JPH01284834A - 液晶電気光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示素子や液晶光シャッターアレイ等の
液晶電気光学装置に関し、更に詳しくは強誘電性液晶を
用いた液晶電気光学装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来の液晶電気光学装置としてはツィステッド・ネマチ
ック（ｔｗｆｓｔｅｄ　ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用いた
ものが知られている。このＴＮ液晶は、画素密度を高く
したマトリクス電極構造を用いた時分割駆動の際、クロ
ストークを発生する問題点があるため、画素数が制限さ
れていた。

また、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素
子を接続し、各画素毎にスイッチングするアクティブマ
トリクス方式の表示素子が知られているが、基板上に薄
膜トランジスタを形成する工程が極めて煩雑な上、その
製造コスト製造歩留り等の要因により大面積の表示素子
を作成することが難しい問題点がある。

さらに、これらＴ”Ｎ型液晶を用いた液晶表示装置は表
示のＯＮ、　ＯＦＦのコントラストが十分に得ることが
できず、加えて表示装置の視野角が狭く、表示装置の近
くで複数の作業者が表示を視認することができなかった
。

これらの問題点を解決するものとして、クラークらによ
り米国特許第４３６７９２４号公報で強誘電性液晶を用
いた電気光学装置が提案されている。

この液晶電気光学装置は外部よりの印加信号に対し数百
マイクロ秒以下の高速応答性を持つことと液晶分子が双
安定性を持つことによって大いに期待されている液晶電
気光学装置である。

このクラークらによって提案された液晶電気光学装置を
第１図を用いて説明する。

第１図は強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例を
模式的に描いたものである。１と１′は液晶を封入する
ための並行基板であり、その間に液晶分子層が基板面に
垂直になるように配向したカイラルスメクチックＣ相（
Ｓｎ＋Ｃ”相）又は、他の強誘電性を示す液晶相を持つ
液晶材料が封入されている。

この強誘電性液晶は、一般に液晶分子が一軸方同に揃い
、かつ、スメクチック層構造を持っている。さらにスメ
クチックＣ相においては、液晶分子はスメクチック層の
法線方向に対し、液晶材料固有のある角度で傾いており
、さらにらせん構造をとっている。

このらせん構造は、強誘電性液晶が封入された液晶セル
を光学顕微鏡にて数百倍程度に拡大して観察した際に、
そのらせんピッチに対応するしま模様によって確認する
ことができる。

−ａにこのらせんピッチは１μｍ弱から５μｍ程度とさ
れている。クラークらは、強誘電性液晶が封入された液
晶セルの基板間隔をらせんピッチ付近まで狭めると、基
板表面の影響を受けてらせんがほどけることを知見し、
これを用いたのである。

基板間距離を液晶のピッチよりも小さくし液晶のラセン
をほどいた時、強誘電性液晶分子は第２図に示すように
、スメクチック相の層の法線方向に対して＋θ傾いた第
１の状態（Ｉ）と−θ傾いた第２の状態（Ｉｆ）を取る
。この状態をクラークらは５ＳＦＬＣ（表面安定化状態
）と称し、この二つの状態間を外部より電界を加えて、
強誘電性液晶分子をスイッチさせることにより発生する
複屈折効果の違いにより表示を行うものであった。

この時強誘電性液晶分子を第１の状態（Ｉ）より第２の
状態（ＩＩ）へかえる為にスメクチック層に対して垂直
方向に例えば正の電界を加えることにより成される。ま
た逆に第２の状態（ＩＩ）より第１の状態Ｎ）へ反転さ
せる為には、逆に負の電界を加えることにより成される
ものであった。

すなわち外部より印加される電界の向きをかえることに
より強誘電性液晶分子の取る二状態を変化させそれに伴
って生じる電気光学効果の違いを利用するものであった
。

さらにこの外部より印加する電界を除去しても強誘電性
液晶分子はその状態を安定に保っており第１と第２の双
安定なメモリー性を持っていた。

その為、この強誘電性液晶を用いた液晶電気光学装置を
駆動する信号波形としては両極性パルス列となっており
、パルス極性の切り替わる方向により強誘電性液晶分子
の取る二状態間をスイッチングしていた。

この二状態間のスイッチング機構に関しては、前述の米
国特許においてクラークらが提案したモデル他多数が現
在までに提案されているが、いずれにおいても、強誘電
性液晶が本来持っているらせん形成状態を、何らかの形
でらせんをほどいた状態に変えた際のスイッチングの機
構であった。

このらせんをほどくためには、よく知られた手法として
強誘電性液晶をはさむ液晶セルの基板間隔をそのらせん
ピッチ付近、すなわち１μｍ程度の極めて狭い間隔にす
ることが知られており、実際に行われていた。しかしな
がら工業的な生産技術等を考えた場合、明らかにこの間
隔は狭く、生産プロセス上での困難が伴っていた。

特にＡ４サイズ等大面積な液晶セルを１μｍ程度の間隔
に均一に製作することは、研究開発レベルは可能であっ
たが工業的にはほとんど不可能であった。

〔発明の構成〕

本発明者らは、これら従来の強誘電性液晶を用いた液晶
電気光学装置の問題点を解決すべく、鋭意検討を重ね本
発明に至った。

従来の強誘電性液晶を用いた液晶電気光学装置が必ずら
せんをほどいた状態で用いたのに対し、本発明はらせん
形成状態での強誘電性液晶を用いて電気光学装置を実現
したものであり、従来の強誘電性液晶を用いた電気光学
装置とは、そのモードが全く異なったものである。

すなわち、一対の平行基板によって形成される液晶セル
はその間隔を液晶セル内に注入される強誘電性液晶材料
のらせん形成を抑制しないような基板間隔に保たれてお
り、この状態で強誘電性液晶はスメクチック層法線方向
にらせん軸を持つようにらせんを形成できる状態であり
、この状態の時に外部より強誘電性液晶に対し電界を加
え、印加する電界の向きの反転によって液晶分子が取る
状態が変化することを利用するものである。この時、液
晶分子はその分子が持つ自発分極によって印加される電
界の向きに従って、ある特定の状態（第１の状態）に揃
う。

次に逆向きの電界を加えると別の第２の状態に揃う。こ
の第１の状態と第２の状態の違いを利用した電気光学装
置である。

又、本発明者らはこの外部より加えられる電界の向きに
よって、液晶分子が第２の状態から第１状態にスイッチ
ングする際には必ずらせん状態を経由していることを確
認した。

さらに、本発明者らは前述の第１の状態及び第２の状態
を一度とった液晶分子は外部より加えられる電界が無く
なってもその状態を保持しつづけることを確認した。

すなわち、その特徴をまとめると、本発明の液晶電気光
学装置は、液晶セルの基板間隔が従来の液晶セルの基板
間隔に、比べ十分に広いため強誘電性液晶が液晶セル内
においてらせんを形成できる状態であり、かつ、外部よ
り印加される電界の向きにより液晶分子は第１又は第２
の状態を取ることができ第１の状態から第２の状態又は
第２の状態から第１の状態へスイッチングする際にはら
せん状態を経由するものである。

このようにして本発明は、その目的とする強誘電性を用
いた電気光学装置の新しい構成、特に新しいスイッチン
グ方式を提供し、その結果、高速応答性やコントラスト
等強誘電性液晶が本来有している特性を犠牲にせず、生
産プロセスでの支障のない液晶電気光学装置を提供する
ものである。

本発明の電気光学装置としては表示装置、光シヤツター
その能様々なものが考えられるが、以下には表示装置を
その１例として具体的に説明を試みる、しかし本発明は
この表示装置のみに限定されるものではない。

又、本発明に用いられる液晶材料としては強誘電性を示
すものが用いられるが、特にスメクチックＣ＊相を温度
範囲として一１０″Ｃ〜７０’Ｃ付近まで有している液
晶が最も実用的であった。

又、相系列はどんな相系列を有するものであっても使用
可能であったが、特にスメクチックＣ１相より高温側に
スメクチックＡ相を持つ強誘電性液晶は、その初期配向
状態が良好で欠陥のないキレイな配向が得られるために
好ましかった。

以下に実施例を示し本発明を説明する 〔実施例１〕 本実施例では、液晶電気光学装置としてマトリクス型の
液晶表示装置を用いて行った。

第１図に本実施例にて使用した液晶表示装置のセル概略
断面図を示す。同図は行方向と列方向のマドリスク状に
配置された電極部の端部の一部分を示している。

また概略図であるためその寸法は任意となっている。本
実施例で用いられたセルは従来より使用されているもの
と全く同様の構成を持つものである。すなわち、透明の
基板（例えばガラス）１゜１°上に液晶駆動用の電極３
，３°が行方向と列方向にマトリクス状になるようパタ
ーニングされ形成されている。また該電極上には、配向
制御膜４，４“が設けられており、その片側は、液晶分
子の長袖が一方向に並ぶように公知のラビング処理が施
されている。この配向制御膜４，４“は両方とも同じ材
料を用いてもまた片側づつ異なった材料を用いてもよい
が本実施例においては、４の配向制御膜をポリイミド膜
を用い、もう一方の配向制御膜４′にＳｉＯ□膜を使用
した。

このように、配向制御膜の種類を変えた場合、液晶分子
を外部信号により駆動させる際に、比較的大きなしきい
値を得ることができ、マトリクス状の液晶電気光学装置
では有利であった。

このような基板１，１′を互いに重ね合わせ間にグラス
ファイバー製のスペーサ（図示せず）をはさんで一定間
隔に保って液晶セルを形成している。但し、本実施例で
はその間隔を従来の場合に比べて十分広くとり、液晶材
料の持つらせんピッチより広くとりらせんの形成を抑制
しない程度の間隔を取っている。

本実施例ではその間隔を約２０μｍとした。

本実施例で用いた強誘電性液晶材料は一般式（上記式中
Ｒは炭素数６〜１２のアルキル基を示し、Ｒｏは炭素数
９〜１５の不斉炭素原子を有する光学活性基を示し、ｌ
は１又は２である。）で表される液晶性化合物を少なく
とも一種類以上含むものであり、本実施例では特に以下
に示す混合液晶材料を使用した。

これらの物質ＡＢＣを含む強誘電性液晶材料のとる相系
列と相転移温度を以下に示す。

７９　℃　　　　　６４　　°Ｃ０９３℃１３　Ｑ　←
−−＋　３　ｍＡ　４−−−＋　３　ｍ”　Ｃ←−−ｈ
　Ｃｒｙまた、本実施例で用いた強誘電性液晶材料のら
せんピッチは室温付近で約２．８μｍと広いピッチを持
つものであった。

また、本実施例で用いた液晶材料以外例えばビフェニル
系、ピリミジン系等の液晶材料も使用することが可能で
あった。

この時、液晶材料を注入した直後の液晶セル内での液晶
の様子を偏光光学顕微鏡を用いて、観察を行った。

ちょうどスメクチックＣ０相である室温付近く約２３　
’Ｃ）の温度状態にて観察を行うと、らせんピッチに対
応するしま模様が見られるのみで、顕微鏡のステージを
回転させて消光位の位置に合わせようとしたが、消光位
は得られなかった。次に液晶セルの電極３．３′を通し
て液晶に直流電界を加えたところ消光位が得られた。す
なわち、暗状態が得られた。この時、電界の印加を止め
ても消光位状Ｂ（暗状態）のままであった。

このような液晶セルに対し、第３図に示すような電気光
学特性測定系を用いて、セルに印加した電界に対する透
過光強度の変化を測定した。

第４図（ａ）はセルに対し印加した三角波の波形を示し
、同図（ｂ）は得られた透過光強度の変化である。

又同図（Ｃ）は、実際のオシロスコープ波形の写真であ
る。

さらに第５図（ａ）に示すようなパルス波形を加えた時
の透過光強度の変化の様子を同図（ｂ）に示す。

又、同図（Ｃ）はその時得られたオシロスコープの波形
写真である。

いずれも、約２５°Ｃの温度で測定する。

特に第４図（ａ）のような三角波を印加した際のスイッ
チング時の液晶分子の配列の状態を示す偏光顕微鏡写真
を第６図（ａ）〜（ｄ）に示す。第１の状態（ａ）から
第２の状態（Ｃ）又は、第２の状態（Ｃ）から第１の状
態（ａ）の途中にらせんピッチに対応するしま模様（ｂ
）（ｄ）が見られ、スイッチングの過程でらせん形成状
態を経由していることがわかる。

さらに第５図（ａ）に示すようなパルス電圧を印加した
場合、同図（ｂ）に見られるように電圧が印加されなく
なった後でも、透過光強度は変化せず、第１の状態又は
第２の状態が保持されつづけていることがわかる。又、
この時期と暗のコントラスト比は、２３．５という大き
な値が得られた。これは従来より知られた強誘電性液晶
材料を用いた表示装置で得られるコントラスト比の値と
ほぼ同程度の値であり、また表示視野角も従来装置の場
合と同程度のものであった。

〔実施例２］ 本実施例では、実施例１と全く同じ構造の液晶セルを用
いその基板間隔を変化させた。その間隔として幅１０μ
ｍ、２０μｍ、５０μｍの３タイプのセルを作成した。

また液晶セルに注入した強誘電性液晶材料も実施例１の
場合と同じものを用いた。

これら、いずれのセルにおいても液晶材料注入直後は、
偏光顕微鏡にて消光位が得られず、かつ、らせんピッチ
に対応するしま模様が見られた。

しかし唯一１０μｍセルだけは、はっきりとしたしま模
様が見られず、ぼやけていたが消光位が得られないこと
より、他のセルと同様らせんを形成しているものと考え
られる。

これらのセルに対し、第５図（ａ）のパルスを印加した
際のコントラスト比の値とセル間隔との関係を以下の表
に示す。

このようにセル間隔が１０μｍ付近では液晶セルの基板
よりの影響が液晶に若干およぶので液晶分子の配向状態
がみだれコントラスト比が低くなる。一方液晶セルの厚
みが５０μｍ付近では液晶セルの厚み方向で液晶材料の
スメクチック層がずれる為にコントラスト比が同様に低
くなる。

この傾向は本実施例以外の場合でも見られる傾向であり
使用する液晶の持つ特性の違いによって基板よりの影響
によってコントラスト比に影響が出始める厚みが若干ず
れていた。

しかし、１０μｍの間隔の液晶セルにおいても十分な表
示品質が得られており実用上の問題はなかった。

また、実施例で使用した強誘電性液晶材料のらせん形成
を完全に抑制する臨界のセル厚みは２゜０μｍ付近であ
った。

〔効果〕

本発明は従来より知られていた強誘電性液晶を用いた電
気光学装置とは全く異なるモードでの電気光学装置であ
る。

特に従来の強誘電性液晶−を用いた電気光学装置では必
須であった強誘電性液晶材料のらせん形成の抑制を行う
必要がないため、工業的な多量生産を行う際に製造歩留
まりを向上させ、かつ、生産の際の各種条件の許容範囲
を広く取ることが可能となった。

よって、本発明は強誘電性液晶材料が木来持っていた高
速応答性や高コントラスト等の特性を犠牲にせず生産性
の向上を可能としたものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は液晶電気光学装置セルの概略を示す。 第２図は強誘電性液晶分子の様子を示す。 第３図は電気光学特性の測定系を示す。 第４図（ａ）はセルに対し印加した三角波の波形を示し
、同図（ｂ）は得られた透過光強度の変化である。同図
（Ｃ）は実際のオシロスコープ波形の写真である。 第５図（ａ）はセルに対し加えたパルス波形を示し、同
図（ｂ）にその時の透過光強度の変化の様子を示す。同
図（Ｃ）はその時得られたオシロスコープの波形写真で
ある。 第６図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）　、　（ｄ）は
スイッチング過程でαシ 第６図 第β図 （５コ） 手続補正書 昭和６３年６月９山

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一対の平行基板によって形成される液晶セル中に強
   誘電性を示す液晶を少なくとも一種類以上含む強誘電性
   液晶混合物が注入された液晶電気光学装置において、前
   記一対の平行基板の間隔は前記液晶混合物のらせん形成
   を抑制しない範囲に保たれており、該液晶分子は液晶セ
   ル内においてスメクチック層に垂直方向にらせん軸を持
   つようにらせんを形成できる状態であり、かつ、前記強
   誘電性を示す液晶混合物に対して印加する電界の向きの
   反転によって該液晶分子が取る状態を変化させることを
   利用することを特徴とする液晶電気光学装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された構成を有する液
   晶電気光学装置において、前記液晶混合物に印加される
   電界の向きによって、液晶混合物は第１または第２の分
   子配向状態のいずれか特徴とした液晶電気光学装置 ３、特許請求の範囲第１項又は第２項において、前記液
   晶電気光学装置はマトリックス型液晶表示素子であるこ
   とを特徴とする液晶電気光学装置。