JPH01285919A - 半導体光導波路型偏光素子 - Google Patents
半導体光導波路型偏光素子Info
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- JPH01285919A JPH01285919A JP11629888A JP11629888A JPH01285919A JP H01285919 A JPH01285919 A JP H01285919A JP 11629888 A JP11629888 A JP 11629888A JP 11629888 A JP11629888 A JP 11629888A JP H01285919 A JPH01285919 A JP H01285919A
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- Japan
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- optical
- mode
- interferometric
- optical waveguide
- intensity modulator
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光通信、光信号処理に適用可能な偏波面選択
性を有する半導体光導波路型偏光素子に関するものであ
る。
性を有する半導体光導波路型偏光素子に関するものであ
る。
（従来の技術〕
従来、この種の導波路型偏光素子として金属タラッディ
ング偏光子がある。この金属タラッディング偏光子は光
導波路表面に直接金属をクラツデイングすることによっ
て、ＴＭモードを吸収しＴＥモードのみを透過するとい
う特徴をもっている。
ング偏光子がある。この金属タラッディング偏光子は光
導波路表面に直接金属をクラツデイングすることによっ
て、ＴＭモードを吸収しＴＥモードのみを透過するとい
う特徴をもっている。
この従来例としては、文献（Ｙ、 Ｓｕｅｍａｔｓｕ、
Ｍ。
Ｍ。
Ｈａｋｕｔａ、 Ｋ、 Ｆｕｒｕｙａ、 Ｋ、 Ｃｈｉ
ｂａ、 ａｎｄ Ｒ，Ｈａｓｕｍｔらにより ＾ｐｐｌ
、 Ｐｈｙｓ、 Ｉ、ｅｔｔ、、 ｖｏｌ、 ２１＋
Ｎｏ、ら、 ｐｐ。
ｂａ、 ａｎｄ Ｒ，Ｈａｓｕｍｔらにより ＾ｐｐｌ
、 Ｐｈｙｓ、 Ｉ、ｅｔｔ、、 ｖｏｌ、 ２１＋
Ｎｏ、ら、 ｐｐ。
２９１−２９３．５ｅｐｔ、 １９７２）に記載された
ものがある。
ものがある。
このような従来例を第４図に基づいて説明する。
第４図は従来例の構成図である。基板１１の上にそれよ
り屈折率の大きい薄膜１２を設け、光導波層とする。薄
膜■２の一部には金属（アルミニウム）膜１３が設けら
れている。光はプリズム１４によりＡ→Ｂ−１Ｃ−Ｄの
ように伝搬し、ＢＣ間を伝搬する間に７Ｍモードのみが
減衰し、ＤからはＴＥモードだけが出射する。
り屈折率の大きい薄膜１２を設け、光導波層とする。薄
膜■２の一部には金属（アルミニウム）膜１３が設けら
れている。光はプリズム１４によりＡ→Ｂ−１Ｃ−Ｄの
ように伝搬し、ＢＣ間を伝搬する間に７Ｍモードのみが
減衰し、ＤからはＴＥモードだけが出射する。
（発明が解決しようとする課題）
第４図に示すような従来例では、ＴＥモードだけを透過
することができるが、ＴＥあるいはＴＭいずれかの偏波
モードを選択的に透過することはできない。また、先導
波層１２は１次元的な光閉じ込めを持つだけで、光が光
導波層１２を伝搬する間に広がるため、信号光の強度が
減衰する。従って、光信号処理等を目的とした導波路型
素子として従来例を適用することはできない。
することができるが、ＴＥあるいはＴＭいずれかの偏波
モードを選択的に透過することはできない。また、先導
波層１２は１次元的な光閉じ込めを持つだけで、光が光
導波層１２を伝搬する間に広がるため、信号光の強度が
減衰する。従って、光信号処理等を目的とした導波路型
素子として従来例を適用することはできない。
導波路型素子を用いて光信号処理を行う場合、導波路型
素子はＴＥあるいはＴＭのいずれかの偏光に対してのみ
動作することが多く、したがってＴＥと７Ｍモードのい
ずれかを選択することが要求される。本発明は上記の要
望に沿うため提案されたもので、ＴＥと７Ｍモードをい
ずれかを選択的に除去し、一方の偏波モードのみを選択
的に透過する半導体光導波路型偏光素子を提供すること
を目的とする。
素子はＴＥあるいはＴＭのいずれかの偏光に対してのみ
動作することが多く、したがってＴＥと７Ｍモードのい
ずれかを選択することが要求される。本発明は上記の要
望に沿うため提案されたもので、ＴＥと７Ｍモードをい
ずれかを選択的に除去し、一方の偏波モードのみを選択
的に透過する半導体光導波路型偏光素子を提供すること
を目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するため、本発明は２次元的な光閉じ
込めを有する１本の半導体光導波路を２本に分岐した後
、再び１本にすることによって構成される干渉型光強度
変調器を、縦列に２個以上接続する半導体光導波路型素
子であって、縦列に接続される２個以上の干渉型光強度
変調器は、その干渉型光強度変調器を構成する光導波路
の方向が、半導体の（１００）面内で（ＯＴ １ ）方
位あるいは（０１１）方位と平行である第１の干渉型光
強度変調器と、前記第１の干渉型光強度変調器とのなす
角度の大きさが４５度である第２の干渉型光強度変調器
とに区別され、前記第１の干渉型光強度変調器を構成す
る半導体光導波路には・′ｖ：′）光導波路を中心にし
て（１００）方向に互いに対向する電極が設けられ、前
記第１の干渉型光強度変調器とのなす角度の大きさが４
５度である第２の干渉型光強度変調器を構成する半導体
光導波路には、光導波路を中心にして前記第１の干渉型
光強度変調器を構成する半導体光導波路に設けられた、
互いに対向する電極の方向と直角をなす方向に、互いに
対向する電極が設けられることを特徴とする半導体光導
波路型偏光素子を発明の要旨とするものである。
込めを有する１本の半導体光導波路を２本に分岐した後
、再び１本にすることによって構成される干渉型光強度
変調器を、縦列に２個以上接続する半導体光導波路型素
子であって、縦列に接続される２個以上の干渉型光強度
変調器は、その干渉型光強度変調器を構成する光導波路
の方向が、半導体の（１００）面内で（ＯＴ １ ）方
位あるいは（０１１）方位と平行である第１の干渉型光
強度変調器と、前記第１の干渉型光強度変調器とのなす
角度の大きさが４５度である第２の干渉型光強度変調器
とに区別され、前記第１の干渉型光強度変調器を構成す
る半導体光導波路には・′ｖ：′）光導波路を中心にし
て（１００）方向に互いに対向する電極が設けられ、前
記第１の干渉型光強度変調器とのなす角度の大きさが４
５度である第２の干渉型光強度変調器を構成する半導体
光導波路には、光導波路を中心にして前記第１の干渉型
光強度変調器を構成する半導体光導波路に設けられた、
互いに対向する電極の方向と直角をなす方向に、互いに
対向する電極が設けられることを特徴とする半導体光導
波路型偏光素子を発明の要旨とするものである。
しかして、本発明は導波路型素子を用いた光信号処理を
有効に行うために、電圧を印加することによってＴＥあ
るいはＴＭの偏波モードのいずれか一方だけを選択的に
透過することを最も主要な特徴とする。従来の導波路型
偏光子では、透過する偏波モードは予め定められており
、任意の偏波モードだけを選択的に透過することは不可
能であった。一方、本発明においては、電圧印加により
透過する偏波モードを選択できる点が従来の技術とは著
しく異なる。更に従来技術の金属タラッディング偏光子
は１次元的な光閉し込めしか持たず、光導波路素子へ応
用することは困難である。一方、本発明の偏光素子は２
次元的な光閉じ込めを持つ半導体光導波路によって構成
されており、光導波路素子として光集積回路への応用も
十分可能である。
有効に行うために、電圧を印加することによってＴＥあ
るいはＴＭの偏波モードのいずれか一方だけを選択的に
透過することを最も主要な特徴とする。従来の導波路型
偏光子では、透過する偏波モードは予め定められており
、任意の偏波モードだけを選択的に透過することは不可
能であった。一方、本発明においては、電圧印加により
透過する偏波モードを選択できる点が従来の技術とは著
しく異なる。更に従来技術の金属タラッディング偏光子
は１次元的な光閉し込めしか持たず、光導波路素子へ応
用することは困難である。一方、本発明の偏光素子は２
次元的な光閉じ込めを持つ半導体光導波路によって構成
されており、光導波路素子として光集積回路への応用も
十分可能である。
（作用）
本発明は２次元的な光閉じ込めを存する半導体光導波路
によって構成される２つの干渉型光強度変調器を縦列接
続して構成されているので、電極に印加する電圧によっ
てＴＥあるいはＴＭのいずれかの偏波モードを選択的に
透過させることができる。
によって構成される２つの干渉型光強度変調器を縦列接
続して構成されているので、電極に印加する電圧によっ
てＴＥあるいはＴＭのいずれかの偏波モードを選択的に
透過させることができる。
次に本発明の実施例について説明する。なお、実施例は
一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で
、種々の変更あるいは改良を行いうろことは言うまでも
ない。
一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で
、種々の変更あるいは改良を行いうろことは言うまでも
ない。
（実施例）
第１図は本発明の半導体光導波路型偏光素子の実施例を
示す。この図において信号光は２次元的な光間し込めを
有する半導体光導波路中をＡ−＋Ｂ→Ｃ−＋Ｄ−＋Ｅ−
＋Ｆと伝搬する。四角形ＰＱＲ３はＧａＡｓあるいはＩ
ｎＰ等の４３ｍの対称性をもつジンクブレンド型半導体
結晶の（１００）面であり、ＰＱとＲ３とは＜０１１＞
に垂直なへき開面であり、ＱＲとＳＰは〈０丁１〉に垂
直なへき開面である。■と２はそれぞれ光導波路の上と
光導波路の両側に設けられた電極を表す。
示す。この図において信号光は２次元的な光間し込めを
有する半導体光導波路中をＡ−＋Ｂ→Ｃ−＋Ｄ−＋Ｅ−
＋Ｆと伝搬する。四角形ＰＱＲ３はＧａＡｓあるいはＩ
ｎＰ等の４３ｍの対称性をもつジンクブレンド型半導体
結晶の（１００）面であり、ＰＱとＲ３とは＜０１１＞
に垂直なへき開面であり、ＱＲとＳＰは〈０丁１〉に垂
直なへき開面である。■と２はそれぞれ光導波路の上と
光導波路の両側に設けられた電極を表す。
ＢとＣの間は１本の光導波路を２本の直線光導波路に分
岐した後、再び１本に戻す第１の干渉型光強度変調器を
形成している。ＢＣ間の光導波路の長さはいずれの経路
をとっても等しい。ＡとＢとＣで構成される直線はＰＱ
に平行すなわち〈０１■〉方向の直線となる。ＤＥ間は
ＢＣ間と同一の第２の干渉型光強度変調器である。ＢＣ
間とＤＥ間の第１及び第２の干渉型光強度変調器は互い
に角度θを形成するように、光導波路ＣＤを介して滑ら
かに接続される。光導波路ＥＦは、ＳＰと平行なへき開
面ＱＲから信号光を出射させるために滑らかな曲線を形
成する。ｌａ、ｌｂは第１の干渉型光強度変調器の電極
、２ａ、２ｂは第２の干渉型光強度変調器の電極を示す
。
岐した後、再び１本に戻す第１の干渉型光強度変調器を
形成している。ＢＣ間の光導波路の長さはいずれの経路
をとっても等しい。ＡとＢとＣで構成される直線はＰＱ
に平行すなわち〈０１■〉方向の直線となる。ＤＥ間は
ＢＣ間と同一の第２の干渉型光強度変調器である。ＢＣ
間とＤＥ間の第１及び第２の干渉型光強度変調器は互い
に角度θを形成するように、光導波路ＣＤを介して滑ら
かに接続される。光導波路ＥＦは、ＳＰと平行なへき開
面ＱＲから信号光を出射させるために滑らかな曲線を形
成する。ｌａ、ｌｂは第１の干渉型光強度変調器の電極
、２ａ、２ｂは第２の干渉型光強度変調器の電極を示す
。
第２．第３図はそれぞれＢＣ間（第１）とＤＥ間（第２
）の干渉型光強度変調器のに−Ｌ及びＭ−Ｎに沿う断面
図である。第２図及び第３図において、４は（１００）
面をもつ半導体基板、６は半導体基板４上のエピタキシ
ャル成長した膜であり、５はエピタキシャル膜６の中に
形成され、かつ膜６より大きな屈折率を有する半導体光
導波路である。７と９と１０とは夫々電極８又は１１と
オーミック接合を得るための高キ＋リア濃度領域である
と同時に、領域７は光導波路５に（１００）面と垂直方
向に電圧を印加し、領域９と１０とは光導波路５に（１
００）面と平行方向に電圧を印加する働きをもつ。３と
８と１１とはオーミック電極である。
）の干渉型光強度変調器のに−Ｌ及びＭ−Ｎに沿う断面
図である。第２図及び第３図において、４は（１００）
面をもつ半導体基板、６は半導体基板４上のエピタキシ
ャル成長した膜であり、５はエピタキシャル膜６の中に
形成され、かつ膜６より大きな屈折率を有する半導体光
導波路である。７と９と１０とは夫々電極８又は１１と
オーミック接合を得るための高キ＋リア濃度領域である
と同時に、領域７は光導波路５に（１００）面と垂直方
向に電圧を印加し、領域９と１０とは光導波路５に（１
００）面と平行方向に電圧を印加する働きをもつ。３と
８と１１とはオーミック電極である。
次に動作について説明する。
第１図のＡから偏波方向が（１００）面と平行なＴＥと
偏波方向が（１００）面と垂直な７Ｍモードの混在した
楕円偏光が入射するとする。ＢＣ間の第１の干渉型光強
度変調器を構成する２本の平行な光導波路のうちの一方
の光導波路に（１００）面と垂直方向に第２図の電極３
と８を介して電圧を印加すると、光導波路を伝搬するＴ
Ｅと７Ｍモードのうちの、ＴＥモードだけの位相を変化
させることができる。このとき７Ｍモードの位相はまっ
たく変化しない。印加する電圧を適当に選ぶことによっ
てＴＥモードの位相変化量を半波長分すなわちπとする
ことができ、この場合ＴＥモードはＣにおいて、第１の
干渉型光強度変調器の他方の光導波路を伝搬してきたＴ
Ｅモードと逆相となり、Ｃ以降の光導波路を伝搬するＴ
Ｅモードの光強度は消滅する。次にＢＣ間とＤＥ間との
第１及び第２の干渉型光強度変調器のなす角度θが±４
５度となるように製作された第１図の実施例において、
ＤＥ間の第２の干渉型光強度変調器を構成する２本の平
行な光導波路のうちの一方の光導波路に（１００）面と
平行方向に第３図の電極１１を介して電圧を印加すると
、光導波路を伝搬するＴＥと７Ｍモードのうちの７Ｍモ
ードだけの位相を変化させることができる。
偏波方向が（１００）面と垂直な７Ｍモードの混在した
楕円偏光が入射するとする。ＢＣ間の第１の干渉型光強
度変調器を構成する２本の平行な光導波路のうちの一方
の光導波路に（１００）面と垂直方向に第２図の電極３
と８を介して電圧を印加すると、光導波路を伝搬するＴ
Ｅと７Ｍモードのうちの、ＴＥモードだけの位相を変化
させることができる。このとき７Ｍモードの位相はまっ
たく変化しない。印加する電圧を適当に選ぶことによっ
てＴＥモードの位相変化量を半波長分すなわちπとする
ことができ、この場合ＴＥモードはＣにおいて、第１の
干渉型光強度変調器の他方の光導波路を伝搬してきたＴ
Ｅモードと逆相となり、Ｃ以降の光導波路を伝搬するＴ
Ｅモードの光強度は消滅する。次にＢＣ間とＤＥ間との
第１及び第２の干渉型光強度変調器のなす角度θが±４
５度となるように製作された第１図の実施例において、
ＤＥ間の第２の干渉型光強度変調器を構成する２本の平
行な光導波路のうちの一方の光導波路に（１００）面と
平行方向に第３図の電極１１を介して電圧を印加すると
、光導波路を伝搬するＴＥと７Ｍモードのうちの７Ｍモ
ードだけの位相を変化させることができる。
印加する電圧を適当に選ぶことによって、７Ｍモードの
位相変化量をπとすることができ、Ｅにおいて他方の光
導波路を伝搬してきた７Ｍモードと逆相の関係にできる
。したがって、Ｅ以降の光導波路を伝搬する７Ｍモード
の光強度は消滅する。
位相変化量をπとすることができ、Ｅにおいて他方の光
導波路を伝搬してきた７Ｍモードと逆相の関係にできる
。したがって、Ｅ以降の光導波路を伝搬する７Ｍモード
の光強度は消滅する。
この場合にはＴＥモードの伝搬光はＤＥ間では何らの位
相変化も受けない。
相変化も受けない。
このようなＴＥと７Ｍモードに対する変調特性を有する
２つの干渉型光強度変調器を縦列に接続した第１図の実
施例においては、ＴＦ、と７Ｍモードの混在する信号光
をＡから入力し、ＢＣ間の干渉型光強度変調器の一方の
光導波路に適当な電圧を印加し、さらにＤＥ間の干渉型
光強度変調器には電圧を印加しない場合にはＦから７Ｍ
モードのみを出力させることができる。また、ＢＣ間の
干渉型光強度変調器には電圧を印加せず、ＤＥ間の干渉
型光強度変調器の一方の光導波路に適当な電圧を印加す
る場合にはＦからＴＥモードのみを出力させることがで
きる。
２つの干渉型光強度変調器を縦列に接続した第１図の実
施例においては、ＴＦ、と７Ｍモードの混在する信号光
をＡから入力し、ＢＣ間の干渉型光強度変調器の一方の
光導波路に適当な電圧を印加し、さらにＤＥ間の干渉型
光強度変調器には電圧を印加しない場合にはＦから７Ｍ
モードのみを出力させることができる。また、ＢＣ間の
干渉型光強度変調器には電圧を印加せず、ＤＥ間の干渉
型光強度変調器の一方の光導波路に適当な電圧を印加す
る場合にはＦからＴＥモードのみを出力させることがで
きる。
この結果から明らかなように、２次元的な光閉じ込めを
有する半導体光導波路によって構成される２つの干渉型
光強度変調器を縦列接続した本発明の偏光素子は、電極
に印加する電圧によってＴＥあるいはＴＭいずれかの偏
波モードを選択的に透過させることができるという特長
を有する。
有する半導体光導波路によって構成される２つの干渉型
光強度変調器を縦列接続した本発明の偏光素子は、電極
に印加する電圧によってＴＥあるいはＴＭいずれかの偏
波モードを選択的に透過させることができるという特長
を有する。
（発明の効果）
軟土のように本発明による半導体偏光素子は、透過させ
る偏光モードを電圧印加呻ｖり選択でき、かつ２次元的
な光閉じ込めを有する光導波路によって構成されるため
に、光通信あるいは光信号処理を目的とした光導波路型
素子としての応用が可能である効果を有する。
る偏光モードを電圧印加呻ｖり選択でき、かつ２次元的
な光閉じ込めを有する光導波路によって構成されるため
に、光通信あるいは光信号処理を目的とした光導波路型
素子としての応用が可能である効果を有する。
第１図は本発明の半導体光導波路型偏光素子の実施例、
第２図及び第３図は第１図においてに−Ｌ及びＭ−Ｎ線
に沿う断面図、第４図は従来例を示す。 １．２・・・・変調用電極 ３．８．１１・・電極 ４・・・・・・半導体基板 ５・・・・・・光導波路 ６・・・・・・光導波路５より屈折率の小さいエピタキ
シャル成長膜 ７．９．１０・・高キヤリア濃度領域 第２図 第３図 第４図 ３．８．１１−ｍ−電極 ４− 半導体を坂
第２図及び第３図は第１図においてに−Ｌ及びＭ−Ｎ線
に沿う断面図、第４図は従来例を示す。 １．２・・・・変調用電極 ３．８．１１・・電極 ４・・・・・・半導体基板 ５・・・・・・光導波路 ６・・・・・・光導波路５より屈折率の小さいエピタキ
シャル成長膜 ７．９．１０・・高キヤリア濃度領域 第２図 第３図 第４図 ３．８．１１−ｍ−電極 ４− 半導体を坂
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ２次元的な光閉じ込めを有する１本の半導体光導波路を
２本に分岐した後、再び１本にすることによって構成さ
れる干渉型光強度変調器を、縦列に２個以上接続する半
導体光導波路型素子であって、縦列に接続される２個以
上の干渉型光強度変調器は、その干渉型光強度変調器を
構成する光導波路の方向が、半導体の｛１００｝面内で
〔ｏ＠１＠１〕方位あるいは〔０１１〕方位と平行であ
る第１の干渉型光強度変調器と、前記第１の干渉型光強
度変調器とのなす角度の大きさが４５度である第２の干
渉型光強度変調器とに区別され、前記第１の干渉型光強
度変調器を構成する半導体光導波路には、その光導波路
を中心にして〔１００〕方向に互いに対向する電極が設
けられ、前記第１の干渉型光強度変調器とのなす角度の
大きさが４５度である第２の干渉型光強度変調器を構成
する半導体光導波路には、光導波路を中心にして前記第
１の干渉型光強度変調器を構成する半導体光導波路に設
けられた、互いに対向する電極の方向と直角をなす方向
に、互いに対向する電極が設けられることを特徴とする
半導体光導波路型偏光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11629888A JP2717210B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体光導波路型偏光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11629888A JP2717210B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体光導波路型偏光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01285919A true JPH01285919A (ja) | 1989-11-16 |
| JP2717210B2 JP2717210B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=14683562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11629888A Expired - Fee Related JP2717210B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体光導波路型偏光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2717210B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07318986A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Nec Corp | 導波路型光スイッチ |
| JP2007134480A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変光源 |
| JP2007133286A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長合分波器 |
| JP2007133287A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長合分波器 |
| JP2008282937A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変光源 |
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1988
- 1988-05-13 JP JP11629888A patent/JP2717210B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07318986A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Nec Corp | 導波路型光スイッチ |
| JP2007134480A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変光源 |
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|---|---|
| JP2717210B2 (ja) | 1998-02-18 |
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