与えら
れる電圧検出用電界効果トランジスタと、前記の電圧検
出用電界効果トランジスタにおける入力側回路の静電容
量に前記の電圧検出用電界効果トランジスタのドレイン
電極・ゲートｔ！！極間の漏洩電流によって充電した電
荷を放電させるためのリセット手段とを含んで構成され
ている電荷潜像による撮像型記録再生装置において、被
写体と電荷潜像形成部材との間に、記録再生対象の情報
信号と対応する電荷潜像による表面電位分布を示す第１
の領域と、予め定められた一定の表面電位分布を示す第
２の領域とを形成させるようにするマスク部材を設け、
また、電荷潜像形成部材の記録再生領域からの電荷潜像
の再生動作が、ｌＩＥ録再主再生対象報信号と対応する
電荷潜像による表面電位分布を示す第１の領域と、予め
定められた一定の表面電位分布を示す第２の領域とにつ
いて順次交互に行われるようにする手段と、前記した第
１の領域と第２の領域とにおける予め定められた一方の
領域においてリセット動作が行われるようにする手段と
を備えてなる電荷潜像による撮像型記録再生装置、なら
びに記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像が形成
される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電誘導で
生じた電圧がゲート電極に与えられる電圧検出用電界効
果トランジスタと、前記の電圧検出用電界効果トランジ
スタにおける入力側回路の静電容量に前記の電圧検出用
電界効果トランジスタのドレイン電極・ゲート電極間の
漏洩電流によって充電した電荷を放電させるためのリセ
ット手段とを含んで構成されている電荷潜像による記録
再生装置において。

電荷潜像形成部材の記録再生領域における記録再生対象
の情報信号と対応する電荷潜像による表面電位分布を示
す第１の領域と、予め定められた一定の表面電位分布を
示す第２の領域とのそれぞれの領域について１表面型位
分布の検出動作とリセット動作とが順次に行われるよう
にする手段と。

前記した第１の領域における検出々力と第２の領域にお
ける検出々力とを減算して出力信号を得る手段とを備え
てなる電荷潜像による記録再生装置を提供するものであ
る。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の電荷潜像による記録
再生装置の具体的な内容について詳細に説明する。第１
図は本発明の電荷潜像による記録再生装置における電荷
潜像形成部材の記録再生領域に対する検出ヘッドによる
再生動作を説明するための電荷潜像形成部材の記録再生
領域と検出ヘッドとの対応関係を示すための平面図であ
り、第１図においてＥＤＡは検出ヘッドであって、この
検出ヘッドＥＤＡは第１図中のＸ方向に主走査が行われ
るとともに、第１図中のＹ方向に副走査が行われるよう
になもので、前記の検出ヘッドＥＤＡとしては第１９図
示の既提案装置に関連して第１１図乃至第１３図を参照
して既述されているような構成態様のものが使用されて
もよい。

第１図においてＲＺ　４ｔ、電荷潜像形成部材（第２図
中に符号ＣＨＬで示されている）における記録再生領域
を例示したもので、この電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録
再生領域ＲＺ中において、ＴＲＩ。

ＴＲ２・・・のようにＴＲ（ＴＲＩ、　′ｒＲｚ・・・
のように。

それぞれの部分を区別することなく表示する場合には、
添字の１，２記載が省略される）として表示されている
それぞれの領域は、電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生
領域ＲＺにおいて記録再生対象の情報信号と対応する電
荷潜像による表面電位分布を示す第１の領域であり、ま
た、電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺ中にお
いて、ＯＰＩ、ＯＦ２・・・のように０Ｐ（ＯＰＩ、Ｏ
Ｆ２・・・のように、それぞれの部分を区別することな
く表示する場合には、添字の１，２記載が省略される）
として表示されているそれぞれの領域は、電荷潜像形成
部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおいて予め定められた
一定の表面電位分布を示す第２の領域である。

そして、本発明の電荷潜像による記録再生装置において
、記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像による記
録が行われている電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領
域ＲＺに電荷像として記録されている情報信号の再生が
行われる場合には。

電荷潜像形成部材ＣＨＬにおける記録再生領域ＲＺの電
荷像の検出に用いられる検出ヘッドＥＤＡが、電荷潜像
形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおいて記録、再生
対象の情報４８号と対応する電荷潜像による表面電位分
布を示す第１の領域ＴＲと。

予め定められた一定の表面電位分布を示す第２の領域Ｏ
Ｐとに順次交互に位置するようになされるとともに、前
記した第１の領域ＴＲと第２の領域ｏＰとにおけろ予め
定められた一方の領域において読出し動作が行われたと
きには、前記の読出し動作が行われなかった他方の領域
においてはリセット動作が行われるようになされるので
ある。

前記の点を具体的に説明すると次のとおりである。すな
わち、例えば、電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域
ＲＺに電荷像として記録されている情報信号の読出しに
当って、検出ヘッドＥＤＡが電荷潜像形成部材ＣＨＬの
記録再生領域ＲＺにおける第１の領域ＴＲＩ、ＴＲ２・
・・において読出し動作が行われるようになされたとき
には、前記の読出し動作が行われなかった他方の領域、
すなわち、第２の領域ＯＰＩ、ＯＰ２・・・においてリ
セット動作が行われるようになされるのであり、また前
記の場合とは逆に１例えば、電荷潜像形成部材ＣＨＬの
記録再生領域ＲＺに電荷像として記録されている情報信
号の読出しに肖って、検出ヘッドＥＤＡが電荷潜像形成
部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおける第２の領域○Ｐ
Ｉ、○Ｐ２・・・において読出し動作を行うようになさ
れたときには、前記の読出し動作が行われなかった他方
の領域、すなわち、第１の領域ＴＲＩ、ＴＲ２・・・に
おいてリセット動作が行われるようになされるのである
。

そして、ｔｌｉ荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域Ｒ
Ｚに電荷像として記録されている情報信号の読出し動作
とリセット動作とが検出ヘッドＥＤＡによって前述のよ
うな態様、すなわち、検出ヘッドＥＤＡが電荷潜像形成
部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおける第１の領域ＴＲ
Ｉ、ＴＲ２・・・と、第２の領域ＯＰ１．ＯＰ２・・・
との何れか一方の予め定められた領域において読出し動
作が行われ、また。

前記の読出し動作が行われなかった他方の領域において
リセット動作が行われるようになされたときは、第１９
図を参照して説明した既提案の装置における電荷像によ
る情報信号の読取り動作及びリセット動作と同様な電荷
像による情報信号の読取り動作及びリセット動作とが、
検出ヘッドＥＤＡを振動させない状態で良好に行うこと
ができるのである。

なお、前記のように検出ヘッドＥＤＡによる読取り動作
が電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおける
第１の領域ＴＲＩ、ＴＲ２・・・で行われるとともにリ
セット動作が第２の領域ＯＰ１゜ＯＦ２・・・で行われ
た場合と、検出ヘッドＥＤＡによる読取り動作が電荷潜
像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおける第２の領
域ＯＰＩ、ＯＰ２・・・で行われるとともにリセット動
作が第１の領Ｉ！１ＩＴＲ１，ＴＲ２・・・で行われた
場合とでは検出ヘッドＥＤＡから出力される検出信号の
極性が逆になるが、この点は＠１９図示の既提案装置に
ついて説明したところと同様である。

前記のように本発明装置では、電荷潜像形成部材ＣＦｉ
　Ｌの記録再生領域ＲＺに電荷像として記録されている
情報信号の読出しに当って行われる電荷潜像形成部材Ｃ
ＨＬの記録再生領域からの電荷潜像の再生動作が、記録
再生対象の情報信号と対応する電荷潜像による表面電位
分布を示す第１の領域ＴＲと、予め定められた一定の表
面電位分布を示す第２の領ｆ！ｊ、ＯＰとについて順次
交互に行われるとともに、前記した第１の領域ＴＲと第
２の領域ＯＰとにおける予め定められた一方の領域に・
・おいてリセット動作が行われるようにされるのである
が、電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺに記録
再生対象の情報信号と対応する電荷潜像による表面電位
分布を示す第１の領域ＴＲと、予め定められた一定の表
面電位分布を示す第２の領域ＯＰとが順次交互に配列さ
れるべき前記した第１の領域ＴＲと第２の領域ＯＰとの
２つの領域は、例えば（１）電荷潜像形成部材ＣＨＬの
記録再生領域Ｒ，Ｚに記録再生対象の情報信号を電荷像
として２！録させる記録動作時に前記２つの領域が形成
されるようにしたり、あるいは例えば、　（２）電荷潜
像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺに電荷像として記
録されている記録再生対象の情報信号を再生する際の再
生動作時に前記２つの領域が形成されるようにしたり、
もしくは例えば（３）電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再
生領域ＲＺに記録再生対象の情報（ｉ号を電荷像として
記録させるべき電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域
ＲＺ自体の構成態様によって前記２つの領域が形成され
るようにしたりするのである。

第２図は電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺに
、記録再生対象の光学像を電荷像として記録媒体Ｄ（第
２図示の例では記録媒体円盤りとして示されている）に
記録させるように構成した記録再生装置において、被写
体Ｑと電荷潜像形成部材ＣＨＬとの間の光路中に光透過
部分と光遮断部分とによる所定のパターンを有する光学
的なマスク部材ＰＭＰを配置して、電荷潜像形成部材Ｃ
ＨＬの記録再生領域ＲＺに記録再生対象の情報信号と対
応する電荷潜像による表面電位分布を示す第１の領域Ｔ
Ｒと、予め定められた一定の表面電位分布を示す第２の
領域○Ｐとが順次交互に配列されている状態のものが記
録動作時に得られるようにさせた場合の記録再生装置の
構成例を示している図である。

第２図において、Ｄは導電性材料で構成された電極Ｅｔ
と電荷潜像形成部材ＣＨＬとを備えた記録媒体円盤であ
り、この記録媒体円盤りは回転軸または回動軸１が第３
図中の矢印Ｒの方向に回動することによって、被写体Ｑ
の光学像と対応する電荷像が領域ＲＺＩ、ＲＺ２・・・
に順次に記録されて行くようになされている。

第２図示に示されている記録媒休日Ｉ！ｌＤにおいては
、電極Ｅｔが記録媒体円盤りの基板と兼用とされている
。また、記録媒体円盤りにおける電荷潜像形成部材ＣＨ
Ｌとしては、それに形成された電荷像を長時間にわたっ
て保持できるような高い絶縁性を有する材料層、例えば
高分子材料による絶縁層として構成されたものを用いる
ことができる。なお、記録媒体りの形態としては回転円
盤に限られないことは勿論である。

第２図に示されている記録再生装置において。

被写体性からの光は場像レンズ■、を介して、ガラス基
板ＢＰと、透明［４４Ｅｔｗと、光透過部分と光遮断部
分とによる所定のパターンを有する光学的なマスクＰＭ
Ｐと、光導電層部材ＰＣＥとを積層して構成させである
光学像−電荷像変換部材における光導電層部材ＰＣＥに
結像される。前記した光透過部分と光遮断部分とによる
所定のパターンを有する光学的なマスクＰＭＰは、被写
体９と光導電層部材ＰＣＢとの間の光路中のどの部分に
設けられてもよい。

前記した光学像−電荷像変換部材における電極Ｅｔｗと
、記録媒体円盤りにおけるｆｔｔ極Ｅｔとの間には、図
示されていない電源から一定の電圧が加えられているか
ら、被写体Ｑの光学像が結像された光導電層部材ＰＣＥ
の電気抵抗は、それに結像された被写体ａの光学像と対
応して変化しているものとなる。

それで、光学像−電荷像変換部材の端面、すなわち光導
電層部材ＰＣＥの端面には、被写体Ｑの光学像が光透過
部分と光遮断部分とによる所定のパターンを有する光学
的なマスクＰＭＰを透過した光学像と対応した電荷像パ
ターンが現われて、それにより記録媒体円盤りにおける
電荷潜像形成部材ＣＨＬには被写体ｑの光学像が光透過
部分と光遮断部分とによる所定のパターンを有する光学
的なマスクＰＭＰを透過した光学像と対応した電荷像が
形成される。

前記のように記録媒体りの記録再生領域ＲＺに対して記
録動作が行われている状態においては光学僧−電荷像変
換部材の端面、すなわち光導電層部材ＰＣＥの端面と記
録媒体円盤りにおける電荷潜像形成部材ＣＨＬの表面と
は密着した状態または両者が微小な間隔を隔てて対向し
ている状態となされるが、今１例えば、記録媒体りの記
録再生領域ＲＺにおけるある一つの記録再生領域ＲＺＩ
に対する記録動作が終了して１次の記録再生領域Ｒ，Ｚ
２の位置まで記録媒体円盤りが回転される際のように、
１つの記録再生領域から次の記録再生領域にまで記録媒
体円盤りが移動される際には。

光学像−電荷像変換部材の端面、すなわち光導電層部材
ＰＣＥの端面と記録媒体円盤りにおける電荷潜像形成部
材ＣＲＴ＝の表面が離隔した状態になされるのである。

前記した第２図中の記録再生装置に使用されている光学
的なマスク部材ＰＭＰは、例えば第４図の（ａ）にそれ
の一部が平面図として示されているような構成のもので
あり、この第４図の（ａ）に示されている光学的なマス
ク部材ＰＭＰにおいて２゜２・・・の部分は光の透過部
分であり、３，３・・の部分は光の遮断部分（例えば黒
色の部分）である。

この第４図の（ａ）に示されているような構成の光学的
なマスク部材ＰＭＰを介して被写体Ｑの光学像が与えら
れた光学像−電荷像変換部材における光導電層部材ＰＣ
Ｅには、光学的なマスク部材ＰＭＰにおける光の透過部
分２，２・・・の部分と対応する部分に被写体役の光学
像と対応した電気抵抗の変化が呪われ、また、光学的な
マスク部材ＰＭＰにおける光の遮断部分（例えば黒色の
部分）３゜３・・・と対応する光学像−電荷像変換部材
における光導電層部材ＰＣＥの部分は一定の高い電気抵
抗値を示す状態になされるから、この光学的なマスク部
材ＰＭＰを介して被写体への光学像が与えられた光学像
−電荷像変換部材における光導電層部材ＰＣＥの端部に
は、光学的なマスク部材ＰＭＰにおける光の透過部分２
，２・・・の部分と対応する部分に被写体Ｑの光学像と
対応した電荷像が形成されている領域（第１図の記録再
生領域ＲＺにおいて領域ＴＲＩ、ＴＲ２・・・とじて示
されている領域の形成に用いられる領域）が形成され、
また光学的なマスク部材ＰＭＰにおける光の遮断部分（
例えば黒色の部分）３，３・・・と対応する光学像−電
荷像変換部材における光導電層部材ＰＣＥの端部には、
一定な電位を示す領域（第１図の記録再生領域ＲＺにお
いて領域ＯＰ１．○Ｐ２・・・として示されている領域
の形成に用いられる領域）が形成される。

それで、第２図示の′Ｖ、録再主再生装置って記録媒体
円盤すにおける電荷潜像形成部材ＣＨＬに記録された被
写体ａと対応する電荷像は、被写体役の光学像が光透過
部分と光遮断部分とによる所定のパターンを有する光学
的なマスクＰＭＰを透過した光学像と対応した電荷像パ
ターンとなされるのであり、既述のように記録媒体用ｇ
ｌＤの電荷潜像形成部材ＣＨＬにおける記録再生領域Ｒ
Ｚの電荷像が検出ヘッドＥＤＡによって、電荷潜像形成
部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおいて記録再生対象の
情報信号と対応する電荷潜像による表面電位分布を示す
第１の領域ＴＲと、予め定められた一定の表面電位分布
を示す第２の領域ＯＰとに順次交互に位置するようにな
されるとともに、前記した第１の領域ＴＲと第２の領域
ＯＰとにおける予め定められた一方の領域において読出
し動作が行われ、前記の読出し動作が行われなかった他
方の領域においてはリセット動作が行われるようになさ
れることにより、第２図示の記録再生装置では第１９図
を参照して説明した既提案の装置における電荷像による
情報信号の読取り動作及びリセット動作と同様な電荷像
による情報信号の読取り動作及びリセット動作とが、検
出ヘッドＥＤＡを振動させない状態で良好に行うことが
できる。

また、前記のように検出ヘッドＥＤＡによる読取り動作
が電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおける
第１の領域ＴＲ１，ＴＲ２・・・で行われるとともにリ
セット動作が第２の領域○Ｐ１゜ＯＦ２・・・で行われ
た場合と、検出ヘッドＥＤＡによる読取り動作が電荷潜
像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおける第２の領
域ＯＰＩ、ＯＰ２・・・で行われるとともにリセット動
作が第１の領域ＴＲ１，ＴＲ２・・・で行われた場合と
では検出ヘッドＥＤＡから出力される検出信号の極性が
逆になるが、この点は第１９図示の既提案装置について
説明したところと同様である。

これまでの説明は被写体ａの光学像が第４図の（ａ）に
示されているように光透過部分と光遮断部分とによる所
定のパターンを有する光学的なマスクＰＭＰを透過した
光学像と対応した電荷像パターンとして記録媒体円盤り
における電荷潜像形成部材ＣＨＬに光学的なマスクＰＭ
Ｐを透過した光学像と対応した電荷像を形成させるよう
にした場合の実施例についてのものであったが、光学像
−電荷像変換部材における透明電極Ｅｔｗを２つの櫛歯
状の電ｆ４ｉ４．５として組合わせた構成形態の第４図
の（ｂ）に示されているような電気的なマスク部材とし
、前記した電気的なマスク部材を構成している２つの櫛
歯状のｉｔ［４，５の内の一方の電極４には記録媒体り
における電極Ｅｔとの間に図示されていない電源によっ
て所定の電圧が加わるようにするとともに、前記した電
気的なマスク部材を構成している２つの櫛歯状の電極４
，５の内の他方の電極５は、それを記録媒体りにお番プ
る電極Ｅｔと同電位とする（記録媒体りにおける電極Ｅ
ｔと直接に接続する）ことにより、前記した第４図の（
ａ）に示されているような構成の光学的なマスク部材Ｐ
ＭＰを使用した場合と同様な電荷像が記録媒体円盤りに
おける電荷潜像形成部材ＣＨＬに形成されるようにした
ものである。

なお、第４図の（ｂ）に示されている電気的なマスク部
材と、第４図の（ａ）に示されているような構成の光学
的なマスク部材ＰＭＰとは、それらのものを使用して形
成される電荷像と関連して次のような対応関係、第４図
の（ａ）に示されているような構成の光学的なマスク部
材ＰＭＰにおける光透過部分２，２・・・は、第４図の
（ｂ）に示されているような構成の電気的なマスク部材
を構成している２つの櫛歯状の電極４，５の内で、記録
媒体りにおける電極Ｅｔとの間で図示されていない電源
によって所定の電圧が加わるようにされる一方の電極４
と対応し、また、第４図の（ａ）に示されているような
構成の光学的なマスク部材ＰＭＰにおける光遮断部分３
，３・・・は、第４図の（ｂ）に示されているような構
成の電気的なマスク部材を構成している２つの櫛歯状の
電極４，５の内で、記録媒体りにおけるｆｉ！ｔ４ｉＥ
ｔと同電位にされる他方の電極５と対応している。

前記した第２図中の記録再生装置における光学像−電荷
像変換部材における電極Ｅｔｗとして。

例えば前記した第４図の（ｂ）にそれの一部が平面図と
して示されているような構成のものが使用された場合に
は、被写体咬の光学像が与えられた光学像−電荷像変換
部材における光導電層部材ｐｃＥにおいて前記した電気
的なマスク部材における電極４の部分と対応する部分に
は被写体状の光学像と対応した電気抵抗の変化が現われ
、また、被写体Ｑの光学像が与えられた光学像−電荷像
変換部材における光導電層部材ＰＣＥにおいて前記した
電気的なマスク部材における電極５の部分と対応する部
分は一定の高い電気抵抗値を示す状態になされるから、
この電気的なマスク部材を介して被写体砲の光学像が与
えられた光学像−電荷像変換部材における光導電層部材
ＰＣＨの端部には、電気的なマスク部材における電極４
の部分と対応する部分には、被写体σの光学像と対応し
た電荷像が形成されている領域（第１図の記録再生領域
ＲＺにおいて領域ＴＲＩ、ＴＲ２・・・として示されて
いる領域の形成に用いられる領域）が形成され、また電
気的なマスク部材における電極５の部分と対応する光学
像−電荷像変換部材における光導電層部材ＰＣＥの端部
には、一定な電位を示す領域（第１図の記録再生領域Ｒ
Ｚにおいて領域ＯＰ１゜ＯＦ２・・・として示されてい
る領域の形成に用いられる領域）が形成される。

それで、第２図示の記録再生装置によって記録媒体円盤
りにおける電荷潜像形成部材ＣＩ（Ｌに記録された被写
体代と対応する電荷像は、被写体αの光学像が前記した
電気的なマスク部材における電極４の部分と電極５の部
分とによる所定のパターンと対応した電荷像パターンと
なされるのであり、既述のように記録媒体円盤りの電荷
潜像形成部材ＣＨＬにおける記録再生領域ＲＺの電荷像
が検出ヘッドＥＤＡによって、電荷潜像形成部材ＣＨＬ
の記録再生領域ＲＺにおいて記録再生対象の情報信号と
対応する電荷潜像による表面電位分布を示す第１の領域
ＴＲと、予め定められた一定の表面電位分布を示す第２
の領域ｏＰとに順次交互に位置するようになされるとと
もに、前記した第１の領域ＴＲと第２の領域ｏＰとにお
ける予め定められた一方の領域において読出し動作が行
われ。

前記の読出し動作が行われなかった他方の領域において
はリセット動作が行われるようになされることにより、
第２図示の記録再生装置では第１９図を参照して説明し
た既提案の装置における電荷像による情報信号の読取り
動作及びリセット動作と同様な電荷像による情報信号の
読取り動作及びリセット動作とが、検出ヘッドＥＤＡを
振動させない状態で良好に行うことができる。

また、前記のように検出ヘッドＥＤＡによる読取り動作
が電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおける
第１の領域ＴＲＩ、ＴＲ２・・・で行われるとともにリ
セット動作が第２の領域ＯＰＩ。

ＯＦ２・・・で行われた場合と、検出ヘッドＥＤＡによ
る読取り動作が電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域
ＲＺにおける第２の領域ＯＰＩ、ＯＰ２・・・で行われ
るとともにリセット動作が第１の領域ＴＲＬ、ＴＲ２・
・・で行われた場合とでは検出ヘッドＥＤＡから出力さ
れる検出信号の極性が逆になるが。

この点は第１９図示の既提案装置について説明したとこ
ろと同様である。

次に、第５図に示されている記録再生装置は光学像−電
荷像変換部材における光導電層部材ＰＣＥと、記録媒体
円盤りにおける電荷潜像形成部材ＣＨＬとの間に所定の
パターンの静電遮蔽部を有する静電遮蔽マスク部材ＥＭ
Ｐを配置して、電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域
ＲＺに記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像によ
る表面電位分布を示す第１の領域ＴＲと、予め定められ
た一定の表面電位分布を示す第２の領域ＯＰとが順次交
互に配列されている状態のものが記録動作時に得られる
ようにさせた場合の記録再生装置の構成例を示している
図である。

第５図において、Ｄは導電性材料で構成された電極Ｅｔ
と電荷潜像形成部材ＣＨＬとを儂えた記録媒体円盤であ
り、この記録媒体円盤りにおける電荷潜像形成部材ＣＨ
Ｌとしては、それに形成された電荷像を長時間にわたっ
て保持できるような高い絶縁性を有する材料層１例えば
高分子材料による絶縁層として構成されたものが用いら
れる。

記録媒体りの形態としては回転円盤に限られないことは
勿論である。

第５図に示されている記録再生装置において。

被写体ｑからの光は撮像レンズＬを介して、ガラス基板
ＢＰと、透明電極Ｅｔｗと、光導電層部材ＰＣＥとを積
層して構成させである光学像−電荷像変換部材における
光導電層部材ＰＣＥに結像される。

前記した光学像−電荷像変換部材における電極Ｅｔｗと
、記録媒体円盤りにおけるｆ！！、極Ｅｔとの間には、
図示されていない電源から一定の電圧が加えられている
から、被写体Ｑの光学像が結像された光導電層部材ＰＣ
Ｅの電気抵抗は、それに結像された被写体ｑの光学像と
対応して変化しているものとなる。

それで、光学像−電荷像変換部材の端面、すなわち光導
電層部材ＰＣＥの端面には、被写体Ｑの光学像と対応し
た電荷像パターンが現われる。ところが、前記のように
被写体Ｑの光学像と対応した電荷像パターンが現われて
いる光学像−電荷像変換部材の端面、すなわち光導電層
部材ＰＣＢの端面と、記録媒体円盤りにおける電荷潜像
形成部材ＣＨＬとの間には、例えば第６図に例示されて
いるように金属板１４に孔１５，１５・・・を！３！設
して構成した所定のパターンの静電遮蔽部を有する静電
遮蔽マスク部材ＥＭＰが配置されており、そ九が記録媒
体円盤りにおける電極Ｅｔに接続されているから、前記
のように記録媒体りの記録再生領域ＲＺに対して記録動
作が行われている状態において、記録媒体円盤りの電荷
潜像形成部材ＣＩ−（Ｌにおいて、前記した所定のパタ
ーンの静電遮蔽部を有する静電遮蔽マスク部材ＥＭＰに
おける孔１５．１５・・・と対応している部分には、被
写体ξの光学像と対応した電荷像が形成されている領域
（第１図の記録再生領域ＲＺにおいて領域ＴＲ１゜ＴＲ
２・・・として示されている領域の形成に用いられる領
域）が形成され、また、記録媒体円盤りの電荷潜像形成
部材ＣＨＬにおいて、前記した所定のパターンの静電遮
蔽部と対応している部分には一定な電位を示す領域（第
１図の記録再生領域Ｒ２において領域ＯＰＩ、ＯＰ２・
・・として示されている領域の形成に用いられる領域）
が形成される。

それで、第５図示の記録再生装置によって記録媒体円盤
りにおける電荷潜像形成部材ＣＩ−Ｉ　Ｌに記録された
被写体Ｑと対応する電荷像は、被写体Ｑの光学像と対応
している電荷像が前記した所定のパターンの静電遮蔽部
を有する静電遮蔽マスク部材ＥＭＰにおける孔１５．１
５・・・と対応した電荷像パターンとなされるのであり
、既述のように記録媒体円盤りの電荷潜像形成部材ＣＨ
Ｌにおける記録再生領域ＲＺの電荷イ９が検出ヘッドＥ
　ｌ）　Ａによって、電荷潜像形成部材ＣＩ−ｉ　Ｌの
記録再生領域ＲＺにおいて記録再生対象の情報信号と対
応する電荷潜像による表面電位分布を示す第１の領域Ｔ
Ｒと、予め定められた一定の表面電位分布を示す第２の
領域○Ｐとに順次交互に位置するようになされるととも
に、前記した第１の領域ＴＲと第２の領域ＯＰとにおけ
る予め定められた一方の領域において読出し動作が行わ
れ、前記の読出し動作が行われなかった他方の領域にお
いてはリセット動作が行われるようになされることによ
り、第５図示の記録再生装置では第１９図を参照して説
明した既提案の装置における電荷像による情報信号の読
取り動作及びリセット動作と同様な電荷像による情報信
号の読取り動作及びリセット動作とが、検出ヘッドＥＤ
Ａを振動させない状態で良好に行うことができる。

また、前記のように検出ヘッドＥＤＡによる読取り動作
が電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおける
第１の領域ＴＲＩ、ＴＲ２・・・で行われるとともにリ
セット動作が第２の領域○ＰＩ。

ＯＦ２・・・で行われた場合と、検出ヘッドＥＤＡによ
る読取り動作が電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域
ＲＺにおける第２の領域○Ｐｉ、ＯＰ２・・・で行われ
るとともにリセット動作が第１の領域Ｔｒζ１．　ＴＲ
２・・・で行われた場合とでは検出ヘッドＥＤＡから出
力される検出信号の極性が逆になるが、この点は第１９
図示の既提案装置について説明したところと同様である
。

第６図に示されているように所定のパターンの静電遮蔽
部を有する静電遮蔽マスク部材ＥＭＰは、それを記録媒
体円盤りの電荷潜像形成部材Ｃに被写体Ｑの光学像と完
全に対応している状態の電荷像が形成されている場合に
おける再生動作時に記録媒体円盤りの電荷潜像形成部材
Ｃと検出ヘッドＥＤＡとの間に挿入した状態とし、検出
ヘッドＥＤＡによる記録媒体円盤りの電荷潜像形成部材
ＣＨＬにおける記録再生領域ＲＺの電荷像の検出動作を
、電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域Ｒ２において
記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像による表面
電位分布を示す第１の領域ＴＲ（所定のパターンの静電
遮蔽部を有する静電遮蔽マスク部材ＥＭＰにおける孔１
５，１．５・・・と対応している領域）と、予め定めら
れた一定の表面電位分布を示す第２の領域ＯＰ（所定の
パターンの静電遮蔽部を有する静電遮蔽マスク部材ＥＭ
Ｐにおける孔１５と孔１５との間の部分に対応している
領域）とに順次交互に位置させて、前記した第１の領域
ＴＲと第２の領域○Ｐとにおける予め定められた一方の
領域において読出し動作を行い、前記の読出し動作が行
われなかった他方の領域においてはリセット動作を行う
ようにすることにより、第５図示の記録再生装置ではｆ
５１９図を参照して説明した既提案の装着における電荷
像による情報信号の読取り動作及びリセット動作と同様
な電荷像による情報信号の読取り動作及びリセット動作
とが、検出ヘッドＥＤＡを振動させない状態で良好に行
うことができるのである。

また、前記のように検出ヘッドＥＤＡによる読取り動作
が電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおける
第１の領域ＴＲＩ、ＴＲ２・・・で行われるとともにリ
セット動作が第２の領域ＯＰＩ。

ＯＦ２・・・で行われた場合と、検出ヘッドＥＤＡによ
る読取り動作が電荷潜像形成部材ＣＩ（Ｌの記録再生領
域ＲＺにおける第２の領域ＯＰＩ、ＯＰ２・・・で行わ
れるとともにリセット動作が第１の領域ＴＲ１，ＴＲ２
・・・で行われた場合とでは検出ヘッドＥＤＡから出力
される検出信号の極性が逆になるが。

この点は第１９図示の既提案装置について説明したとこ
ろと同様である。

次に、第７図は記録媒体円盤りにおけろ電荷潜像形成部
材として記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像に
よる表面電位分布を示す第１の領域ＴＲと、予め定めら
れた一定の表面電位分布を示す第２の領域ＯＰとを電荷
潜像形成部材ＣＩ−Ｔ　Ｌ自体で構成させるようにした
場合の記録媒体円盤りの構成例を示す平面図（第７図の
（ａ））と一部の側面図（第７図の（ｂ））とを示した
ものであり、この第７図においてＥｔは導電性材料１例
えば金Ｈによって作られた雷ｔ４．６，６・・・は絶縁
材料による電荷潜像形成部材の所定のパターンである。

この第７図に例示されているような構成形態を有する記
録媒体円盤りは、それの電荷潜像形成部材の所定のパタ
ーン６．６・・・の部分に対して光学像−電荷像変換部
材における光導電層部材ＰＣＥを対面させて、被写体Ｑ
からの光を撮像レンズＬを介して、ガラス基板ＢＰと、
゛透明電極Ｅｔｗと。

光導電層部材ＰＣＥとを積層して構成させである光学像
−電荷像変換部材に入射させて、被写体αの光学像を光
導電層部材ＰＣＥに結像させ、また。

前記した電極Ｅｔと電ｔＪｉｉＥｔｗとの間に所定の電
圧を印加することにより、光導ｔｔ１層部材ＰＣＥの端
面には被写体Ｑの光学像に対応している電荷像が現われ
る。

そして、記録媒体内ｆｆ１Ｄにおける電荷潜像形成部材
の所定のパターン６．６・・・の部分には被写体Ｑの光
学像と対応した＠荷像が形成されている領域（第１図の
記録再生領域ＲＺにおいて領１４Ｔ　Ｒ１。

ＴＲ２・・・として示されている領域の形成に用いられ
る領域）が形成され、また、記Ｂ媒体日ｆｆ１Ｄの電［
ｉＥｔが露出している部分には一定な電位を示す領域（
第１図の記録再生領域ＲＺにおいて領域ＯＰＩ、ＯＰ２
・・・として示されている領域の形成に用いられる領域
）が形成される。

それで、第７図示の構成を有する記録媒体円盤りにおけ
る電荷ＫＩ＆形成部材６，６・・・に記録された被写体
αと対応する電荷像は、被写体凝の光学像と対応してい
る電荷像が前記した所定のパターンと対応した電荷像パ
ターンとなされるのであり。

既述のように記録媒体円盤りの電荷潜像形成部材ＣＨＬ
における記録再生領域ＲＺの電荷像が検出ヘッドＥＤＡ
によって、記録媒体円盤りのの記録再生領域ＲＺにおい
て記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像による表
面電位分布を示す第１の領域ＴＲと、予め定められた一
定の表面電位分布を示す第２の領域ｏｐとに順次交互に
位置するようになされるとともに、前記した第１の領域
ＴＲと第２の領域ＯＰとにおける予め定められた一方の
領域において読出し動作が行われ、前記の読出し動作が
行われなかった他方の領域においてはリセット動作が行
われるようになされることにより、第５図示の記録再生
装置では第１９図を参照して説明した既提案の装置にお
ける電荷像による情報信号の読取り動作及びリセット動
作と同様な電荷徐による情報信号の読取り動作及びリセ
ット動作とが、検出ヘッドＥＤＡを振動させない状態で
良好に行うことができる。

また、前記のように検出ヘッドＥＤＡによる読取り動作
が電荷潜像形成部材ＣＨＩ、の記録再生領域ＲＺにおけ
る第１の領域ＴＲＩ、ＴＲ２・・・で行われるとともに
リセット動作が第２の領域ＯＰ１．。

ＯＦ２・・・で行われた場合と、検出ヘッドＥＤＡによ
る読取り動作が電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域
ＲＺにおける第２の領域ＯＰＩ、ＯＰ２・・・で行われ
るとともにリセット動作が第１の領域ＴＲ１，ＴＲ２・
・・で行われた場合とでは検出ヘッドＥＤＡから出力さ
れる検出信号の極性が逆になるが、この点は第１９図示
の既提案装置について説明したとおりである。

第８図は記録媒体円盤りにおける記録再生領域ＲＺの大
部分を電荷潜像形成部材ＣＨＬによる第１の領域ＴＲと
し、また、記録媒体円盤りの一部に記録媒体円盤りの電
極を露出させて構成した複数の部分７，７を第２の領域
ＯＰとして設けた記録媒体円盤りを示したものである。

この第８図示に例示した記録媒体円盤りでは第２の領域
ＯＰとして記録媒体円盤りの電極を露出させて構成した
部分７．７が２個所とされているが、前記の第２の領域
ｏＰとして記録媒体円盤りの電極を露出させる部分７，
７が３個所以上設けられてもよい。

第８図においてＲは記録媒体円盤りの回転方向を示す矢
印であり、図中の８は矢印Ｒ方向に回転している記録媒
体円盤りの電荷潜像形成部材ＣＨＬに対して情報信号を
単一の記録素子によって電荷像の形態で記録して形成さ
せた記録跡を例示したものである。矢印Ｒ方向に回転し
ている記録媒体円盤りの電荷潜像形成部材ＣＨＬに、単
一の記録素子によって第８図中に示されているような形
態の記録跡８を形成させるために使用される単一の記録
素子としては、例えば、単一の針状ｆｌ！極を用いて構
成した記録素子、あるいは例えばレーザ光を電圧に変換
できるような機能を有する記録素子（透明電極と光導電
層とを積層した構成層態様の記録素子）、その他１点状
の電荷像を記録媒体円盤りの電荷潜像形成部材ＣＨＬに
形成させつるように構成された単一の記録素子が使用で
き、また、この第８図に示されているような構成の記録
媒体円盤りに対して電荷像の形態で記録形成されている
記録跡８からの情報信号の再生に際しては。

例えば、電荷像の電圧を静電誘導によって検出する単針
電極を骨えている単一の再生素子、あるいは、１！荷像
の電圧をレーザ光のスポットで検出できるように構成さ
れた単一の再生素子（透明電極と例えばニオブ酸リチウ
ム単結晶のような光変調材層と誘電体ミラーとの積層構
成よりなる素子）などを用いることができる。

この記録媒体円盤りからの情報信号の再生時においても
、電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域からの電荷潜
像の再生動作時は、記録再生対象の情報信号と対応する
電荷ＰｆＩｅによる表面電位分布を示す第１の領域（第
８図中において７以外の部分）と、予め定められた一定
の表面電位分布を示す第２の領域７とについて順次交互
に、かつ、前記した第１の領域と第２の領域７とにおけ
る予め定められた一方の領域においてリセット動作が行
われるようにされることにより、電荷像による情報信号
の読取り動作とリセット動作とが単一の再生素子を振動
させない状態で良好に行うことができる。

さて、これまでに説明した各実施例装置においては、リ
セット動作が行われてから次のリセット動作が行われる
までの期間に、既述した検出ヘッドＥＤＡにおける検出
用の電界効果トランジスタのドレイン電極からゲート電
極への漏洩電流が入力側回路の静電容量を充電すること
によって検出電圧の変動を起こすが、検出ヘッドＥＤＡ
による情報信号の読取り動作とリセット動作とを第９図
に示されているようなタイミングで行うとともに、検出
ヘッドＥＤＡから読出された検出電圧を第１０図に例示
されているような構成の信号処理回路を用いて信号処理
すれば、検出ヘッドＥＤＡの検出電圧に前記のノｊＸ因
によって生じている電圧変動を良好に除去することがで
きる。

第９図は既述した第１図中に例示されている記録再生領
域ＲＺ中における第１の領域ＴＲと第２の領域ＯＰとの
それぞれについて、読取り動作とリセット動作とが順次
に行われることによって得られる検出々力の信号波形側
図を示したものであり、この第９図においてＺｔｒｎ、
　Ｚｏｐｎ、Ｚｔｒ（ｎ＋１）。

Ｚｏｐ（ｎ＋１）・・・とじて示されているそれぞれの
期間は、検出ヘッドＥＤＡにより表面電位の検出（情報
信号の読取り）が行われるべき第１図中の記録再生領域
ＲＺ中の第１の領域ＴＲと第２の領域ＯＰとにおける第
ｎ番目、第ｎ＋１番目・・・のものに検出ヘッドＥＤＡ
がそれぞれ位置されている期間を示しており、また第９
図中に示されているリセット電位の表示は既述した第１
１図中のリセット電位Ｖｓｓを示しでいるものである。

さて、記録媒体円盤りの記録再生領域ＲＺに対する検出
ヘッドＥＤＡによる情報信号の読取り動作とリセット動
作とが、第９図に示されているように第１図中に例示さ
九でいる記録再生領域ＲＺ中における第１の領域ＴＲと
第２の領域ｏＰとのそれぞれについて、読取り動作とリ
セット動作とが順次に行われたときには、記録再生領域
ＲＺ中における第０番１］の第１の領域Ｚ　ｔｒｎ　、
記録再生領域ＲＺ中における第ｎ番目の第２の領域Ｚｏ
ｐｎ。

記録再生領域ＲＺ中における第ｎ＋１番目の第１の領域
Ｚｔｒ（ｎｉｌ）、記録再生領域ＲＺ中における第ｎ＋
１番目の第２の領域Ｚｏｐ（ｎ＋１）・・・などにおい
て順次に検出される信号は、時間軸上で順次交互に極性
が反転している状態の第９図に示されているような状態
の信号になっているが、前記したように第１の領域Ｔ　
Ｌ（と第２の領域ＯＦとのそれぞれについて読取り動作
とリセット動作とが順次に行われたときに第９図に示さ
れているような状態の信号になる理ｄ口士第１９図及び
第２０図を参照して既述したところから容易に理解でき
る。

第１０図は、検出ヘッドＥＤＡから出力された第９図に
示されている状態の信号、すなオ）ち、時系列信号にお
ける時間軸上に並ぶｙ１次のＧＶ号の極性が反転してい
る状態の信号に対する４３号処理回路であって、この第
１０図において９は信号処理回路の入力端子、ＳＷは可
動接点が１水平走査期間毎に２つの固定接点ａ、ｂ間で
交互に切換えられるような切換スイッチ、１ＨＤＬは１
水平走査期間の遅延回路、ＰＲＣは極性反転回路、ＡＤ
Ｄは加算回路、ＬＭは必要に応じて設けられる１ライン
メモリ（信号の欠落補償用の１ラインメモリ）、１０ａ
は出力端子である。

第１０図に示されている信号処理回路の入力端子９に対
して検出ヘッドＥＤＡから出力された第９図に示されて
いる状態の信号、すなわち、時間軸上で信号の極性が順
次に反転している状態の信号が供給され、また、切換ス
イッチＳＷの可動接点が図示されていない制御端子に供
給されている切換制御信号に従って入力端子９に供給さ
れている信号の繰返し周期に同期した切換動作を行って
いる場合には、切換スイッチＳＷの固定接点ａに接続さ
れている１水平走査期間の遅延回路ＩＨＤＬからの出力
信号と、極性反転回路ＰＲＣからの出力信号との２信号
が加算回路ＡＤＤに供給される。

前記した加算回路ＡＤＤに供給された２信号において、
表面電位の被検出体となされている記録媒体円盤りの表
面電位と対応している検出電圧。

すなわち、記録媒体円盤りから読出された信号における
時間軸上で相次ぐ２信号は互に同相信号として加算回路
ＡＤＤに供給されており、また、前記の２信号中に含ま
れている残留漏洩電流は互に逆位相の信号となっている
から、加算回路ＡＤＤから１ラインメモリＬＭに供給さ
れる信号は、前記した加算回路ＡＤＤに供給された２信
号中に含まれている残留漏洩電流成分の打消された状態
の信号になされているとともに、記録媒体円盤りから読
出された検出電圧が２倍になっている状態の信号となっ
ている。

したがって、１ラインメモリＬＭから出力端子１０ａに
送出される信号も前記したように加算回路ＡＤＤに供給
された２信号中に含まれている残留漏洩電流成分が打消
された状態になされているとともに、記録媒体円盤りか
ら読出された検出電圧が２倍になっている状態の信号に
なっている。

このように、第１０図示の信号処理回路の出力端子１０
ａから出力される信号は、検出ヘッドＥＤＡにおける相
次ぐリセット動作の間に信号中に生じている漏洩電流成
分が良好に除去されたものになっているから、既述した
ような問題点、すなわち、検出ヘッドＥＤＡの電界効果
トランジスタにおける入力側回路の静電容量に対するド
レイン電極からゲート電極への漏洩電流による充電動作
によって、相次ぐリセット動作の相互間で検出電圧が変
動するという問題点は、検出ヘッドＥＤＡによる情報信
号の読取り動作とリセット動作とを第９図に示されてい
るようなタイミングで行うとともに、検出ヘッドＥＤＡ
から読出された検出電圧を第１０図に例示されているよ
うな構成の信号処理回路により信号処理することにより
良好に除去できるのである。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明の電荷潜像による記録再生装置は、記録再生対象の情
報信号と対応する電荷潜像が形成される電荷潜像形成部
材の表面電位に応じて静電誘導で生じた電圧がゲート電
極に与えられる電圧検出用電界効果トランジスタと、前
記の電圧検出用電界効果トランジスタにおける入力側回
路の静電容量に前記の電圧検出用電界効果トランジスタ
のドレイン電極・ゲート電極間の漏洩電流によって充電
した電荷を放電させるためのリセット手段とを含んで構
成されている電荷潜像による記録再生装置において、電
荷潜像形成部材の記録再生領域からの電荷潜像の再生動
作が、記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像によ
る表面電位分布を示す第１の領域と、予め定められた一
定の表面電位分布を示す第２の領域とについて順次交互
に行われるようにする手段と、前記した第１の領域と第
２の領域とにおける予め定められた一方の領域において
リセット動作が行われるようにする手段とを備えてなる
電荷潜像による記録再生装置。

及び記録再生対象の光学像情報と対応する電荷潜像が形
成される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電誘導
で生じた電圧がゲート電極に与えられる電圧検出用電界
効果トランジスタと、前記の電圧検出用電界効果トラン
ジスタにおける入力側回路の静電容量に前記の電圧検出
用電界効果トランジスタのドレイン電極・ゲート電極間
の漏洩電流によって充電した電荷を放電させるためのリ
セット手段とを含んで構成されている電荷潜像による撮
像型記録再生装置において、被写体と電荷潜像形成部材
との間に、記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像
による表面電位分布を示す第１の領域と、予め定められ
た一定の表面電位分布を示す第２の領域とを形成させる
ようにするマスク部材を設け、また、電荷潜像形成部材
の記録再生領域からの電荷潜像の再生動作が、記録再生
対象の情報信号と対応する電荷潜像による表面電位分布
を示す第１の領域と、予め定められた一定の表面電位分
布を示す第２の領域とについて順次交互に行われるよう
にする手段と、前記した第１の領域と第２の領域とにお
ける予め定められた一方の領域においてリセット動作が
行われるようにする手段とを備えてなる電荷潜像による
撮像型記録再生装置、ならびに記録再生対象の情報信号
と対応する電荷潜像が形成される電荷潜像形成部材の表
面電位に応じて静電誘導で生じた電圧がゲート電極に与
えられる電圧検出用電界効果トランジスタと、前記の電
圧検出用電界効果トランジスタにおける入力側回路の静
電容量に前記の電圧検出用電界効果トランジスタのドレ
イン電極・ゲート電極間の漏洩電流によって充電された
電荷を放電させるためのリセット手段とを含んで構成さ
れている電荷潜像による記録再生装置において、電荷潜
像形成部材の記録再生領域における記録再生対象の情報
信号と対応する電荷潜像による表面電位分布を示す第１
の領域と、予め定められた一定の表面電位分布を示す第
２の領域とのそれぞれの領域について１表面電位分布の
検出動作とリセット動作とが順次に行われるようにする
手段と、前記した第１の領域における検出々力と、第２
の領域における検出々力とを減算して出力信号を得る手
段とを備えてなる電荷潜像による記録再生装置であるか
ら、この本発明の電荷潜像による記録再生装置において
は、高いインピーダンスを有する電圧検出用電極回路か
ら電圧を取出すために使用されるインピーダンス変換回
路の構成に電界効果トランジスタを使用した場合に、ド
レイン電極からゲート電極への漏洩電流により電界効果
トランジスタのゲート電極の入力側回路の静電容量が充
電されることによってゲート電極の電位が次第に上昇し
て行く現象による出力電圧の飽和が生じないようにする
ために適用されるリセット動作を被検出体における電荷
像の存在する領域で行フても容易に正し、い状態の電圧
検出々力を得ることができ、また、リセットが行オ）れ
た時点から次にリセットが行われるまでの期間において
電界効果トランジスタのゲート電極の入力側回路の静電
容量に対するドレイン電極・ゲート電極間の漏洩電流に
よる充電動作による検出電圧の上昇により、時間の経過
とともに電圧の検出値が不正確になるという問題も容易
に解決できるのであり、本発明により既述した従来の諸
問題点は良好に解決される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電荷潜像による記録再生装置における
電荷潜像形成部材の記録再生領域に対する検出ヘッドに
よる再生動作を説明するための電荷潜像形成部材の記録
再生領域と検出ヘッドとの対応関係を示すための平面図
、第２図及び第５１司は記録再生装置の概略枯成を示す
側面図、第３図及び第７図の（ａ）ならびに第８図は記
録媒体円盤の平面図、第７図の（ｂ）は記録媒体円盤の
側面図、第４図及び第６図はマスク部材の一部の平面図
、第９図は説明用の波形側図、第１０図は信号処理回路
の構成例を示すブロック図、第１１図は電荷像による記
録再生装置の問題点を説明するための回路側図、第１２
図は検出ヘッドの構成例を示す斜視図、第１４３図は第
１−１図示の回路の動作の説明に使用される波形図、第
１４図乃至第１８図は動作説明用図、第１９図は既提案
装置の構成・例を示す側面図、第２０図は既提案装置の
動作説明用のタイミングチャートである。 Ｅｔ・・・電極、Ｅｔｗ・・・透明電極、Ｑ・・・被写
体、Ｌ・・・撮像レンズ、Ｐ　Ｍ、　Ｐ・・・光透過部
分と光遮断部分とによる所定のパターンを有する光学的
なマスク、ＰＣＢ・・・光導電層部材、Ｅ　Ｍ　Ｐ・・
・静電遮蔽マスク部材、ＥＤＡ・・・検出ヘッド、ＲＺ
・・・電荷潜像形成部材における記録再生領域、ＣＨＬ
・・・電荷潜像形成部材、ＴＲ，ＴＲＩ、ＴＲ２・・・
電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおいて記
録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像による表面電
位分布を示す第１の領域、ｏｐ、○Ｐｉ、ＯＰ２・・・
電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領域ＲＺにおいて予
め定められた一定の表面電位分布を示す第２の領域、０
・・・被検出体、ＤＦ・・・電圧検出用電界効果トラン
ジスタ、ＥＤ、ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３〜ＥＤｎ・・・
電圧検出用電極、Ｃｉｎ・・・電圧検出用電界効果トラ
ンジスタＤ　Ｆのゲート電極の入力回路側の静電容量、
ＳＷｒ・・・リセット手段として用いられているスイッ
チ、Ｃ・・・被検出体０の表面と電圧検出用電極ＥＤと
の間の静電容量、ＲＱ・・・負荷抵抗、ＥＤＡ・・・複
数の電圧検出用電極ＥＤが所定の配列パターンで配列さ
れている検出ヘッド、Ａ　Ｄ　Ｄ−・加算回路、Ｑ　１
．　Ｑ　２．　Ｑ　３〜Ｑ　ｎ−接続線、ＲＦＩ、ＲＦ
２．ＲＦ３〜ＲＦｎ−リセット用スイッチング手段とし
て使用される電界効果トランジスタ、　Ｓ　Ｆｌ、　Ｓ
　Ｆ２．Ｓ　Ｆ３〜Ｓ　Ｆ　ｎ−スイッチング用電界効
果トランジスタ、ＳＲ・・・シフトレジスタ。 ＢＰ・・・基体、ＢＧＭ・・・変位駆動装置、ＳＷ・・
・切換スイッチ、ＰＲＣ・・・極性反転回路、Ｉ　ＨＤ
　Ｌ・・・】−Ｈ遅延回路、１・・・回転軸、２・・・
光学的なマスク部材Ｐ　Ｍ　Ｐにおける光の透過部分、
３・・・光学的なマスク部材ＰＭＰにおける光の遮断部
分（例えばＷ、色の部分）、４，５・・・櫛歯状の電極
、６・・・絶縁材料による電荷潜像形成部材の所定のパ
ターン、１０　、１０　ａ　、　１１−出力端子、１４
−・・金ｐＡ板。 １５・・・孔、２０・・・リセットパルスＰｒの入力端
ｆ、２４・・・連結部材、２５・・・変位駆動装置ＢＧ
Ｍにおける可動部２６の中心保持子、２６・・・可動部
。 ２７・・・変位駆動装置ＢＧＭの場合に可動コイルに対
して磁界を与える永久磁石。 特許出願人　　日本ビクター株式会社１）７゜代理人弁
理士今間孝生・’＝”Ｌ”−””’鴫−パ二 Ｘ　　　　　　　　　　ＥＤＡ （１・ （ｂ） 矛３困 ＥＤＡＸ （ｂ） 不１ ａｂ （ａ） （、Ｃ） （ｄ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像が形成
   される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電誘導で
   生じた電圧がゲート電極に与えられる電圧検出用電界効
   果トランジスタと、前記の電圧検出用電界効果トランジ
   スタにおける入力側回路の静電容量に前記の電圧検出用
   電界効果トランジスタのドレイン電極・ゲート電極間の
   漏洩電流によって充電した電荷を放電させるためのリセ
   ット手段とを含んで構成されている電荷潜像による記録
   再生装置において、電荷潜像形成部材の記録再生領域か
   らの電荷潜像の再生動作が、記録再生対象の情報信号と
   対応する電荷潜像による表面電位分布を示す第１の領域
   と、予め定められた一定の表面電位分布を示す第２の領
   域とについて順次交互に行われるようにする手段と、前
   記した第１の領域と第２の領域とにおける予め定められ
   た一方の領域においてリセット動作が行われるようにす
   る手段とを備えてなる電荷潜像による記録再生装置 ２、記録再生対象の光学像情報と対応する電荷潜像が形
   成される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電誘導
   で生じた電圧がゲート電極に与えられる電圧検出用電界
   効果トランジスタと、前記の電圧検出用電界効果トラン
   ジスタにおける入力側回路の静電容量に前記の電圧検出
   用電界効果トランジスタのドレイン電極・ゲート電極間
   の漏洩電流によって充電した電荷を放電させるためのリ
   セット手段とを含んで構成されている電荷潜像による撮
   像型記録再生装置において、被写体と電荷潜像形成部材
   との間に、記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像
   による表面電位分布を示す第１の領域と、予め定められ
   た一定の表面電位分布を示す第２の領域とを形成させる
   ようにするマスク部材を設け、また、電荷潜像形成部材
   の記録再生領域からの電荷潜像の再生動作が、記録再生
   対象の情報信号と対応する電荷潜像による表面電位分布
   を示す第１の領域と、予め定められた一定の表面電位分
   布を示す第２の領域とについて順次交互に行われるよう
   にする手段と、前記した第１の領域と第２の領域とにお
   ける予め定められた一方の領域においてリセット動作が
   行われるようにする手段とを備えてなる電荷潜像による
   撮像型記録再生装置 ３、マスク部材として所定の光学的なパターンを有する
   ものを用いた請求項２に記載の撮像型記録再生装置 ４、マスク部材として所定のパターンを有する静電遮蔽
   部材を用いた請求項２に記載の撮像型記録再生装置 ５、電荷潜像形成部材として記録再生対象の情報信号と
   対応する電荷潜像による表面電位分布を示す第１の領域
   と、予め定められた一定の表面電位分布を示す第２の領
   域とを電荷潜像形成部材自体に構成させたものを用いた
   請求項１または請求項２に記載の撮像型記録再生装置 ６、記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像が形成
   される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電誘導で
   生じた電圧がゲート電極に与えられる電圧検出用電界効
   果トランジスタと、前記の電圧検出用電界効果トランジ
   スタにおける入力側回路の静電容量に前記の電圧検出用
   電界効果トランジスタのドレイン電極・ゲート電極間の
   漏洩電流によって充電した電荷を放電させるためのリセ
   ット手段とを含んで構成されている電荷潜像による記録
   再生装置において、電荷潜像形成部材の記録再生領域に
   おける記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像によ
   る表面電位分布を示す第１の領域と、予め定められた一
   定の表面電位分布を示す第２の領域とのそれぞれの領域
   について、表面電位分布の検出動作とリセット動作とが
   順次に行われるようにする手段と、前記した第１の領域
   における検出々力と第２の領域における検出々力とを減
   算して出力信号を得る手段とを備えてなる電荷潜像によ
   る記録再生装置