JPH0128512Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0128512Y2 JPH0128512Y2 JP1980081813U JP8181380U JPH0128512Y2 JP H0128512 Y2 JPH0128512 Y2 JP H0128512Y2 JP 1980081813 U JP1980081813 U JP 1980081813U JP 8181380 U JP8181380 U JP 8181380U JP H0128512 Y2 JPH0128512 Y2 JP H0128512Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductor
- electrode
- potential
- light beam
- surface potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、電子写真記録装置に関し、特に光導
電体の表面電位の減衰の抑制に関するものであ
る。
電体の表面電位の減衰の抑制に関するものであ
る。
電子写真記録装置の主要な構成は光導電性の感
光体ドラムの周囲に各処理工程が配置されたもの
である。すなわち、回転する感光体ドラムの方向
に沿つて、 帯電（帯電器による感光体表面への帯電） 露光（光ビームによる感光体表面への電荷潜
像を描く） 現像（電荷潜像を可視像にする） 転写（可視像を記録紙の移す） イレーズ（感光体表面の静電像を取り除く） クリーニング（感光体表面に残つている可視
像を作るために用いた粉体を取り除く） から成る６工程を備え、これら一連の工程を繰り
返すことによつて電子写真記録が成される。
光体ドラムの周囲に各処理工程が配置されたもの
である。すなわち、回転する感光体ドラムの方向
に沿つて、 帯電（帯電器による感光体表面への帯電） 露光（光ビームによる感光体表面への電荷潜
像を描く） 現像（電荷潜像を可視像にする） 転写（可視像を記録紙の移す） イレーズ（感光体表面の静電像を取り除く） クリーニング（感光体表面に残つている可視
像を作るために用いた粉体を取り除く） から成る６工程を備え、これら一連の工程を繰り
返すことによつて電子写真記録が成される。
上記一連の工程において、感光体表面の円周に
沿つて該感光体の表面に帯電した電荷を電位とい
う尺度で測ると次のような表面電位分布を示す。
沿つて該感光体の表面に帯電した電荷を電位とい
う尺度で測ると次のような表面電位分布を示す。
すなわち、横軸に感光体の周囲位置、縦軸に表
面電位を表わすグラフを描けば、帯電による一定
レベルの電位が露光によつて低下し、さらにイレ
ーズによつて除電されるパターンとなる。
面電位を表わすグラフを描けば、帯電による一定
レベルの電位が露光によつて低下し、さらにイレ
ーズによつて除電されるパターンとなる。
上記電子写真記録装置に用いられる光導電体の
物理的特性として重要なものに、光感度特性と光
導電体の表面電位の暗減衰特性がある。
物理的特性として重要なものに、光感度特性と光
導電体の表面電位の暗減衰特性がある。
光感度特性とは感光ドラムの光導電体に光が当
つて帯電器による初期の表面電位が低下する性質
をいい、光感度は上記低下した表面電位と初期の
表面電位との差の、初期表面電位に対する比であ
る。該差の電位は結果として可視像の濃淡に反映
するのでコントラスト電位と呼ぶこともできる。
つて帯電器による初期の表面電位が低下する性質
をいい、光感度は上記低下した表面電位と初期の
表面電位との差の、初期表面電位に対する比であ
る。該差の電位は結果として可視像の濃淡に反映
するのでコントラスト電位と呼ぶこともできる。
また、暗減衰特性とは、帯電や露光などの工程
を経る間に、光導電体の表面電位がある原因で減
衰（減少、低下）する現像を呈する性質という。
を経る間に、光導電体の表面電位がある原因で減
衰（減少、低下）する現像を呈する性質という。
換言すれば光を当てない暗の状態に放置して自
然放電的に表面電位が低下する様を減衰という言
い方をするものである。
然放電的に表面電位が低下する様を減衰という言
い方をするものである。
従来、光導電体としてセレンや硫化カドニウム
が用いられているが、光の長波長領域に光感度を
もたせようとすると、暗減衰特性が悪くなり、光
導電体の表面を帯電させても表面電位が急激に減
少してしまう。
が用いられているが、光の長波長領域に光感度を
もたせようとすると、暗減衰特性が悪くなり、光
導電体の表面を帯電させても表面電位が急激に減
少してしまう。
上記暗減衰特性が悪くなる理由は、光導電体の
光感度特性のピークを長波長領域にシフトするた
めに光導電体自体のバンドギヤツプ（励起エネル
ギ幅、バンドギヤツプ理論における充満帯と伝導
体とのエネルギ帯幅）を小さくするので、熱エネ
ルギーによつて充満帯から伝導帯に移る発生キヤ
リアが増加し、このキヤリアが光導電体である感
光体表面に移動して、すでに存在する帯電したキ
ヤリアと中和するためである。
光感度特性のピークを長波長領域にシフトするた
めに光導電体自体のバンドギヤツプ（励起エネル
ギ幅、バンドギヤツプ理論における充満帯と伝導
体とのエネルギ帯幅）を小さくするので、熱エネ
ルギーによつて充満帯から伝導帯に移る発生キヤ
リアが増加し、このキヤリアが光導電体である感
光体表面に移動して、すでに存在する帯電したキ
ヤリアと中和するためである。
一方、上記とは逆に暗減衰特性を改善すると光
感度特性が悪くなつてしまうという問題があり、
光の長波長領域では実用化されていない。
感度特性が悪くなつてしまうという問題があり、
光の長波長領域では実用化されていない。
本考案の目的は光導電体の表面電位の暗減衰特
性を改善し長波長領域の光を使用しての電子写真
記録の画質を向上させることにある。
性を改善し長波長領域の光を使用しての電子写真
記録の画質を向上させることにある。
本考案の他の目的は、光導電体である感光体の
表面電位の減衰を抑制し、光導電体の暗減衰特性
を改善することにある。
表面電位の減衰を抑制し、光導電体の暗減衰特性
を改善することにある。
第１図のように接地させた電極基板１上の光導
電体２の表面を電位V0に帯電させた後の、表面
電位Ｖの暗減衰特性は、一般に Ｖ＝V0e-at ……(1) となる。ただし、V0は帯電電位、ａは光導電体
の材料によつ決まる定数、ｔは時間をそれぞれ表
わしている。
電体２の表面を電位V0に帯電させた後の、表面
電位Ｖの暗減衰特性は、一般に Ｖ＝V0e-at ……(1) となる。ただし、V0は帯電電位、ａは光導電体
の材料によつ決まる定数、ｔは時間をそれぞれ表
わしている。
(1)式のように帯電後の表面電位が減少する理由
は、光導電体表面と電極との間の電位差により電
界が生じ、帯電により光導電体表面に付いた電荷
３が電界により静電力を受けて電極基板１へ移動
するか、又は電極基板１側から帯電電荷とは静電
誘導現象による逆極性の電荷が光導電体中に入
り、表面まで移動して表面の電荷と中和すること
により、表面電荷が減少するためである。したが
つて、光導電体表面と電極間の電位差を減少させ
れば、発生する逆極性の電荷の量が減少するので
表面電位の減衰を抑制するとができる訳である。
は、光導電体表面と電極との間の電位差により電
界が生じ、帯電により光導電体表面に付いた電荷
３が電界により静電力を受けて電極基板１へ移動
するか、又は電極基板１側から帯電電荷とは静電
誘導現象による逆極性の電荷が光導電体中に入
り、表面まで移動して表面の電荷と中和すること
により、表面電荷が減少するためである。したが
つて、光導電体表面と電極間の電位差を減少させ
れば、発生する逆極性の電荷の量が減少するので
表面電位の減衰を抑制するとができる訳である。
表面電位V0に帯電した光導電体２を第２図の
ような形状の電極１，４の間に入れ、両電極が接
地されていた場合において、光導電体２の表面と
電極基板１の間の電位差V1は V1＝C1／C1＋C2V0 ……(2) となる。ここで、C1は光導電体２の静電容量、
C2は光導電体２の表面と電極４の間の静電容量
である。この方法により、光導電体２にかかる電
位差をC1／（C1＋C2）の割合だけ小さくするこ
とができる。さらに、第２図において、電極４に
電源５より電圧VSを印加した場合、電圧印加に
よつて新たに光導電体２の表面と電極１の間に加
わる電位差V2は V2＝C2／C1＋C2VS ……(3) となる。
ような形状の電極１，４の間に入れ、両電極が接
地されていた場合において、光導電体２の表面と
電極基板１の間の電位差V1は V1＝C1／C1＋C2V0 ……(2) となる。ここで、C1は光導電体２の静電容量、
C2は光導電体２の表面と電極４の間の静電容量
である。この方法により、光導電体２にかかる電
位差をC1／（C1＋C2）の割合だけ小さくするこ
とができる。さらに、第２図において、電極４に
電源５より電圧VSを印加した場合、電圧印加に
よつて新たに光導電体２の表面と電極１の間に加
わる電位差V2は V2＝C2／C1＋C2VS ……(3) となる。
光導電体２の表面と電極基板１との電位差を零
にするためには、前述のV1とV2が、 V1＋V2＝０ ……(4) となればよい。したがつて、(2)，(3)式より(4)式の
条件を満たすために電極４へ印加する電圧VSは、 VS＝−C1／C2V0 となる。
にするためには、前述のV1とV2が、 V1＋V2＝０ ……(4) となればよい。したがつて、(2)，(3)式より(4)式の
条件を満たすために電極４へ印加する電圧VSは、 VS＝−C1／C2V0 となる。
以上のように本考案は、光導電体の表面と電極
基板との電位差を零にするという原理を特徴とす
るものである。
基板との電位差を零にするという原理を特徴とす
るものである。
第３図は、本考案の原理を利用した電子写真記
録装置の実施例を示すものである。
録装置の実施例を示すものである。
金属製のドラム６に蒸着されたセレンの光導電
体２の表面は、帯電器７により一様にプラス帯電
される。このときの光導電体２の表面電位は約
800Vである。帯電後、光導電体２は、光導電体
表面から約200μm離れた位置に設けた電極８の下
を経由した後に光ビーム１０によつて露光され
る。このとき、電極８に電源９により−4KVの
電圧を印加しておく。露光後、電極８と同様に設
置された電極１１の下を通り、現像器１２によ
り、プラス極性に帯電した現像剤により反転現像
される。現像された像は、マイナス極性の転写器
１３により記録紙１４に転写される。転写後、光
導電体２上に残留した現像剤は、クリーナ１５に
よつてクリーニングされる。
体２の表面は、帯電器７により一様にプラス帯電
される。このときの光導電体２の表面電位は約
800Vである。帯電後、光導電体２は、光導電体
表面から約200μm離れた位置に設けた電極８の下
を経由した後に光ビーム１０によつて露光され
る。このとき、電極８に電源９により−4KVの
電圧を印加しておく。露光後、電極８と同様に設
置された電極１１の下を通り、現像器１２によ
り、プラス極性に帯電した現像剤により反転現像
される。現像された像は、マイナス極性の転写器
１３により記録紙１４に転写される。転写後、光
導電体２上に残留した現像剤は、クリーナ１５に
よつてクリーニングされる。
この実施例により記録紙１４に良好な画像が得
られるという効果を奏する。
られるという効果を奏する。
これに対して、電極８と電極１１を取り除い
て、前述の実施例と同様な条件で、帯電・露光・
現像・転写を行なつたが、記録紙１４に形成され
た画像は画濃度が低いものとなつた。
て、前述の実施例と同様な条件で、帯電・露光・
現像・転写を行なつたが、記録紙１４に形成され
た画像は画濃度が低いものとなつた。
その理由は、実施例で使用したセレン光導電体
２を、光の長波長領域でも感度があるような光感
度特性にしたため、暗減衰特性が悪化したことに
ある。例えば帯電器７により表面電位が約800V
に帯電されても、光ビーム１０で露光されるまで
の時間に約200Vまで減少してしまつた。これに
対して、本考案を用いると、電極８に電源９より
−4KVの電圧を印加した場合、光導電体２が露
光位置に達するまでその表面電位を500V以上に
確保でき、光感度特性を悪くすることなく暗減衰
特性を改善でき、良好な画像が得られた。電極１
１も電極８と同様に光導電体２の表面電位の減衰
を抑える効果がある。
２を、光の長波長領域でも感度があるような光感
度特性にしたため、暗減衰特性が悪化したことに
ある。例えば帯電器７により表面電位が約800V
に帯電されても、光ビーム１０で露光されるまで
の時間に約200Vまで減少してしまつた。これに
対して、本考案を用いると、電極８に電源９より
−4KVの電圧を印加した場合、光導電体２が露
光位置に達するまでその表面電位を500V以上に
確保でき、光感度特性を悪くすることなく暗減衰
特性を改善でき、良好な画像が得られた。電極１
１も電極８と同様に光導電体２の表面電位の減衰
を抑える効果がある。
上記実施例では、電極８，１１に電圧を印加し
た場合について述べたが、電極８，１１に電圧を
印加せずドラム６と同電位にして用いても、暗減
衰を抑える効果がある。
た場合について述べたが、電極８，１１に電圧を
印加せずドラム６と同電位にして用いても、暗減
衰を抑える効果がある。
以上の如く本考案は、暗減衰を抑制できるの
で、光源の波長に対応して所望の光感度特性を有
する光導電体材料の選択範囲が広がるとともに、
光導電体の高感度化が可能となり、良好な画像が
得られる効果がある。
で、光源の波長に対応して所望の光感度特性を有
する光導電体材料の選択範囲が広がるとともに、
光導電体の高感度化が可能となり、良好な画像が
得られる効果がある。
第１図は光導電体の表面電位減衰を説明するた
めの図、第２図は本考案の原理を説明するための
略図、第３図は本考案になる電子写真記録装置の
概略図である。 １……電極基板、２……光導電体、７……帯電
器、８，１１……電極、９……電源、１０……光
ビーム、１２……現像器。
めの図、第２図は本考案の原理を説明するための
略図、第３図は本考案になる電子写真記録装置の
概略図である。 １……電極基板、２……光導電体、７……帯電
器、８，１１……電極、９……電源、１０……光
ビーム、１２……現像器。
Claims (1)
- 光導電体の表面を帯電器により帯電させた後、
光ビームを照射して電荷潜像を形成し、現像、転
写を行なう電子写真記録装置において、帯電器と
光ビーム照射位置までの間と、光ビーム照射位置
と現像器の間の、少なくともどちらか一方に、光
導電体に近接して配置した電極と、この電極を光
導電体を支持している電極基板と同電位にする
か、または、この電極に前記の電荷潜像とは逆極
性の電圧を印加する手段とを設けたことを特徴と
する電子写真記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980081813U JPH0128512Y2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980081813U JPH0128512Y2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS577041U JPS577041U (ja) | 1982-01-14 |
| JPH0128512Y2 true JPH0128512Y2 (ja) | 1989-08-30 |
Family
ID=29444190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980081813U Expired JPH0128512Y2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0128512Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58132249A (ja) * | 1982-01-30 | 1983-08-06 | Mita Ind Co Ltd | 現像剤の飛散防止方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4824734U (ja) * | 1971-07-26 | 1973-03-23 |
-
1980
- 1980-06-13 JP JP1980081813U patent/JPH0128512Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS577041U (ja) | 1982-01-14 |
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