JPH0129319B2 - - Google Patents

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JPH0129319B2
JPH0129319B2 JP58247177A JP24717783A JPH0129319B2 JP H0129319 B2 JPH0129319 B2 JP H0129319B2 JP 58247177 A JP58247177 A JP 58247177A JP 24717783 A JP24717783 A JP 24717783A JP H0129319 B2 JPH0129319 B2 JP H0129319B2
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JP
Japan
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thin film
back plate
film
thin
panel
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JP58247177A
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Japanese (ja)
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Toshiaki Ishii
Akio Inohara
Hiroshi Kishishita
Hisashi Kamiide
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Sharp Corp
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Sharp Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 <技術分野> 本発明は交流電界の印加によつて、EL
(Electro Luminescence)発光を呈する薄膜EL
素子を使用したEL表示パネルに対して有効な技
術となる薄膜EL素子保護用流体の封止構造に関
するものである。
[Detailed Description of the Invention] <Technical Field> The present invention provides an EL
(Electro Luminescence) Thin film EL that emits light
The present invention relates to a sealing structure for a fluid for protecting thin film EL elements, which is an effective technique for EL display panels using such elements.

<従来技術> 従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光
層に規則的に高い電界(106V/cm程度)を印加
し、絶縁耐圧、発光効率及び動作の安定性等を高
めるために、0.1〜2.0wt%のMn(あるいはCu、
Al、Br等)をドーブしたZuS、ZnSe等の半導体
発光層をY2O2、TiO2等の誘電体薄膜でサンドイ
ツチした三層構造ZnS:Mn(又はZnSe:Mn)
EL素子が開発され、発光諸特性の向上が確めら
れている。この薄膜EL素子は数KHzの交流電界
印加によつて高輝度発光し、しかも長寿命である
という特徴を有している。
<Prior art> Conventionally, for AC-operated thin-film EL elements, a high electric field (about 10 6 V/cm) was regularly applied to the light-emitting layer to improve dielectric strength, luminous efficiency, stability of operation, etc. 0.1-2.0wt% Mn (or Cu,
A three-layer structure ZnS:Mn (or ZnSe:Mn) in which a semiconductor light-emitting layer such as ZuS or ZnSe doped with Al, Br, etc. is sandwiched with a dielectric thin film such as Y 2 O 2 or TiO 2
EL devices have been developed, and improvements in various light-emitting characteristics have been confirmed. This thin film EL element emits high-intensity light when an alternating current electric field of several KHz is applied, and has a long lifespan.

薄膜EL素子の一例としてZn:Mn薄膜EL素子
の基本的構造を第1図に示す。
As an example of a thin film EL device, the basic structure of a Zn:Mn thin film EL device is shown in FIG.

第1図に基づいて、薄膜EL素子の構造を具体
的に説明すると、ガラス基板1上にIn2O3、SnO2
等の透明電極2、さらにその上に積層してY2O3
TiO2、Al2O3、Si3N4、SiO2等からなる第1の誘
電体層3がスパツタあるいは電子ビーム蒸着法等
により重畳形成されている。第1の誘電体層3上
にはZn:Mn焼結ペレツトを電子ビーム蒸着する
ことにより得られるZnS発光層4が形成されてい
る。このとき、蒸着用のZn:Mn焼結ペレツトに
は活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定
されたペレツトが使用される。ZnS発光層4上に
は第1の誘電体層3と同様の材質から成る第2の
誘電体層5が積層され、更にその上にAl等から
成る背面電極6が蒸着形成されている。透明電極
2と背面電極6は交流電源7に接続され、薄膜
EL素子が駆動される。
Based on FIG. 1, the structure of the thin film EL element will be explained in detail. In 2 O 3 and SnO 2 are placed on a glass substrate 1.
A transparent electrode 2 such as Y 2 O 3 is further layered on top of the transparent electrode 2 .
A first dielectric layer 3 made of TiO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiO 2 or the like is formed in an overlapping manner by sputtering or electron beam evaporation. A ZnS light emitting layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by electron beam evaporation of Zn:Mn sintered pellets. At this time, the Zn:Mn sintered pellets used for vapor deposition are pellets in which the concentration of Mn, which is an active substance, is set to suit the purpose. A second dielectric layer 5 made of the same material as the first dielectric layer 3 is laminated on the ZnS light emitting layer 4, and a back electrode 6 made of Al or the like is further deposited thereon. The transparent electrode 2 and the back electrode 6 are connected to an AC power source 7, and the thin film
The EL element is driven.

電極2,6間にAC電圧を印加すると、ZnS発
光層4の両側の誘電体層3,5間に上記AC電圧
が誘起されることになり、従つて、ZnS発光層4
内に発生した電界によつて伝導体に励起されかつ
加速されて充分なエネルギーを得た電子が、直接
Mn発光センターを励起し、励起されたMn発光
センターが基底状態に戻る際に黄色の発光を行な
う。即ち、高電界で加速された電子がZnS発光層
4中の発光センターであるZnサイトに入つたMn
原子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々
5850Åをピークに幅広い波長領域で、強い発光を
呈する。
When an AC voltage is applied between the electrodes 2 and 6, the above AC voltage is induced between the dielectric layers 3 and 5 on both sides of the ZnS light emitting layer 4.
Electrons that are excited and accelerated in a conductor by the electric field generated within the conductor and gain sufficient energy directly
The Mn luminescent center is excited, and when the excited Mn luminescent center returns to the ground state, it emits yellow light. In other words, the Mn
When an atom's electrons are excited and fall to the ground state, approximately
It emits strong light in a wide wavelength range with a peak of 5850 Å.

上記の如き構造を有する薄膜EL素子は、スペ
ース・フアクタの利点を生かした平面薄型デイス
プレイ・デバイスとして、文字及び図形を含むコ
ンピユータの出力表示端末機器その他種々の表示
装置に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手
段として利用することができ、非常に有効なもの
である。
The thin film EL element having the structure described above can be used as a flat thin display device that takes advantage of the space factor, and can be used to display characters, symbols, still images, etc. It can be used as a means of displaying moving images, etc., and is very effective.

しかしながら、薄膜EL素子の誘電体層は製造
工程途中で発生した多数のピンホールやマイクロ
クラツク等を含み、これらの欠陥を通してZnS発
光層4に湿気等が侵入するため、EL発光損失に
よる発熱、層間剥離、素子特性の劣化等を招来す
る。
However, the dielectric layer of the thin-film EL element contains many pinholes and microcracks generated during the manufacturing process, and moisture, etc. enters the ZnS light emitting layer 4 through these defects, resulting in heat generation due to EL emission loss, This may lead to delamination, deterioration of device characteristics, etc.

上記問題を解決することを目的として、第2図
に示すように、薄膜EL素子特有の不完全さ、即
ち、ピンホール等によつて通電時に生じるブレー
クダウンのため起る微小な熱損傷領域の拡大を防
止、固定化し、大気環境下での湿気保護、放熱効
果、さらに振動、たわみに対しても有効な改良技
術となるシーリング方式が提唱されている。
In order to solve the above problem, as shown in Fig. 2, we have developed a method to solve the problem of imperfections peculiar to thin-film EL elements, that is, microscopic thermal damage areas caused by breakdown caused by pinholes etc. during energization. A sealing method has been proposed as an improved technology that prevents and immobilizes the expansion, protects against moisture in atmospheric environments, has a heat dissipation effect, and is also effective against vibration and deflection.

この薄膜ELパネルは第1図における透明電極
2及び背面電極6が帯状に成形され、互いに直交
する如く複数本配列されたマトリツクス電極構造
が採用されており、透明電極2と背面電極6が平
面図的に見て交叉した位置がパネルの1絵素に相
当する。
This thin film EL panel adopts a matrix electrode structure in which the transparent electrode 2 and the back electrode 6 shown in FIG. Visually, the position where they intersect corresponds to one pixel on the panel.

第2図に基づいて説明すると、ガラス基板1上
に一定ピツチ間隔で平行配列された透明電極2、
第1の誘電体層3、ZnS発光層4が順次積層さ
れ、ZnS発光層4上にはSi3N4層とSi3N4膜上に重
畳されたAl2O3膜とから成る第2の誘電体層5が
2層構造で積層され、更に上記透明電極2と直交
する方向に一定ピツチ間隔をもつて平行配列され
た背面電極6が第2の誘電体層5上に設けられ、
薄膜EL素子が構成されている。この薄膜EL素子
を封止するため、ガラス基板1にスペーサ10を
介して背面ガラス板11が対向配置され、ガラス
基板1、スペーサ10及び背面ガラス板11の各
接合部は接着剤12で固定密封され、薄膜EL素
子に対する外囲器が構成されている。外囲器内に
は薄膜EL素子が内蔵されるとともに、シリコン
オイル、真空グリース等の薄膜EL素子保護用注
入流体13が充填封入されている。注入流体13
に要求される条件としては(1)ピンホールへの浸透
性があり、(2)絶縁耐圧が高く、(3)耐熱性、耐湿性
に優れ、(4)薄膜EL素子構成膜と反応せず、(5)蒸
気圧、熱膨張係数の小さい流動性物質であること
が望ましいが、特にピンホールへの浸透性があり
絶縁耐圧がある程度高いこと及び薄膜EL素子構
成膜と反応しないことを要する。スペーサ10に
はシリコンオイル等注入用の微小注入孔14が1
個乃至数個設けられている。また、透明電極2及
び背面電極6のリード端子部15はガラス基板1
と背面ガラス板11の接合部を介して外囲器外部
のガラス基板1上へその一端が延設され、駆動制
御用回路(図示せず)と電気的に接続されてい
る。
To explain based on FIG. 2, transparent electrodes 2 arranged in parallel on a glass substrate 1 at a constant pitch,
A first dielectric layer 3 and a ZnS light emitting layer 4 are sequentially laminated, and on the ZnS light emitting layer 4 there is a second layer consisting of four Si 3 N layers and an Al 2 O 3 film superimposed on the Si 3 N 4 film. A dielectric layer 5 is laminated in a two-layer structure, and back electrodes 6 are arranged in parallel at a constant pitch in a direction perpendicular to the transparent electrode 2, and are provided on the second dielectric layer 5.
A thin film EL element is constructed. In order to seal this thin film EL element, a back glass plate 11 is placed facing the glass substrate 1 with a spacer 10 interposed therebetween, and each joint of the glass substrate 1, spacer 10, and back glass plate 11 is fixed and sealed with an adhesive 12. and constitutes an envelope for the thin film EL element. A thin film EL element is built into the envelope, and an injection fluid 13 for protecting the thin film EL element, such as silicone oil or vacuum grease, is filled and sealed. Injection fluid 13
The conditions required for this are (1) penetration into pinholes, (2) high dielectric strength, (3) excellent heat resistance and moisture resistance, and (4) no reaction with the films that make up the thin film EL element. , (5) It is desirable that the material be a fluid substance with a low vapor pressure and a low coefficient of thermal expansion, but it is particularly required that it has permeability into pinholes, has a somewhat high dielectric strength voltage, and does not react with the films constituting the thin film EL element. The spacer 10 has one micro injection hole 14 for injecting silicone oil, etc.
One to several pieces are provided. Further, the lead terminal portions 15 of the transparent electrode 2 and the back electrode 6 are connected to the glass substrate 1.
One end thereof extends onto the glass substrate 1 outside the envelope via the joint between the rear glass plate 11 and the rear glass plate 11, and is electrically connected to a drive control circuit (not shown).

(発明の目的) 本発明は上記薄膜EL素子保護用流体が充填さ
れた薄膜ELパネルにおいて、流体封止構造に関
する改良技術を提供することを目的とする。より
詳しくは、熱に起因する背面板のコーナー部の応
力集中を減少させてコーナー部の剥離を防止し
て、薄膜ELパネルの封止構造の信頼性を高める
ことを目的とする。
(Object of the Invention) An object of the present invention is to provide an improved technique regarding a fluid sealing structure in a thin film EL panel filled with the above fluid for protecting thin film EL elements. More specifically, the purpose is to reduce stress concentration at the corners of the back plate caused by heat, prevent peeling of the corners, and increase the reliability of the sealing structure of thin-film EL panels.

(発明の構成) 本発明は、透光性前面基板と、該前面基板と熱
膨張係数が異なり内面側を凹陥成形した背面板と
の接合部を接着剤で密封して成る外囲器内に、前
記前面基板上に構成される薄膜EL素子および該
薄膜EL素子に対する絶縁性保護用流体を収納し
た薄膜ELパネルにおいて、前記背面板のコーナ
ー部に、前記前面基板と背面板の接合部における
直線部の樹脂接着幅Xを保証するように、前記背
面板の外側あるいは外側と前記凹陥成形領域に面
する内面に面取りを施したことを特徴とする。
(Structure of the Invention) The present invention is provided in an envelope formed by sealing with an adhesive the joint portion between a light-transmitting front substrate and a back plate having a different coefficient of thermal expansion from the front substrate and having a concave molded inner surface. , in a thin-film EL panel containing a thin-film EL element configured on the front substrate and an insulating protective fluid for the thin-film EL element, a straight line at a joint between the front substrate and the back plate is provided at a corner of the back plate; The outer side of the back plate or the inner surface facing the recess molding area is chamfered so as to guarantee the resin bonding width X of the portion.

(実施例) 以下、本発明の1実施例を従来例と対比しつつ
詳細に説明する。
(Example) Hereinafter, one example of the present invention will be described in detail while comparing it with a conventional example.

第3図、第4図は、従来の薄膜ELパネルの構
成断面図及び平面図である。ガラス基板1上に透
明電極2が帯状に一定ピツチ間隔をもつて平行配
列され、薄膜EL素子16が構成されている。こ
の薄膜EL素子16を収納する如く皿状の背面ガ
ラス板17がガラス基板1上に重畳され、その内
部間隙に薄膜EL素子が内蔵される。ガラス基板
1と背面ガラス板17の接合部は光硬化性樹脂、
エポキシ樹脂等の接着剤で密封されている。背面
ガラス板17としては、ソーダガラス、ホウケイ
酸ガラス等が使用され、EL素子構造部の収納部
分がサンドエツチング等により深さ1mm程度に凹
陥成形されている。凹陥成形領域の隅部1箇所に
は流体注入用の注入孔18が形成され、中空の注
入用パイプ19が挿入されている。注入用パイプ
19は金属製で、注入孔18に接着固定されてい
る。この注入用パイプ19より外囲気内に薄膜
EL素子保護用注入流体が封止され、ガラスキヤ
ツプ22により封止される。
FIGS. 3 and 4 are a cross-sectional view and a plan view of a conventional thin film EL panel. Transparent electrodes 2 are arranged parallel to each other in the form of strips on a glass substrate 1 at constant pitch intervals, thereby forming a thin film EL element 16. A dish-shaped rear glass plate 17 is superimposed on the glass substrate 1 so as to accommodate the thin film EL element 16, and the thin film EL element is housed in the internal gap thereof. The joint between the glass substrate 1 and the rear glass plate 17 is made of photocurable resin,
It is sealed with an adhesive such as epoxy resin. Soda glass, borosilicate glass, or the like is used as the back glass plate 17, and the housing portion of the EL element structure is recessed to a depth of about 1 mm by sand etching or the like. An injection hole 18 for injecting a fluid is formed at one corner of the concave molding area, into which a hollow injection pipe 19 is inserted. The injection pipe 19 is made of metal and is fixed to the injection hole 18 with adhesive. A thin film is formed in the surrounding air from this injection pipe 19.
The injection fluid for protecting the EL element is sealed and sealed with a glass cap 22.

ところで、上記2枚のガラス板1,17を接着
する場合、熱膨張係数を全く同値にすることで、
応力に依存する問題は軽減される。しかし、コス
ト面、物性面において異種ガラス(熱膨張係数が
異なつた)を貼り合す必要を有する場合、応力問
題は避け難い事実である。第5図Aは第3,4図
に示す従来の形態を概念的に示したものである。
この場合、コーナー部31の接着巾は、直線部3
2の接着巾をXとすると、√2Xとなり、接着巾
は最長となる。また構造上、コーナー部31に応
力が集中し、特にコーナー先端部には無理な力が
かかることが予想される。このことは、信頼性テ
ストの一つである冷熱サイクルテストにて、コー
ナー先端部より剥離が生じることでよく表わされ
ている。
By the way, when bonding the two glass plates 1 and 17, by making the coefficients of thermal expansion exactly the same,
Stress dependent problems are alleviated. However, when it is necessary to bond different types of glass (having different coefficients of thermal expansion) in terms of cost and physical properties, stress problems are an unavoidable fact. FIG. 5A conceptually shows the conventional configuration shown in FIGS. 3 and 4.
In this case, the adhesive width of the corner part 31 is
Letting the adhesive width of 2 be X, it will be √2X, and the adhesive width will be the longest. Further, due to the structure, it is expected that stress will be concentrated on the corner portion 31, and that an unreasonable force will be applied particularly to the tip portion of the corner. This is clearly demonstrated by the occurrence of peeling from the tip of the corner during the thermal cycle test, which is one of the reliability tests.

一方、第5図B,C,Dは本発明の構造を示
し、背面ガラス17のコーナー部31に樹脂接着
部20の直線部の接着巾Xを保証しつつ、外側に
あるいは外と内側に面取りを施したもので、その
点のみが第3,4図に示す従来例と異なるもので
ある。第5図Bは、コーナー部31の最長部を直
線部32のX巾と同等にしたもの、また第5図C
は背面ガラス板17の凹陥成形部の堀込みのコー
ナーを面取りし、直線部32と同等の巾を保証し
つつコーナー外側を面取りしたもの、また、第5
図Dは第5図Cと同様に、曲線状に面取りしたも
のである。
On the other hand, FIGS. 5B, C, and D show the structure of the present invention, in which the corner part 31 of the rear glass 17 is chamfered on the outside or on the outside and inside while ensuring the adhesive width X of the straight part of the resin adhesive part 20. This is the only difference from the conventional example shown in FIGS. 3 and 4. Figure 5B shows the longest part of the corner part 31 being equal to the X width of the straight part 32, and Figure 5C
In the fifth example, the grooved corner of the concave molded part of the rear glass plate 17 is chamfered, and the outside of the corner is chamfered while ensuring the same width as the straight part 32.
Figure D is curved and chamfered like Figure 5C.

このように、背面板17の4つのコーナー部3
1に、直線部32の樹脂接着巾Xを保証するよう
に面取りを施すことによつて、熱に起因するコー
ナー部への応力集中発生が減少し、薄膜EL素子
封止の信頼性が高くなる。
In this way, the four corners 3 of the back plate 17
1. By chamfering the straight portion 32 to ensure the resin bonding width X, stress concentration at the corner portion due to heat is reduced, and the reliability of thin film EL element sealing is increased. .

(発明の効果) 以上の説明で明らかなように、この発明の薄膜
ELパネルの封止構造は、前記背面板のコーナー
部に、前記前面基板と背面板の接合部における直
線部の樹脂接着幅Xを保証するように、前記背面
板の外側あるいは外側と前記凹陥成形領域に面す
る内側に面取りを施すという簡単な構成によつ
て、熱に起因するコーナー部への集中応力を減少
して、薄膜ELパネルの信頼性を高めることがで
き、実用的価値が極めて大なるものである。
(Effect of the invention) As is clear from the above explanation, the thin film of this invention
The sealing structure of the EL panel is such that the corner portion of the back plate is formed with the concave molding on the outside of the back plate or the outer side of the back plate and the recessed molding so as to guarantee the resin bonding width The simple configuration of chamfering the inner side facing the area can reduce the concentrated stress at the corners due to heat and increase the reliability of thin-film EL panels, which has extremely high practical value. It is what it is.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は薄膜EL素子の具体的構造を示す構成
図、第2図は従来の薄膜ELパネルの一例を示す
要部構成図、第3図は本発明の一実施例の説明に
供する薄膜ELパネルの要部構成図、第4図は第
3図の薄膜ELパネルの平面図、第5図A、第5
図B、第5図C、第5図Dは夫々本発明の実施例
を説明する平面図である。 1……ガラス基板、16……薄膜EL素子、1
7……背面ガラス板、18……注入孔、19……
注入用パイプ、20……樹脂接着部、23……凹
陥部、22……ガラスキヤツプ、31……コーナ
ー部、32……直線部。
Fig. 1 is a block diagram showing the specific structure of a thin film EL element, Fig. 2 is a block diagram of main parts showing an example of a conventional thin film EL panel, and Fig. 3 is a thin film EL element used to explain an embodiment of the present invention. Figure 4 is a plan view of the thin film EL panel in Figure 3, Figure 5A is a diagram of the main parts of the panel,
FIG. B, FIG. 5C, and FIG. 5D are plan views illustrating embodiments of the present invention, respectively. 1... Glass substrate, 16... Thin film EL element, 1
7... Rear glass plate, 18... Injection hole, 19...
Injection pipe, 20...resin bonded part, 23...recessed part, 22...glass cap, 31...corner part, 32...straight line part.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 透光性前面基板と、該前面基板と熱膨張係数
が異なり内面側を凹陥成形した背面板との接合部
を接着剤で密封して成る外囲器内に、前記前面基
板上に構成される薄膜EL素子および該薄膜EL素
子に対する絶縁性保護用流体を収納した薄膜EL
パネルにおいて、 前記背面板のコーナー部に、前記前面基板と背
面板の接合部における直線部の樹脂接着幅Xを保
証するように、前記背面板の外側あるいは外側と
前記凹陥成形領域に面する内側に面取りを施した
ことを特徴とする薄膜ELパネルの封止構造。
[Scope of Claims] 1. The above-mentioned material is placed in an envelope formed by sealing with an adhesive the joint portion between a light-transmitting front substrate and a back plate having a different thermal expansion coefficient from that of the front substrate and having a concave molded inner surface. A thin film EL element constructed on a front substrate and a thin film EL containing an insulating protective fluid for the thin film EL element.
In the panel, a corner portion of the back plate is provided with an outer side of the back plate, or an inner side facing the outside and the concave molded area, so as to ensure a resin bonding width X of the straight part at the joint between the front board and the back plate. A sealing structure for a thin-film EL panel characterized by a chamfered surface.
JP58247177A 1983-12-27 1983-12-27 Sealing structure of thin film el panel Granted JPS60140696A (en)

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