JPH0128634B2 - - Google Patents

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JPH0128634B2
JPH0128634B2 JP2608485A JP2608485A JPH0128634B2 JP H0128634 B2 JPH0128634 B2 JP H0128634B2 JP 2608485 A JP2608485 A JP 2608485A JP 2608485 A JP2608485 A JP 2608485A JP H0128634 B2 JPH0128634 B2 JP H0128634B2
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JP
Japan
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treatment
stage
treated water
tank
water
Prior art date
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Expired
Application number
JP2608485A
Other languages
English (en)
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JPS61185375A (ja
Inventor
Makoto Yoshikawa
Kenji Sasaki
Hideshi Nishimoto
Kazuyoshi Yamamoto
Yoshisumi Matsui
Hiroyasu Kojima
Suguru Kajimoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Publication of JPS61185375A publication Critical patent/JPS61185375A/ja
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  • Removal Of Specific Substances (AREA)
  • Separation Of Suspended Particles By Flocculating Agents (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野) 本発明は、半導体工場等から排出されるヒ素
(As)およびフツ素(F)を含む廃水の処理方法に関
する。 (従来の技術) 従来技術によるAs含有水の処理方法としては
次の各種が知られている。 () 活性炭、活性アルミナ等により吸着除去す
る。 () イオン交換樹脂によりイオン交換または捕
集して除去する。 () 硫化水素、硫化ナトリウム等により硫化ヒ
素として沈澱除去する。 () 金属水酸化物により共沈除去する。 現段階では()の水酸化物共沈澱法が最も確
実で一般的な方法である。水酸化物共沈法の中で
も鉄による除去効果が最も高く、残留ヒ素濃度は
Fe/As比によつてほぼ一定である。ヒ素および
フツ素を含む半導体工場からの廃水の場合、1段
の凝集沈澱で例えば原水のヒ素濃度200mg/から
0.05mg/にまで低下させるにはFe/As比が25〜
30程度の多量の薬注が必要である。 一方、フツ素含有水からフツ素を除去する方法
としては、カルシウム塩を加えてフツ化カルシウ
ムとして沈澱除去する方法が知られている。微量
の残留フツ素については、硫酸バンド等のアルミ
ニウム化合物を加えて沈澱除去する(特開昭52−
138361)。 (発明が解決しようとする問題点) 従来技術によるヒ素およびフツ素含有廃水の処
理には次のような諸問題がある。 () ヒ素およびフツ素に対する環境基準が厳し
い。ヒ素は0.05mg/以下、フツ素は15mg/以
下とすることが要求される。 () ヒ素の測定に長い時間がかかりJIS法では
約1日である。 ポーラログラフイーによる方法で約50分であ
る。従つて原水の変動に追随して最適薬注を行
なうことが困難であり、処理水質を前記基準内
におさえるためには過剰の薬注をせざるを得な
いようになる。 () 処理水質が悪い場合は、処理水を原水槽へ
戻して再処理を行なつていたが、1段目の処理
効果が、処理水の返戻による反応時間の短縮が
処理の不安定につながつて悪くなる。また処理
系内の水の入替りに長時間を要する問題があ
る。 本発明は従来技術の上記問題点に鑑みて、次の
2点で改良されたより優れた処理方法を提供する
ことを目的とする。 () 少ない薬注量で確実な処理を行えること。 () 環境基準値を超える処理水を再処理する場
合に、処理が不安定化しないようにすること。 (問題点を解決するための手段) 添付図は本発明方法によるフロー図を示す。こ
れを参照して本発明のAsおよびF含有廃水の処
理方法とその特質を以下説明する。 経路1より廃水の流入する原水槽2に貯留した
原水のAs濃度を測定し、Fe/As=2または以上
となるように、原水ポンプ3により原水の導入さ
れる第1反応槽4に塩化第2鉄等のFe塩を経路
5から注入する。またPH8.0〜8.5となるようにCa
(OH)2を経路6から注入する。ここで凝集処理
した水を第1沈澱槽7に流入させ沈澱処理する。
この第1段の凝集沈澱処理により原水中のAsお
よびFの大部分を除去する。 第1沈澱槽7の上澄分離水を第2反応槽8に流
入させる。 第2反応槽8においてはさらに微量の残留As
およびFを除去する目的で硫酸バンド等のAl塩
をAl/Asが30以上となりかつAl/Fが2以上と
なるように経路9から注入し、またPH6.5〜7.0に
なるようにCa(OH)2を経路10から注入する。
ここで第2段の凝集処理をした水を第2沈澱槽1
1に流入させ沈澱処理する。 第2段の凝集沈澱処理を終えた処理水は交替的
に使用される1対の放流調整槽12,12′の何
れか1、例えば12に流入させ、そこで全As量
をポーラログラフイー法等の全As量連続測定装
置により測定し、所要測定時間後にその値が基準
値以下であることが確認されれば最終処理水とし
て経路13より系外に放流する。放流調整槽12
内の水のAs量測定の間、第2段の凝集沈澱処理
水は他の放流調整槽12′に流入させる。 若し放流調節槽12内に流入させた第2段の処
理水が系外排出を許容されないAs濃度であれば、
これを経路14を経て第1沈澱槽7の後で第2反
応槽8に返送して再処理を行う。 第2段の凝集沈澱処理の処理水のAs濃度は少
くとも第1段凝集沈澱処理のそれよりもはるかに
低いはずであり、これを第2反応槽8に返送する
ことにより、1次反応槽4は返送水の影響なく充
分な滞留時間、従つて反応時間を確保して、第1
段の凝集沈澱処理の有効性を発揮させることがで
きる。このことは2段処理の総合有効性を確保す
る上に極めて重要である。 なお、第2沈澱槽11の後に濾過器、活性炭吸
着塔等を設置する場合は、それらの洗浄排水もと
もに第2反応槽8に戻して再処理を行う。 (発明の作用) 上記の解決手段の利点が生ずる技術的理由は、
放流調整槽ではAs、Fとも非常に低濃度である
ので2段目に戻すことで充分であるからである。 (実施例) 次の実施例()()とも、第1段で塩化第
2鉄、消石灰、高分子凝集剤を添加して凝集沈澱
処理し、第2段で硫酸バンド、消石灰、高分子系
凝集剤を添加し凝集沈澱処理を行なつた。 () 最適薬注量の確認試験 (i) 第1段処理 全As412mg/の原水に対するFe塩の添加量
(Fe/Asとして)の影響 Fe/As 処理水中のAs(mg/) 1.5 0.79 2.0 0.26 (本発明適合) 5.0 0.06 (本発明適合) F52mg/の原水に対すCaの添加量(Ca/F
として)の影響 Ca/F 処理水中のF(mg/) 3.0 42 5.0 38 10.0 30 20.0 12 (本発明適合) 35.0 11.6 (本発明適合) (ii) 第2段処理 全As0.84mg/、Fe12mg/の第1段処理水
に対するAl塩添加量(Al/AsおよびAl/Fと
して)の影響
【表】 () 半導体工場のAs.F含有廃水(排出量65m3
日)に対する本発明方法による実装置での処理
結果)
【表】 原水PHが低く、中和に要するCa(OH)2量が多
いため、Fは第1段処理で環境基準15mg/以下
となつている。 Asについて第1段処理でのFeとの共沈により
1mg/程度に低下させれば第2段処理で環境基
準0.05mg/以下に容易にすることができ、第2
反応槽への返戻の必要なく、添加するAl塩の絶
対量も少くなる。 (発明の効果) 本発明方法による2段処理によれば、処理が容
易で処理結果が確実化し、添加する薬品量も少く
て済む。また不適処理水を返送する場合にも第1
段処理に悪影響を及ぼさないで処理の安定が計れ
る。
【図面の簡単な説明】
添付図は本発明方法によるフロー図を示す。 1,5,6,9,10,13,14…経路、2
…原水槽、3…原水ポンプ、4…第1反応槽、7
…第1沈澱槽、8…第2反応槽、11…第2沈澱
槽、12,12′…放流調整槽。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 As.F含有廃水にFe/As=2以上の第2鉄塩
    およびCa/F=20以上のカルシウム塩を添加し
    てPH8.0〜8.5の範囲で凝集沈澱を行なう第1段の
    処理工程と、その上澄分離水に対しAl/As=30
    以上かつAl/F=2以上のアルミニウム塩を添
    加してPH6.5〜7.0の範囲で凝集沈澱を行なう第2
    段の処理工程とからなることを特徴とするヒ素お
    よびフツ素含有廃水の処理方法。 2 処理水中のAsまたはFが許容値を超えた場
    合に処理水を第2段の処理工程に循環して再処理
    を行なうようにした特許請求の範囲第1項記載の
    ヒ素およびフツ素含有廃水の処理方法。
JP2608485A 1985-02-12 1985-02-12 ヒ素およびフツ素含有廃水の処理方法 Granted JPS61185375A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4649170B2 (ja) * 2004-11-01 2011-03-09 株式会社大気社 フッ素除去方法、並びに、フッ素除去設備
JP4752351B2 (ja) * 2005-06-23 2011-08-17 栗田工業株式会社 フッ素含有水の処理方法及び装置

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JPS61185375A (ja) 1986-08-19

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