JPH01290527A - 透明導電性顔料及びその製造方法 - Google Patents
透明導電性顔料及びその製造方法Info
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- JPH01290527A JPH01290527A JP11713588A JP11713588A JPH01290527A JP H01290527 A JPH01290527 A JP H01290527A JP 11713588 A JP11713588 A JP 11713588A JP 11713588 A JP11713588 A JP 11713588A JP H01290527 A JPH01290527 A JP H01290527A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は不純物ドーパントとして錫を含有するインジウ
ム酸化物（以下ＩＴＯという）顔料に関し、特にこれの
塗布膜の透明性が大でなおかつ低抵抗なＩＴＯ被膜を得
る微細なＩＴＯ顔料及びその製造方法に関するするもの
である。
ム酸化物（以下ＩＴＯという）顔料に関し、特にこれの
塗布膜の透明性が大でなおかつ低抵抗なＩＴＯ被膜を得
る微細なＩＴＯ顔料及びその製造方法に関するするもの
である。
［従来の技術］
ＩＴＯ透明導電性被膜は主にスパッタリング法によって
形成されている。
形成されている。
しかし、スパッタリング法は非常に高価な高真空装置が
必要な上に、生産性が低く、大面積の加工が出来ないと
いう欠点を有している。さらにスパッタリング法によっ
て形成されたＩＴＯ薄膜は、非常に緻密なために極めて
低い抵抗を持つものであるが、耐候性、耐摩耗性におい
て著しく劣っている。
必要な上に、生産性が低く、大面積の加工が出来ないと
いう欠点を有している。さらにスパッタリング法によっ
て形成されたＩＴＯ薄膜は、非常に緻密なために極めて
低い抵抗を持つものであるが、耐候性、耐摩耗性におい
て著しく劣っている。
近時、超微粒子酸化物の製造技術の発展にともない、
ＩＴＯ微粉末を用いて、これを塗布することによる Ｉ
ＴＯ薄膜形成法が見直されてきた。
ＩＴＯ微粉末を用いて、これを塗布することによる Ｉ
ＴＯ薄膜形成法が見直されてきた。
塗布によりるＩＴＯ薄膜の形成法はスパッタリング法に
比べ高価な装置を必要としない上、生産性が高く、所望
する形状を容易に形成できるという利点を有している。
比べ高価な装置を必要としない上、生産性が高く、所望
する形状を容易に形成できるという利点を有している。
さらに塗布による方法では膜厚を厚く出来るため、耐候
性、耐摩耗性においても優れた性能が期待できる。
性、耐摩耗性においても優れた性能が期待できる。
このような塗布法で使用する超微粒子であるＩＴＯ顔料
の製造方法として、金属水酸化物や有機酸塩の熱分解法
等で合成したＩＴＯ粉末を機械的に粉砕する方法がある
。しかし従来の、金属水酸化物や有機酸塩の熱分解法等
で合成したＩＴＯ粉末を機械的粉砕により微細化して得
た超微粒子を用いても、必ずしも高透明性・低抵抗の塗
布膜は得られなかった。
の製造方法として、金属水酸化物や有機酸塩の熱分解法
等で合成したＩＴＯ粉末を機械的に粉砕する方法がある
。しかし従来の、金属水酸化物や有機酸塩の熱分解法等
で合成したＩＴＯ粉末を機械的粉砕により微細化して得
た超微粒子を用いても、必ずしも高透明性・低抵抗の塗
布膜は得られなかった。
また酸化物超微粒子の特殊な製造方法として、気相中で
酸化物超微粒子を形成させる気相法がある。しかし、こ
の方法で得たものは薄膜製造には有効であるが、酸化物
超微粒子を得る方法としては、生産性、コスト面で工業
的な方法とは言えない。
酸化物超微粒子を形成させる気相法がある。しかし、こ
の方法で得たものは薄膜製造には有効であるが、酸化物
超微粒子を得る方法としては、生産性、コスト面で工業
的な方法とは言えない。
［発明が解決しようとする問題点コ
以上述べたように、ＩＴＯ微粉末を顔料として用い、こ
れの塗布によるＩＴＯ薄膜形成は、著しい利点が見込め
るにもかかわらず、表面抵抗及び透明性において未だス
パッタリング法に劣っており、ＩＴＯ薄膜の多くは依然
として種々の問題点を有するスパッタリング法によって
生産されているのが現状である。
れの塗布によるＩＴＯ薄膜形成は、著しい利点が見込め
るにもかかわらず、表面抵抗及び透明性において未だス
パッタリング法に劣っており、ＩＴＯ薄膜の多くは依然
として種々の問題点を有するスパッタリング法によって
生産されているのが現状である。
その為透明性に優れ、なおかつ低抵抗のＩＴＯ被膜を塗
布によって作成可能なＩＴＯ微粉末即ちＩＴＯ顔料が待
望されている。
布によって作成可能なＩＴＯ微粉末即ちＩＴＯ顔料が待
望されている。
［問題点を解決する手段］
本発明者らはＩＴＯ顔料に関し鋭意検討を重ねた結果、
優れた透明性を持つ被膜を得るＩＴＯ顔料は、ＩＴＯ顔
料中の酸素の格子欠陥が少なく、粒径が１１００ｎ未満
、好ましくは５０ｎｍ以下であることが必要であり、ま
た低抵抗を実現するためにはインジウム格子中に錫が固
溶しており、かつインジウムに対する錫の含有率が５〜
８モル％、好ましくは６〜７モル％の狭い範囲で、さら
に結晶子の大きさが１５ｎｍ以上でなければならないこ
とを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。
優れた透明性を持つ被膜を得るＩＴＯ顔料は、ＩＴＯ顔
料中の酸素の格子欠陥が少なく、粒径が１１００ｎ未満
、好ましくは５０ｎｍ以下であることが必要であり、ま
た低抵抗を実現するためにはインジウム格子中に錫が固
溶しており、かつインジウムに対する錫の含有率が５〜
８モル％、好ましくは６〜７モル％の狭い範囲で、さら
に結晶子の大きさが１５ｎｍ以上でなければならないこ
とを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。
次に本発明の第１の発明について説明する。
本発明におけるＩＴＯ顔料はインジウム格子中に錫が十
分に固溶しており、酸素の格子欠陥の少ないものでなけ
ればならない。
分に固溶しており、酸素の格子欠陥の少ないものでなけ
ればならない。
ＩＴＯの導電性の発現は、
（１）酸素の格子欠陥、及び／または、（２）インジウ
ム格子中への錫（ドーパント）の固溶 によることが公知である。その為、錫が固溶していない
ＩＴＯ粉末でも酸素の格子欠陥を有していれば導電性は
有するが、反面酸素の格子欠陥が多いＩＴＯ粉末では特
に透明性に劣るものしか得られない。
ム格子中への錫（ドーパント）の固溶 によることが公知である。その為、錫が固溶していない
ＩＴＯ粉末でも酸素の格子欠陥を有していれば導電性は
有するが、反面酸素の格子欠陥が多いＩＴＯ粉末では特
に透明性に劣るものしか得られない。
一般に錫が固溶した酸化インジウムの導電性はインジウ
ムに対する錫の含有量が３〜１５モル％のとき、低抵抗
を与えることが公知である。
ムに対する錫の含有量が３〜１５モル％のとき、低抵抗
を与えることが公知である。
しかし、 ＩＴＯ顔料の場合、錫の含有量がこの範囲内
にある場合でも、高抵抗のＩＴＯ被膜しか得られない場
合がある。
にある場合でも、高抵抗のＩＴＯ被膜しか得られない場
合がある。
このような、 ＩＴＯ顔料の導電性のバラツキの原因は
今まで明らかにされていなかったが、本発明者らは低抵
抗のＩＴＯ顔料と、高比抵抗のＩＴＯ顔料の物理的・化
学的性質の違いを詳しく検討した結果、双方のＩＴＯ顔
料では、結晶子の大きさ、及び錫の含を量に違いがある
ことを見出した。
今まで明らかにされていなかったが、本発明者らは低抵
抗のＩＴＯ顔料と、高比抵抗のＩＴＯ顔料の物理的・化
学的性質の違いを詳しく検討した結果、双方のＩＴＯ顔
料では、結晶子の大きさ、及び錫の含を量に違いがある
ことを見出した。
すなわち、 ＩＴＯ顔料の結晶子の大きさが１５ｎｍ以
上の大きさであれば十分な低抵抗を与えるが、−方ＩＴ
Ｏ顔料の結晶子が１５ｎｍ未満であると比抵抗は急激に
上昇する。
上の大きさであれば十分な低抵抗を与えるが、−方ＩＴ
Ｏ顔料の結晶子が１５ｎｍ未満であると比抵抗は急激に
上昇する。
本発明で言う結晶子の大きさ（Ｄ）とは、ＩＴＯ粉末の
Ｘ線回折パターン（Ｘ線源にＣｕを使用した：λ−１．
５４）の半価幅、すなわち回折線の半分の高さの回折線
幅（β）と回折角（θ）を用いて、次式により求められ
る値である。
Ｘ線回折パターン（Ｘ線源にＣｕを使用した：λ−１．
５４）の半価幅、すなわち回折線の半分の高さの回折線
幅（β）と回折角（θ）を用いて、次式により求められ
る値である。
Ｄ （ｎｍ） ＝０．０９Ｘλ／（βｘ ｃｏｓθ）
また、インジウムに対する錫の含有量が５モル％未満で
は結晶子の大きさによらず、比抵抗が大きくそのような
ＩＴＯ顔料からは低抵抗被膜が得られない。一方、錫の
含有量が８モル％より大きい場合には、高透明性を得る
ために一次粒子凝集体を粉砕・分散するときに結晶子を
１５ｎｍ以上に保つことができず、低抵抗・高透明性が
両立する被膜を得ることが困難である。
また、インジウムに対する錫の含有量が５モル％未満で
は結晶子の大きさによらず、比抵抗が大きくそのような
ＩＴＯ顔料からは低抵抗被膜が得られない。一方、錫の
含有量が８モル％より大きい場合には、高透明性を得る
ために一次粒子凝集体を粉砕・分散するときに結晶子を
１５ｎｍ以上に保つことができず、低抵抗・高透明性が
両立する被膜を得ることが困難である。
さらに、本発明におけるインジウム・錫複合酸化物は、
その一次位径が１１００ｎ未満でなければならない。１
００ｎａ＋以上では平滑な塗布膜を得ることが困難であ
り、その様な塗布膜では光の乱反射により透明性の劣っ
たものしか得られない。
その一次位径が１１００ｎ未満でなければならない。１
００ｎａ＋以上では平滑な塗布膜を得ることが困難であ
り、その様な塗布膜では光の乱反射により透明性の劣っ
たものしか得られない。
以上述べたように、本発明のように、錫がインジウム格
子中に固溶したインジウム・錫複合酸化物において、イ
ンジウムに対する錫の含有量が５〜８モル％、該複合酸
化物の一次粒径が１１００ｎ未満、該複合酸化物の結晶
子の大きさが１５ｎＩ１１以上１００ｎｎ未満の本発明
のＩＴＯ顔料からは、低抵抗・高透明性を合せ持つ透明
導電性被膜が作成可能である。
子中に固溶したインジウム・錫複合酸化物において、イ
ンジウムに対する錫の含有量が５〜８モル％、該複合酸
化物の一次粒径が１１００ｎ未満、該複合酸化物の結晶
子の大きさが１５ｎＩ１１以上１００ｎｎ未満の本発明
のＩＴＯ顔料からは、低抵抗・高透明性を合せ持つ透明
導電性被膜が作成可能である。
このようなＩＴＯ顔料は、本発明の第２発明により作成
することができる。以下その詳細を説明する。
することができる。以下その詳細を説明する。
本発明の第二発明での出発物質として用いるインジウム
・錫複合酸化物は、インジウムに対する錫の含有量が５
〜８モル％、該複合酸化物の一次粒径が１１００ｎ未満
でなければならない。このような複合酸化物は、例えば
、インジウムに対する錫の含有量が５〜８モル％のイン
ジウム・錫混合水酸化物を有機溶媒に分散し共沸脱水し
た後、仮焼する方法等で得る事ができる。
・錫複合酸化物は、インジウムに対する錫の含有量が５
〜８モル％、該複合酸化物の一次粒径が１１００ｎ未満
でなければならない。このような複合酸化物は、例えば
、インジウムに対する錫の含有量が５〜８モル％のイン
ジウム・錫混合水酸化物を有機溶媒に分散し共沸脱水し
た後、仮焼する方法等で得る事ができる。
該複合酸化物は熱処理し錫をインジウムに固溶させる。
この熱処理の温度は、８００〜１０００℃、好ましくは
９００〜９５０℃である。
９００〜９５０℃である。
前記温度が８００℃より下の温度では錫の固溶が十分で
なく、また１０００℃より上の温度では一次粒径がｌｏ
ｏｎｍ未満のＩＴＯ粉末を出発物質として用いても熱処
理後にｌｏＯｎｍ以上になることがあり好ましくない。
なく、また１０００℃より上の温度では一次粒径がｌｏ
ｏｎｍ未満のＩＴＯ粉末を出発物質として用いても熱処
理後にｌｏＯｎｍ以上になることがあり好ましくない。
しかし、酸化物の前駆体として金属有機酸塩を用いる場
合、比較的低温でインジウム格子中にスズが固溶するも
のもある。これは、金属有機酸塩を熱分解する際に著し
い発熱を伴なうためである。
合、比較的低温でインジウム格子中にスズが固溶するも
のもある。これは、金属有機酸塩を熱分解する際に著し
い発熱を伴なうためである。
例えばギ酸塩などがこれに相当する。
また、このような微細なＩＴＯ粉末においては、粉末調
製時に一次粒子の凝集は避けられず、このようなＩＴＯ
粉末から透明なＩＴＯ被膜を得るためには、該ＩＴＯ粉
末を粉砕し、良好な分散状態として用いることが必要で
ある。
製時に一次粒子の凝集は避けられず、このようなＩＴＯ
粉末から透明なＩＴＯ被膜を得るためには、該ＩＴＯ粉
末を粉砕し、良好な分散状態として用いることが必要で
ある。
この粉砕の方法としては、ペイントシェーカー、サンド
ミル等の湿式粉砕により、溶媒中に単分散させＩＴＯゾ
ルを製造する方法等が考えられる。
ミル等の湿式粉砕により、溶媒中に単分散させＩＴＯゾ
ルを製造する方法等が考えられる。
ここで用いる溶媒としては、水又は有機溶媒のいずれも
単独又は混合溶媒が使用可能である。
単独又は混合溶媒が使用可能である。
ここで用いる有機溶媒としては、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン類、メチルアルコール、エ
チルアルコール等のアルコール類、酢酸エチル等のエス
テル類などが用いられる。
シクロヘキサノン等のケトン類、メチルアルコール、エ
チルアルコール等のアルコール類、酢酸エチル等のエス
テル類などが用いられる。
またこの時に使用するメジアとしてはガラスピーズ、ジ
ルコニアビーズ等の一般的に粉砕時に使用されるメジア
がすべて使用可能である。
ルコニアビーズ等の一般的に粉砕時に使用されるメジア
がすべて使用可能である。
このような条件で、インジウム・錫複合酸化物を加熱処
理し、処理物を粉砕することにより、透明でかつ導電性
を持つ塗膜となし得る顔料を得ることができる。
理し、処理物を粉砕することにより、透明でかつ導電性
を持つ塗膜となし得る顔料を得ることができる。
［本発明の効果］
以上述べたとうり、本発明は低抵抗、高透明な塗布膜の
形成可能な透明導電性顔料があり、本発明で得られた顔
料を用いることにより、塗布法によってスパッタ膜に代
替え可能な低抵抗でなおかつ高透明性を有するＩＴＯ被
膜が作成可能である。
形成可能な透明導電性顔料があり、本発明で得られた顔
料を用いることにより、塗布法によってスパッタ膜に代
替え可能な低抵抗でなおかつ高透明性を有するＩＴＯ被
膜が作成可能である。
［実施例］
以下、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実
施例になんら限定されるものではない。
施例になんら限定されるものではない。
実施例１
金属インジウムを３０％硝酸水溶液に溶解し、次いで硫
酸第一錫を溶解し、インジウムに対し錫が７モル％の硝
酸性混合水溶液を得た。得られた硝酸性混合水溶液に沈
澱剤として２８％アンモニア水を溶液のｐｈが７となる
まで滴下し、インジウムと錫の混合水酸化物沈澱を得た
。
酸第一錫を溶解し、インジウムに対し錫が７モル％の硝
酸性混合水溶液を得た。得られた硝酸性混合水溶液に沈
澱剤として２８％アンモニア水を溶液のｐｈが７となる
まで滴下し、インジウムと錫の混合水酸化物沈澱を得た
。
該混合水酸化物沈澱を約１００ｇ濾別し、これを約２に
の１−ブタノールに分散し、常圧下で加熱蒸留を行った
。液温が１１８℃となったところで蒸留を中止し、その
後直ちに該水酸化物を濾別しアセトンで洗浄した。
の１−ブタノールに分散し、常圧下で加熱蒸留を行った
。液温が１１８℃となったところで蒸留を中止し、その
後直ちに該水酸化物を濾別しアセトンで洗浄した。
該水酸化物沈澱を減圧下約９０℃で乾燥した後５００℃
で仮焼することにより ＩＴＯ粉末を得た。この粉末を
さらに９５０℃で熱処理し、次いで該ＩＴＯ粉末をメジ
アにジルコニアビーズを使用しペイントシェーカーを用
いて３０時間粉砕・分散することにより ＩＴＯ顔料を
得た。
で仮焼することにより ＩＴＯ粉末を得た。この粉末を
さらに９５０℃で熱処理し、次いで該ＩＴＯ粉末をメジ
アにジルコニアビーズを使用しペイントシェーカーを用
いて３０時間粉砕・分散することにより ＩＴＯ顔料を
得た。
該顔料をＳＥＸにより観察したところ、平均粒径は３０
ｎｉであった。さらに、結晶子の大きさを測定したとこ
ろ１８ｎｍであった。
ｎｉであった。さらに、結晶子の大きさを測定したとこ
ろ１８ｎｍであった。
また、該ＩＴＯ顔料をポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）フィルム上に塗布し２μＩの塗布膜を形成したと
ころ、該塗布膜の表面抵抗は４Ｘ１０３Ω／Ｓｑであり
、７００ｎ−光の光透過率は９５％であった。
ＥＴ）フィルム上に塗布し２μＩの塗布膜を形成したと
ころ、該塗布膜の表面抵抗は４Ｘ１０３Ω／Ｓｑであり
、７００ｎ−光の光透過率は９５％であった。
これらの結果を表−１に示す。
実施例２
最初に用いたインジウム・錫混合硝酸水溶液をインジウ
ムに対し錫が６モル％となるように調製した以外は、実
施例１と同様の方法でＩＴＯ顔料を得た。
ムに対し錫が６モル％となるように調製した以外は、実
施例１と同様の方法でＩＴＯ顔料を得た。
該顔料をＳＥＸにより観察したところ、平均粒径は３０
ｎｍであった。さらに、結晶子の大きさを測定したとこ
ろ２０ｎｍであった。
ｎｍであった。さらに、結晶子の大きさを測定したとこ
ろ２０ｎｍであった。
また、該ＩＴＯ顔料をＰＥＴフィルム上に塗布し２μ信
の塗布膜を形成したところ、該塗布膜の表面抵抗は５Ｘ
１０３Ω／ｓｑであり、７００ｎｍ光の光透過率は９５
％であった。これらの結果を表−１に示す。
の塗布膜を形成したところ、該塗布膜の表面抵抗は５Ｘ
１０３Ω／ｓｑであり、７００ｎｍ光の光透過率は９５
％であった。これらの結果を表−１に示す。
実施例３
最初に用いたインジウム・錫混合硝酸水溶液をインジウ
ムに対し錫が５モル％となるように調製した以外は、実
施例１と同様の方法でＩＴＯ顔料を得た。
ムに対し錫が５モル％となるように調製した以外は、実
施例１と同様の方法でＩＴＯ顔料を得た。
該顔料をＳＥＭにより観察したところ、平均粒径は３０
ｎｍであった。さらに、結晶子の大きさを測定したとこ
ろ２１ｎｍであった。
ｎｍであった。さらに、結晶子の大きさを測定したとこ
ろ２１ｎｍであった。
また、該ＩＴＯ顔料をＰＥＴフィルム上に塗布し２μｍ
の塗布膜を形成したところ、該塗布膜の表面抵抗は５Ｘ
１０３Ω／ｓｑであり、７００ｎｍ光の光透過率は９５
％であった。これらの結果を表−１に示す。これらの結
果を表−１に示す。
の塗布膜を形成したところ、該塗布膜の表面抵抗は５Ｘ
１０３Ω／ｓｑであり、７００ｎｍ光の光透過率は９５
％であった。これらの結果を表−１に示す。これらの結
果を表−１に示す。
比較例１
最初に用いるインジウム・錫混合硝酸水溶液をインジウ
ムに対し錫が１０モル％となるように調製した以外は、
実施例１と同様の方法でＩＴＯ顔料を得た。
ムに対し錫が１０モル％となるように調製した以外は、
実施例１と同様の方法でＩＴＯ顔料を得た。
該顔料をＳＥＸにより観察したところ、平均粒径は３０
ｎＴ１であった。さらに、結晶子の大きさを測定したと
ころｌｌｎｍであった。また、該ＩＴＯ顔料をＰＥＴフ
ィルム上に塗布し２μＩの塗布膜を形成したところ、該
塗布膜の表面抵抗はｌ×１０６Ω／ｓｑであり、７００
ｎｍ光の光透過率は９５％であった。これらの結果を表
−１に示す。
ｎＴ１であった。さらに、結晶子の大きさを測定したと
ころｌｌｎｍであった。また、該ＩＴＯ顔料をＰＥＴフ
ィルム上に塗布し２μＩの塗布膜を形成したところ、該
塗布膜の表面抵抗はｌ×１０６Ω／ｓｑであり、７００
ｎｍ光の光透過率は９５％であった。これらの結果を表
−１に示す。
比較例２
最初に用いるインジウム・錫混合硝酸水溶液をインジウ
ムに対し錫が４モル％となるように調製した以外は、実
施例１と同様の方法でＩＴＯ顔料を得た。
ムに対し錫が４モル％となるように調製した以外は、実
施例１と同様の方法でＩＴＯ顔料を得た。
該顔料をＳＥＸにより観察したところ、平均粒径は３０
ｎｍであった。さらに、結晶子の大きさを測定したとこ
ろ２３ｎｍであった。
ｎｍであった。さらに、結晶子の大きさを測定したとこ
ろ２３ｎｍであった。
また、該ＩＴＯ顔料をＰＥＴフィルム上に塗布し２μｍ
の塗布膜を形成したところ、該塗布膜の表面抵抗はｃｘ
ｔｏｏ’Ω／ｓｑであり、７００ｎｍ光の光透過率は９
５％であった。これらの結果を表−１に示す。
の塗布膜を形成したところ、該塗布膜の表面抵抗はｃｘ
ｔｏｏ’Ω／ｓｑであり、７００ｎｍ光の光透過率は９
５％であった。これらの結果を表−１に示す。
比較例３
９５０℃で熱処理しなかった以外は、実施例１と同様の
方法でＩＴＯ顔料を傅た。
方法でＩＴＯ顔料を傅た。
該顔料をＳＵＨにより観察したところ、平均粒径は２５
ｎｍであった。さらに、結晶子の大きさを測定したとこ
ろ８ｎｏ＋であった。
ｎｍであった。さらに、結晶子の大きさを測定したとこ
ろ８ｎｏ＋であった。
また、該ＩＴＯ顔料をＰＥＴフィルム上に塗布し２μｌ
の塗布膜を形成したところ、該塗布膜の表面抵抗は５Ｘ
ＩＯ６Ω／ｓｑであり、７００ｔ＋ｍ光の光透過率は９
５％であった。これらの結果を表−１に示す。
の塗布膜を形成したところ、該塗布膜の表面抵抗は５Ｘ
ＩＯ６Ω／ｓｑであり、７００ｔ＋ｍ光の光透過率は９
５％であった。これらの結果を表−１に示す。
比較例４
共沸脱水を行わなかった以外は、実施例１と同様の方法
でＩＴＯ顔料を得た。
でＩＴＯ顔料を得た。
該顔料をＳＥＨにより観察したところ、平均粒径は１５
０ｒ＋ｎ＋であった。さらに、結晶子の大きさを側定し
たところ１８ｎｍであった。
０ｒ＋ｎ＋であった。さらに、結晶子の大きさを側定し
たところ１８ｎｍであった。
また、該ＩＴＯ顔料をＰＩＥＴフィルム上に塗布し２μ
ｍの塗布膜を形成したところ、該塗布膜の表面抵抗は５
Ｘ１０３Ω／ｓｑであり、７００ｎｍ光の光透過率は６
８％であった。これらの結果を表−１に示す。
ｍの塗布膜を形成したところ、該塗布膜の表面抵抗は５
Ｘ１０３Ω／ｓｑであり、７００ｎｍ光の光透過率は６
８％であった。これらの結果を表−１に示す。
比較例５
ペイントシェーカーによる粉砕・分散を２００時間行っ
た以外は、実施例１と同様の方法でＩＴＯ顔料を貨た。
た以外は、実施例１と同様の方法でＩＴＯ顔料を貨た。
該顔料をＳＥＸにより観察したところ、平均粒径は３０
ｎｍであった。さらに、結晶子の大きさを測定したとこ
ろｌＯｎｍであった。また、該ＩＴＯ顔料をＰＥＴフィ
ルム上に塗布し２μｍの塗布膜を形成したところ、該塗
布膜の表面抵抗は２Ｘ１０６Ω／ｓｑであり、７００ｎ
ｍ光の光透過率は９５％であった。これらの結果を表−
■に示す。
ｎｍであった。さらに、結晶子の大きさを測定したとこ
ろｌＯｎｍであった。また、該ＩＴＯ顔料をＰＥＴフィ
ルム上に塗布し２μｍの塗布膜を形成したところ、該塗
布膜の表面抵抗は２Ｘ１０６Ω／ｓｑであり、７００ｎ
ｍ光の光透過率は９５％であった。これらの結果を表−
■に示す。
表１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）不純物ドーパントである錫インジウム格子中に固溶
し、酸素の格子欠陥の少ないインジウム・錫複合酸化物
からなり、インジウムに対する錫の含有量が５〜８モル
％、該複合酸化物の一次粒径が１００ｎｍ未満で結晶子
の大きさが１５ｎｍ以上１００ｎｍ未満である透明導電
性顔料。 ２）一次粒径１００ｎｍ未満、インジウムに対する錫の
含有量が５〜８モル％のインジウム・錫複合酸化物を、
８００〜１０００℃で加熱処理した後、粉砕することを
特徴とする、不純物ドーパントである錫がインジウム格
子中に固溶し、酸素の格子欠陥の少ないインジウム・錫
複合酸化物であり、結晶子の大きさが１５ｎｍ以上１０
０ｎｍ未満である透明導電性顔料の製造方法
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11713588A JPH01290527A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電性顔料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11713588A JPH01290527A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電性顔料及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290527A true JPH01290527A (ja) | 1989-11-22 |
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ID=14704318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11713588A Pending JPH01290527A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電性顔料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01290527A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1988
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