JPH01293584A - 光増幅装置 - Google Patents
光増幅装置Info
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- JPH01293584A JPH01293584A JP63124299A JP12429988A JPH01293584A JP H01293584 A JPH01293584 A JP H01293584A JP 63124299 A JP63124299 A JP 63124299A JP 12429988 A JP12429988 A JP 12429988A JP H01293584 A JPH01293584 A JP H01293584A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光フアイバ通信システム等で用いられる光増
幅装置に関し、特に光出力が一定となるための制御機構
を備えた光増幅装置に関する。
幅装置に関し、特に光出力が一定となるための制御機構
を備えた光増幅装置に関する。
光フアイバ通信システムは、その伝送媒体である光ファ
イバの伝送損失が従来の同軸ケーブルに比べはるかに小
さいから、幹線系の通信網を中心に長距離伝送システム
として実用化が進められてきた。実用化されている光フ
アイバ通信システムの中継器間距離は２０ｋｍ〜４０ｋ
ｍであるが、光海底中継システムなどでは１１００ｋ以
上のさらに長距離の中継器間隔が必要とされる。この様
な超長距離光フアイバ伝送を実現するためには、文献（
Ｍ、 Ｊ 、 ０’ ＭＡ）１ＯＮＹ他、コンファレン
ス オンオプティカルファイバコミュニケーショ７１８
６（ＯＦＣ’８６）ダイジェスト、ＷＢ２）で報告され
ている様に、中継器間に光増幅器を設置する必要がある
。前記文献における光増幅器とは、半導体ダブルヘテロ
構造からなる半導体レーザの両端面にレーザ発振を抑制
するための無反射コーティングを施したものである。前
記文献によれば、光増幅器により約１５ｄＢの利得を得
ておυ、これにより中継器間隔２００ｋｍの伝送を実現
している。この様に光増幅器が実現すれば、光フアイバ
通信の中継距離が飛躍的に延びるから、将来有望カブバ
イスとして各所で光増幅器の開発が行なわれている。
イバの伝送損失が従来の同軸ケーブルに比べはるかに小
さいから、幹線系の通信網を中心に長距離伝送システム
として実用化が進められてきた。実用化されている光フ
アイバ通信システムの中継器間距離は２０ｋｍ〜４０ｋ
ｍであるが、光海底中継システムなどでは１１００ｋ以
上のさらに長距離の中継器間隔が必要とされる。この様
な超長距離光フアイバ伝送を実現するためには、文献（
Ｍ、 Ｊ 、 ０’ ＭＡ）１ＯＮＹ他、コンファレン
ス オンオプティカルファイバコミュニケーショ７１８
６（ＯＦＣ’８６）ダイジェスト、ＷＢ２）で報告され
ている様に、中継器間に光増幅器を設置する必要がある
。前記文献における光増幅器とは、半導体ダブルヘテロ
構造からなる半導体レーザの両端面にレーザ発振を抑制
するための無反射コーティングを施したものである。前
記文献によれば、光増幅器により約１５ｄＢの利得を得
ておυ、これにより中継器間隔２００ｋｍの伝送を実現
している。この様に光増幅器が実現すれば、光フアイバ
通信の中継距離が飛躍的に延びるから、将来有望カブバ
イスとして各所で光増幅器の開発が行なわれている。
さて、光増幅装置を実際に製作するに当り、従来の中継
器において半導体レーザからの光出力を一定に維持する
ための自動出力制御系が必要とされる様に、光増幅装置
においても同様の自動出力制御系、即ち光増幅器の利得
を常に一定とするための制御系が必要とされる。なぜな
らは、光増幅器においても半導体レーザ同様に長時間通
電による素子劣化または温度変動等により増幅率が変化
し、出力信号光レベルが変動する恐れがあるからである
。光増幅器はまだ開発途上の段階で、具体的な自動出力
制御系の構想は無い。強いて挙げれば、第４図に示す様
な構成が考えられている。即ち、光増幅器１からの出力
光Ｐｏｕ ｔを例えばハーフミラ−等の光分岐回路２に
よシ分岐し、分岐された光を受光器３によシモニタし、
受光器３からの出力が一定となる様に、電気回路４から
光増幅器１に加える直流バイアスを制御する帰還回路５
を備えた構成である。しかし、この構成の問題点は、光
分岐回路２を必要とするから、構成が複雑なうえ、光増
幅装置自体がモジー−ル化した際にかなり大型になって
しまう問題点がある。更に光分岐回路２があるから、そ
れによる分岐損失が生じるといった問題点もある。
器において半導体レーザからの光出力を一定に維持する
ための自動出力制御系が必要とされる様に、光増幅装置
においても同様の自動出力制御系、即ち光増幅器の利得
を常に一定とするための制御系が必要とされる。なぜな
らは、光増幅器においても半導体レーザ同様に長時間通
電による素子劣化または温度変動等により増幅率が変化
し、出力信号光レベルが変動する恐れがあるからである
。光増幅器はまだ開発途上の段階で、具体的な自動出力
制御系の構想は無い。強いて挙げれば、第４図に示す様
な構成が考えられている。即ち、光増幅器１からの出力
光Ｐｏｕ ｔを例えばハーフミラ−等の光分岐回路２に
よシ分岐し、分岐された光を受光器３によシモニタし、
受光器３からの出力が一定となる様に、電気回路４から
光増幅器１に加える直流バイアスを制御する帰還回路５
を備えた構成である。しかし、この構成の問題点は、光
分岐回路２を必要とするから、構成が複雑なうえ、光増
幅装置自体がモジー−ル化した際にかなり大型になって
しまう問題点がある。更に光分岐回路２があるから、そ
れによる分岐損失が生じるといった問題点もある。
本発明の目的は、構成が簡単で、光分岐回路２を必要と
しない自動出力制御系を南する光増幅装置を提供するこ
とにある。
しない自動出力制御系を南する光増幅装置を提供するこ
とにある。
本発明による光増幅装置の特徴は、半導体ダブルヘテロ
構造光増幅器と、この光増幅器に直流バイアスを加える
電気回路と、前記光増幅器に元信号を入力する手段と、
前記光増幅器により増幅された光信号を出力する手段と
を備え、前記光信号の入力及び出力用の光軸からはずれ
た前記光増幅器の近傍に、前記光増幅器が発する自然放
出光を受光する受光器と、前記受光器からの出力が一定
となる様に前記光増幅器に加える直流バイアスを前記電
気回路により制御する帰還回路を備えたことである。
構造光増幅器と、この光増幅器に直流バイアスを加える
電気回路と、前記光増幅器に元信号を入力する手段と、
前記光増幅器により増幅された光信号を出力する手段と
を備え、前記光信号の入力及び出力用の光軸からはずれ
た前記光増幅器の近傍に、前記光増幅器が発する自然放
出光を受光する受光器と、前記受光器からの出力が一定
となる様に前記光増幅器に加える直流バイアスを前記電
気回路により制御する帰還回路を備えたことである。
半導体ダブルヘテロ構造を成す光増幅器１では、一般に
ストライプ状の利得領域に垂直な２つの端面を光の入出
力用に使用する。従ってこの２つの端面の近くに受光器
３を配置することは、光の進行を遮ぎることになり、好
ましくない。一方、光増幅器１の増幅率は光増幅器１へ
の注入電流を増すにつれて増加する。また光増幅器１が
発する自然放出光の光出力も注入電流の増加と共に増加
する。出願者らの実験によれば、光増幅器１の増幅率と
自然放出光出力とは良い比例関係にあった。
ストライプ状の利得領域に垂直な２つの端面を光の入出
力用に使用する。従ってこの２つの端面の近くに受光器
３を配置することは、光の進行を遮ぎることになり、好
ましくない。一方、光増幅器１の増幅率は光増幅器１へ
の注入電流を増すにつれて増加する。また光増幅器１が
発する自然放出光の光出力も注入電流の増加と共に増加
する。出願者らの実験によれば、光増幅器１の増幅率と
自然放出光出力とは良い比例関係にあった。
従って、光増幅器１からの自然放出光出力が一定となる
様に、注入電流を制御することによυ、常に光増幅器１
の増幅率を一定にすることが可能である。この方式によ
れば、自然放出光は光増幅器の入射端面および出射端面
からだけではなく側面からも出射するので、受光器３を
光増幅器１の側面に配置することができ、信号光の進路
を遮ぎるといった問題は発生しない。
様に、注入電流を制御することによυ、常に光増幅器１
の増幅率を一定にすることが可能である。この方式によ
れば、自然放出光は光増幅器の入射端面および出射端面
からだけではなく側面からも出射するので、受光器３を
光増幅器１の側面に配置することができ、信号光の進路
を遮ぎるといった問題は発生しない。
〔実施例１〕
以下に本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第１図（ａｌは本発明の第１の実施例である光増幅装置
の構成を示したものである。ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体
ダブルヘテロ構造光増幅器１には直流バイアスを加える
電気回路４が接続されている。光増幅器１の一方の端面
に入射した光信号Ｐｉｎは、光増幅器１により増幅され
光出力Ｐｏｕｔとして他方の端面から出射する。光増幅
器１の側面の近くに受光器３として大受光径のＩｎＧａ
Ａｓ ＰＩＮフォトディテクタが配置されており、光
増幅器１からの自然放出光レベルをモニタしている。こ
の受光器３からの電気的な出力が一定となるように、直
流電気回路４から光増幅器１に加えられるバイアス電流
を制御する帰還回路５が設けられている。
の構成を示したものである。ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体
ダブルヘテロ構造光増幅器１には直流バイアスを加える
電気回路４が接続されている。光増幅器１の一方の端面
に入射した光信号Ｐｉｎは、光増幅器１により増幅され
光出力Ｐｏｕｔとして他方の端面から出射する。光増幅
器１の側面の近くに受光器３として大受光径のＩｎＧａ
Ａｓ ＰＩＮフォトディテクタが配置されており、光
増幅器１からの自然放出光レベルをモニタしている。こ
の受光器３からの電気的な出力が一定となるように、直
流電気回路４から光増幅器１に加えられるバイアス電流
を制御する帰還回路５が設けられている。
第１図（ｂ）は第１図実施例の平面図であシ、本図によ
りこの実施例の光素子の配置を判り易く示す。
りこの実施例の光素子の配置を判り易く示す。
光増幅器１はパンケージ１１の中央に位置するダイアモ
ンドからなるヒートシンク１２のとに配置されておυ、
この光増幅器１の入射端面および出射端面には無反射コ
ー＝ティング１３および１４がそれぞね施されている。
ンドからなるヒートシンク１２のとに配置されておυ、
この光増幅器１の入射端面および出射端面には無反射コ
ー＝ティング１３および１４がそれぞね施されている。
光増幅器１の電→１５の上にボンディングされたリード
線１６は端子１７を通して電気回路４に接続されている
。光増幅器１の入射端面および出射端面に近扱して、光
信号の入力出力用の先球光ファイバ１８及び１９がそれ
ぞれ配置畑れでいる。一方、受光器３は光増幅器１の側
面に該増＠器１から約５０μｆｎ＃すれたところに配置
されてお邊、受光器３からのリード線２０は端子２１を
通して帰還回路５に接続されている。
線１６は端子１７を通して電気回路４に接続されている
。光増幅器１の入射端面および出射端面に近扱して、光
信号の入力出力用の先球光ファイバ１８及び１９がそれ
ぞれ配置畑れでいる。一方、受光器３は光増幅器１の側
面に該増＠器１から約５０μｆｎ＃すれたところに配置
されてお邊、受光器３からのリード線２０は端子２１を
通して帰還回路５に接続されている。
帰還回路５は受光器３からの電気出力がある一定値より
も小さくなった時、電気回路４から光増幅器ｌへの注入
電流を増加させ、逆に受光器３カ・らの出力が増えた時
、注入電流を減少させる様に電気回路４に指示を出す役
割をする。これにより、光増幅器１が劣化したり、また
は周囲の温度が変化した場合でも、常に光増幅器１の増
幅率を一定に保つことができる。
も小さくなった時、電気回路４から光増幅器ｌへの注入
電流を増加させ、逆に受光器３カ・らの出力が増えた時
、注入電流を減少させる様に電気回路４に指示を出す役
割をする。これにより、光増幅器１が劣化したり、また
は周囲の温度が変化した場合でも、常に光増幅器１の増
幅率を一定に保つことができる。
本実施例である光増幅装置に波長１５５μｍ、変調速度
１，２Ｇｂ／ｓの光パルス信号をイ均入カレベル−２０
ｄＢｆｎで入力したところ、室ｆ２ｉＡ（２５”ｃ）に
」？いで入力端／出力端間での増幅率とじて１５ｄＢを
得ることができた。このとき光増幅器への注入電流は１
００ｍＡであった。この実施例の効果を調べるために、
入力光レベルを一定に保ったまま、帰還回路５をＯＮ及
びＯＦＦ した状態で、周囲温度を変化させ光増幅率を
測定した。その結末を第２図に示す。帰還回路５をＯＦ
Ｆ状態にしたさき、即ち光増幅器１への注入電流が一定
のとき、増幅率は温度上昇と共に顕著に減少し７だ。こ
れに対し２帰還回路５をＯＮにした状態では、０゛Ｃ〜
７０℃の温度範囲で増幅率は１５士Ｑ、 ５ ｄＢ以内
に維持されていた。７０゛Ｃ以上の領域ではパッケージ
１１の熱変形、及び光増幅器１の利得飽和等により定利
得特性は維持できなくなっている。し７かし、実使用条
件を考えればＯ″Ｃ〜７０゛Ｃという温度範囲は十分な
ものである。
１，２Ｇｂ／ｓの光パルス信号をイ均入カレベル−２０
ｄＢｆｎで入力したところ、室ｆ２ｉＡ（２５”ｃ）に
」？いで入力端／出力端間での増幅率とじて１５ｄＢを
得ることができた。このとき光増幅器への注入電流は１
００ｍＡであった。この実施例の効果を調べるために、
入力光レベルを一定に保ったまま、帰還回路５をＯＮ及
びＯＦＦ した状態で、周囲温度を変化させ光増幅率を
測定した。その結末を第２図に示す。帰還回路５をＯＦ
Ｆ状態にしたさき、即ち光増幅器１への注入電流が一定
のとき、増幅率は温度上昇と共に顕著に減少し７だ。こ
れに対し２帰還回路５をＯＮにした状態では、０゛Ｃ〜
７０℃の温度範囲で増幅率は１５士Ｑ、 ５ ｄＢ以内
に維持されていた。７０゛Ｃ以上の領域ではパッケージ
１１の熱変形、及び光増幅器１の利得飽和等により定利
得特性は維持できなくなっている。し７かし、実使用条
件を考えればＯ″Ｃ〜７０゛Ｃという温度範囲は十分な
ものである。
尚、本実施例では、受光器３を光増幅器１の側面に配置
したが、受光器３の位置は光信号の進路を遮ぎらない配
置であればよく、例えば、光増幅器１のｔ極１５に自然
放出光が透過するための窓を開け、その上に受光器３を
配置してもよい。
したが、受光器３の位置は光信号の進路を遮ぎらない配
置であればよく、例えば、光増幅器１のｔ極１５に自然
放出光が透過するための窓を開け、その上に受光器３を
配置してもよい。
〔実施例２〕
第３図に本発明の第２の実施例である光増幅装置の構成
を示す。この実施例は、光増幅器１と受光器３とが同一
の半導体基板上に集積化された例である。
を示す。この実施例は、光増幅器１と受光器３とが同一
の半導体基板上に集積化された例である。
光増幅器１は、ｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板３１及び基板３１
上に形成された半導体積層構造でなる半導体ウェハと、
この半導体ウェハの上下面の電極３７ 、３８と、その
半導体ウェハの端面に施された無反射コーティング４０
．４１とからなっている。基板３１上に形成された半導
体積層構造は、厚さ３μｍのｎ−１ｎＰバッファ層３２
、厚さ０．３μｍの波長組成１５８μｍのＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層３３、埋さ２μｅｎｐ−ＩｎＰクラッド層３４
及び厚さ０５μｍのｐ ＋ 。
上に形成された半導体積層構造でなる半導体ウェハと、
この半導体ウェハの上下面の電極３７ 、３８と、その
半導体ウェハの端面に施された無反射コーティング４０
．４１とからなっている。基板３１上に形成された半導
体積層構造は、厚さ３μｍのｎ−１ｎＰバッファ層３２
、厚さ０．３μｍの波長組成１５８μｍのＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層３３、埋さ２μｅｎｐ−ＩｎＰクラッド層３４
及び厚さ０５μｍのｐ ＋ 。
Ｉ ｎ （） ａＡ ｓ Ｐキャン１層３５からなって
いる。１ｎＧａＡｓＰ活性層Ａｓ上上下のＩ ｎ Ｐバ
ラフッ層３２及びクラッド層３４により挾まれた謂るダ
ブルヘテロ構造を成している。ｐ １ｕｌｌ電極３７は
キャップ層３５の上の主要部に形成されており、ｎＭｔ
Ｊｔ極３８は第３８１の下全面に形成されている。受光
器３はキャンプ層３５の上の’を極３７が無い部分に形
成された厚さ１μｍのｎ−Ｉｎ（）ａＡｓ光吸収７′−
３６及びその土の電極３９から成る。光増］陽器１の両
端面にはＳｉＮ膜からなるＡＲコーチ２イング４０．４
１が施されている。光増幅器１のｎ （ｌｕｌｌ電極３
８は接地され、ｐ側電極３７は直流電気回路４に、受光
器３の電極３９は帰還回路５に接続されている。
いる。１ｎＧａＡｓＰ活性層Ａｓ上上下のＩ ｎ Ｐバ
ラフッ層３２及びクラッド層３４により挾まれた謂るダ
ブルヘテロ構造を成している。ｐ １ｕｌｌ電極３７は
キャップ層３５の上の主要部に形成されており、ｎＭｔ
Ｊｔ極３８は第３８１の下全面に形成されている。受光
器３はキャンプ層３５の上の’を極３７が無い部分に形
成された厚さ１μｍのｎ−Ｉｎ（）ａＡｓ光吸収７′−
３６及びその土の電極３９から成る。光増］陽器１の両
端面にはＳｉＮ膜からなるＡＲコーチ２イング４０．４
１が施されている。光増幅器１のｎ （ｌｕｌｌ電極３
８は接地され、ｐ側電極３７は直流電気回路４に、受光
器３の電極３９は帰還回路５に接続されている。
本実施例による光増幅装置では、入力信号１′団は光増
幅器１の一方の端面から活性層３３に入力する。活性層
３３を伝搬する光は、増幅されて他方の端面から出力光
Ｐｏｕｔとして出射する。受光器３は信号光の光軸とな
る活性層３３から離れて配置されているから、信号光の
進路を遮ぎることはない。また受光器３と自然放出光が
発生する活性層３３との間隔が約３μｍと非常に近いか
ら、受光器３は効率よく自然放出光を受光できる。本実
施例による光増幅装置においても第１の実施例と同様に
０゛Ｃ・−７０゛Ｃの温度範囲で約１３ｄＢの定増幅率
特性を得ることができた。
幅器１の一方の端面から活性層３３に入力する。活性層
３３を伝搬する光は、増幅されて他方の端面から出力光
Ｐｏｕｔとして出射する。受光器３は信号光の光軸とな
る活性層３３から離れて配置されているから、信号光の
進路を遮ぎることはない。また受光器３と自然放出光が
発生する活性層３３との間隔が約３μｍと非常に近いか
ら、受光器３は効率よく自然放出光を受光できる。本実
施例による光増幅装置においても第１の実施例と同様に
０゛Ｃ・−７０゛Ｃの温度範囲で約１３ｄＢの定増幅率
特性を得ることができた。
なお１本実施例では、受光器３を活性層３３の上に集積
化した例を示したが、受光器３は活性層３３の横方向に
集積されていてもよい。例えば、光増幅器１と全く同様
の層構造を有する受光器３を横方向に同一半導体基板３
１上に配置し、両者を半導体基板３１にまで達する溝に
よっで電気的に絶縁した構造であってもよい。
化した例を示したが、受光器３は活性層３３の横方向に
集積されていてもよい。例えば、光増幅器１と全く同様
の層構造を有する受光器３を横方向に同一半導体基板３
１上に配置し、両者を半導体基板３１にまで達する溝に
よっで電気的に絶縁した構造であってもよい。
本発明によれば、非常に簡単な構成で光増幅器１の定増
幅率動作を実現できるから、小型で低価格な光増幅装置
を得ることができる。
幅率動作を実現できるから、小型で低価格な光増幅装置
を得ることができる。
第１図及び第３図は本発明による第１及び第２の実施例
である光増幅装置の構成をそれぞれ示す図、第２図は第
１図実施例の温度特性を示す図、第４図は従来の光増幅
装置の構成図である。 図において、１・・・光増幅器、２・・・分岐回路、３
・・・受光器、４・・・電気回路、５・・・帰還回路、
１１・・・パッケージ、１２・・・ヒートシンク、１３
，１４，４０゜４１・・・無反射コーティング、１５．
３７，３８．３９・・・１！極、１６．２０・・リード
線、１７．２１・・・端子、１８゜１９・・・光ファイ
バ、３１・・・ｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板、３２・・・ｎ−
ＩｎＰバ、７７７層、３３−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、３
４−−− ｐ −Ｉ ｎＰクラッド層、３５− ｐ＋−
１ｎＧａＡｓＰキャップ層、３６・・・ｎ−Ｉｎ（）ａ
、Ａｓ光吸収層である。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 ４電気田踏 〆 ・コ；こシへ、Ｃ〕踏４にｊｔ孝責５ ◆ （ｂ） 第１図 ２ト 歪 ０■ニーニー土−、、Ｌ 、、−、、、、、、、、−、
−１−、−土−土−二Ｎ−ニー、−０２０４０６０８０
１ｏ。 ）−及 （０Ｃ） 第２図 ５ リ＃１県 ■１イト
である光増幅装置の構成をそれぞれ示す図、第２図は第
１図実施例の温度特性を示す図、第４図は従来の光増幅
装置の構成図である。 図において、１・・・光増幅器、２・・・分岐回路、３
・・・受光器、４・・・電気回路、５・・・帰還回路、
１１・・・パッケージ、１２・・・ヒートシンク、１３
，１４，４０゜４１・・・無反射コーティング、１５．
３７，３８．３９・・・１！極、１６．２０・・リード
線、１７．２１・・・端子、１８゜１９・・・光ファイ
バ、３１・・・ｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板、３２・・・ｎ−
ＩｎＰバ、７７７層、３３−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、３
４−−− ｐ −Ｉ ｎＰクラッド層、３５− ｐ＋−
１ｎＧａＡｓＰキャップ層、３６・・・ｎ−Ｉｎ（）ａ
、Ａｓ光吸収層である。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 ４電気田踏 〆 ・コ；こシへ、Ｃ〕踏４にｊｔ孝責５ ◆ （ｂ） 第１図 ２ト 歪 ０■ニーニー土−、、Ｌ 、、−、、、、、、、、−、
−１−、−土−土−二Ｎ−ニー、−０２０４０６０８０
１ｏ。 ）−及 （０Ｃ） 第２図 ５ リ＃１県 ■１イト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ダブルヘテロ構造光増幅器と、この光増幅器
に直流バイアスを加える電気回路と、前記光増幅器に光
信号を入力する手段と、前記光増幅器により増幅された
光信号を出力する手段とを備え、前記光信号の入力及び
出力用の光軸からはずれた前記光増幅器の近傍に、前記
光増幅器が発する自然放出光を受光する受光器と、前記
受光器からの出力が一定となる様に前記光増幅器に加え
る直流バイアスを前記電気回路によ力制御する帰還回路
とを備えることを特徴とする光増幅装置。 ２、前記光増幅器と前記受光器が同一半導体基板上に集
積化されてなることを特徴とする請求項１記載の光増幅
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124299A JPH01293584A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 光増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124299A JPH01293584A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 光増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293584A true JPH01293584A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14881899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63124299A Pending JPH01293584A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 光増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01293584A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298783A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Hamamatsu Photonics Kk | 光強度安定化装置 |
| US5229879A (en) * | 1990-09-28 | 1993-07-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser amplifier |
| JP2009021432A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Nichia Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2009117752A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | National Institute Of Information & Communication Technology | 微弱光検出器 |
| JP2010135389A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | National Institute Of Information & Communication Technology | 光帰還型光検出器 |
| JP2014170844A (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光増幅率検知用素子を内蔵した半導体光増幅デバイス |
| JP2016039623A (ja) * | 2014-08-12 | 2016-03-22 | 日本電信電話株式会社 | 光信号増幅装置 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63124299A patent/JPH01293584A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298783A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Hamamatsu Photonics Kk | 光強度安定化装置 |
| US5229879A (en) * | 1990-09-28 | 1993-07-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser amplifier |
| JP2009021432A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Nichia Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2009117752A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | National Institute Of Information & Communication Technology | 微弱光検出器 |
| JP2010135389A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | National Institute Of Information & Communication Technology | 光帰還型光検出器 |
| JP2014170844A (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光増幅率検知用素子を内蔵した半導体光増幅デバイス |
| JP2016039623A (ja) * | 2014-08-12 | 2016-03-22 | 日本電信電話株式会社 | 光信号増幅装置 |
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