JPH0128671Y2 - - Google Patents
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- JPH0128671Y2 JPH0128671Y2 JP1982172826U JP17282682U JPH0128671Y2 JP H0128671 Y2 JPH0128671 Y2 JP H0128671Y2 JP 1982172826 U JP1982172826 U JP 1982172826U JP 17282682 U JP17282682 U JP 17282682U JP H0128671 Y2 JPH0128671 Y2 JP H0128671Y2
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- JP
- Japan
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- container
- processing agent
- supply path
- semiconductor
- processing
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、各種IC等として用いられる半導体
素子の製造装置に関し、特にウエハにエツチング
等を施す場合に現像液等の残量を検出することが
できる半導体素子製造装置に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a manufacturing apparatus for semiconductor elements used as various ICs, etc., and in particular detects the remaining amount of developer, etc. when performing etching etc. on wafers. The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus that can perform the following steps.
今日IC,LSI等半導体技術の進歩により、エレ
クトロニクス産業が飛躍的に発展し、産業の高度
化や豊かな経済社会の形成に大いに寄与してい
る。これらICやLSI等は、電子計算機に用いられ
るばかりでなく、身近な例ではテレビ、ラジオ、
時計、オーデイオ装置からカメラ、自動車等にも
利用されている。さらに、これらの応用のされ方
もいろいろであり、ロジツク(論理回路)とし
て、メモリ(記憶素子)として、イメージヤ(撮
像素子)として、増幅用として、さらにはマイク
ロコンピユータとしてシステム機能を持たせて総
合的に機器を制御するため等に用いられている。
Today, advances in semiconductor technology such as IC and LSI have led to rapid development of the electronics industry, greatly contributing to the sophistication of industry and the creation of a prosperous economic society. These ICs and LSIs are not only used in electronic computers, but also include familiar examples such as televisions, radios, etc.
It is also used in watches, audio equipment, cameras, automobiles, etc. Furthermore, these applications can be applied in a variety of ways, such as as logic circuits, memory (storage elements), imagers (imaging devices), amplification, and even microcomputers with system functions. It is used to comprehensively control equipment.
ところで、これらICやLSI等として用いられる
半導体素子は、種々の製造工程を経て製造されて
いる。すなわち、基板となるウエハの製造、この
ウエハ上にマスク合せ、エツチング、不純物拡
散、イオン注入、気相酸化膜被着や電極用金属蒸
着を施すことによる半導体素子の形成、上記半導
体チツプのダイシングによる分離及びボンデイン
グやモルテイング等の組立工程等である。 Incidentally, these semiconductor elements used as ICs, LSIs, etc. are manufactured through various manufacturing processes. That is, manufacturing a wafer to serve as a substrate, forming semiconductor elements on this wafer by performing mask alignment, etching, impurity diffusion, ion implantation, vapor phase oxide film deposition, and metal vapor deposition for electrodes, and dicing the semiconductor chips. These include separation and assembly processes such as bonding and malting.
ここで、特に上記ウエハ上へのマスク合せ工程
及びエツチング工程について着目してみる。 Here, we will particularly focus on the process of aligning the mask onto the wafer and the etching process.
このマスク合せ工程においては、まず、酸化膜
を形成したウエハにフオトレジストをコーテイン
グし、あらかじめ作成されたフオトマスクを通し
て紫外線を照射しパターン露光を行なう。そし
て、この紫外線がフオトマスクにより遮光され照
射されない部分のフオトレジストを現像液により
溶解し、現像する。次に、フオトレジストが除去
されて露出した部分の酸化膜を、エツチング工程
により化学処理を行なつて除去し、不要となつた
フオトレジストを除去する。 In this mask alignment step, a wafer on which an oxide film has been formed is first coated with photoresist, and pattern exposure is performed by irradiating ultraviolet rays through a photomask prepared in advance. Then, the photoresist in the portions that are not irradiated with the ultraviolet rays blocked by the photomask is dissolved by a developer and developed. Next, the oxide film exposed by removing the photoresist is chemically treated by an etching process to remove the unnecessary photoresist.
ところで、上記パターン露光を行なつたウエハ
に現像液を噴霧し現像を行なうために、従来は第
1図に示すような半導体素子製造装置が用いられ
ている。この従来の半導体素子製造装置は、パタ
ーン露光を行なつたウエハ1を載置し回転可能な
ウエハ支持台2と、このウエハ1にキシレン等の
現像液を噴霧し現像を行なうスプレーの如き処理
部3と、この処理部3に現像液を移送する供給路
4及び上記現像液を収容するステンレス製の容器
5とからなつている。そして、この容器5に収容
される現像液は、上記供給路4を通じて上記処理
部3に供給され、例えば第1図に示すような窒素
ガス供給路6より供給される窒素ガスにより霧状
にウエハ1に噴霧されてこのウエハ1の表面を現
像するようになされている。 Incidentally, a semiconductor device manufacturing apparatus as shown in FIG. 1 has conventionally been used to perform development by spraying a developer onto the wafer that has been subjected to the pattern exposure. This conventional semiconductor device manufacturing apparatus includes a rotatable wafer support 2 on which a pattern-exposed wafer 1 is placed, and a processing section such as a sprayer that sprays a developer such as xylene onto the wafer 1 to perform development. 3, a supply path 4 for transporting the developer to the processing section 3, and a stainless steel container 5 for containing the developer. The developer contained in this container 5 is supplied to the processing section 3 through the supply path 4, and is atomized onto the wafer by nitrogen gas supplied from, for example, a nitrogen gas supply path 6 as shown in FIG. The surface of the wafer 1 is developed by being sprayed onto the surface of the wafer 1.
しかしながら、このような従来の半導体素子製
造装置にあつては、上記容器1内の現像液の残存
量をチエツクすることができず、例えば上記容器
1内の現像液が完全になくなるまで使用した場合
には、上記供給路4や処理部3に気泡が侵入し、
ウエハ1に悪影響を及ぼす虞れがあり、また、上
記侵入した気泡を追い出すのにかなりの時間を要
している。このため、上記気泡を完全に経路から
追い出すまではウエハ1の現像作業を停止せざる
を得ず、生産効率が著しく低減してしまつてい
る。 However, in such conventional semiconductor device manufacturing equipment, it is not possible to check the remaining amount of developer in the container 1, and for example, if the developer is used until the developer in the container 1 is completely exhausted. In this case, air bubbles enter the supply path 4 and the processing section 3,
This may have an adverse effect on the wafer 1, and furthermore, it takes a considerable amount of time to expel the bubbles that have entered. For this reason, the development work on the wafer 1 has to be stopped until the bubbles are completely removed from the path, resulting in a significant reduction in production efficiency.
そこで、上記容器5内の現像液の残存量を検出
するための種々の方法が検討されている。まず、
上記容器5に直接内容量検出センサを取付けるも
のが考えられるが、この容器5は収容する現像液
がなくなつたときに現像液を満たした新しい容器
と交換してしまうので、その都度付け替えたりす
る必要が生じ、作業性が極めて悪いものとなつて
いるばかりか、半導体素子製造上好ましくないダ
ストの混入の虞れがある。さらに、上記容器5を
組込みタンクとして固定して設置し、この容器5
に内容量検出センサを取付ける場合には、この装
置に組込まれた容器5への現像液の移送にかなり
の時間を要し作業の効率が著しく悪くなつてしま
う。また、容器5の重量により現像液の残存量を
チエツクするという方法も考えられるが、この場
合には容器5交換時に気泡が侵入しないように多
量の現像液を残しておく必要があり、現像液の無
駄が多くなつてしまつている。 Therefore, various methods for detecting the amount of developer remaining in the container 5 have been studied. first,
It is conceivable to attach the content detection sensor directly to the container 5, but since the container 5 is replaced with a new container filled with developer when the developer is used up, it must be replaced each time. Not only does this require extremely poor workability, but there is also the risk of contamination with dust, which is undesirable in the production of semiconductor devices. Further, the container 5 is fixedly installed as a built-in tank, and the container 5 is fixedly installed as a built-in tank.
When a content detection sensor is attached to the device, it takes a considerable amount of time to transfer the developer to the container 5 incorporated in the device, resulting in a significant decrease in work efficiency. Another possibility is to check the remaining amount of developer based on the weight of the container 5, but in this case, it is necessary to leave a large amount of developer to prevent air bubbles from entering when replacing the container 5. There is an increasing amount of waste.
上述のように、従来は、ウエハに現像を施す半
導体素子製造装置に現像液の残量検出装置を満足
し得る状態で設けることができないでいる。 As described above, conventionally, it has not been possible to satisfactorily provide a device for detecting the amount of remaining developer in a semiconductor device manufacturing apparatus that performs development on wafers.
そこで本考案は、現像液等の処理剤の残存量を
検出して確実に装置内への気泡の侵入を防止する
ことができ、生産性の向上を図ることができる半
導体素子製造装置を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention provides a semiconductor device manufacturing apparatus that can detect the remaining amount of a processing agent such as a developer and reliably prevent air bubbles from entering the apparatus, thereby improving productivity. The purpose is to
さらに本考案は、処理剤の補充作業を容易なも
のとなし、作業の能率を向上し得る半導体素子製
造装置を提供することを目的とする。 A further object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus that facilitates the replenishment of processing agents and improves work efficiency.
上述した目的を達成するために、本考案は、半
導体素子の製造に用いられる処理剤を収容する第
1の容器と、上記処理剤により半導体を処理する
半導体処理部と、上記半導体処理部に上記処理剤
を連続的に供給する供給路からなり、上記供給路
の中途部に上記処理剤で満たされるとともに第1
の容器内の処理剤がなくなると液面が低下し、か
つ前記処理剤の液面の低下を検出する内容量検出
センサを有する第2の容器を設けてなることを特
徴とするものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention includes a first container containing a processing agent used for manufacturing a semiconductor device, a semiconductor processing section that processes a semiconductor with the processing agent, and a semiconductor processing section that contains the processing agent described above. It consists of a supply path that continuously supplies a processing agent, and the middle part of the supply path is filled with the processing agent, and the first
When the processing agent in the container is used up, the liquid level decreases, and the second container is provided with a content detection sensor for detecting the decrease in the liquid level of the processing agent.
本考案の実施例の説明に先だつて、半導体素子
をウエハ上に形成する一工程である。いわゆるフ
オトリゾグラフイ工程及びエツチング工程につい
て図面に従つて説明する。
Prior to explaining the embodiments of the present invention, this is a step in which semiconductor devices are formed on a wafer. The so-called photolithography process and etching process will be explained with reference to the drawings.
シリコン板であるウエハ31には、このフオト
リゾグラフイ工程に先だつて第2図aに示すよう
に酸化膜32が形成されている。そして、この酸
化膜32の表面には第2図bに示すように感光剤
であるフオトレジスト層33が被着される。これ
に第2図cに示すように、あらかじめパターンジ
エネレータのような装置により作成されるフオト
マスク34を重ね合せ、紫外線により露光しパタ
ーンを焼き付ける。そして、上記紫外線がフオト
マスクにより遮光され、照射されなかつた部分の
フオトレジスト層33を例えばキシレン系の有機
溶剤等からなる現像液により溶解し、第2図dに
示すように現像を行なう。上記処理によりフオト
リゾグラフイ工程を完了し、次にエツチング工程
に移行する。そして、上記フオトレジスト層33
が除去されて露出した部分の酸化膜32Aを化学
処理により第2図eに示すように取り去る。さら
に、第2図fに示すように不要となつたフオトレ
ジスト層33を取り除くことによりエツチング工
程も完了する。 As shown in FIG. 2a, an oxide film 32 is formed on a wafer 31, which is a silicon plate, prior to this photolithography process. A photoresist layer 33, which is a photosensitive material, is then deposited on the surface of this oxide film 32, as shown in FIG. 2b. As shown in FIG. 2c, a photomask 34 previously prepared using a device such as a pattern generator is superimposed on this and exposed to ultraviolet light to print a pattern. Then, the ultraviolet rays are blocked by a photomask, and the portions of the photoresist layer 33 that are not irradiated are dissolved by a developer made of, for example, a xylene-based organic solvent, and developed as shown in FIG. 2d. The photolithography process is completed by the above processing, and then the etching process is started. Then, the photoresist layer 33
The exposed portion of the oxide film 32A is removed by chemical treatment as shown in FIG. 2e. Further, as shown in FIG. 2f, the etching process is completed by removing the photoresist layer 33 which is no longer needed.
そして、本考案は、上述した工程において、特
にウエハに対し現像液により現像を施すような工
程を行なう半導体素子製造装置に適用することが
できるものである。 The present invention can be applied to a semiconductor device manufacturing apparatus that performs the above-mentioned process, particularly a process in which a wafer is developed with a developer.
以下、本考案の具体的な一実施例について、図
面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, a specific embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
本考案によつて構成される半導体素子製造装置
は、第3図に示すように、ウエハ11を載置し回
転可能に設けられるウエハ支持台12と、このウ
エハ11に例えばキシレン等からなる現像液のよ
うな処理剤を噴霧し現像等の処理を行なうスプレ
ーの如き半導体処理部13と、この半導体処理部
13に上記処理剤を供給する第1の供給路14及
び第2の供給路15と、上記処理剤を収容する例
えばステンレス製の第1の容器16とからなつて
いる。そして、上記第1の供給路14と第2の供
給路15との間にはテフロン製の第2の容器17
が設けられている。この第2の容器17には、例
えば処理剤と空気の屈折率の相違を利用して上記
処理剤の液面を検出する、いわゆるグラスライト
センサの如き内容量検出センサ18と、この第2
の容器17内の空気を抜くための空気抜きバルブ
19が設けられている。また、上記第2の容器1
7に接続される第2の供給路15は、上記第2の
容器17の底部に接続されている。 As shown in FIG. 3, the semiconductor device manufacturing apparatus constructed according to the present invention includes a wafer support 12 on which a wafer 11 is placed and rotatably provided, and a developer solution made of xylene or the like applied to the wafer 11. A semiconductor processing section 13 such as a sprayer that sprays a processing agent such as the above to perform processing such as development; a first supply path 14 and a second supply path 15 that supply the processing agent to the semiconductor processing section 13; A first container 16 made of stainless steel, for example, contains the processing agent. A second container 17 made of Teflon is provided between the first supply path 14 and the second supply path 15.
is provided. This second container 17 includes a content detection sensor 18, such as a so-called glass light sensor, which detects the liquid level of the processing agent by utilizing the difference in refractive index between the processing agent and air, and a second container 17.
An air vent valve 19 is provided for venting air from the container 17. In addition, the second container 1
A second supply path 15 connected to the second container 17 is connected to the bottom of the second container 17.
そして、上記第1の容器16内の処理剤は、上
記第1の供給路14を通じて、先ず第2の容器1
7に収容される。次に、この第2の容器17に収
容される処理剤は、第2の供給路15を通じ、電
磁弁20により流量を調整されて上記半導体処理
部13に連結的に供給され、例えば第2図に示す
ような窒素ガス供給路21より供給される窒素ガ
スにより霧状に噴霧され、上記ウエハ11の表面
に現像等の処理を施すようになされている。すな
わち、前記第2の容器17は、処理剤を収容する
といつても供給路14、供給路15と共に流路の
一部を構成するにすぎず、したがつて第1の容器
16内の処理剤はこれら第1の供給路14、第2
の容器17、第2の供給路15を通つて半導体処
理部13に連結的に供給されることになる。 The processing agent in the first container 16 is first transferred to the second container 1 through the first supply path 14.
It is accommodated in 7. Next, the processing agent contained in the second container 17 is connected to the semiconductor processing section 13 through the second supply path 15 with its flow rate adjusted by the electromagnetic valve 20, for example, as shown in FIG. Nitrogen gas supplied from a nitrogen gas supply path 21 as shown in FIG. That is, whenever the second container 17 contains the processing agent, it only constitutes a part of the flow path together with the supply path 14 and the supply path 15, and therefore the processing agent in the first container 16 are the first supply path 14, the second supply path 14,
The semiconductor processing section 13 is connected to the semiconductor processing section 13 through the container 17 and the second supply path 15.
ところで、上記第1の容器16内の処理剤がな
くなると、第2の容器17内の処理剤の液面が次
第に下がる。そして、この液面が上記内容量検出
センサ18の先端18Aよりも低くなると、上記
内容量検出センサ18により検出して何らかの警
報を発するようになる。この内容量検出センサ1
8の先端部18Aの位置は、例えば処理剤の液面
がこの先端部18Aより下がつてもウエハをされ
に25枚程度処理することができる程度の処理剤が
上記第2の容器17内に残存する程度とされてい
る。したがつて、上記警報が発せられてから第1
の容器16を処理剤が満たされた新しい容器と交
換し、第2の容器17内の空気を空気抜きバルブ
19より抜いてこの第2の容器17内を再び処理
剤で満たせば、上記処理剤を連続的に半導体処理
部13に供給することができ、また、上記第2の
供給路15に気泡が侵入する虞れもない。特に、
上記警報が発せられてからもウエハを25枚程度処
理できる処理剤が第2の容器17内に残存してい
るため、上記第1の容器16の交換作業も十分間
に合うものとなる。 By the way, when the processing agent in the first container 16 runs out, the liquid level of the processing agent in the second container 17 gradually decreases. Then, when this liquid level becomes lower than the tip 18A of the inner volume detection sensor 18, the inner volume detection sensor 18 detects this and issues some sort of alarm. This content detection sensor 1
The position of the tip 18A of No. 8 is such that, for example, there is enough processing agent in the second container 17 to process about 25 wafers even if the liquid level of the processing agent drops below the tip 18A. It is said that some amount remains. Therefore, after the above warning was issued, the first
If the container 16 is replaced with a new container filled with a processing agent, the air in the second container 17 is removed from the air vent valve 19, and the second container 17 is filled with the processing agent again, the processing agent can be removed. It can be continuously supplied to the semiconductor processing section 13, and there is no possibility that air bubbles will enter the second supply path 15. especially,
Even after the above-mentioned alarm is issued, the processing agent capable of processing about 25 wafers remains in the second container 17, so that the first container 16 can be replaced in sufficient time.
このように、上記実施例においては、処理剤の
残存量を検出して第2の供給路15内に気泡が侵
入することを防止することができ、第1の容器1
6交換時にも連続的にウエハ11を処理すること
ができ、生産性を非常に向上することができる。 In this way, in the above embodiment, it is possible to detect the remaining amount of the processing agent and prevent air bubbles from entering the second supply path 15, and the first container 1
The wafers 11 can be processed continuously even during six exchanges, and productivity can be greatly improved.
また、処理剤の補充も第1の容器16の交換の
みでよく、作業性も非常に良好なものとなつてい
る。 In addition, replenishment of the processing agent requires only replacing the first container 16, resulting in very good workability.
ところで、本考案は上記実施例に限定されるも
のではなく、例えば上記内容量検出センサ18は
静電容量センサ等処理剤の液面を検出することが
できるような各種センサを用いてもよい。 By the way, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and for example, various sensors capable of detecting the liquid level of the processing agent, such as a capacitance sensor, may be used as the content detection sensor 18.
また、上記第2の容器17を設けずに、例えば
処理剤に含まれる粒子状の不純物を除去するため
に供給路の途中に設けられるフイルタ槽に上記内
容量検出センサ18を取付けても同様な効果が得
られる。 Alternatively, the content detection sensor 18 may be installed in a filter tank provided in the middle of the supply path to remove particulate impurities contained in the processing agent without providing the second container 17. Effects can be obtained.
上述した実施例の説明からも明らかなように、
本考案は、連続的に処理剤が供給されるような装
置において供給路の中途部で処理剤の残存量を検
出するようにしているので、たとえ第1の容器内
の処理剤が完全になくなるまで使用したとしても
半導体処理部内への気泡の侵入を確実に防止する
ことができ、生産性を著しく向上することが可能
となつている。
As is clear from the description of the embodiments above,
The present invention detects the remaining amount of processing agent in the middle of the supply path in a device where processing agent is continuously supplied, so even if the processing agent in the first container is completely exhausted. Even if the device is used up to the point where it is used, it is possible to reliably prevent air bubbles from entering the semiconductor processing section, making it possible to significantly improve productivity.
さらに本考案においては、容器内の処理剤の補
充作業を容易なものとなし、作業の能率を向上す
ることが可能となつている。 Furthermore, according to the present invention, it is possible to easily replenish the processing agent in the container, thereby improving work efficiency.
第1図は従来の半導体素子製造装置の構成を示
す概略図である。第2図a〜fはフオトリゾグラ
フイ工程及びエツチング工程の工程順序を示す要
部概略縦断面図であり、第2図aは酸化膜形成工
程、第2図bはフオトレジスト層被着工程、第2
図cはパターン露光工程、第2図dは現像工程、
第2図eは酸化膜のエツチング工程、第2図fは
不要となつたフオトレジスト層の除去工程を示す
ものである。第3図は本考案を適用した半導体素
子製造装置の構成を示す概略図である。
13……半導体処理部、14……第1の供給
路、15……第2の供給路、16……第1の容
器、17……第2の容器、18……内容量検出セ
ンサ。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a conventional semiconductor device manufacturing apparatus. FIGS. 2a to 2f are schematic vertical cross-sectional views of main parts showing the process order of the photolithography process and the etching process, FIG. 2a is the oxide film forming process, and FIG. 2b is the photoresist layer deposition process. , second
Figure c is the pattern exposure process, Figure 2 d is the development process,
FIG. 2e shows an oxide film etching process, and FIG. 2f shows a removing process of an unnecessary photoresist layer. FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of a semiconductor device manufacturing apparatus to which the present invention is applied. 13... Semiconductor processing section, 14... First supply path, 15... Second supply path, 16... First container, 17... Second container, 18... Contents detection sensor.
Claims (1)
る第1の容器と、上記処理剤により半導体を処理
する半導体処理部と、上記半導体処理部に上記処
理剤を連続的に供給する供給路からなり、上記供
給路の中途部に上記処理剤で満たされるとともに
第1の容器内の処理剤がなくなると液面が低下
し、かつ前記処理剤の液面の低下を検出する内容
量検出センサを有する第2の容器を設けてなる半
導体素子製造装置。 Consisting of a first container containing a processing agent used for manufacturing semiconductor devices, a semiconductor processing section for processing a semiconductor with the processing agent, and a supply path for continuously supplying the processing agent to the semiconductor processing section, When the middle part of the supply path is filled with the processing agent and the processing agent in the first container runs out, the liquid level decreases, and the first container has a content detection sensor that detects a decrease in the liquid level of the processing agent. A semiconductor device manufacturing apparatus comprising two containers.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17282682U JPS5977225U (en) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | Semiconductor device manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17282682U JPS5977225U (en) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | Semiconductor device manufacturing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5977225U JPS5977225U (en) | 1984-05-25 |
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Family
ID=30376632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17282682U Granted JPS5977225U (en) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | Semiconductor device manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS5977225U (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231785Y2 (en) * | 1985-08-26 | 1990-08-28 | ||
| JPH0750673B2 (en) * | 1988-02-10 | 1995-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | Resist coating device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS584453B2 (en) * | 1973-09-18 | 1983-01-26 | 日本電気株式会社 | Hand tied wafer |
| JPS5327287A (en) * | 1976-08-27 | 1978-03-14 | Nanbi Kougiyou Kk | Device for switching car head lamp and varying light intensity thereof |
| JPS544667U (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-12 | ||
| JPS56106451U (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-19 | ||
| JPS56161539A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-11 | Fujitsu Ltd | Feeding method for photoresist solution |
| JPS57121136U (en) * | 1981-01-23 | 1982-07-28 | ||
| JPS5831530A (en) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Nec Kyushu Ltd | Manufacturing apparatus for semiconductor device |
| JPS5835952U (en) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | 三菱電機株式会社 | liquid spray device |
| JPS58180630U (en) * | 1982-05-25 | 1983-12-02 | 富士通株式会社 | Resist coating equipment |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP17282682U patent/JPS5977225U/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5977225U (en) | 1984-05-25 |
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