JPH01286199A - 書替え可能な不揮発性メモリ書替え装置 - Google Patents
書替え可能な不揮発性メモリ書替え装置Info
- Publication number
- JPH01286199A JPH01286199A JP63115657A JP11565788A JPH01286199A JP H01286199 A JPH01286199 A JP H01286199A JP 63115657 A JP63115657 A JP 63115657A JP 11565788 A JP11565788 A JP 11565788A JP H01286199 A JPH01286199 A JP H01286199A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- information
- volatile memory
- area
- nonvolatile memory
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- Pending
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、書替え可能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ
）のメモリアクセスに係り、特に書替え処理を行う不揮
発性メモリとして使用した場合のＥＥＰＲＯＭの交換期
間を延ばすのに好適なＥＥＰＲＯＭにおけるメモリアク
セス方式に関する。
）のメモリアクセスに係り、特に書替え処理を行う不揮
発性メモリとして使用した場合のＥＥＰＲＯＭの交換期
間を延ばすのに好適なＥＥＰＲＯＭにおけるメモリアク
セス方式に関する。
従来は、特開昭５９−１６２６９号公報記載のように書
替え回数に制限のある書替え可能な不揮発性メモリ（Ｅ
ＥＰＲＯＭ）の寿命は、実際に情報を書込んだ回数を管
理することにより行っていた。
替え回数に制限のある書替え可能な不揮発性メモリ（Ｅ
ＥＰＲＯＭ）の寿命は、実際に情報を書込んだ回数を管
理することにより行っていた。
上記従来技術は、以下の点に問題があった。
１、不揮発性メモリの特定番地と書込み回数を記憶する
領域を設け、書込み回数を管理する方式では、書替え可
能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）の情報を書替える
時は、全情報を書替え。
領域を設け、書込み回数を管理する方式では、書替え可
能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）の情報を書替える
時は、全情報を書替え。
書込回数カウンタを＋１しなければならず、情報の１つ
を書替えたい場合でも全情報を書替えなければならず不
揮発性メモリの交換期が早まる。
を書替えたい場合でも全情報を書替えなければならず不
揮発性メモリの交換期が早まる。
２、回数管理では、故障の検知１回復ができない。
３、回数管理では、規定回数に達すれば、まだ使用可能
であっても交換しなければならない。
であっても交換しなければならない。
本発明の目的は、上記課題を解決し故障検知、故障回復
を行い、書替え可能な不揮発性メモリ（Ｅ Ｅ Ｐ Ｒ
ＯＭ）の交換回数を減らすことにある。
を行い、書替え可能な不揮発性メモリ（Ｅ Ｅ Ｐ Ｒ
ＯＭ）の交換回数を減らすことにある。
上記課題は、中央処理装置と、該中央処理装置の演算処
理情報を格納する揮発性メモリと、該揮発性メモリの記
憶情報を複写する書替え可能な不揮発性メモリと、該書
替え可能な不揮発性メモリと前記揮発性メモリ間の情報
格納制御を行うプログラムを格納した不揮発性メモリと
を備えた書替え可能な不揮発性メモリ書替え装置におい
て、前記揮発性メモリが所定量の情報をそれぞれ保有で
きるアドレス付けされたＭ個の第１ブロックよりなる第
１ブロック領域を有し、前記書替え可能な不揮発性メモ
リが前記所定量の情報をそれぞれ保有できアドレス付け
され前記Ｍ個以上であるＮ個の第２ブロックよりなる第
２ブロック領域と前記第１ブロックのアドレスと対応し
た前記第２ブロックのアドレスを有するアドレステーブ
ルとを有し、前記第１ブロック領域のある第１ブロック
の情報をこれに対応する前記第２ブロック領域の対応第
２ブロックに書込みこの書込まれた情報と前記ある第１
ブロックの情報とを比較する比較手段と、該比較手段の
比較の結果が一致しない場合は前記対応第２ブロックは
異常と判定され前記第２ブロック領域内の未使用第２ブ
ロックが検索され該未使用第２ブロックに前記ある第１
ブロックの情報が書込まれた場合に前記対応第２ブロッ
クのアドレスを前記未使用第２ブロックのアドレスに前
記アドレステーブルを書替えるアドレステーブル書替手
段と、前記未使用第２ブロックが検索された結果未使用
第２ブロックがないことを検知して警報する警報手段と
を備えることにより達成される。また前記揮発性メモリ
に前記Ｍ個の第１ブロックに対応して設け対応する第１
ブロックの情報の書替えが行われたことを示す書替設定
フラグを設け、該フラグが設定された第１ブロックの情
報をこれと対応する第２ブロックに書込むとよい。
理情報を格納する揮発性メモリと、該揮発性メモリの記
憶情報を複写する書替え可能な不揮発性メモリと、該書
替え可能な不揮発性メモリと前記揮発性メモリ間の情報
格納制御を行うプログラムを格納した不揮発性メモリと
を備えた書替え可能な不揮発性メモリ書替え装置におい
て、前記揮発性メモリが所定量の情報をそれぞれ保有で
きるアドレス付けされたＭ個の第１ブロックよりなる第
１ブロック領域を有し、前記書替え可能な不揮発性メモ
リが前記所定量の情報をそれぞれ保有できアドレス付け
され前記Ｍ個以上であるＮ個の第２ブロックよりなる第
２ブロック領域と前記第１ブロックのアドレスと対応し
た前記第２ブロックのアドレスを有するアドレステーブ
ルとを有し、前記第１ブロック領域のある第１ブロック
の情報をこれに対応する前記第２ブロック領域の対応第
２ブロックに書込みこの書込まれた情報と前記ある第１
ブロックの情報とを比較する比較手段と、該比較手段の
比較の結果が一致しない場合は前記対応第２ブロックは
異常と判定され前記第２ブロック領域内の未使用第２ブ
ロックが検索され該未使用第２ブロックに前記ある第１
ブロックの情報が書込まれた場合に前記対応第２ブロッ
クのアドレスを前記未使用第２ブロックのアドレスに前
記アドレステーブルを書替えるアドレステーブル書替手
段と、前記未使用第２ブロックが検索された結果未使用
第２ブロックがないことを検知して警報する警報手段と
を備えることにより達成される。また前記揮発性メモリ
に前記Ｍ個の第１ブロックに対応して設け対応する第１
ブロックの情報の書替えが行われたことを示す書替設定
フラグを設け、該フラグが設定された第１ブロックの情
報をこれと対応する第２ブロックに書込むとよい。
上記のように構成した書替え可能な不揮発性メモリ書替
え装置において、揮発性メモリの第１ブロック領域のあ
る第１ブロックの情報を書替え可能な不揮発性メモリの
アドレステーブルを参照して書替え可能な不揮発性メモ
リの第２ブロック領域の対応する第２ブロックに書き込
み、この書込まれた情報と揮発性メモリの前記ある第１
ブロックの情報とを比較して一致しない場合は前記対応
する第２ブロックは異常と判定し第２ブロック領域内の
未使用第２ブロックを検索し、その検索した未使用第２
ブロックに再び前記ある第１ブロックの情報を書込み前
記対応する第２ブロックのアドレスから未使用第２ブロ
ックのアドレスにアドレステーブルを書替え、未使用第
２ブロックがみつからなかった場合は警報を発して知ら
せる。また揮発性メモリにＭ個の第１ブロックに対応し
たＭ個の書替え設定フラグを設け、書替設定フラグが設
定された第１ブロックの情報をこれに対応する第２ブロ
ックに書き込む。
え装置において、揮発性メモリの第１ブロック領域のあ
る第１ブロックの情報を書替え可能な不揮発性メモリの
アドレステーブルを参照して書替え可能な不揮発性メモ
リの第２ブロック領域の対応する第２ブロックに書き込
み、この書込まれた情報と揮発性メモリの前記ある第１
ブロックの情報とを比較して一致しない場合は前記対応
する第２ブロックは異常と判定し第２ブロック領域内の
未使用第２ブロックを検索し、その検索した未使用第２
ブロックに再び前記ある第１ブロックの情報を書込み前
記対応する第２ブロックのアドレスから未使用第２ブロ
ックのアドレスにアドレステーブルを書替え、未使用第
２ブロックがみつからなかった場合は警報を発して知ら
せる。また揮発性メモリにＭ個の第１ブロックに対応し
たＭ個の書替え設定フラグを設け、書替設定フラグが設
定された第１ブロックの情報をこれに対応する第２ブロ
ックに書き込む。
以下、本発明の一実施例を説明する。第１図は本発明の
一実施例の構成をブロック図で示したものであり、マイ
クロプロセッサ１はバスを介し書替え可能な不揮発性メ
モリ（以下Ｅ Ｅ Ｐ ＲＯＭと記す）２、ランダムア
クセスメモリ（以下ＲＡＭと記す）３とＥＥＰＲＯＭ２
、ＲＡＭ３間のデータ格納制御を行うプログラムが格納
されているＲＯＭ４に接続されている。第２図はＥＥＰ
ＲＯＭ２とＲＡＭ３のデータ構造を示す、ＥＥＰＲＯＭ
２は、情報Ｎｏ領域５と、それに対応した指標情報領域
６、一定バイト数のブロックがｎ個から成条情報保持領
域７より構成される。情報Ｎｏ領域５は１ワードで定義
され最大２１５までの情報Ｎ。
一実施例の構成をブロック図で示したものであり、マイ
クロプロセッサ１はバスを介し書替え可能な不揮発性メ
モリ（以下Ｅ Ｅ Ｐ ＲＯＭと記す）２、ランダムア
クセスメモリ（以下ＲＡＭと記す）３とＥＥＰＲＯＭ２
、ＲＡＭ３間のデータ格納制御を行うプログラムが格納
されているＲＯＭ４に接続されている。第２図はＥＥＰ
ＲＯＭ２とＲＡＭ３のデータ構造を示す、ＥＥＰＲＯＭ
２は、情報Ｎｏ領域５と、それに対応した指標情報領域
６、一定バイト数のブロックがｎ個から成条情報保持領
域７より構成される。情報Ｎｏ領域５は１ワードで定義
され最大２１５までの情報Ｎ。
を説明できる。指標情報領域６も１ワードで定義され情
報Ｎｏの情報が情報保持領域７の先頭から何ブロック目
に位置しているかを表していて、初めてＥＥＰＲＯＭ２
を使用する場合は情報ＮＯと同じ値を設定する。ＲＡＭ
３は、ＥＥＰＲＯＭ２の情報保持領域７のブロックと同
じバイト数であるブロックがｉ個から成る情報領域９の
情報が書替えられたことを管理する書替え管理領域８よ
り構成される。ａ替え管理領域８は、情報管理領域９の
各ブロックとビット対応でありｉビットの容量を持つ、
ビットの意味は“０”で書替えなし１”で書替えが発生
し値が変わったことを示す。
報Ｎｏの情報が情報保持領域７の先頭から何ブロック目
に位置しているかを表していて、初めてＥＥＰＲＯＭ２
を使用する場合は情報ＮＯと同じ値を設定する。ＲＡＭ
３は、ＥＥＰＲＯＭ２の情報保持領域７のブロックと同
じバイト数であるブロックがｉ個から成る情報領域９の
情報が書替えられたことを管理する書替え管理領域８よ
り構成される。ａ替え管理領域８は、情報管理領域９の
各ブロックとビット対応でありｉビットの容量を持つ、
ビットの意味は“０”で書替えなし１”で書替えが発生
し値が変わったことを示す。
従って、情報保持領域７から情報領域９に保存データを
展開した時、全て“０″とする。また、情報保持領域７
のブロック数ｎは、情報領域９のブロック数ｉより大き
くとる。
展開した時、全て“０″とする。また、情報保持領域７
のブロック数ｎは、情報領域９のブロック数ｉより大き
くとる。
システム立上げ時、情報保持領域７の保存情報を情報領
域９へ読み出す、流れ図を第３図に示す。
域９へ読み出す、流れ図を第３図に示す。
第３図において、Ｉは情報Ｎｏを表すブロックカウンタ
であり、Ｊは情報領域９のブロックカウンタである。読
み出しを開始する前に、書替領域８と各ブロックのカウ
ンタをＩ＝１．Ｊ＝Ｏで初期化する（ステップＡｌ、Ａ
２）、情報保持領域７から情報領域９への読み出しは、
ブロック単位で行う。まず、情報ＮＯＩに対応した指標
が示す情報を情報領域９のブロックＪに読み出す（ステ
ップＡ３）。次に読み出し終了後、情報領域９のブロッ
クカウンタＪが、同領域上のブロック数まで達したかチ
エツクを行う（ステップＡ４）。その結果、まだ全ブロ
ックを読み出していなければ（Ｊ＜Ｋ） 、ブロックカ
ウンタＪ、Ｉを＋１してステップＡ３の処理へ戻り読み
出し手続きを繰り返す、全ブロックの読み出しを終了し
ていれば（Ｊ＝Ｋ）処理を終る。
であり、Ｊは情報領域９のブロックカウンタである。読
み出しを開始する前に、書替領域８と各ブロックのカウ
ンタをＩ＝１．Ｊ＝Ｏで初期化する（ステップＡｌ、Ａ
２）、情報保持領域７から情報領域９への読み出しは、
ブロック単位で行う。まず、情報ＮＯＩに対応した指標
が示す情報を情報領域９のブロックＪに読み出す（ステ
ップＡ３）。次に読み出し終了後、情報領域９のブロッ
クカウンタＪが、同領域上のブロック数まで達したかチ
エツクを行う（ステップＡ４）。その結果、まだ全ブロ
ックを読み出していなければ（Ｊ＜Ｋ） 、ブロックカ
ウンタＪ、Ｉを＋１してステップＡ３の処理へ戻り読み
出し手続きを繰り返す、全ブロックの読み出しを終了し
ていれば（Ｊ＝Ｋ）処理を終る。
アプリケーションプログラムにおいて、情報領域のデー
タを書替えた場合、同時に書替えたデータを含むブロッ
クに対応する書替え管理領域８のビット値を“１”とす
る。
タを書替えた場合、同時に書替えたデータを含むブロッ
クに対応する書替え管理領域８のビット値を“１”とす
る。
第４図に情報領域９の情報を情報保持領域７へ保存する
流れ図を示す、情報の保存も読み出しと同様ブロック単
位で行う、また、図中のｉは情報ＮＯを表すカウンタ、
ｊは情報領域９のブロックカウンタを示す、まず、各ブ
ロックカウンタを０に初期化する（ステップＢ１）０次
に、書替え管理領域８を２１ビツトから高位ビット方向
に値が′１”であるビットをサーチし書替えが実行され
たブロック番号を求めブロックカウンタｊに代入する。
流れ図を示す、情報の保存も読み出しと同様ブロック単
位で行う、また、図中のｉは情報ＮＯを表すカウンタ、
ｊは情報領域９のブロックカウンタを示す、まず、各ブ
ロックカウンタを０に初期化する（ステップＢ１）０次
に、書替え管理領域８を２１ビツトから高位ビット方向
に値が′１”であるビットをサーチし書替えが実行され
たブロック番号を求めブロックカウンタｊに代入する。
また、情報ＮＯは１より始まるのでこれを表すｉは（ｊ
＋１）を代入する（ステップＢ２）。
＋１）を代入する（ステップＢ２）。
この時、ステップＢ３において、２ｋまでサーチしたか
判定を行い、もし２ｋまでサーチした結果書替えられた
ブロックが見つからなければ、処理を終了する０発見し
た場合はステップＢ４へ行く。
判定を行い、もし２ｋまでサーチした結果書替えられた
ブロックが見つからなければ、処理を終了する０発見し
た場合はステップＢ４へ行く。
ステップＢ４では、情報領域９のブロックｊを情報ＮＯ
ｉに対応した指標の示す情報領域７のブロックに書込む
、その後ステップＢ５で情報領域の情報ＮＯｉに対応し
た指標が示すブロックを読み出し、情報領域９のブロッ
クｊと比較する。ステップＢ６で比較の結果を判定し、
値が一致すればｉ、ｊの値をそれぞれ１だけ増加させて
（ステップＢ１５）、次にステップＢ２へ行き、一致し
なければ、ステップＢ７へ行く、ステップＢ７では、未
使用の情報保持領域７のブロック指標情報領域６の指標
情報を参照して領域の終りよりサーチし発見した時点で
そのブロックＮｏを情報ＮＯｉに対応した指標領域に書
込む、未使用のブロックが情報保持領域７になければ、
ステップＢ１４へ行き、書込み不可であることをオペレ
ータに知らせる（ステップＢ８）、指標を新しく書替え
た後、ステップＢ９にて情報領域９のブロックｊを情報
ＮＯｉに対応した指標の示す情報保持領域７のブロック
に書込み、ステップＢＩＯにて情報ＮＯｉに対応した指
標の示す情報保持領域７のブロックと情報領域９のブロ
ックｊを比較し、一致すればステップＢ１２へ行き、一
致しなければステップＢ７へ戻る。ステップＢ１２では
、書替え管理領域８を２１から２ｋまでサーチしたかど
うか判定し、ｊ＝にならば終了する。まだサーチが終了
していなければ、Ｊｐ ｌに１を加算してステップＢ２
へ戻る。
ｉに対応した指標の示す情報領域７のブロックに書込む
、その後ステップＢ５で情報領域の情報ＮＯｉに対応し
た指標が示すブロックを読み出し、情報領域９のブロッ
クｊと比較する。ステップＢ６で比較の結果を判定し、
値が一致すればｉ、ｊの値をそれぞれ１だけ増加させて
（ステップＢ１５）、次にステップＢ２へ行き、一致し
なければ、ステップＢ７へ行く、ステップＢ７では、未
使用の情報保持領域７のブロック指標情報領域６の指標
情報を参照して領域の終りよりサーチし発見した時点で
そのブロックＮｏを情報ＮＯｉに対応した指標領域に書
込む、未使用のブロックが情報保持領域７になければ、
ステップＢ１４へ行き、書込み不可であることをオペレ
ータに知らせる（ステップＢ８）、指標を新しく書替え
た後、ステップＢ９にて情報領域９のブロックｊを情報
ＮＯｉに対応した指標の示す情報保持領域７のブロック
に書込み、ステップＢＩＯにて情報ＮＯｉに対応した指
標の示す情報保持領域７のブロックと情報領域９のブロ
ックｊを比較し、一致すればステップＢ１２へ行き、一
致しなければステップＢ７へ戻る。ステップＢ１２では
、書替え管理領域８を２１から２ｋまでサーチしたかど
うか判定し、ｊ＝にならば終了する。まだサーチが終了
していなければ、Ｊｐ ｌに１を加算してステップＢ２
へ戻る。
本実施例により、ＥＥＰＲＯＭの交換回数を減少させる
効果がある。
効果がある。
本発明によれば、書替え可能な不揮発性メモリを複数の
ブロックに分割しておき、揮発性メモリも同様に対応す
る同じ大きさのブロックに分割しておく、揮発性メモリ
の情報の変化のあったブロックを必要に応じて書替え可
能な不揮発性メモリの対応するブロックに書込み、その
書込んだブロックのメモリに不良があれば領域内の他の
ブロックを検索して、未使用のブロックがあればそのブ
ロックを割当て救済することができるので、従来一般に
行われている書替え可能な不揮発性メモリの領域全部を
書替える方法にくらべ、領域内の該当するブロックのみ
の書替えだけでよい。これによって書替え可能な不揮発
性メモリの領域を有効に使用でき、書替え可能な不揮発
性メモリの交換回数を減少させる効果がある。また揮発
性メモリの各ブロックに書替えが行われた場合そのこと
を示す書替え設定フラグを対応するブロックごとに設け
たので書替えられたブロックが明確になり迅速な書替え
ができる。
ブロックに分割しておき、揮発性メモリも同様に対応す
る同じ大きさのブロックに分割しておく、揮発性メモリ
の情報の変化のあったブロックを必要に応じて書替え可
能な不揮発性メモリの対応するブロックに書込み、その
書込んだブロックのメモリに不良があれば領域内の他の
ブロックを検索して、未使用のブロックがあればそのブ
ロックを割当て救済することができるので、従来一般に
行われている書替え可能な不揮発性メモリの領域全部を
書替える方法にくらべ、領域内の該当するブロックのみ
の書替えだけでよい。これによって書替え可能な不揮発
性メモリの領域を有効に使用でき、書替え可能な不揮発
性メモリの交換回数を減少させる効果がある。また揮発
性メモリの各ブロックに書替えが行われた場合そのこと
を示す書替え設定フラグを対応するブロックごとに設け
たので書替えられたブロックが明確になり迅速な書替え
ができる。
第１図は１本発明の一実施例のブロック図、第２図は書
替え可能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）と揮発性メ
モリ（ＲＡＭ）のメモリエリアを示す図、第３図はＥ
Ｅ Ｆ ＲＯＭから読み出しを行う流れ図、第４図、第
５図はＥ Ｅ Ｐ ＲＯＭへ書込みを制御する流れ図で
ある。 １・・・マイクロプロセッサ、２・・・書替え可能な不
揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ） 、３・・・揮発性メモ
リ（ＲＡＭ）、４・・・ＲＯＭ （制御プログラム格納
メモリ）、５・・・情報ＮＯ領領域６・・・指標情報領
域、７・・・情報保持領域、８・・・書替え管理領域、
９・・・情報領域。
替え可能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）と揮発性メ
モリ（ＲＡＭ）のメモリエリアを示す図、第３図はＥ
Ｅ Ｆ ＲＯＭから読み出しを行う流れ図、第４図、第
５図はＥ Ｅ Ｐ ＲＯＭへ書込みを制御する流れ図で
ある。 １・・・マイクロプロセッサ、２・・・書替え可能な不
揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ） 、３・・・揮発性メモ
リ（ＲＡＭ）、４・・・ＲＯＭ （制御プログラム格納
メモリ）、５・・・情報ＮＯ領領域６・・・指標情報領
域、７・・・情報保持領域、８・・・書替え管理領域、
９・・・情報領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、中央処理装置と、該中央処理装置の演算処理情報を
格納する揮発性メモリと、該揮発性メモリの記憶情報を
複写する書替え可能な不揮発性メモリと、該書替え可能
な不揮発性メモリと前記揮発性メモリ間の情報格納制御
を行うプログラムを格納した不揮発性メモリとを備えた
書替え可能な不揮発性メモリ書替え装置において、前記
揮発性メモリが所定量の情報をそれぞれ保有できるアド
レス付けされたＭ個の第１ブロックよりなる第１ブロッ
ク領域を有し、前記書替え可能な不揮発性メモリが前記
所定量の情報をそれぞれ保有できアドレス付けされ前記
Ｍ個以上であるＮ個の第２ブロックよりなる第２ブロッ
ク領域と前記第１ブロックのアドレスと対応した前記第
２ブロックのアドレスを有するアドレステーブルとを有
し、前記第１ブロック領域のある第１ブロックの情報を
これに対応する前記第２ブロック領域の対応第２ブロッ
クに書込みこの書込まれた情報と前記ある第１ブロック
の情報とを比較する比較手段と、該比較手段の比較の結
果が一致しない場合は前記対応第２ブロックは異常と判
定され前記第２ブロック領域内の未使用第２ブロックが
検索され該未使用第２ブロックに前記ある第１ブロック
の情報が書込まれた場合に前記対応第２ブロックのアド
レスを前記未使用第２ブロックのアドレスに前記アドレ
ステーブルを書替えるアドレステーブル書替手段と、前
記未使用第２ブロックが検索された結果未使用第２ブロ
ックがないことを検知して警報する警報手段とを備えた
ことを特徴とする書替え可能な不揮発性メモリ書替え装
置。 ２、前記揮発性メモリに前記Ｍ個の第１ブロックに対応
して設け対応する第１ブロックの情報の書替えが行われ
たことを示す書替設定フラグを設け、該フラグが設定さ
れた第１ブロックの情報をこれと対応する第２ブロック
に書込むことを特徴とする請求項１記載の書替え可能な
不揮発性メモリ書替え装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63115657A JPH01286199A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 書替え可能な不揮発性メモリ書替え装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63115657A JPH01286199A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 書替え可能な不揮発性メモリ書替え装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286199A true JPH01286199A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14668071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63115657A Pending JPH01286199A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 書替え可能な不揮発性メモリ書替え装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01286199A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04133149A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Yamatake Honeywell Co Ltd | データ記憶装置 |
| JPH11259360A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Seiko Epson Corp | 半導体集積装置及び不揮発性メモリ書き込み方式 |
| JP2006209808A (ja) * | 1992-01-29 | 2006-08-10 | Microsoft Corp | フラッシュ消去可能なプログラマブル・リードオンリメモリを用いてファイルシステムをマネージする方法及びシステム |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227300A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-09 | Yokogawa Electric Corp | 電気的に変更可能なｒｏｍへの書込み方法 |
| JPS62283496A (ja) * | 1986-05-31 | 1987-12-09 | Canon Inc | プログラマブルリ−ドオンリメモリの書き込み回数管理方式 |
| JPS6370359A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Nec Corp | デ−タ処理装置における主記憶内容の退避領域管理方式 |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP63115657A patent/JPH01286199A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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