JPH01284104A - スタック型マイクロストリップアンテナ - Google Patents
スタック型マイクロストリップアンテナInfo
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- JPH01284104A JPH01284104A JP11445188A JP11445188A JPH01284104A JP H01284104 A JPH01284104 A JP H01284104A JP 11445188 A JP11445188 A JP 11445188A JP 11445188 A JP11445188 A JP 11445188A JP H01284104 A JPH01284104 A JP H01284104A
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- microstrip antenna
- circularly polarized
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、スタック型マイクロストリップアンテナに間
する。
する。
（従来の技術）
飛行機などに搭載されるアンテナとして、近年、マイク
ロストリップアンテナの開発がさかんに行なわれている
。
ロストリップアンテナの開発がさかんに行なわれている
。
第１θ区はこのようなマイクロストリップアンテナの一
例を示す斜視図、第１１図はこのマイクロストリップア
ンテナの一部裁断斜視図である。
例を示す斜視図、第１１図はこのマイクロストリップア
ンテナの一部裁断斜視図である。
これらの図に示すマイクロストリップアンテナは、アン
テナのベースとなる絶縁基板１００と、この絶縁基板１
００の下面側に形成されるグランド面１０１と、前記！
８縁基板１００の上面側に形成される励振素子（金属板
）１０２と、前記絶縁基板１００を貫通して下面側から
前記励振素子１０２に接続される２本の給電線１０３ａ
、１０３ｂと、前記グランド面１０１に接続される１本
の接地線１０４とを備えている。
テナのベースとなる絶縁基板１００と、この絶縁基板１
００の下面側に形成されるグランド面１０１と、前記！
８縁基板１００の上面側に形成される励振素子（金属板
）１０２と、前記絶縁基板１００を貫通して下面側から
前記励振素子１０２に接続される２本の給電線１０３ａ
、１０３ｂと、前記グランド面１０１に接続される１本
の接地線１０４とを備えている。
そしてこのマイクロストリップアンテナにおいては、偏
波面が回転する電波（円偏波）を生成するために、励振
素子１０２の中心からの角度（オフセット角度）が“９
０度”となる点（給電点）Ｐ□、Ｐ２で、各給電線１０
３ａ、１０３ｂと、励振素子１０２とを接続している。
波面が回転する電波（円偏波）を生成するために、励振
素子１０２の中心からの角度（オフセット角度）が“９
０度”となる点（給電点）Ｐ□、Ｐ２で、各給電線１０
３ａ、１０３ｂと、励振素子１０２とを接続している。
そして、前記接地！１１０４を接地させた状態で、前記
給電線１０３ａに“０度”位相の高周波信号が供給され
るとともに、給電線１０３ｂに、“９０度”位相の高周
波信号が供給されたとき、このマイクロストリップアン
テナによっで円偏波が生成され、これが空中（この図に
おいて、上面側）に放射される。
給電線１０３ａに“０度”位相の高周波信号が供給され
るとともに、給電線１０３ｂに、“９０度”位相の高周
波信号が供給されたとき、このマイクロストリップアン
テナによっで円偏波が生成され、これが空中（この図に
おいて、上面側）に放射される。
このようにこのマイクロストリップアンテナにおいては
、アンテナ全体を極めて薄くすることができるとともに
、円偏波を生成できるので、飛行機用のアンテナとして
極めて有望視されている。
、アンテナ全体を極めて薄くすることができるとともに
、円偏波を生成できるので、飛行機用のアンテナとして
極めて有望視されている。
しかしこのような従来のマイクロストリップアンテナは
、構造が簡単で、かつ薄くすることができるものの、実
用化に際してＶ Ｓ ＷＲに対しての使用可能な周波数
帯域が狭いという問題があり、実用化のネックになフて
いた。
、構造が簡単で、かつ薄くすることができるものの、実
用化に際してＶ Ｓ ＷＲに対しての使用可能な周波数
帯域が狭いという問題があり、実用化のネックになフて
いた。
そこでこのような問題を解決するため、第１２図、第１
３図に示す如く前記励Ｆｉ素子１０２から所定距離りだ
け離して絶縁基板１０７をｒ５１置するとともに、この
′１ＩＡｓ基板１０７上に形成された無給電素子（金属
板）１０８の中心点と、前記グランド面１０１とをアー
スビン１０９で接続したマイクロストリップアンテナ（
以下、このようなアンテナをスタック型マイクロストリ
ップアンテナという）１１２が提案されている。
３図に示す如く前記励Ｆｉ素子１０２から所定距離りだ
け離して絶縁基板１０７をｒ５１置するとともに、この
′１ＩＡｓ基板１０７上に形成された無給電素子（金属
板）１０８の中心点と、前記グランド面１０１とをアー
スビン１０９で接続したマイクロストリップアンテナ（
以下、このようなアンテナをスタック型マイクロストリ
ップアンテナという）１１２が提案されている。
このスタック型マイクロストリップアンテナの理論的な
動作は定かではないが、この無給電素子１０８を設ける
ことによって次に述べるような特性が得られる。
動作は定かではないが、この無給電素子１０８を設ける
ことによって次に述べるような特性が得られる。
まず、絶縁基板１ＯＯ１１０７として、厚さ“１．６ｍ
ｓ＋”のテフロングラス基板を用いたスタック型マイク
ロストリップアンテナ１１２では、４２゜６Ｇｔｌｚ”
帯で共賑するように励振素子１０２の半径ａを決めたと
き、励振素子１０２の半径ａと、無給Ｗｇ子１０８の半
径すとの比をパラメータとして、各絶縁基板１００、ｌ
０７ｒＷ１の距離りを変えれば、第１４図に示すような
ＶＳＷＲが１．５”以下となる帯域［／素子間隔特性が
得られる。
ｓ＋”のテフロングラス基板を用いたスタック型マイク
ロストリップアンテナ１１２では、４２゜６Ｇｔｌｚ”
帯で共賑するように励振素子１０２の半径ａを決めたと
き、励振素子１０２の半径ａと、無給Ｗｇ子１０８の半
径すとの比をパラメータとして、各絶縁基板１００、ｌ
０７ｒＷ１の距離りを変えれば、第１４図に示すような
ＶＳＷＲが１．５”以下となる帯域［／素子間隔特性が
得られる。
この図から明らかなように、励振素子１０２の半径ａと
、無給電素子１０８の半径すとの比を“１．０５”にし
、かつ各絶縁基板１００．１０７閏の距ａｈを“ｌ０Ｉ
Ｉ１１′にしたときが、最も都合の良い特性になる。そ
してこの条件のとき、第１５図の特性曲線ｉ１０に示す
ようなＶＳＷＲ特性になる。
、無給電素子１０８の半径すとの比を“１．０５”にし
、かつ各絶縁基板１００．１０７閏の距ａｈを“ｌ０Ｉ
Ｉ１１′にしたときが、最も都合の良い特性になる。そ
してこの条件のとき、第１５図の特性曲線ｉ１０に示す
ようなＶＳＷＲ特性になる。
この特性曲線ｌｌＯから明らかなように、この例では、
周波数“２．５ＧＨｚ〜２．７ＧＨｚ”で、ＶＳＷＲ値
が“１．５“以下になる。
周波数“２．５ＧＨｚ〜２．７ＧＨｚ”で、ＶＳＷＲ値
が“１．５“以下になる。
そしてこのときの特性曲線１１０と、無給電素子１０日
がないときの特性曲線１１１とを比較すれば明らかなよ
うに、ｔｇ給電素子１０８が設けられたことによって、
実用上、差し支えない程度までＶＳＷＲ特性を改善する
ことができる。
がないときの特性曲線１１１とを比較すれば明らかなよ
うに、ｔｇ給電素子１０８が設けられたことによって、
実用上、差し支えない程度までＶＳＷＲ特性を改善する
ことができる。
また、第１８図のようなスタック型マイクロストリップ
アンテナで、周波数Ｌバンドにおいても、実験を行なっ
ている。その結果、第１９図に示すようなＶＳＷＲ／素
子間隔特性が得られる。
アンテナで、周波数Ｌバンドにおいても、実験を行なっ
ている。その結果、第１９図に示すようなＶＳＷＲ／素
子間隔特性が得られる。
この図から明らかなように、各絶縁基板１００．１０７
の距ａｈを“１２ｍｍ″にしたときが、最も良い特性に
なっている。
の距ａｈを“１２ｍｍ″にしたときが、最も良い特性に
なっている。
ところでこのような従来のスタック型マイクロストリッ
プアンテナ１１２においては、各絶縁基板１００．１０
７の間隔りとして“１０ｍ−”以上必要であるから、第
１６図に示す如く、飛行Ｂａ１１３の機体上部にこのス
タック型マイクロストリップアンテナ１１２を搭載する
と、機体上部の突出量が大きくなって、空気抵抗が増し
てしまうという問題が生じる。
プアンテナ１１２においては、各絶縁基板１００．１０
７の間隔りとして“１０ｍ−”以上必要であるから、第
１６図に示す如く、飛行Ｂａ１１３の機体上部にこのス
タック型マイクロストリップアンテナ１１２を搭載する
と、機体上部の突出量が大きくなって、空気抵抗が増し
てしまうという問題が生じる。
そこで、各絶縁基板１００．１０７の間隔りを狭くすれ
ば、このような問題を解決できると思われていたが、各
絶縁基板１００．１０７間の距離りを狭くすると、ＶＳ
ＷＲに対する使用可能な周波数帯域は狭まらないものの
、各給電点間のアイソレーションが低下し、実際の動作
状態では、２点給電点閏の位相が９０度ずれるから、第
１７図に示す如くこのスタック型マイクロストリップア
ンテナ１１２から出射される電波の円偏波特性（Ｃ／Ｄ
）が悪化してしまうという問題が生じた。
ば、このような問題を解決できると思われていたが、各
絶縁基板１００．１０７間の距離りを狭くすると、ＶＳ
ＷＲに対する使用可能な周波数帯域は狭まらないものの
、各給電点間のアイソレーションが低下し、実際の動作
状態では、２点給電点閏の位相が９０度ずれるから、第
１７図に示す如くこのスタック型マイクロストリップア
ンテナ１１２から出射される電波の円偏波特性（Ｃ／Ｄ
）が悪化してしまうという問題が生じた。
（発明の目的）
本発明は上記の事情に鑑み、アンテナ全体の厚さを薄く
した場合においても、円偏波特性が低下しないようにす
ることができるスタック型マイクロストリップアンテナ
を提供することを目的としている。
した場合においても、円偏波特性が低下しないようにす
ることができるスタック型マイクロストリップアンテナ
を提供することを目的としている。
（発明の概要）
上記の問題点を解決するために本発明によるスタック型
マイクロストリップアンテナにおいては、２点給電型動
Ｓ素子における給電閏アイソレーションが所定値以上と
なる通常の直交角度（９０度）よりオフセットさせた点
に、例えばＬバンドで実験した結果では、中心からのオ
フセット角度が１０５度の点に、各給電点を配置して各
給電点のアイソレーションが低下しないようにしている
。
マイクロストリップアンテナにおいては、２点給電型動
Ｓ素子における給電閏アイソレーションが所定値以上と
なる通常の直交角度（９０度）よりオフセットさせた点
に、例えばＬバンドで実験した結果では、中心からのオ
フセット角度が１０５度の点に、各給電点を配置して各
給電点のアイソレーションが低下しないようにしている
。
（実施例）
第１図は本発明によるスタック型マイクロストリップア
ンテナの一実施例を示す斜視図、第２図は同実施例の一
部裁断斜視図である。
ンテナの一実施例を示す斜視図、第２図は同実施例の一
部裁断斜視図である。
これらの図に示すスタック型マイクロストリップアンテ
ナ２０は、励振素子板１と、無給電素子板２と、アース
ビン３と、２本の給電線４ａ１４ｂと、接地＆Ｉ５とを
備えており、接地線５が接地された状態で、各給電１１
４ａ、４ｂを介して位相差９０度の高周波信号Ｓ１、Ｓ
２が供給されたとき、時間の経過に従って偏波面が回転
する電波（円偏波）を発生し、これを空中に放射する。
ナ２０は、励振素子板１と、無給電素子板２と、アース
ビン３と、２本の給電線４ａ１４ｂと、接地＆Ｉ５とを
備えており、接地線５が接地された状態で、各給電１１
４ａ、４ｂを介して位相差９０度の高周波信号Ｓ１、Ｓ
２が供給されたとき、時間の経過に従って偏波面が回転
する電波（円偏波）を発生し、これを空中に放射する。
励振索子板ｌは、テフロングラスなどによって構成され
る絶縁基板６と、この絶縁基板６の上面（この図におい
て上部側の而）に形成される円形の励振素子７と、前記
絶縁基板６の下面に形成されるグランド面８とを備えて
おり、このグランド面８には、接地線５が接続されると
ともに、前記励振素子７には、前記絶縁基板６に形成さ
れた貫通孔９ａ、９ｂを介して給電＆！４ａ、４ｂが接
続されている。
る絶縁基板６と、この絶縁基板６の上面（この図におい
て上部側の而）に形成される円形の励振素子７と、前記
絶縁基板６の下面に形成されるグランド面８とを備えて
おり、このグランド面８には、接地線５が接続されると
ともに、前記励振素子７には、前記絶縁基板６に形成さ
れた貫通孔９ａ、９ｂを介して給電＆！４ａ、４ｂが接
続されている。
この場合、励振素子７と、各給電線４ａ、４ｂとの接続
点（給電点ＰＩ、Ｐ２）は、第３図に示す如く中心点Ｔ
からの角度θが１０５度となり、かつインピーダンスが
“５０Ω”となる点に設けられている。
点（給電点ＰＩ、Ｐ２）は、第３図に示す如く中心点Ｔ
からの角度θが１０５度となり、かつインピーダンスが
“５０Ω”となる点に設けられている。
また、＄、給電素子板２は、テフロングラスなどによフ
て構成される絶縁基板１０と、この絶縁基板１０の上面
に形成される円形の無Ｆ４ＨＤ素子１１とを備えており
、この無給電素子１１の中心と、前記励振素子７の中心
は、絶縁基板ｌＯに形成された貫通孔１２と、前記励振
素子７、絶縁基板６に形成された貫通孔１３とに挿通さ
れたアースビン（直径、４ｍｍ） ３によってグランド
面８に接続されている。
て構成される絶縁基板１０と、この絶縁基板１０の上面
に形成される円形の無Ｆ４ＨＤ素子１１とを備えており
、この無給電素子１１の中心と、前記励振素子７の中心
は、絶縁基板ｌＯに形成された貫通孔１２と、前記励振
素子７、絶縁基板６に形成された貫通孔１３とに挿通さ
れたアースビン（直径、４ｍｍ） ３によってグランド
面８に接続されている。
この場合、第４図に示す如く各ｗ！縁縁板板、ｌＯの厚
さｄｌ、ｄ２は各々“４ｍｍ”、”１．６ｍｍ”に設定
されるとともに、これら各絶縁基板６．１０の間隔りは
“４ｍｍ”に設定されている。
さｄｌ、ｄ２は各々“４ｍｍ”、”１．６ｍｍ”に設定
されるとともに、これら各絶縁基板６．１０の間隔りは
“４ｍｍ”に設定されている。
次に、第５図〜第９図に示す各特性図を参照しながらこ
の実施例の特性について説明する。
の実施例の特性について説明する。
まず、従来のスタック型マイクロストリップアンテナに
おいては、各絶縁基板間隔を“ｌ０ＩＩ１１”より狭く
すると、各給電点部のアイソレーションが低下してしま
うが、この実施例においては、各絶縁基板６、ｌＯの間
隔りを“４ｍｎ＋”にしたとき、各給電点ＰＬ、Ｐ２の
オフセット角度θを“１０５度”にしているので、第５
区に示す如く設計周波数Ｆ０を“１５９５．２５ＭＨｚ
”として、送信周波数Ｆ、を“１６６０．５ＭＨｚ”に
し、さらに受信周波数Ｆ２を“１５３０ＭＨ□”とした
ときにおける各給電点Ｐ１、Ｐ２のアイソレーションを
“−１４ｄＢ”以下にすることができる。
おいては、各絶縁基板間隔を“ｌ０ＩＩ１１”より狭く
すると、各給電点部のアイソレーションが低下してしま
うが、この実施例においては、各絶縁基板６、ｌＯの間
隔りを“４ｍｎ＋”にしたとき、各給電点ＰＬ、Ｐ２の
オフセット角度θを“１０５度”にしているので、第５
区に示す如く設計周波数Ｆ０を“１５９５．２５ＭＨｚ
”として、送信周波数Ｆ、を“１６６０．５ＭＨｚ”に
し、さらに受信周波数Ｆ２を“１５３０ＭＨ□”とした
ときにおける各給電点Ｐ１、Ｐ２のアイソレーションを
“−１４ｄＢ”以下にすることができる。
これによって、送受信電波をほぼ完全な円偏波にするこ
とができる。
とができる。
またこの実施例においては、アースビン３の直径を太く
しているので、励振素子７の中心と、無給電票子１１の
中心とが多少ずれた場合においても、スタック型マイク
ロストリップアンテナ２０のＶＳＷＲ特性が低下しない
ようにすることができる。また、このようにアースビン
３の直径を太くすることによって、第６図に示す如く設
計周波数Ｆ０を“１５９５．２５ＭＨ２”として、送信
周波数を“１６６０．５ＭＨｚ”にし、さらに受信周波
数を“１５３０ＭＨ２”としたときにおける各給電点Ｐ
８、Ｐ２のアイソレーション値を下げることができる。
しているので、励振素子７の中心と、無給電票子１１の
中心とが多少ずれた場合においても、スタック型マイク
ロストリップアンテナ２０のＶＳＷＲ特性が低下しない
ようにすることができる。また、このようにアースビン
３の直径を太くすることによって、第６図に示す如く設
計周波数Ｆ０を“１５９５．２５ＭＨ２”として、送信
周波数を“１６６０．５ＭＨｚ”にし、さらに受信周波
数を“１５３０ＭＨ２”としたときにおける各給電点Ｐ
８、Ｐ２のアイソレーション値を下げることができる。
またこの実施例においては、励振素子７の半径ａを“６
４．８２ｎｖ＋”にし、さらにこの励振素子の半径ａと
、無給電素子１１の半径すの比を“１．１４”にしてい
るので、第７図に示す如く送信周波数を“１６６０．５
Ｍ１１□″にし、さらに受信周波数を“１５３０Ｍｌ＋
□′としたときにおけるＶＳＷＲ特性を向上させること
ができる。
４．８２ｎｖ＋”にし、さらにこの励振素子の半径ａと
、無給電素子１１の半径すの比を“１．１４”にしてい
るので、第７図に示す如く送信周波数を“１６６０．５
Ｍ１１□″にし、さらに受信周波数を“１５３０Ｍｌ＋
□′としたときにおけるＶＳＷＲ特性を向上させること
ができる。
また上述した実施例においては、各絶縁基板６．１０間
を空間にしているが、第８図に示す如く各絶縁基板６．
１０間に誘電率εが“ｌＯ″程度の誘電板２１を挿入す
るようにして、第９図の特性面［２４，２５に示す如＜
ＶＳＷＲ特性を向上させるようにしても良い。
を空間にしているが、第８図に示す如く各絶縁基板６．
１０間に誘電率εが“ｌＯ″程度の誘電板２１を挿入す
るようにして、第９図の特性面［２４，２５に示す如＜
ＶＳＷＲ特性を向上させるようにしても良い。
そしてこのときの特性曲線２４．２５と、誘電板２１が
挿入されていないときの特性曲線２２．２３とを比較す
れば明らかなように、誘電板２１を挿入することによっ
てＶＳＷＲ特性を改善することができる。
挿入されていないときの特性曲線２２．２３とを比較す
れば明らかなように、誘電板２１を挿入することによっ
てＶＳＷＲ特性を改善することができる。
また上述した各実施例においては、給電点Ｐ１、Ｐ２の
オフセット角度θを“１０５度”にしているが、各給電
点ＰＬ−Ｐ２間のアイソレーションが所定値以下の点で
あれば、このオフセット角度θを他の値にするようにし
ても良い。
オフセット角度θを“１０５度”にしているが、各給電
点ＰＬ−Ｐ２間のアイソレーションが所定値以下の点で
あれば、このオフセット角度θを他の値にするようにし
ても良い。
また、上述した各実施例においては、励振素子、無給電
素子の形状は、円形にな）ているが、特に円形に限定さ
れない。
素子の形状は、円形にな）ているが、特に円形に限定さ
れない。
このように上述した各実施例においては、給電点Ｐ１、
Ｐ２のオフセット角度θを“９０度”に固定しないで、
給電点Ｐ１、Ｐ２のアイソレーション値に基づいて各給
電点Ｐ１、Ｐ２の位置を決めるようにしているので、各
ｗ！縁基板６、ｌＯ閏の１隔を“４ｎｕｓ”以下にして
も、送受信電波の円偏波特性が悪化しないようにするこ
とができる。また、アンテナ自体を薄くすることができ
るので、この発明によるスタック型マイクロストリップ
アンテナ２０を飛行機などに設置しても、空気抵抗が増
加しないようにすることができる。
Ｐ２のオフセット角度θを“９０度”に固定しないで、
給電点Ｐ１、Ｐ２のアイソレーション値に基づいて各給
電点Ｐ１、Ｐ２の位置を決めるようにしているので、各
ｗ！縁基板６、ｌＯ閏の１隔を“４ｎｕｓ”以下にして
も、送受信電波の円偏波特性が悪化しないようにするこ
とができる。また、アンテナ自体を薄くすることができ
るので、この発明によるスタック型マイクロストリップ
アンテナ２０を飛行機などに設置しても、空気抵抗が増
加しないようにすることができる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、アンテナ全体の厚
さを薄くした場合においても、同幅波特性が低下しない
ようにすることができる。これによって、飛行機などに
搭載した場合においても、飛行機の空気抵抗が増加しな
いようにすることができる。
さを薄くした場合においても、同幅波特性が低下しない
ようにすることができる。これによって、飛行機などに
搭載した場合においても、飛行機の空気抵抗が増加しな
いようにすることができる。
第１図は本発明によるスタック型マイクロストリップア
ンテナの一実施例を示す斜視図、第２図は同実施例の一
部裁断斜視図、第３図は第１図に示す励振素子板の平面
図、第４図は同実施例の正面図、第５図は同実施例のア
イソレーション／オフセット角特性図、第６図は同実施
例のアイソレーション／アースピン径特性図、第７図は
同実施例のＶＳＷＲ／素子径比特性図、＠８図は本発明
によるスタック型マイクロストリップアンテナの池の実
施例を示す正面図、第９図は第８図に示す実施例のＶＳ
ＷＲ／素子径比特性図、第１０図は従来からあるマイク
ロストリップアンテナの一例を示す斜視図、第１１図は
第１Ｏ因に示すマイクロストリップアンテナの一部裁断
斜視図、第１２区は従来、提案されているスタック型マ
イクロストリップアンテナの一例を示す斜視図、第１３
図は第１２図に示すスタック型マイクロストリップアン
テナの一部裁断斜視図、第１４図は第１２図および第１
３図に示すスタック型マイクロストリップアンテナの帯
域幅／素子閏隔特性図、第１５図は第１２図および第１
３図に示すスタック型マイクロストリップアンテナのＶ
ＳＷＲ／周波数特性図、第１６［はマイクロストリップ
アンテナの用途例を示す斜視図、第１７図は第１２図お
よび第１３１１１に示すスタック型マイクロストリップ
アンテナの間３点を説明するための模式図、第１８図は
スタック型マイクロストリップアンテナの実験例を示す
側面図、第１９図は第１８図に示す実験例の実験結果を
示すグラフである。 ７・・・２点給電型励振素子（励振素子）、Ｉｌ・・・
無給電素子、２０・・・スタック型マイクロストリップ
アンテナ、Ｐ□、Ｐ２・・・給電点。 特許出願人 東洋通信機株式会社
ンテナの一実施例を示す斜視図、第２図は同実施例の一
部裁断斜視図、第３図は第１図に示す励振素子板の平面
図、第４図は同実施例の正面図、第５図は同実施例のア
イソレーション／オフセット角特性図、第６図は同実施
例のアイソレーション／アースピン径特性図、第７図は
同実施例のＶＳＷＲ／素子径比特性図、＠８図は本発明
によるスタック型マイクロストリップアンテナの池の実
施例を示す正面図、第９図は第８図に示す実施例のＶＳ
ＷＲ／素子径比特性図、第１０図は従来からあるマイク
ロストリップアンテナの一例を示す斜視図、第１１図は
第１Ｏ因に示すマイクロストリップアンテナの一部裁断
斜視図、第１２区は従来、提案されているスタック型マ
イクロストリップアンテナの一例を示す斜視図、第１３
図は第１２図に示すスタック型マイクロストリップアン
テナの一部裁断斜視図、第１４図は第１２図および第１
３図に示すスタック型マイクロストリップアンテナの帯
域幅／素子閏隔特性図、第１５図は第１２図および第１
３図に示すスタック型マイクロストリップアンテナのＶ
ＳＷＲ／周波数特性図、第１６［はマイクロストリップ
アンテナの用途例を示す斜視図、第１７図は第１２図お
よび第１３１１１に示すスタック型マイクロストリップ
アンテナの間３点を説明するための模式図、第１８図は
スタック型マイクロストリップアンテナの実験例を示す
側面図、第１９図は第１８図に示す実験例の実験結果を
示すグラフである。 ７・・・２点給電型励振素子（励振素子）、Ｉｌ・・・
無給電素子、２０・・・スタック型マイクロストリップ
アンテナ、Ｐ□、Ｐ２・・・給電点。 特許出願人 東洋通信機株式会社
Claims (1)
- 円形の無給電素子と、円形の２点給電型励振素子と、
グランド面とが所定間隔で順次積層されたスタック型マ
イクロストリップアンテナにおいて、前記２点給電型励
振素子の給電点アイソレーションが所定値以上となる点
に各給電点を配置したことを特徴とするスタック型マイ
クロストリップアンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114451A JP2939558B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | スタック型マイクロストリップアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114451A JP2939558B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | スタック型マイクロストリップアンテナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01284104A true JPH01284104A (ja) | 1989-11-15 |
| JP2939558B2 JP2939558B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=14638058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63114451A Expired - Lifetime JP2939558B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | スタック型マイクロストリップアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2939558B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3012241B2 (ja) | 1988-05-11 | 2000-02-21 | 東洋通信機株式会社 | スタック型マイクロストリップアンテナ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60217702A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-10-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 円偏波円錐ビ−ムアンテナ |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP63114451A patent/JP2939558B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60217702A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-10-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 円偏波円錐ビ−ムアンテナ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2939558B2 (ja) | 1999-08-25 |
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