JPH0128459B2 - - Google Patents
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- JPH0128459B2 JPH0128459B2 JP55124528A JP12452880A JPH0128459B2 JP H0128459 B2 JPH0128459 B2 JP H0128459B2 JP 55124528 A JP55124528 A JP 55124528A JP 12452880 A JP12452880 A JP 12452880A JP H0128459 B2 JPH0128459 B2 JP H0128459B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic field
- deflection
- focusing
- control element
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/58—Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
- H01J29/64—Magnetic lenses
- H01J29/68—Magnetic lenses using permanent magnets only
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ビームスポツト形状を改善したイン
ライン方式電磁集束陰極線管に関する。
ライン方式電磁集束陰極線管に関する。
第１〜３図は従来のインライン方式で磁界発生
源としてリング状永久磁石をネツク外部に設けた
外磁形電磁集束陰極線管の例を示し、第１図はイ
ンライン配列面によるネツク部断面図、第２図は
管軸を含みインライン配列面に直角な平面による
ネツク部断面図、第３図は第２図中に示したＡ−
A′線断面図である。これらの図中１はバルブ
（のネツク）、２はカソード、３は第１グリツド、
４は第２グリツド、５は１対の磁性体ヨーク、６
は弾性導通条、７はバルブ内面に被着され陽極電
圧を印加された内装導電膜８は集束磁界発生源と
なるリング状永久磁石、９はガラス製の電極支持
棒、１０は偏向ヨーク、１１は電極に接続されて
いるステムピン、１２Ｃはセンタビーム、１２
S1，１２S2はサイドビーム、１３は光学レンズに
模して示した磁気主レンズ、１４は偏向磁界制御
素子、１５は非磁性ステンレス製のシールドカツ
プである。カソード２から放出されたセンタビー
ム１２Ｃ、サイドビーム１２S1，１２S2の３本の
インライン電子ビームは、それぞれ、第１グリツ
ド３、第２グリツド４を通つて一旦細く集束さ
れ、いわゆるクロスオーバを形成する。その後、
内装導電膜７から弾性導通条６を介して陽極電圧
が印加されている磁性体ヨーク５によつて電子ビ
ームは加速され、図示していないけい光面に到達
する。一方、高透磁率磁性体よりなる磁性体ヨー
ク５は永久磁石８により生ずる磁束を吸収して、
１対の磁性体ヨーク５の間に強い集束磁界を生
じ、ここに磁気主レンズ１３を形成する。永久磁
石８は集束磁界が均一となるように１対の磁性体
ヨーク５の中央に配置してある。３本の電子ビー
ム１２Ｃ，１２S1，１２S2はそれぞれ主レンズ１
３により集束され、それぞれ所定発光色のけい光
体ストライプ上にクロスオーバの像を結ぶ。この
際３本の電子ビーム１２Ｃ，１２S1，１２S2がシ
ヤドウマスク上の１点に集中（コンバーゼンス）、
交会しなければ色ずれが生じ、画質が劣化する。
偏向磁界制御素子１４は画面周辺部走査時も画質
が劣化しないように、３本の電子ビームを、シヤ
ドウマスクの周辺近くを走査中でも、マスク上で
正しくコンバーゼンスさせるために非磁性ステン
レス製のシールドカツプ１５の上に図（特に第３
図）示のように配置されたもので、通常パーマロ
イ等の高透磁率磁性体で形成されており、偏向ヨ
ーク１０からの漏れ磁束をセンタビーム１２Ｃ、
両サイドビーム１２S1，１２S2のそれぞれに有
効・適切に作用させて画像周辺部でも正しくコン
バーゼンスが行われるようにする。しかし偏向磁
界制御素子１４は高透磁率磁性体製であるから、
永久磁石８に対し、磁性体ヨーク５よりもかなり
離れて配置されているけれども、やはりビーム集
束磁界を乱している。その結果第４図に示す様な
扁平なビームスポツト形状を呈し、フオーカス特
性等に多大の悪影響を及ぼすという問題があつ
た。
源としてリング状永久磁石をネツク外部に設けた
外磁形電磁集束陰極線管の例を示し、第１図はイ
ンライン配列面によるネツク部断面図、第２図は
管軸を含みインライン配列面に直角な平面による
ネツク部断面図、第３図は第２図中に示したＡ−
A′線断面図である。これらの図中１はバルブ
（のネツク）、２はカソード、３は第１グリツド、
４は第２グリツド、５は１対の磁性体ヨーク、６
は弾性導通条、７はバルブ内面に被着され陽極電
圧を印加された内装導電膜８は集束磁界発生源と
なるリング状永久磁石、９はガラス製の電極支持
棒、１０は偏向ヨーク、１１は電極に接続されて
いるステムピン、１２Ｃはセンタビーム、１２
S1，１２S2はサイドビーム、１３は光学レンズに
模して示した磁気主レンズ、１４は偏向磁界制御
素子、１５は非磁性ステンレス製のシールドカツ
プである。カソード２から放出されたセンタビー
ム１２Ｃ、サイドビーム１２S1，１２S2の３本の
インライン電子ビームは、それぞれ、第１グリツ
ド３、第２グリツド４を通つて一旦細く集束さ
れ、いわゆるクロスオーバを形成する。その後、
内装導電膜７から弾性導通条６を介して陽極電圧
が印加されている磁性体ヨーク５によつて電子ビ
ームは加速され、図示していないけい光面に到達
する。一方、高透磁率磁性体よりなる磁性体ヨー
ク５は永久磁石８により生ずる磁束を吸収して、
１対の磁性体ヨーク５の間に強い集束磁界を生
じ、ここに磁気主レンズ１３を形成する。永久磁
石８は集束磁界が均一となるように１対の磁性体
ヨーク５の中央に配置してある。３本の電子ビー
ム１２Ｃ，１２S1，１２S2はそれぞれ主レンズ１
３により集束され、それぞれ所定発光色のけい光
体ストライプ上にクロスオーバの像を結ぶ。この
際３本の電子ビーム１２Ｃ，１２S1，１２S2がシ
ヤドウマスク上の１点に集中（コンバーゼンス）、
交会しなければ色ずれが生じ、画質が劣化する。
偏向磁界制御素子１４は画面周辺部走査時も画質
が劣化しないように、３本の電子ビームを、シヤ
ドウマスクの周辺近くを走査中でも、マスク上で
正しくコンバーゼンスさせるために非磁性ステン
レス製のシールドカツプ１５の上に図（特に第３
図）示のように配置されたもので、通常パーマロ
イ等の高透磁率磁性体で形成されており、偏向ヨ
ーク１０からの漏れ磁束をセンタビーム１２Ｃ、
両サイドビーム１２S1，１２S2のそれぞれに有
効・適切に作用させて画像周辺部でも正しくコン
バーゼンスが行われるようにする。しかし偏向磁
界制御素子１４は高透磁率磁性体製であるから、
永久磁石８に対し、磁性体ヨーク５よりもかなり
離れて配置されているけれども、やはりビーム集
束磁界を乱している。その結果第４図に示す様な
扁平なビームスポツト形状を呈し、フオーカス特
性等に多大の悪影響を及ぼすという問題があつ
た。
本発明の目的は上記の様な問題がなく、ほぼ真
円のビームスポツト形状が得られ、フオーカス特
性が向上したインライン方式複数ビームの電磁集
束陰極線管を提供することにある。
円のビームスポツト形状が得られ、フオーカス特
性が向上したインライン方式複数ビームの電磁集
束陰極線管を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては偏
向磁界制御素子の設置位置を、１対の磁性体ヨー
クのうち、けい光面側に位置するものの端部か
ら、管軸上けい光面側へ、磁性体ヨーク外径の
0.26倍以上離れさせ、永久磁石の磁束がほとんど
偏向磁界制御素子に吸収されず、従つてこの素子
の設置がビーム集束磁界に実質上影響を及ぼさな
いようにした。
向磁界制御素子の設置位置を、１対の磁性体ヨー
クのうち、けい光面側に位置するものの端部か
ら、管軸上けい光面側へ、磁性体ヨーク外径の
0.26倍以上離れさせ、永久磁石の磁束がほとんど
偏向磁界制御素子に吸収されず、従つてこの素子
の設置がビーム集束磁界に実質上影響を及ぼさな
いようにした。
第５図は本発明の一実施例図である。第１図に
示した従来例の場合のシールドカツプ１５によく
似た形状で、その円筒の底面がけい光面側に来る
ような向き（第１図の場合とは逆）に、けい光面
側の磁性体ヨーク５の端部に取付けられた非磁性
ステンレス製のベース１５ａに、偏向磁界制御素
子１４を取付けてある。図中、ｌは偏向磁界制御
素子１４の設置位置からけい光面側磁性体ヨーク
５の端部までの距離を、Ｄは磁性体ヨーク５の外
径を示し、ｌ≧0.26Dになつている。ｌをこの様
に設定した理由は、本発明者が多数の実球試作を
行つた結果、この距離ｌとビームスポツトの扁平
率（ビームスポツトの短径と長径との比）との間
に、第６図に示すような関係があることを見出し
たからである。この際の条件は陽極電圧20kV、
ビーム電流４ｍＡ、軸上最大磁束680ガウスであ
つた。第６図からわかるように、ｌを大きくする
とビームスポツト扁平率が改善されて1.0に近付
く。全面フオーカス特性とビームスポツト扁平率
の関係を実験的に調べて、扁平率0.9以上ならば、
全面フオーカス特性が許容し得る程度になること
も確かめられている。このことからビームスポツ
トの扁平率が0.9となる0.26D以上の長さに、距離
ｌを設定することとしたのである。一方距離ｌの
上限は、一般に電子銃の全長は短い方が量産性が
良く、陰極線管利用上も好都合なので、実際には
ｌをなるべく小さくなるように設計するのが通常
である。以上磁界発生源となる永久磁石がネツク
外部に設けられた実施例について述べたが、永久
磁石の代りに直流で励磁したコイルにしても永久
磁石をネツク内部に設けた内磁形にしても同様な
ことがなりたつことは明らかである。
示した従来例の場合のシールドカツプ１５によく
似た形状で、その円筒の底面がけい光面側に来る
ような向き（第１図の場合とは逆）に、けい光面
側の磁性体ヨーク５の端部に取付けられた非磁性
ステンレス製のベース１５ａに、偏向磁界制御素
子１４を取付けてある。図中、ｌは偏向磁界制御
素子１４の設置位置からけい光面側磁性体ヨーク
５の端部までの距離を、Ｄは磁性体ヨーク５の外
径を示し、ｌ≧0.26Dになつている。ｌをこの様
に設定した理由は、本発明者が多数の実球試作を
行つた結果、この距離ｌとビームスポツトの扁平
率（ビームスポツトの短径と長径との比）との間
に、第６図に示すような関係があることを見出し
たからである。この際の条件は陽極電圧20kV、
ビーム電流４ｍＡ、軸上最大磁束680ガウスであ
つた。第６図からわかるように、ｌを大きくする
とビームスポツト扁平率が改善されて1.0に近付
く。全面フオーカス特性とビームスポツト扁平率
の関係を実験的に調べて、扁平率0.9以上ならば、
全面フオーカス特性が許容し得る程度になること
も確かめられている。このことからビームスポツ
トの扁平率が0.9となる0.26D以上の長さに、距離
ｌを設定することとしたのである。一方距離ｌの
上限は、一般に電子銃の全長は短い方が量産性が
良く、陰極線管利用上も好都合なので、実際には
ｌをなるべく小さくなるように設計するのが通常
である。以上磁界発生源となる永久磁石がネツク
外部に設けられた実施例について述べたが、永久
磁石の代りに直流で励磁したコイルにしても永久
磁石をネツク内部に設けた内磁形にしても同様な
ことがなりたつことは明らかである。
以上説明したように本発明によれば、ビームス
ポツト形状が真円に近く改善されて画質が向上す
る。
ポツト形状が真円に近く改善されて画質が向上す
る。
第１図は従来のインライン方式複数ビーム電磁
集束陰極線管のインライン配列面による断面図、
第２図は同管の管軸を含みインライン配列面に直
角な平面による断面図、第３図は第２図中に示し
たＡ−A′線断面図、第４図は同管の扁平なビー
ムスポツト形状を示す図、第５図は本発明の一実
施例図、第６図は距離ｌとビームスポツト扁平率
との関係を示す図である。 １……バルブ（のネツク）、５……磁性体ヨー
ク、８……永久磁石、１０……偏向ヨーク、１２
Ｃ……センタビーム、１２S1，１２S2……サイド
ビーム、１３……磁気主レンズ、１４……偏向磁
界制御素子、１５ａ……ベース、Ｄ……磁性体ヨ
ーク外径、ｌ……けい光面側ヨーク端部から偏向
磁界制御素子までの距離。
集束陰極線管のインライン配列面による断面図、
第２図は同管の管軸を含みインライン配列面に直
角な平面による断面図、第３図は第２図中に示し
たＡ−A′線断面図、第４図は同管の扁平なビー
ムスポツト形状を示す図、第５図は本発明の一実
施例図、第６図は距離ｌとビームスポツト扁平率
との関係を示す図である。 １……バルブ（のネツク）、５……磁性体ヨー
ク、８……永久磁石、１０……偏向ヨーク、１２
Ｃ……センタビーム、１２S1，１２S2……サイド
ビーム、１３……磁気主レンズ、１４……偏向磁
界制御素子、１５ａ……ベース、Ｄ……磁性体ヨ
ーク外径、ｌ……けい光面側ヨーク端部から偏向
磁界制御素子までの距離。
Claims (1)
- １ 電子ビーム通過孔を有する少なくとも２個以
上の磁性体ヨークを電子ビームの進行方向に配設
し、これらのヨークの間に、ネツクの外部または
内部に設けた磁界発生源によりビーム集束用磁界
を形成させ、この集束用磁界により管軸を含む平
面上にならんだ複数電子ビームをそれぞれ集束さ
せ、更にこれら複数のビームを、高透磁率磁性体
製で管軸に直交する平面上に配置した偏向磁界制
御素子により、所望面上の偏向走査点に集中させ
るようにした電磁集束陰極線管において、前記偏
向磁界制御素子を、磁性体ヨークのうちけい光面
側に最つとも近く配置したものの端部から、けい
光面側へ管軸上で磁性体ヨーク外径の0.26倍以上
離れた位置に設置したことを特徴とする電磁集束
陰極線管。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55124528A JPS5749150A (en) | 1980-09-10 | 1980-09-10 | Electromagnetic focussing cathode-ray tube |
| US06/287,794 US4473773A (en) | 1980-09-10 | 1981-07-28 | In-line type electromagnetic focusing cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55124528A JPS5749150A (en) | 1980-09-10 | 1980-09-10 | Electromagnetic focussing cathode-ray tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5749150A JPS5749150A (en) | 1982-03-20 |
| JPH0128459B2 true JPH0128459B2 (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=14887703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55124528A Granted JPS5749150A (en) | 1980-09-10 | 1980-09-10 | Electromagnetic focussing cathode-ray tube |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4473773A (ja) |
| JP (1) | JPS5749150A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766752B2 (ja) * | 1986-03-07 | 1995-07-19 | 株式会社日立製作所 | カラ−陰極線管 |
| KR940005496B1 (ko) * | 1991-12-30 | 1994-06-20 | 삼성전관 주식회사 | 음극선관 |
| TW417132B (en) * | 1996-02-27 | 2001-01-01 | Hitachi Ltd | CRT, deflection-defocusing correcting member therefor, a method of manufacturing same member, and an image display system including same CRT |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5559637A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-06 | Hitachi Ltd | Magnetic focus cathode ray tube |
-
1980
- 1980-09-10 JP JP55124528A patent/JPS5749150A/ja active Granted
-
1981
- 1981-07-28 US US06/287,794 patent/US4473773A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4473773A (en) | 1984-09-25 |
| JPS5749150A (en) | 1982-03-20 |
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