JPH0128672Y2 - - Google Patents
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- JPH0128672Y2 JPH0128672Y2 JP17829682U JP17829682U JPH0128672Y2 JP H0128672 Y2 JPH0128672 Y2 JP H0128672Y2 JP 17829682 U JP17829682 U JP 17829682U JP 17829682 U JP17829682 U JP 17829682U JP H0128672 Y2 JPH0128672 Y2 JP H0128672Y2
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- etching
- tank
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- tanks
- cooling
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
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Description
【考案の詳細な説明】
技術分野
この考案は半導体製造装置に関し、特に半導体
ウエーハを水洗及びエツチングする装置に関す
る。
ウエーハを水洗及びエツチングする装置に関す
る。
背景技術
半導体ウエーハのウエツトエツチングは一般に
半導体ウエーハを予備水洗してからエツチング液
に浸漬し、その後仮水洗してから本水洗する工程
で行われる。例えばシリコンの半導体ウエーハを
HF・HNO3・(CH3COOH)系のエツチング液で
エツチングする場合はエツチング時に反応熱が発
生するので、エツチングと仮水洗は第1図に示す
ような自冷機能を持つたエツチング槽1と通常の
水洗槽2を使つて行われる。
半導体ウエーハを予備水洗してからエツチング液
に浸漬し、その後仮水洗してから本水洗する工程
で行われる。例えばシリコンの半導体ウエーハを
HF・HNO3・(CH3COOH)系のエツチング液で
エツチングする場合はエツチング時に反応熱が発
生するので、エツチングと仮水洗は第1図に示す
ような自冷機能を持つたエツチング槽1と通常の
水洗槽2を使つて行われる。
上記エツチング槽1は2重構造の槽壁内に冷却
水3がポンプ4を介して循環する冷却構造と、槽
1の内面に沿つてスパイラル状に冷却管5を配置
してこの中にポンプ4からの冷却水3を通す冷却
構造を有するもので、槽1内には底面に設けた液
供給排出管6からエツチング液7が定量供給され
る。水洗槽2はエツチング槽1と同じ高さで近接
させて配置されたもので、外部から純水8が供給
管9を通して定量供給され、必要に応じ排出管1
0から放出される。尚、第1図の11,11…は
各管6,9,10に設置されたバルブである。エ
ツチング槽1内のエツチング液7に半導体ウエー
ハ12は複数枚がキヤリア13で保持されて一括
して浸漬されてエツチングされる。このエツチン
グ時の反応熱でエツチング液7の温度が上昇する
が、冷却水3の冷却にてエツチング液7の温度は
許容範囲内にコントロールされ、エツチングレー
トを均一に保つよう工夫される。エツチングが完
了した半導体ウエーハ12はキヤリア13と共に
エツチング液7から引き上げられて次に水洗槽2
内の純水8に浸漬されて仮水洗される。
水3がポンプ4を介して循環する冷却構造と、槽
1の内面に沿つてスパイラル状に冷却管5を配置
してこの中にポンプ4からの冷却水3を通す冷却
構造を有するもので、槽1内には底面に設けた液
供給排出管6からエツチング液7が定量供給され
る。水洗槽2はエツチング槽1と同じ高さで近接
させて配置されたもので、外部から純水8が供給
管9を通して定量供給され、必要に応じ排出管1
0から放出される。尚、第1図の11,11…は
各管6,9,10に設置されたバルブである。エ
ツチング槽1内のエツチング液7に半導体ウエー
ハ12は複数枚がキヤリア13で保持されて一括
して浸漬されてエツチングされる。このエツチン
グ時の反応熱でエツチング液7の温度が上昇する
が、冷却水3の冷却にてエツチング液7の温度は
許容範囲内にコントロールされ、エツチングレー
トを均一に保つよう工夫される。エツチングが完
了した半導体ウエーハ12はキヤリア13と共に
エツチング液7から引き上げられて次に水洗槽2
内の純水8に浸漬されて仮水洗される。
ところで上記従来のエツチング装置は次の各問
題点を有する。
題点を有する。
(a) エツチング液7を槽内に放置した状態で冷却
すること、及びエツチング槽1内に冷却管5を
配置するのでそれだけ、エツチング槽1の容積
が大きくなつてエツチング液7の液量が多くな
ることのためエツチング液7の冷却効果が悪
く、1回のエツチング完了後所定温度までエツ
チング液7を冷却するのに時間を要して連続し
たエツチング動作が難しい。
すること、及びエツチング槽1内に冷却管5を
配置するのでそれだけ、エツチング槽1の容積
が大きくなつてエツチング液7の液量が多くな
ることのためエツチング液7の冷却効果が悪
く、1回のエツチング完了後所定温度までエツ
チング液7を冷却するのに時間を要して連続し
たエツチング動作が難しい。
(b) エツチング槽1は冷却管5の配置スペースの
分だけ余分な容積を必要として大型化し、設備
的に不利である。
分だけ余分な容積を必要として大型化し、設備
的に不利である。
(c) エツチング液7はエツチング槽1の大型化で
無駄な液量が多くなり、エツチング液7の放出
後の後処理が大変である。
無駄な液量が多くなり、エツチング液7の放出
後の後処理が大変である。
(d) エツチング時のエツチング液7とエツチング
槽1の温度差によりエツチング液7から露出し
た冷却管5や槽壁に水滴が付着してこれがエツ
チング液7へと落下し、エツチングレートを低
下させることがあり、工程管理が難しい。
槽1の温度差によりエツチング液7から露出し
た冷却管5や槽壁に水滴が付着してこれがエツ
チング液7へと落下し、エツチングレートを低
下させることがあり、工程管理が難しい。
(e) 半導体ウエーハ12をエツチング槽1から水
洗槽2に移す間に半導体ウエーハ12やキヤリ
ア13に付着したエツチング液が槽間に落下す
るので取扱いに注意を要し作業性を悪くする。
洗槽2に移す間に半導体ウエーハ12やキヤリ
ア13に付着したエツチング液が槽間に落下す
るので取扱いに注意を要し作業性を悪くする。
(f) エツチングレートの管理はエツチング液7の
疲労と液温の両方で行う必要があるので難し
く、品質にバラツキが生じ易い。
疲労と液温の両方で行う必要があるので難し
く、品質にバラツキが生じ易い。
考案の開示
本考案は上記問題点を解決することを目的と
し、これを達成したもので、2つの槽にエツチン
グ液と純水を交互に入れ替えて各々の槽内で半導
体ウエーハのエツチングと水洗を行うようにした
半導体製造装置を提供する。
し、これを達成したもので、2つの槽にエツチン
グ液と純水を交互に入れ替えて各々の槽内で半導
体ウエーハのエツチングと水洗を行うようにした
半導体製造装置を提供する。
本考案は夫々に独立した自冷機能を持つ2つの
同一構造の第1、第2槽を連結管で連結した基本
構造を有するもので、第1槽にエツチング液を第
2槽に純水を入れて第1槽で半導体ウエーハをエ
ツチングすると同時に第2槽でエツチングの完了
した別の半導体ウエーハを仮水洗し、このエツチ
ングと水洗が完了すると第2槽から純水を抜き水
洗された半導体ウエーハを取出して第2槽に第1
槽のエツチング液を冷却して移して第2槽で別の
半導体ウエーハをエツチングすると共に、空の第
1槽には純水を供給して先にエツチングされて残
つていた半導体ウエーハを仮水洗するようにした
装置である。第1、第2槽間の移動中の槽外でエ
ツチング液を冷却する構造のため冷却効果を十分
に上げることが可能で、移動完了時点のエツチン
グ液を即座にエツチングできる温度まで冷却する
ことにより連続したエツチング動作が可能とな
る。また2槽間に半導体ウエーハを移動させない
構造のため、エツチング液の槽間の落下などのト
ラブルが皆無となり、作業性が良好となる。
同一構造の第1、第2槽を連結管で連結した基本
構造を有するもので、第1槽にエツチング液を第
2槽に純水を入れて第1槽で半導体ウエーハをエ
ツチングすると同時に第2槽でエツチングの完了
した別の半導体ウエーハを仮水洗し、このエツチ
ングと水洗が完了すると第2槽から純水を抜き水
洗された半導体ウエーハを取出して第2槽に第1
槽のエツチング液を冷却して移して第2槽で別の
半導体ウエーハをエツチングすると共に、空の第
1槽には純水を供給して先にエツチングされて残
つていた半導体ウエーハを仮水洗するようにした
装置である。第1、第2槽間の移動中の槽外でエ
ツチング液を冷却する構造のため冷却効果を十分
に上げることが可能で、移動完了時点のエツチン
グ液を即座にエツチングできる温度まで冷却する
ことにより連続したエツチング動作が可能とな
る。また2槽間に半導体ウエーハを移動させない
構造のため、エツチング液の槽間の落下などのト
ラブルが皆無となり、作業性が良好となる。
考案を実施するための最良の形態
第2図の実施例において、15及び16は夫々
に半導体ウエーハ12を複数枚同時にエツチング
する機能と水洗する機能を有する同一構造の第1
及び第2槽で、各々は半導体ウエーハ12をエツ
チング及び水洗する必要な最少限の容積を有し、
各々は同一高さで近接させて配置される。17,
18は第1、第2槽15,16の二重槽壁内を循
環する冷却水、19,20は冷却水17,18を
循環させるため槽外に設置したポンプ、21,2
2は第1、第2槽15,16の底面に連結した液
排出管、23,24は第1、第2槽15,16の
底面に連結して一部を第1、第2槽15,16の
上部開口まで延ばした液(純水)供給管である。
25は第1、第2槽15,16間に設置された液
移動装置で、第1、第2槽15,16の両底面間
に両端が連結された連結管26と、連結管26の
一部に装設した正逆回転可能なポンプ27と、連
結管26の一部に設置されて連結管26内の液
(エツチング液)を液体窒素などで強制冷却する
冷却器28とで構成される。29,29…は各管
21〜24,26に設けたバルブである。
に半導体ウエーハ12を複数枚同時にエツチング
する機能と水洗する機能を有する同一構造の第1
及び第2槽で、各々は半導体ウエーハ12をエツ
チング及び水洗する必要な最少限の容積を有し、
各々は同一高さで近接させて配置される。17,
18は第1、第2槽15,16の二重槽壁内を循
環する冷却水、19,20は冷却水17,18を
循環させるため槽外に設置したポンプ、21,2
2は第1、第2槽15,16の底面に連結した液
排出管、23,24は第1、第2槽15,16の
底面に連結して一部を第1、第2槽15,16の
上部開口まで延ばした液(純水)供給管である。
25は第1、第2槽15,16間に設置された液
移動装置で、第1、第2槽15,16の両底面間
に両端が連結された連結管26と、連結管26の
一部に装設した正逆回転可能なポンプ27と、連
結管26の一部に設置されて連結管26内の液
(エツチング液)を液体窒素などで強制冷却する
冷却器28とで構成される。29,29…は各管
21〜24,26に設けたバルブである。
上記装置は次の動作を繰り返す。いま第3図の
イに示す如く第1槽15にエツチング液7を定量
供給しこれに初めの複数の半導体ウエーハ12を
キヤリア13と共に浸漬してエツチングを始める
とする。この時第2槽16は空にしておく。第1
槽15内でのエツチングが完了した時点でもつて
連結管26のバルブ29,29を開き、ポンプ2
7を作動させて、第3図のロに示すように第1槽
15内のエツチング液7を連結管26を通し、冷
却器28で強制冷却して第2槽16内に移す。こ
れが完了すると第3図のハのように連結管26の
バルブ29,29を閉じて第1槽15の液供給管
23のバルブ29,29を開いて空になつた第1
槽15内に上下より純水8を定量供給する。する
と第1槽15内に残つているエツチング完了した
半導体ウエーハ12が仮水洗される。このとき、
液排水管21のバルブ29を開いたまゝで、ま
ず、上方に向う液供給管23のバルブ29のみを
開いて、エツチング終了直後の半導体ウエーハ1
2をシヤワー洗浄し、しかるのちに、液排水管2
1のバルブ29を閉じて、液供給管23の第1槽
15の底部に向うバルブ29を閉じれば、半導体
ウエーハ12をよりきれいに仮水洗できる。この
仮水洗と同時に第2槽16内のエツチング液7に
別の半導体ウエーハ12′の複数枚をキヤリア1
3′と共に浸漬してエツチングを行う。エツチン
グ液7の交替時の冷却は槽外で特別な冷却器28
を使つて行われるので冷却効果が良く、従つてエ
ツチング液7の槽間の交替時間を短くすることに
より第1槽15でのエツチングと第2槽でのエツ
チングはほぼ連続的に行われる。
イに示す如く第1槽15にエツチング液7を定量
供給しこれに初めの複数の半導体ウエーハ12を
キヤリア13と共に浸漬してエツチングを始める
とする。この時第2槽16は空にしておく。第1
槽15内でのエツチングが完了した時点でもつて
連結管26のバルブ29,29を開き、ポンプ2
7を作動させて、第3図のロに示すように第1槽
15内のエツチング液7を連結管26を通し、冷
却器28で強制冷却して第2槽16内に移す。こ
れが完了すると第3図のハのように連結管26の
バルブ29,29を閉じて第1槽15の液供給管
23のバルブ29,29を開いて空になつた第1
槽15内に上下より純水8を定量供給する。する
と第1槽15内に残つているエツチング完了した
半導体ウエーハ12が仮水洗される。このとき、
液排水管21のバルブ29を開いたまゝで、ま
ず、上方に向う液供給管23のバルブ29のみを
開いて、エツチング終了直後の半導体ウエーハ1
2をシヤワー洗浄し、しかるのちに、液排水管2
1のバルブ29を閉じて、液供給管23の第1槽
15の底部に向うバルブ29を閉じれば、半導体
ウエーハ12をよりきれいに仮水洗できる。この
仮水洗と同時に第2槽16内のエツチング液7に
別の半導体ウエーハ12′の複数枚をキヤリア1
3′と共に浸漬してエツチングを行う。エツチン
グ液7の交替時の冷却は槽外で特別な冷却器28
を使つて行われるので冷却効果が良く、従つてエ
ツチング液7の槽間の交替時間を短くすることに
より第1槽15でのエツチングと第2槽でのエツ
チングはほぼ連続的に行われる。
次に第3図のニに示すように第1槽15から純
水8を放出し、仮水洗された半導体ウエーハ12
をキヤリア13を取出してから、第3図のホに示
す如く第2槽16内のエツチング液7を上記逆の
動作で第1槽15に冷却して戻す。そして第3図
のヘに示すように第2槽16に純水8を供給して
第2槽16内でエツチングされた半導体ウエーハ
12′を仮水洗すると共に、第1槽15内のエツ
チング液7に3番目の半導体ウエーハ12″の複
数枚をキヤリア13″と共に浸漬してエツチング
する。以後上記動作が繰り返されて連続したエツ
チングと仮水洗が続行される。
水8を放出し、仮水洗された半導体ウエーハ12
をキヤリア13を取出してから、第3図のホに示
す如く第2槽16内のエツチング液7を上記逆の
動作で第1槽15に冷却して戻す。そして第3図
のヘに示すように第2槽16に純水8を供給して
第2槽16内でエツチングされた半導体ウエーハ
12′を仮水洗すると共に、第1槽15内のエツ
チング液7に3番目の半導体ウエーハ12″の複
数枚をキヤリア13″と共に浸漬してエツチング
する。以後上記動作が繰り返されて連続したエツ
チングと仮水洗が続行される。
以上のように、本考案によれば次のことが実現
される。
される。
(a) エツチング液を槽外で効果的に強制冷却する
ため、エツチング液交替時間と純水交替時間を
短くすることにより十分に連続したエツチング
と仮水洗ができ、量産性が向上する。
ため、エツチング液交替時間と純水交替時間を
短くすることにより十分に連続したエツチング
と仮水洗ができ、量産性が向上する。
(b) 第1、第2槽は共に冷却管を内蔵しないので
各々の容積は必要最小限にできて小型軽量化が
図れ、設備的に有利となる。
各々の容積は必要最小限にできて小型軽量化が
図れ、設備的に有利となる。
(c) 第1、第2槽の容積が小さいのでエツチング
液の量を少くすることができ、後処理上有利で
ある。
液の量を少くすることができ、後処理上有利で
ある。
(d) 第1、第2槽から冷却管を省略することによ
り冷却管に付着した水滴がエツチング液に落下
してエツチングレートを低下させる心配が無く
なり、またエツチング液の冷却効果の増大化に
よつてエツチングレートの管理はエツチング液
の疲労だけに依存すればよくて管理が容易にな
り、品質の均一化が図れる。好ましくはエツチ
ング液のPH等をセンシングしてエツチング液を
自動的に補充する。この場合、第1、第2槽1
5,16の一方のみにPH計及び液補充機構を設
けても実用上問題はない。
り冷却管に付着した水滴がエツチング液に落下
してエツチングレートを低下させる心配が無く
なり、またエツチング液の冷却効果の増大化に
よつてエツチングレートの管理はエツチング液
の疲労だけに依存すればよくて管理が容易にな
り、品質の均一化が図れる。好ましくはエツチ
ング液のPH等をセンシングしてエツチング液を
自動的に補充する。この場合、第1、第2槽1
5,16の一方のみにPH計及び液補充機構を設
けても実用上問題はない。
(e) 半導体ウエーハは第1、第2槽の夫々でエツ
チングと仮水洗が連続して行われるので2槽間
に移動させる必要が無くなり、従つて槽間にエ
ツチング液が落下する等のトラブルが皆無とな
り、作業の安全化、作業性の向上が図れる。
チングと仮水洗が連続して行われるので2槽間
に移動させる必要が無くなり、従つて槽間にエ
ツチング液が落下する等のトラブルが皆無とな
り、作業の安全化、作業性の向上が図れる。
第1図は従来の半導体製造装置の概略断面図、
第2図は本考案の一実施例を示す概略断面図、第
3図は第2図の装置の動作を説明するための各動
作時での要部動作図である。 7……エツチング液、8……純水、15……第
1槽、16……第2槽、21,22……液排出
管、23,24……液供給管、25……液移動装
置、26……連結管、27……ポンプ、28……
冷却器。
第2図は本考案の一実施例を示す概略断面図、第
3図は第2図の装置の動作を説明するための各動
作時での要部動作図である。 7……エツチング液、8……純水、15……第
1槽、16……第2槽、21,22……液排出
管、23,24……液供給管、25……液移動装
置、26……連結管、27……ポンプ、28……
冷却器。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 液供給管及び排出管を装備した第1、第2槽
と、 第1、第2槽間に連結された連結管を通して両
槽の一方から他槽に液を移動させる正逆回転可能
なポンプ及び前記連結管の途中において移動中の
液を冷却する冷却部を装備した液移動装置とを具
備することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17829682U JPS5981030U (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17829682U JPS5981030U (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5981030U JPS5981030U (ja) | 1984-05-31 |
| JPH0128672Y2 true JPH0128672Y2 (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=30387134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17829682U Granted JPS5981030U (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5981030U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61133633A (ja) * | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP17829682U patent/JPS5981030U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5981030U (ja) | 1984-05-31 |
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