JPH0129075B2 - - Google Patents
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- JPH0129075B2 JPH0129075B2 JP57219861A JP21986182A JPH0129075B2 JP H0129075 B2 JPH0129075 B2 JP H0129075B2 JP 57219861 A JP57219861 A JP 57219861A JP 21986182 A JP21986182 A JP 21986182A JP H0129075 B2 JPH0129075 B2 JP H0129075B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- photovoltaic device
- layer
- flexible thin
- film photovoltaic
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本発明は可撓性を有する光起電力装置に関す
る。 太陽電池や光検出器のような光起電力装置は太
陽光線を直接電気エネルギに変換することができ
るが、この種装置の最大の問題として、他の電気
エネルギ発生手段と比較して発電費用が極めて大
きいことが言われている。その主な原因は、装置
の主体を構成する半導体材料の利用効率が低いこ
と、更には斯る材料を製造するに要するエネルギ
が多いことにある。最近この欠点を解決する可能
性のある技術として、上記半導体材料に非晶質シ
リコンを使用することが提案された。即ち非晶質
シリコンはシランやフロルシランなどのシリコン
化合物雰囲気中でのグロー放電によつて安価かつ
大量に形成することができ、その場合の非晶質シ
リコン（以下GDa―Siと略記する）では、禁止
帯の幅中の平均局在状態密度が1017cm-3eV-1以下
と小さく、結晶シリコンと同じ様にｐ型、ｎ型の
不純物制御が可能となるのである。 GDa―Siを用いた典型的な従来の太陽電池は、
可視光を透過するガラス基板上に透明電極を形成
し、該透明電極上にGDa―Siのｐ型層、GDa―
Siのノンドープ（不純物無添加）層及びGDa―Si
のｎ型層を順次形成し該ｎ型層上にオーミツクコ
ンタクト用電極を設けてなるものである。 上記太陽電池において、ガラス基板及び透明電
極を介して光がGDa―Siからなるｐ型層、ノン
ドープ層及びｎ型層に入ると、主にノンドープ層
において自由状態の電子及び／又は正孔が発生
し、これらは上記各層の作るpin接合電界により
引かれて移動した後透明電極やオーミツクコンタ
クト用電極に集められ両電極間に電圧が発生す
る。 ところで、最近フレキシブルプリント基板やフ
イルム液晶表示板等が実用化され、太陽電池とし
ても可撓性のあるものが要望されている。 可撓性、耐熱性に富むポリイミド等の樹脂薄膜
を素板として使用した太陽電池は特開昭54―
149489号に記載されている。然しながら樹脂薄膜
のみを素板として使用した場合は、デポジシヨン
によつて素板がカールし、又デポジシヨン中の変
形により素板が均一に加熱されないという欠点が
あつた。この欠点を解決するために、金属箔上に
電気絶縁性層を設けた可撓性基板上に形成させた
光起電力装置が特願昭56―213119号に記載されて
いる。 しかしながら、ポリイミド等の耐熱性樹脂薄膜
上に上記太陽電池を設けた高起電力装置でしかも
大面積（１cm2程度以上）の電池にする場合には、
部分的にピンホールができる原因になる欠陥が半
導体層に製成し、上部電極を蒸着したときに、該
上部電極と下部電極との間に導通を生じてしまう
という問題があつた。その為に特に蛍光燈下で使
用される太陽電池の性能は開放電圧が著しく低い
ものが多数発生し、工業収率を低下させる原因と
なつている。本発明者等は上記原因を鋭意研究し
た結果、可撓性を有し且つ高い開放電圧を得るこ
とができる本発明に至つたものである。 本発明で用いる半導体はシリコン、ゲルマニウ
ム、スズ、炭素の水素化合物若しくはフツ素化合
物、またはそれらの混合物をグロー放電分解して
得られる非晶質あるいは微結晶相を含む半導体で
ある。例示するとａ―Si、μc―Si、ａ―SiGe、
μc―SiGe、ａ―SiC、ａ―SiH、ａ―SiSn、ａ―
SiF、ａ―SiFH等の真性（ｉ型）半導体あるい
は３価の元素でドープしたｐ型半導体、または５
価の元素でドープしたｎ型半導体を用いてpin接
合した半導体層が用いられる。さらに具体的に
は、nipまたはpin ａ―Siホモ接合、ｎ型ａ―
SiC／ｉ型ｐ型ａ―Siヘテロ接合素子あるいはそ
の繰り返しで積層した素子が用いられる。 本発明に用いる光起電力素子の基本構成は、第
１図のａ，ｂに代表例が示される。ａはｐ側から
光を照射するタイプで、例えばステンレス箔−絶
縁膜−電極−ｎ−ｉ−ｐ−透明電極の構成、ｂは
ｎ側から光を照射するタイプで、例えばステンレ
ス箔−絶縁膜−電極−ｐ−ｉ−ｎ−透明電極の構
成である。その他、ｐ又はｎ層と電極の間に薄い
絶縁層をつけたり、薄い金属又は透明電極層をつ
けた構造でもよい。要はｐ−ｉ−ｎ接合を基本と
するものであればいかなる構成でもよい。 基板について説明すると、金属箔１はアルミニ
ウム、銅、鉄、ニツケル、ステンレス等の金属の
箔で厚みは5μm〜２mm好ましくは50μm〜１mmの
ものが用いられる。絶縁層２は、樹脂からなる層
であり、厚みは約1000Å〜100μm好ましくは1μm
〜8μmであり、また表面粗度が約1μ以下、好まし
くは0.3μ以下である。層２には耐熱性を有する樹
脂が用いられるが、本発明の場合、ポリイミド、
ポリアミドイミドが用いられる。これらは通常の
方法で金属箔１の表面に塗布され、被膜をつく
る。例えばこれらの前駆体のワニスを金属箔１上
にスプレー、デイツピング、コーテイング又は印
刷により塗布し、その後加熱、又はイオンボンバ
ード或いは紫外線、β線、γ線、電子線などの照
射により乾燥、硬化させればよい。 本発明の場合には上記耐熱性樹脂を塗布、硬化
した基板において、上記樹脂層の脱ガス量が約
0.1μg／cm2以下、好ましくは0.05μg／cm2さらに好
ましくは0.02μg／cm2以下であることが、太陽電池
の性能上必要である。 本発明の脱ガス量の測定法を述べる。 測定は、島津GC−6AMガスクロマトグラフ、
カラムはPEG―HT＋KOH（５＋１％）、Uni
port HP、60／80mesh、2mを使用する。金属箔
上に塗布、硬化した樹脂を、250℃に保たれたイ
ンジエクシヨンに挿入し、カラムを室温に保持し
てキヤリアガスを流し、脱ガス成分をカラムに吸
着させる。次いで、カラム温度を室温から120℃
まで加熱し、吸着ガス成分を検出する。定量は標
準濃度のガス成分のピークを予め求めておき、そ
れと比較することにより行う。以上の測定法によ
り、上記樹脂層からの脱ガス量を測定した。 また樹脂層からの脱ガス量は、樹脂の最終硬化
温度その雰囲気並びに硬化時間に影響をうけるこ
とが実験の結果判明し、定量の結果、樹脂層から
の脱ガス量を約0.1μg／cm2以下にするには、例え
ばポリイミドの場合温度350〜450℃、時間30分以
上硬化する必要がある。硬化温度、時間は樹脂層
の厚みによつて異なり厚さが厚くなる程、硬化温
度は高く硬化時間は長くする必要がある。 耐熱性樹脂を塗布、硬化した基板に下部電極と
してCr、Mo、Ni、ステンレス板、Al、Ag等を
蒸着して用いる。必要により、さらに薄い酸化
物、例えばTiOx、NbOx、ITO、InOx、SnO2等
の絶縁層あるいは透明電極層をつけても良い。 第２図は本発明実施例としての光起電力装置を
示し、１１は金属箔、１２は絶縁膜で１３，１
４，１５は該絶縁基板上に膜状に形成された第
１、第２、第３の発電区域である。 該発電区域の各々は本発明のホモ接合又はヘテ
ロ接合層１６と該層を挾んで対向する第１電極１
７及び第２電極１８から構成されている。ホモ接
合又はヘテロ接合層１６は図示していないが例え
ば第１図ａの構造と同様に基板側から順次堆積さ
れたｎ型層、ノンドープ層（ｉ層）及びｐ型層の
ホモ接合又はヘテロ接合層からなり、斯るホモ接
合又はヘテロ接合層１６は第１〜第３の発電区域
に連続して延びている。 第１電極１７はｐ型層をオーミツク接触する金
属又は酸化錫、酸化インジウム、ITO（In2O3＋
xSnO2、ｘ≦0.1）などで構成することができる
が、ITOの上に50〜500ÅのSnO2をつけたものが
特に好ましい。第２電極１８は透明な酸化錫
In2O3、ITO又はSnO2の上にITOをつけた電極な
どで構成される。 第１〜第３発電区域１３〜１５の夫々の第１電
極１７及び第２電極１８は基板１２上において
夫々の発電区域の外へ延びる延長部１９及び２０
を有し、第１発電区域１３の第２電極１８の延長
部２０と第２発電区域１４の第１電極１７の延長
部１９とが、又第２発電区域１４の第２電極１８
の延長部２０と第３発電区域１５の第１電極１７
の延長部１９とが夫々互いに重畳して電気的に接
続されている。又第１発電区域１３の第１電極１
７の延長部１９には第２電極１８と同材料からな
る接続部２１が重畳被着されている。なお、２１
はなくてもよい。 脱ガス量が0.1μg／cm2以上の場合では、グロー
放電分解法で非晶質層を含む半導体層を堆積した
時に、部分的に、上記半導体層が下部電極から剥
離し、また一部は、上記半導体層が膨脹し、冷却
時に破裂してしまう。このために上部電極として
透明導電膜例えばITO、InOx、SnO2等を蒸着し
た場合に、その部分を通して下部電極と上部電極
が導通してしまう。この導通の程度は20KΩ以下
である為に、強い光、例えばAM―１（100mW／
cm2）の光をあてる場合には、ほとんど問題になら
ないことが多いが、室内光で用いられる太陽電池
の場合において、発生電流が10μA前後で用いる
時に、その導通がリーク電流の原因となり、開放
電圧を著しく低下させることがわかつた。この為
上記樹脂層からの脱ガス量を0.1μg／cm2好ましく
は0.05μg／cm2、さらに好ましくは0.02μg／cm2以下
にするとこうした現象が急速に減小し、開放電圧
が大きくなるということがわかつた。具体例で説
明すると、
る。 太陽電池や光検出器のような光起電力装置は太
陽光線を直接電気エネルギに変換することができ
るが、この種装置の最大の問題として、他の電気
エネルギ発生手段と比較して発電費用が極めて大
きいことが言われている。その主な原因は、装置
の主体を構成する半導体材料の利用効率が低いこ
と、更には斯る材料を製造するに要するエネルギ
が多いことにある。最近この欠点を解決する可能
性のある技術として、上記半導体材料に非晶質シ
リコンを使用することが提案された。即ち非晶質
シリコンはシランやフロルシランなどのシリコン
化合物雰囲気中でのグロー放電によつて安価かつ
大量に形成することができ、その場合の非晶質シ
リコン（以下GDa―Siと略記する）では、禁止
帯の幅中の平均局在状態密度が1017cm-3eV-1以下
と小さく、結晶シリコンと同じ様にｐ型、ｎ型の
不純物制御が可能となるのである。 GDa―Siを用いた典型的な従来の太陽電池は、
可視光を透過するガラス基板上に透明電極を形成
し、該透明電極上にGDa―Siのｐ型層、GDa―
Siのノンドープ（不純物無添加）層及びGDa―Si
のｎ型層を順次形成し該ｎ型層上にオーミツクコ
ンタクト用電極を設けてなるものである。 上記太陽電池において、ガラス基板及び透明電
極を介して光がGDa―Siからなるｐ型層、ノン
ドープ層及びｎ型層に入ると、主にノンドープ層
において自由状態の電子及び／又は正孔が発生
し、これらは上記各層の作るpin接合電界により
引かれて移動した後透明電極やオーミツクコンタ
クト用電極に集められ両電極間に電圧が発生す
る。 ところで、最近フレキシブルプリント基板やフ
イルム液晶表示板等が実用化され、太陽電池とし
ても可撓性のあるものが要望されている。 可撓性、耐熱性に富むポリイミド等の樹脂薄膜
を素板として使用した太陽電池は特開昭54―
149489号に記載されている。然しながら樹脂薄膜
のみを素板として使用した場合は、デポジシヨン
によつて素板がカールし、又デポジシヨン中の変
形により素板が均一に加熱されないという欠点が
あつた。この欠点を解決するために、金属箔上に
電気絶縁性層を設けた可撓性基板上に形成させた
光起電力装置が特願昭56―213119号に記載されて
いる。 しかしながら、ポリイミド等の耐熱性樹脂薄膜
上に上記太陽電池を設けた高起電力装置でしかも
大面積（１cm2程度以上）の電池にする場合には、
部分的にピンホールができる原因になる欠陥が半
導体層に製成し、上部電極を蒸着したときに、該
上部電極と下部電極との間に導通を生じてしまう
という問題があつた。その為に特に蛍光燈下で使
用される太陽電池の性能は開放電圧が著しく低い
ものが多数発生し、工業収率を低下させる原因と
なつている。本発明者等は上記原因を鋭意研究し
た結果、可撓性を有し且つ高い開放電圧を得るこ
とができる本発明に至つたものである。 本発明で用いる半導体はシリコン、ゲルマニウ
ム、スズ、炭素の水素化合物若しくはフツ素化合
物、またはそれらの混合物をグロー放電分解して
得られる非晶質あるいは微結晶相を含む半導体で
ある。例示するとａ―Si、μc―Si、ａ―SiGe、
μc―SiGe、ａ―SiC、ａ―SiH、ａ―SiSn、ａ―
SiF、ａ―SiFH等の真性（ｉ型）半導体あるい
は３価の元素でドープしたｐ型半導体、または５
価の元素でドープしたｎ型半導体を用いてpin接
合した半導体層が用いられる。さらに具体的に
は、nipまたはpin ａ―Siホモ接合、ｎ型ａ―
SiC／ｉ型ｐ型ａ―Siヘテロ接合素子あるいはそ
の繰り返しで積層した素子が用いられる。 本発明に用いる光起電力素子の基本構成は、第
１図のａ，ｂに代表例が示される。ａはｐ側から
光を照射するタイプで、例えばステンレス箔−絶
縁膜−電極−ｎ−ｉ−ｐ−透明電極の構成、ｂは
ｎ側から光を照射するタイプで、例えばステンレ
ス箔−絶縁膜−電極−ｐ−ｉ−ｎ−透明電極の構
成である。その他、ｐ又はｎ層と電極の間に薄い
絶縁層をつけたり、薄い金属又は透明電極層をつ
けた構造でもよい。要はｐ−ｉ−ｎ接合を基本と
するものであればいかなる構成でもよい。 基板について説明すると、金属箔１はアルミニ
ウム、銅、鉄、ニツケル、ステンレス等の金属の
箔で厚みは5μm〜２mm好ましくは50μm〜１mmの
ものが用いられる。絶縁層２は、樹脂からなる層
であり、厚みは約1000Å〜100μm好ましくは1μm
〜8μmであり、また表面粗度が約1μ以下、好まし
くは0.3μ以下である。層２には耐熱性を有する樹
脂が用いられるが、本発明の場合、ポリイミド、
ポリアミドイミドが用いられる。これらは通常の
方法で金属箔１の表面に塗布され、被膜をつく
る。例えばこれらの前駆体のワニスを金属箔１上
にスプレー、デイツピング、コーテイング又は印
刷により塗布し、その後加熱、又はイオンボンバ
ード或いは紫外線、β線、γ線、電子線などの照
射により乾燥、硬化させればよい。 本発明の場合には上記耐熱性樹脂を塗布、硬化
した基板において、上記樹脂層の脱ガス量が約
0.1μg／cm2以下、好ましくは0.05μg／cm2さらに好
ましくは0.02μg／cm2以下であることが、太陽電池
の性能上必要である。 本発明の脱ガス量の測定法を述べる。 測定は、島津GC−6AMガスクロマトグラフ、
カラムはPEG―HT＋KOH（５＋１％）、Uni
port HP、60／80mesh、2mを使用する。金属箔
上に塗布、硬化した樹脂を、250℃に保たれたイ
ンジエクシヨンに挿入し、カラムを室温に保持し
てキヤリアガスを流し、脱ガス成分をカラムに吸
着させる。次いで、カラム温度を室温から120℃
まで加熱し、吸着ガス成分を検出する。定量は標
準濃度のガス成分のピークを予め求めておき、そ
れと比較することにより行う。以上の測定法によ
り、上記樹脂層からの脱ガス量を測定した。 また樹脂層からの脱ガス量は、樹脂の最終硬化
温度その雰囲気並びに硬化時間に影響をうけるこ
とが実験の結果判明し、定量の結果、樹脂層から
の脱ガス量を約0.1μg／cm2以下にするには、例え
ばポリイミドの場合温度350〜450℃、時間30分以
上硬化する必要がある。硬化温度、時間は樹脂層
の厚みによつて異なり厚さが厚くなる程、硬化温
度は高く硬化時間は長くする必要がある。 耐熱性樹脂を塗布、硬化した基板に下部電極と
してCr、Mo、Ni、ステンレス板、Al、Ag等を
蒸着して用いる。必要により、さらに薄い酸化
物、例えばTiOx、NbOx、ITO、InOx、SnO2等
の絶縁層あるいは透明電極層をつけても良い。 第２図は本発明実施例としての光起電力装置を
示し、１１は金属箔、１２は絶縁膜で１３，１
４，１５は該絶縁基板上に膜状に形成された第
１、第２、第３の発電区域である。 該発電区域の各々は本発明のホモ接合又はヘテ
ロ接合層１６と該層を挾んで対向する第１電極１
７及び第２電極１８から構成されている。ホモ接
合又はヘテロ接合層１６は図示していないが例え
ば第１図ａの構造と同様に基板側から順次堆積さ
れたｎ型層、ノンドープ層（ｉ層）及びｐ型層の
ホモ接合又はヘテロ接合層からなり、斯るホモ接
合又はヘテロ接合層１６は第１〜第３の発電区域
に連続して延びている。 第１電極１７はｐ型層をオーミツク接触する金
属又は酸化錫、酸化インジウム、ITO（In2O3＋
xSnO2、ｘ≦0.1）などで構成することができる
が、ITOの上に50〜500ÅのSnO2をつけたものが
特に好ましい。第２電極１８は透明な酸化錫
In2O3、ITO又はSnO2の上にITOをつけた電極な
どで構成される。 第１〜第３発電区域１３〜１５の夫々の第１電
極１７及び第２電極１８は基板１２上において
夫々の発電区域の外へ延びる延長部１９及び２０
を有し、第１発電区域１３の第２電極１８の延長
部２０と第２発電区域１４の第１電極１７の延長
部１９とが、又第２発電区域１４の第２電極１８
の延長部２０と第３発電区域１５の第１電極１７
の延長部１９とが夫々互いに重畳して電気的に接
続されている。又第１発電区域１３の第１電極１
７の延長部１９には第２電極１８と同材料からな
る接続部２１が重畳被着されている。なお、２１
はなくてもよい。 脱ガス量が0.1μg／cm2以上の場合では、グロー
放電分解法で非晶質層を含む半導体層を堆積した
時に、部分的に、上記半導体層が下部電極から剥
離し、また一部は、上記半導体層が膨脹し、冷却
時に破裂してしまう。このために上部電極として
透明導電膜例えばITO、InOx、SnO2等を蒸着し
た場合に、その部分を通して下部電極と上部電極
が導通してしまう。この導通の程度は20KΩ以下
である為に、強い光、例えばAM―１（100mW／
cm2）の光をあてる場合には、ほとんど問題になら
ないことが多いが、室内光で用いられる太陽電池
の場合において、発生電流が10μA前後で用いる
時に、その導通がリーク電流の原因となり、開放
電圧を著しく低下させることがわかつた。この為
上記樹脂層からの脱ガス量を0.1μg／cm2好ましく
は0.05μg／cm2、さらに好ましくは0.02μg／cm2以下
にするとこうした現象が急速に減小し、開放電圧
が大きくなるということがわかつた。具体例で説
明すると、
【表】
表１の通りであつた。尚この値は第２図で示した
ｎ型から光を入射するインバーテツド型太陽電池
を用い、蛍光燈下150Lux照射時の値である。 以上の結果は工業的に生産する場合に非常に価
値がある。例えば実施例で短絡電流10μA以上、
開放電圧1.5V以上と規格した時これに合格する
収率は脱ガス量が0.5μg／cm2ではほぼ０％であり、
0.1μg／cm2にすると70％程度に大幅に改善される。
また0.01μg／cm2にすれば、ほとんど100％の収率
が得られることがわかり、本発明は工業的のみな
らず、経済的にも、極めて価値がある発明であ
る。
ｎ型から光を入射するインバーテツド型太陽電池
を用い、蛍光燈下150Lux照射時の値である。 以上の結果は工業的に生産する場合に非常に価
値がある。例えば実施例で短絡電流10μA以上、
開放電圧1.5V以上と規格した時これに合格する
収率は脱ガス量が0.5μg／cm2ではほぼ０％であり、
0.1μg／cm2にすると70％程度に大幅に改善される。
また0.01μg／cm2にすれば、ほとんど100％の収率
が得られることがわかり、本発明は工業的のみな
らず、経済的にも、極めて価値がある発明であ
る。
第１図ａはｐ層側から光を照射するタイプの光
起電力素子を示す構造図であつて、図中１は金属
箔、２は絶縁層、３は下部電極、４はｎ型アモル
フアス半導体、５はｉ型ａ―Si、６はｐ型アモル
フアス半導体（例えばｐ型ａ―SiC：Ｈ）、７は
透明電極である。同図ｂはｎ層側から光を照射す
るタイプを示す構造図で、７は透明電極、４はｎ
型アモルフアス半導体、５はｉ型ａ―Si、６はｐ
型アモルフアス半導体、３は下部電極又は絶縁
膜、１は金属箔である。第２図Ａは本発明実施例
装置を示す平面図、同Ｂ及びＣは夫々同Ａにおけ
るＢ―Ｂ及びＣ―Ｃ断面図である。
起電力素子を示す構造図であつて、図中１は金属
箔、２は絶縁層、３は下部電極、４はｎ型アモル
フアス半導体、５はｉ型ａ―Si、６はｐ型アモル
フアス半導体（例えばｐ型ａ―SiC：Ｈ）、７は
透明電極である。同図ｂはｎ層側から光を照射す
るタイプを示す構造図で、７は透明電極、４はｎ
型アモルフアス半導体、５はｉ型ａ―Si、６はｐ
型アモルフアス半導体、３は下部電極又は絶縁
膜、１は金属箔である。第２図Ａは本発明実施例
装置を示す平面図、同Ｂ及びＣは夫々同Ａにおけ
るＢ―Ｂ及びＣ―Ｃ断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ グロー放電分解で得られる非晶質相を含む半
導体装置において金属箔上に電気絶縁層としてポ
リイミド、ポリアミドイミド等の耐熱性樹脂を塗
布し、さらに電極を蒸着した基板を有し、上記樹
脂層からの脱ガス量が約0.1μg／cm2以下であるこ
とを特徴とする可撓性薄膜光起電力装置。 ２ 前記樹脂層がポリイミド又はポリアミドイミ
ドであり、350℃〜450℃、30分以上硬化したもの
の脱ガス成分が前記樹脂層の溶剤を成分とし、脱
ガス量が0.05μg／cm2以下である特許請求の範囲第
１項記載の可撓性薄膜光起電力装置。 ３ 前記非晶質相を含む半導体が、シリコン、ゲ
ルマニウム、スズ、炭素の水素若しくはフツ素を
含む化合物又はそれらの混合物をグロー放電して
得られるものである特許請求の範囲第１項又は第
２項に記載の可撓性薄膜光起電力装置。 ４ 前記非晶質相を含む半導体がpin接合または
その繰り返しより構成されている特許請求の範囲
第１項乃至第３項のいずれか１項に記載の可撓性
薄膜光起電力装置。 ５ 前記pin接合半導体は、そのｉ層が非晶質相
を含むシリコンである特許請求の範囲第４項に記
載の可撓性薄膜光起電力装置。 ６ 前記電気絶縁層の厚みが約1000Å〜100μmで
ある特許請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか
１項に記載の可撓性薄膜光起電力装置。 ７ 前記電気絶縁層の表面粗度が約1μ以下であ
る特許請求の範囲第１項乃至第６項のいずれか１
項に記載の可撓性薄膜光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57219861A JPS59108369A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 可撓性薄膜光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57219861A JPS59108369A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 可撓性薄膜光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59108369A JPS59108369A (ja) | 1984-06-22 |
| JPH0129075B2 true JPH0129075B2 (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=16742201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57219861A Granted JPS59108369A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 可撓性薄膜光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59108369A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352486A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Ltd | 非晶質太陽電池 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936435B2 (ja) * | 1978-05-16 | 1984-09-04 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜太陽電池 |
| JPS57190368A (en) * | 1981-05-19 | 1982-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solar battery |
-
1982
- 1982-12-14 JP JP57219861A patent/JPS59108369A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59108369A (ja) | 1984-06-22 |
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