JPH01292876A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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- JPH01292876A JPH01292876A JP12207788A JP12207788A JPH01292876A JP H01292876 A JPH01292876 A JP H01292876A JP 12207788 A JP12207788 A JP 12207788A JP 12207788 A JP12207788 A JP 12207788A JP H01292876 A JPH01292876 A JP H01292876A
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- Japan
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- faraday
- semiconductor laser
- coil
- light
- rotar
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
- G02B6/4209—Optical features
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光フアイバ通信において、半導体レーザを用い
て電気信号を光信号に変換し、半導体レーザと光ファイ
バを結合する半導体レーザモジュールに関し、特に光ア
イソレータを内蔵する半導体レーザモジュールに関する
。
て電気信号を光信号に変換し、半導体レーザと光ファイ
バを結合する半導体レーザモジュールに関し、特に光ア
イソレータを内蔵する半導体レーザモジュールに関する
。
従来、半導体レーザ（以下ＬＤと略す。）を用いた高速
ＰＣＭ伝送あるいはアナログ直接変調による画像伝送シ
ステムでは、光コネクタ及び他の光デバイス等からの反
射光がＬＤに再注入して生じる反射雑音の影響が大きく
、このためＬＤにアイソレータを内蔵して反射光の再注
入を阻止する半導体、レーザモジュールが開発されてい
る。
ＰＣＭ伝送あるいはアナログ直接変調による画像伝送シ
ステムでは、光コネクタ及び他の光デバイス等からの反
射光がＬＤに再注入して生じる反射雑音の影響が大きく
、このためＬＤにアイソレータを内蔵して反射光の再注
入を阻止する半導体、レーザモジュールが開発されてい
る。
ここで、第２図に従来の光アイソレータ付半導体レーザ
モジュールの構成を示す。
モジュールの構成を示す。
第２図を参照して、半導体レーザｌの出射光はレンズ２
によシ平行光に変換された後、偏光子３，４５°ファラ
デー回転子４．及び検光子６を備える光アイソレータを
経てレンズ５によって集束され、ファイバ７に結合され
る。そして。
によシ平行光に変換された後、偏光子３，４５°ファラ
デー回転子４．及び検光子６を備える光アイソレータを
経てレンズ５によって集束され、ファイバ７に結合され
る。そして。
上記の光アイソレータによって９反射光の半導体レーザ
ｌへの再注入を阻止している。
ｌへの再注入を阻止している。
上述のように従来のアイソレータ付半導体レーザモジュ
ールでは、半導体レーザ１からの出射光がレンズ２によ
り平行光に変換され、偏光子３，４５°フアラデ一回転
子４．及び検光子６からなる光アイソレータを経て、レ
ンズ５に集束されファイバに結合される構成となってお
シ。
ールでは、半導体レーザ１からの出射光がレンズ２によ
り平行光に変換され、偏光子３，４５°フアラデ一回転
子４．及び検光子６からなる光アイソレータを経て、レ
ンズ５に集束されファイバに結合される構成となってお
シ。
４５°フアラデ一回転子４にはマグネット等により所定
の強さの直流磁界が印加されている。このため、ＬＤモ
ジュールを構成する上で偏光子。
の強さの直流磁界が印加されている。このため、ＬＤモ
ジュールを構成する上で偏光子。
検光子の光学面を調整するのに極めて高い精度が要求さ
れ、さらに難度が高く、製作にかなりの時間がかかると
いう問題点がある。
れ、さらに難度が高く、製作にかなりの時間がかかると
いう問題点がある。
本発明によれば、半導体レーザと、該半導体レーザから
の出射光を所定の直径の平行光に変換する第１のレンズ
と、常光に対する異常光の移動距離が前記所定の直径以
上の複屈折材料の偏光子と、コイルが巻回されたファラ
デー回転子と、前記平行光を集束する第２のレンズと。
の出射光を所定の直径の平行光に変換する第１のレンズ
と、常光に対する異常光の移動距離が前記所定の直径以
上の複屈折材料の偏光子と、コイルが巻回されたファラ
デー回転子と、前記平行光を集束する第２のレンズと。
前記偏光子の偏光面に対し偏光面が４５°傾斜して配置
された検光子と、光ファイバとを有し。
された検光子と、光ファイバとを有し。
前記コイルによシ発生する直流磁界を制御して前記ファ
ラデー回転子のファラデー回転角を変化させるようにし
たことを特徴とする半導体レーザモジュールが得られる
。
ラデー回転子のファラデー回転角を変化させるようにし
たことを特徴とする半導体レーザモジュールが得られる
。
次に２本発明について実施例によって説明する。第１図
を参照して１本発明による半導体レーザモジュールは半
導体レーザ１．半導体レーザ光を所定の直径（直径ｄ）
の平行光に変換する第１のレンズ２．常光に対する異常
光の移動距離が所定の直径６以上の複屈折材料を用いた
偏光子３．コイル８が巻回されたファラデー回転子４．
平行光を集束する第２のレンズ５．偏光面が偏光子３の
偏光面に対してほぼ４５°傾斜した検光子６及び光ファ
イバ７を備えている。
を参照して１本発明による半導体レーザモジュールは半
導体レーザ１．半導体レーザ光を所定の直径（直径ｄ）
の平行光に変換する第１のレンズ２．常光に対する異常
光の移動距離が所定の直径６以上の複屈折材料を用いた
偏光子３．コイル８が巻回されたファラデー回転子４．
平行光を集束する第２のレンズ５．偏光面が偏光子３の
偏光面に対してほぼ４５°傾斜した検光子６及び光ファ
イバ７を備えている。
半導体レーザｌの出射光は第１のレンズ２により平行光
に変換された後、偏光子３，７アラデ一回転子４を経て
、第２のレンズ５で集束される。この集束光は検光子６
を経て、光ファイバ７に入射する。この際、ファラデー
回転子４に巻回されたコイル８には直流電流工が供給さ
れ、これによって直流磁界Ｈを励起される。この直流磁
界Ｈは直流電流Ｉを制御（変化）させることによって変
化する。即ち、直流電流Ｉに応じて直流磁界Ｈは変化す
る。ここでファラデー回転子４の長さをｔとするとその
回転角θは次式の関係を満足して変化する。
に変換された後、偏光子３，７アラデ一回転子４を経て
、第２のレンズ５で集束される。この集束光は検光子６
を経て、光ファイバ７に入射する。この際、ファラデー
回転子４に巻回されたコイル８には直流電流工が供給さ
れ、これによって直流磁界Ｈを励起される。この直流磁
界Ｈは直流電流Ｉを制御（変化）させることによって変
化する。即ち、直流電流Ｉに応じて直流磁界Ｈは変化す
る。ここでファラデー回転子４の長さをｔとするとその
回転角θは次式の関係を満足して変化する。
θ＝ｖＨ−ｚ （Ｖ；ベルデ定数） ・・・・・・（
１）このように、コイル８に与える直流電流工を制御し
て、直流磁界Ｈを変化させてファラデー回転子４の回転
角を調整しているから、即ち。
１）このように、コイル８に与える直流電流工を制御し
て、直流磁界Ｈを変化させてファラデー回転子４の回転
角を調整しているから、即ち。
ファラデー回転子４の回転角を連続的に変化することが
できるから、ＬＤモジュールを構成する際の調整の難度
が低減され、しかも調整精度を高くすることができると
ともに自由度が大きくできる。
できるから、ＬＤモジュールを構成する際の調整の難度
が低減され、しかも調整精度を高くすることができると
ともに自由度が大きくできる。
以上説明したように２本発明ではファラデー回転子にコ
イルを巻回して、コイルにより発生する直流磁界を制御
して、ファラデー回転角を連続的に変化できるようにし
たから、製造上の調整が容易となるばかシでなく、調整
精度が高められ、自由度を大きくできるという効果があ
る。
イルを巻回して、コイルにより発生する直流磁界を制御
して、ファラデー回転角を連続的に変化できるようにし
たから、製造上の調整が容易となるばかシでなく、調整
精度が高められ、自由度を大きくできるという効果があ
る。
第１図は本発明の半導体レーザモジュールの一実施例を
説明するための図、第２図は従来の半導体レーザモジー
−ルを説明するための図である。 １・・・半導体レーザ、 ２・・・レンズ、 ３・
・・偏光子、４・・・ファラデー回転子、５・・・レン
ズ、６・・・検光子、７・・・光ファイバ、８・・・コ
イル。
説明するための図、第２図は従来の半導体レーザモジー
−ルを説明するための図である。 １・・・半導体レーザ、 ２・・・レンズ、 ３・
・・偏光子、４・・・ファラデー回転子、５・・・レン
ズ、６・・・検光子、７・・・光ファイバ、８・・・コ
イル。
Claims (1)
- １、半導体レーザと、該半導体レーザからの出射光を所
定の直径の平行光に変換する第１のレンズと、常光に対
する異常光の移動距離が前記所定の直径以上の複屈折材
料の偏光子と、コイルが巻回されたファラデー回転子と
、前記平行光を集束する第２のレンズと、前記偏光子の
偏光面に対し偏光面が４５°傾斜して配置された検光子
と、光ファイバとを有し、前記コイルにより発生する直
流磁界を制御して前記ファラデー回転子のファラデー回
転角を変化させるようにしたことを特徴とする半導体レ
ーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63122077A JP2822387B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63122077A JP2822387B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体レーザモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01292876A true JPH01292876A (ja) | 1989-11-27 |
| JP2822387B2 JP2822387B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=14827085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63122077A Expired - Lifetime JP2822387B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2822387B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3050832A1 (fr) * | 2016-04-28 | 2017-11-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de couplage optique a isolateur de faraday |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51116689A (en) * | 1975-04-05 | 1976-10-14 | Nec Corp | Semiconductor laser device |
| JPS59184584A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-19 | Nec Corp | 半導体レ−ザモジユ−ル |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63122077A patent/JP2822387B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51116689A (en) * | 1975-04-05 | 1976-10-14 | Nec Corp | Semiconductor laser device |
| JPS59184584A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-19 | Nec Corp | 半導体レ−ザモジユ−ル |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3050832A1 (fr) * | 2016-04-28 | 2017-11-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de couplage optique a isolateur de faraday |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2822387B2 (ja) | 1998-11-11 |
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