JPH01295419A - 電子ビーム露光方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ウェーハ直接露光又はマスク、レチクル露光をするため
に、複数の電子ビームを用いてパターン描画を行なう電
子ビーム露光方法及びその装置に関し、 微細パターンでもスルーブツトを落とさずに高精度なパ
ターン描画を行なうことを目的とし、単一の電子銃から
放射された電子ビームを、ブランキングアレーアパーチ
ャの複数のブランキング電極により複数の要素ビームが
直線状に整列されてなるラインビームに変換すると共に
、該複数の要素ビームの各々のビーム強度に反比例して
各ブランキング電極のビームオンパルス長を決定し、該
ラインビームを試料面上に照射してパターン描画を行な
うよう構成し、また、クロスオーバの作られた電子ビー
ムを放射する単一の電子銃と、該電子銃からの電子ビー
ムをその断面形状が長楕円形のライン状につぶされた電
子ビームに成形する４極ビームつぶしレンズと、直線状
に整列して設けられた複数の開口部に夫々ブランキング
電極が形成されており、該４極ビームつぶしレンズより
の電子ビームが照射されて該複数のブランキング電極の
各々から要素ビームを取り出すブランキングアレーアパ
ーチャと、該ブランキングアレーアパーチャからのライ
ン状に配列された複数の要素ビームのうち、ビームオフ
とされた要素ビームを遮断し、ビームオンとされた要素
ビームを通過させるブランキングアパーチャと、該ブラ
ンキングアパーチャを通過した要素ビームをパターンデ
ータに応じて偏向して試料面上に照射する偏向手段と、
該ブランキング電極を通過する該要素ビームのビーム強
度に反比例して該ブランキング電極のビームオンパルス
長を決定する手段とより構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は電子ビーム露光方法及びその装置に係り、特に
ウェーハ直接露光又はマスク、レチクル露光をするため
に、複数の電子ビームを用いてパターン描画を行なう電
子ビーム露光方法及びその装置に関する。

近年、電子ビーム露光方法による大規模集積回路（ＬＳ
　Ｉ　）の直接露光が広く行なわれるようになってきた
。この場合に用いられている電子ビームは可変矩形ビー
ムが多く、その他にポイントビーム、固定矩形ビームも
あるが、これらは一般に研究用である。

可変矩形ビームを用いた電子ビーム露光方法は、電子ビ
ームを任意のサイズの矩形が形成できるために、電子ビ
ーム露光をより現実的なものとすることができたが、Ｌ
ＳＩが微細化するにつれてスルーブツトを落とさずに高
精度にパターン描画することが重要となる。

（従来の技術） 第５図は従来の電子ビーム露光装置の一例のブロック図
を示す。同図中、１は中央処理装置１Ｗ（ＣＰＵ）、２
は磁気ディスク、３は磁気テープで、これらはバス４を
介して互いに接続され、かつ、バス４及びインターフェ
ース回路５を夫々介してデータメモリ６に接続されてい
る。これにより、ｃｐｕｉの命令に従ってパターンデー
タ群が磁気テープ３から再生されて磁気ディスク２に格
納され、更に磁気ディスク２からウェーハ２１（又はガ
ラス乾板）上のチップ配置情報に従って読み出され、バ
ス４．インタフェース回路５を夫々通してデータメモリ
６に供給され、ここに格納される。

データメモリ６にすべてのパターンデータが格納され終
ると、そのパターンデータはデータメモリ６から読み出
されてショット分解回路７に供給され、ショットサイズ
単位のデータに分解された後、パターン補正回路８に供
給される。

パターン補正回路８により補正されたデータはＯＡコン
バータ（ＤＡＣ）及びアンプ９．１０゜１１に夫々供給
されてアナログ信号に変換される一方、ステージ制御回
路１２に供給される。ステージ制御回路１２の出力信号
はモータ１３を回転ｔｌｌｔｌＩシ、試料台（ステージ
）１４をＸ方向及びＹ方向へ移動制御する。

一方、図示しない筐体の内部には電子銃１５．１字形の
ナイフェツジ１６．１Ｂ、スリットデフレクタ用電極１
７、主偏向コイル１９、副偏向電極２０、試料台１４及
び試料としてのウェーハ２１が配置されており、ウェー
ハ２１は試料台１４上に載置されている。なお、ナイフ
ェツジ１６．１８の代りに２枚の矩形穴の開いたアパー
チャを使用することもできる。

電子銃１５より放射された電子ビームはナイフェツジ１
６及び１８により矩形ビームに成形され、ナイフェツジ
１６及び１８一に置かれたスリットデフレクタ用電極１
７にＤＡＣ及びアンプ９の出力信号（偏向電圧）を供給
することにより、例えば３μ−平方以下の任意のショッ
トサイズに成形される。この任意の大きさの矩形状に成
形された電子ビームは、ＤＡＣ及びアンプ１０の出力偏
向電流が供給される主偏向コイル１９により例えば１０
履角以下程度の領域を低速で大偏向された後、ＤＡＣ及
びアンプ１１の出力偏向電圧が供給される副偏向電極２
０により例えば１００μ醜角以下程度の領域を高速で小
偏向され、更に図示しない投影レンズを通過してウェー
ハ２１の表面に照射され、パターンデータに基づくパタ
ーンが描画される。

このような従来の電子ビーム露光装置において、ウェー
ハ２１の表面における電子ビームは主偏向コイル１９に
流す電流の大小により、第６図（Ａ）に示す約２〜１０
厘角のメインフィールド内を偏向し、副偏向電極２０に
印加する電圧の大小により、第６図（Ｂ）に示す約１０
０μ暑角のサブフィールド内を偏向し、スリットデフレ
クタ用電極１７に印加する電圧の大小により、電子ビー
ムの大きさ（ショットサイズ）が決まる。従って、可変
矩形電子ビームでは、入力されたパターンデータを複数
個のショットに分解して、それを１シヨツトずつ指定の
位置に照射して第６図（Ｃ）に示す如く所望のパターン
を形成することになる。なお、第６図（Ｃ）に示すよう
にパターンに応じて１つのショットサイズが異なる。

かかる可変矩形電子ビームを用いた従来の電子ビーム露
光装置では、描画しようとするパターンの大きさに応じ
てショットサイズを可変できるからスルーブツトの良好
なパターン描画ができるというメリットがある。

（発明が解決しようとする課題） しかし、微細パターンを描画しようとすると、例えば線
幅０．２μ鍋という極めて小さい電子ビームを成形しな
ければならず、このような電子ビームはポイントビーム
と何ら大差なく、装置をこのような０．２μ−線幅の電
子ビームで描画するように構成すると、微細パターンは
高精度に描けるが、■電流密度の上限、■ＤＡＣ及びア
ンプ９．１０及び１１のアンプ整定に要する時間等のた
め、ゲートのような微細パターンだけでなく、ボンデイ
ングパッドなどの広い面積の領域も混在するために全体
として膨大なショツト数が必要なＬＳＩのパターンを描
画するには時間がかかりすぎ、スループットが極めて悪
くなってしまう。

他方、可変矩形ビーム形成時にスループットを確保する
ためにショットサイズの可変範囲を大きくしようとする
と、線幅０．１μ−〜０．２μ−の電子ビームは２つの
スリットの重なりで得るため、相対的に小ビームでのド
ーズ量が不安定になるという欠点があった。

本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、微細パター
ンでもスループットを落とさずに高精度なパターン描画
を行なうことができる電子ビーム露光方法及びその装置
を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の電子ビーム露光方法は、単一の電子銃から放射
された電子ビームをラインビームに変換すると共に、複
数の要素ビームの各々のビーム強度に反比例して各ブラ
ンキング電極のビームオンパルス長を決定し、ラインビ
ームを試料面上に照射してパターン描画を行なう。

また、本発明の電子ビーム露光装置は単一の電子銃、４
極ビームつぶしレンズ、ブランキングアレー７バーチヤ
、ブランキングアパーチャ、偏向手段及びビームオンパ
ルス長決定手段とからなる。

上記の４極ビームつぶしレンズは断面形状が長楕円形の
ライン状につぶされた電子ビームに成形する。またブラ
ンキングアレーアパーチャは直線状に整列して設けられ
た複数の閉口部に夫々形成されたブランキング電極の各
々から要素ビームを取り出す。ブランキングアパーチャ
は上記の要素ビームのうちビームオンとされた要素ビー
ムだけを通過させる。

また偏向手段はブランキングアパーチャを通過した要素
ビームを、パターンデータに応じて偏向して試料面上に
照射する。更に、上記ビームオンパルス長決定手段は、
要素ビームのビーム強度に反比例してブランキング電極
のビームオンパルス長を決定する。

〔作用〕

本発明の電子ビーム露光方法では、複数の要素ビームが
直線状に整列配置されたラインビームを用いてパターン
描画を行なうので、要素ビームの大きさを小さくするこ
とにより微細パターンが形成できる。また、要素ビーム
は複数あり、それらがラインビームを形成して同時に偏
向走査される。

このとき、各要素ビームのビーム強度に反比例して各ブ
ランキング電極のビームオンパルス長を決定しているの
で、ラインビームを構成する個々の要素ビームのビーム
強度と、１個毎のビームオンの時間の積が一定値となる
。

なお、複数の電子ビームを用いてパターン描画を行なう
マルチビーム方式の電子ビーム露光方法も従来より知ら
れているが、このマルチビーム方式は電子銃の数と使用
電子ビーム数とが等しく、装置が大型で高価であるが、
本発明は電子銃は一つで安価、小型であり、また、各要
素ビーム毎にそのビームオン期間が個別に決定されてい
る。

次に本発明の電子ビーム露光装置では、偏向手段により
複数の要素ビームからなるラインビームが偏向走査され
るので、ポイントビームと大差のない大きさの１つの可
変矩形ビームを偏向走査する場合に比べてスループット
の低下を除去できる。

また、ブランキングアレーアパーチャは交換自在に構成
されているので、複数の要素ビームのうち極端にビーム
強度が小さな要素ビームがあっても、ブランキングアレ
ーアパーチャを交換するだけで、ビーム強度の差が小さ
い複数の要素ビームを得ることができる。

更に、アライメントコイルを４極ビームつぶしレンズと
ブランキングアレーアパーチャとの一に設け、その駆動
電流を制御することにより、複数の要素ビームによるビ
ーム強度分布が略平坦で、かつ、最大となるようにでき
る。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例のブロック図を示す。

同図中、第５図と同一構成部分には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。第１図において、２３はシーケンス
コントローラ、２４はビットマツプ発生回路、２５ｌ〜
２５？ｌはｎ個（ｎは例えば２５６）のブランキング発
生回路、２６はブランキング７１ＪＪｍ回路、２７はデ
フレクタ＆Ｊｔｌ１１回路、２８はブランキングアレー
アパーチャである。ブランキングアレー７バーチヤ２８
は本発明の要部をなしており、ブランキング発生回路２
５ｌ〜２５１の各出力ブランキング信号が１対１に対応
して供給され、かつ、互いに独立して制御されるｎ個の
ブランキング電極（セル）２９ｌ〜２９ｎが、試料台１
４の連続移動方向に対して略平行な方向に整列配置され
た構造とされている。

次に第１図に示す実施例の動作について説明する。ｃｐ
ｕｉの命令によりパターンの露光が開始されると、大容
量のデータメモリ６からビットマツプ発生回路２４にパ
ターンデータが転送され、ここでビットマツプに展開さ
れた後ブランキング発生回路２５ｌ〜２５ＴＩに供給さ
れる。一方、これと同時にｃｐｕｉからインタフェース
回路５を経由してシーケンスコントローラ２３に供給さ
れる命令に基づいて、シーケンスコントローラ２３から
ブランキング制御回路２６へ制御信号が送出され、ブラ
ンキング信号が生成される。

このブランキング信号はブランキング発生回路２５ｌ〜
２５ＴＩに夫々供給され、そのうちビットマツプ発生回
路２４からの信号が所定値（例えば“１″又は“Ｏ”）
のブランキング発生回路だけを通過してブランキングア
レーアパーチャ２８の対応するブランキング電極に印加
され、電子銃１５からの電子ビームを遮断するよう偏向
する。

一方、ブランキング信号が供給されないブランキング電
極からは電子銃１５からの電子ビームが偏向されること
なく通過される。

このようにして、ブランキングアレーアパーチャ２８か
らはライン状に並んだｎ本の電子ビーム（これを本明細
書では「要素ビーム」といい、またｎ本全体のビーム群
を「ラインビーム」というものとする）がブランキング
電極２９ｌ〜２９ｎにより互いに独立してブランキング
オン、オフ制御された後、主偏向コイル１９．副偏向電
極２０を夫々通してウェーハ２１（ガラス乾板でもよい
）の表面に照射されてパターンが形成される。

ここで、本実施例のラインビームの配置とブランキング
信号との関係を第２図と共に更に詳細に説明する。第２
図（Ａ）は連続的に移動する試料台（ステージ）１４上
に載置されたウェーハ２１の表面におけるラインビーム
を示す。第２図（Ａ）に示す如く、ラインビーム３０ａ
、３０ｂはステージ移動方向と略平行な方向に整列して
おり、第６図（Ａ＞に示したメインフィールドの幅に相
当する有効ビームスキャン幅の走査開始位置では３０ａ
で示す位置にあり、ステージ移動方向と略直角方向に偏
向走査（スキャン）され、１回の走査終了位置では３０
ｂで示す位置に到る。この偏向走査は主偏向コイル１９
に流される電流により行なわれる。

いま、ウェーハ２１上に第２図（Ａ）に３１及び３２で
示すパターンを形成するものとすると、ラインビームの
うちａ−ａ’線上を走査する要素ビームが取り出される
ブランキング電極へのブランキング信号は第２図（Ｂ）
にａ−ａ’　で示す如くになり、ハイレベルの期間その
要素ビームをオフ（遮断）し、そのローレベルの期間そ
の要素ビームをオン（通過）させる。

同様に、第２図（Ａ＞のｂ−ｂ’検線上Ｃ−Ｃ′線上及
びｄ−ｄ’線上を走査する各要素ビームは、対応するブ
ランキング電極へのブランキング信号が第２図（Ｂ）に
ｂ−ｂ’　、ｃ−ｃ’及びｄ−ｄ’で示す如くになり、
ブランキング信号のハイレベルの期間オフ、ローレベル
の期間オンとされ、ローレベルの期間のみウェーハ２１
上に照射される。このようにｎ本の要素ビームは互いに
独立してブランキング信号によりオン／オフｔｎ御され
る。

なお、試料台１４の移動位置は逐次レーザ干渉計を用い
た公知の手段（図示せず）により制御位置と実際の位置
との誤差分が計測されており、その誤差分がフィードバ
ックされデフレクタ制御回路２７．ＤＡＣ及びアンプ１
１を経由して副偏向電極２０に供給され補正されている
。また、ラインビームは偏向の各位置毎に徐々に変化す
るフォーカス、歪み等の偏向収差補正をされる。

次に、ブランキングアレーアパーチャ２８を要部とする
本実施例の電子ビーム光路系の一実施例について第３図
と共に更に詳細に説明する。同図中、３５はカソード、
３６はグリッド、３７はアノードで、これらは前記電子
銃１５を構成している。３８は４極ビームつぶしレンズ
、３９はりＯスオーバ拡大レンズである。前記ブランキ
ングアレーアパーチャ２８は収束レンズ４２内に配置さ
れている。５１は横走査デフレクタで、前記主偏向コイ
ル１９に相当し、またウェーハ２１の直ぐ上の位置に配
置されたステージフィードバック用８極デフレクタ５４
は前記副偏向電極２０に相当する。

かかる構成において、カソード３５から放射された電子
ビームはグリッド３６、アノード３７間でクロスオーバ
を形成された後、４極ビームつぶしレンズ３８によりそ
のビーム束断面形状が試料台１４の連続移動方向に平行
な方向を長軸とする長楕円形状に成形され、更にクロス
オーバ拡大レンズ３９により拡大され、第１リミテイン
グアバーチャ４０．アライメントコイル４１を夫々軽て
ブランキングアレーアパーチャ２８上に照射される。こ
れにより、ブランキングアレーアパーチャ２８上には第
３図に４３で示す如く、つぶされたクロスオーバ拡大像
が形成される。

第１図と共に説明したように、ブランキングアレーアパ
ーチャ２８の上部には例えば１０μ■角の矩形状の開口
部が、試料台１４の連続移動方向に対して平行な方向に
例えば２５６個直線状に整列配置されており、その多穴
の下側にブランキング電極２９（第１図の２９＋〜２９
１）が夫々配設されている。従って、このクロスオーバ
拡大像２８は２５６本のライン状に並んだ要素ビームに
夫々分けられて取り出され、そのうちビームオンとされ
た要素ビームはブランキングＮ極２９により偏向される
ことなく、４６で示す如き直進する軌道を描いてラージ
ブランカ４４．縮小レンズ４５゜ブランキングアパーチ
ャ４８を夫々通過して縮小レンズ４９に入射される。

一方、上記の２５６本の要素ビームのうちビームオフと
された要素ビームは、ブランキング電極２９により偏向
されて４７で示す如き軌道を描いてラージブランカ４４
．縮小レンズ４５を通過し、大きく曲げられてブランキ
ングアパーチャ４８の開口部以外の部分に射突され、こ
こで遮られる。

なお、ブランキングアレーアパーチャ２８より漏れたビ
ームはラージブランカ４４により大きく偏向されて、や
はりブランキングアパーチャ４８により遮られる。

縮小レンズ４５及び４９はビームオンの要素ビームをイ
マージョンタイプレンズ５５との協働によりウェーハ２
１上に１００分の１のブランキングアレーアパーチャ２
８の縮小像を形成する。従って、各要素ビームによるウ
ェーハ２１上のビームスポット像は夫々０．１μ謡角の
矩形像となる。縮小レンズ４９の内部にあるリフオーカ
スコイル５０は、ビームサイズが大きくなるとクーロン
インタラクションによるビームのぼけが発生するので、
これを補正するため、ブランキングアレーアパーチャ２
８からの要素ビームのうち、ビームオンの要素ビームの
数の総和で決定されるフォーカス電流が流される。

縮小レンズ４９及びリフオーカスコイル５０を通過した
要素ビームは横走査デフレクタ５１、ダイナミックリフ
オーカスコイル５２、ダイナミックスティグコイル５３
を経てステージフィードバック用８極コイル５４に入射
される。ダイナミックリフオーカスコイル５２、ダイナ
ミックスティグコイル５３は横走査デフレクタ５１によ
る横走査（試料台１４の連続移動方向と略直交する方向
への走査）に応じて、ビームの偏向ボケを補正する。

ステージフィードバック用８極デフレクタ５４により偏
向歪み補正とステージ連続移動のフィードバック及び速
度補正が施されたラインビームは、解像度を上げるため
にイマージョンタイプレンズ５５の中にあるウェーハ２
１の表面上に照射される。ウェーハ２１は静電チャック
５６により試料台１４に吸着されており、試料台１４と
共に連続移動される。

このようにして、本実施例によれば、０．１μ−角の矩
形像を各々形成する要素ビームにより微細パターンが形
成でき、しかも単一の電子銃１５から２５６本の要素ビ
ームがライン状に配列されてこれらが同時に走査される
のでスループットの低下を抑えることができる。

ところで、本実施例ではクロスオーバ像のクリティカル
照射において、クロスオーバを公知の４極ビームつぶし
レンズ３８によりライン状につぶし、ブランキングアレ
ーアパーチャ２８によりラインビームを得ている。しか
し、このラインビームを構成する２５６本の要素ビーム
のビーム強度の均一性がそのままでは８０〜９０％しか
得られず、同一の電子ビーム照射量を与えなければなら
ない電子ビーム露光装置としては使用不可である。

そこで、本実施例ではブランキングアレーアパーチャ２
８を構成する複数個のブランキング電極２９ｌ〜２９１
を順次１つずつオンとして、２５６本の要素ビームを１
つずつ順番に試料台１４のウェーハ２１が載置されてい
ない特定位置に照射する。この試料台１４の特定位置に
は穴が設けられており、その穴に照射された要素ビーム
のＮ流強度を微小電流計で測定し、その測定出力信号を
ＡＤ変換してｃｐｕｉに供給する。これにより、各要素
ビーム強度の測定結果は第４図（Ａ）に示す如くになり
、ブランキングアレーアパーチャ２８のブランキング電
極（セル）２９ｌ〜２９η　（ここでは、ｎ＝２５６）
のうち、真中のブランキング電極を通過する要素ビーム
のビーム強度が最も大で、ブランキング電極が端になる
ほどそこを通過する要素ビームのビーム強度が小となり
、左端と右端のブランキング電極２９＋　、２９ｎを通
過する各要素ビームのビーム強度が最小となる。

ＣＰＵ１はこの測定結束から各ブランキング電極個別の
ブランキング信号のビームオン期間（ビームオンパルス
長）を、所望ドーズ量（一定）と上記要素ビームの測定
ビーム強度との比が一定となるように決定する。従って
、各ブランキング電極（セル）２９ｌ〜２９１に個別に
供給されるビームオンパルス長は第４図（Ｂ）に示す如
くになる。

これにより、ブランキング電極２９ｌ〜２９１を個別に
通過する各要素ビームのビーム強度と１個のビームオン
の時間との積（つまり、ドーズｍ）は第４図（Ｃ）に示
す如く略均−となる。

なお、上記の各要素ビームのビーム強度の測定とビーム
オンパルス長の決定は、例えば実露光中に定期的に行な
うことができ、この場合はより高精度なパターン描画が
できる。

また、第３図に示したアライメントコイル４１の駆動電
流を制御することにより、２５６本の要素ビームのビー
ム強度の総和を最大とし、かつ、２５６本の要素ビーム
の各ビーム強度のうち最大値と最小値との差が最も小さ
くなるように電子ビームが７ライメント照射される。

なお、ラインビームを構成する各要素ビームのうち著し
くビーム強度の小さい要素ビームがある場合は、ブラン
キングアレ−アパーチャ２８全体を交換する。

このようにして、本実施例によれば、ウェーハ２１上に
０．１μ回角の要素ビームを２５６本ライン状に並べて
、２０ＯＡ／ａＪの電流密度、ドーズ量５μＣ／　ｄの
高感度レジストに、各点で２５　ｎ５ｅｃのショツト時
間で照射し、制御系のクロック周波数を４０ＭＨ２とし
て有効ビームスキャン幅２朧のスキャンエリアを５０　
ｍ／　ｓｅｃで連続移動し、１ｄ／Ｓｅｃの露光スピー
ドを得ることができた。

なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく
、例えば試料台１４は間欠移動させるようにしてもよい
。また、要素ビームの数は２５６に限定されるものでは
ないことは勿論である。

〔発明の効果〕

上述の如く、本発明によれば、小なる線幅の電子ビーム
を要素ビームとし、これを複数ライン状に配列してなる
ラインビームにより微細パターンをスルーブツトを低下
させることなく試料上に描画することができ、また各要
素ビームのビームオンパルス長を測定ビーム強度に反比
例して決定しているので、試料上への各要素ビームによ
る実効ドーズ量を略一定にすることができる。また、本
発明によれば、ブランキングアレーアパーチャ全体を交
換することにより、ビーム強度の差が少ない要素ビーム
群を簡単に得ることができる等の特長を有するものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のブロック図、第２図は本発
明の一実施例のラインビームの配置とブランキング信号
との関係を示す図、第３図は第１図の要部の一実施例の
構成図、第４図は本発明のビーム強度とビームオンパル
ス長の関係を説明する図、 第５図は従来の一例のブロック図、 第６図はメインフィールド、サブフィールド及びショッ
トの関係を示す図である。 図において、 １は中央処理装置（ＣＰＵ）、 １４は試料台（ステージ）、 １５は電子銃、 １９は主偏向コイル、 ２０は副偏向電極、 ２３はシーケンスコントローラ、 ２４はビットマツプ発生回路、 ２５ｌ〜２５１はブランキング発生回路、２６はブラン
キング制御回路、 ２８はブランキングアレーアパーチャ、２９＋〜２９η
、２９はブランキング電極、３８は４極ビームつぶしレ
ンズ、 ３９はクロスオーバ拡大レンズ、 ４１はアライメントコイル、 ５１は横走査デフレクタ、 ５４はステージフィードバック用８極デフレクタを示す
。 口ＬＯ℃　　　　富 ■１トー３．″′Ｉ徐、＆役Ｃ く ＞　　　　　　　　　２

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）単一の電子銃（１５）から放射された電子ビーム
   を、ブランキングアレーアパーチャ（２８）の複数のブ
   ランキング電極（２９＿ｌ〜２９＿ｎ）により複数の要
   素ビームが直線状に整列されてなるラインビームに変換
   すると共に、該複数の要素ビームの各々のビーム強度に
   反比例して各ブランキング電極（２９＿ｌ〜２９＿ｎ）
   のビームオンパルス長を決定し、該ラインビームを試料
   （２１）面上に照射してパターン描画を行なうことを特
   徴とする電子ビーム露光方法。
2. （２）前記複数のブランキング電極（２９＿ｌ〜２９＿
   ｎ）に順次ビームオンとするブランキング信号を供給し
   て前記複数の要素ビームを１つずつ順番に得てそのビー
   ム強度を測定し、その測定結果と所望ドーズ量とに基づ
   いて前記ビームオンパルス長を決定することを特徴とす
   る請求項１記載の電子ビーム露光方法。
3. （３）クロスオーバの作られた電子ビームを放射する単
   一の電子銃（１５）と、 該電子銃（１５）からの電子ビームをその断面形状が長
   楕円形のライン状につぶされた電子ビームに成形する４
   極ビームつぶしレンズ（３８）と、直線状に整列して設
   けられた複数の開口部に夫々ブランキング電極（２９＿
   ｌ〜２９＿ｎ）が形成されており、該４極ビームつぶし
   レンズ（３８）よりの電子ビームが照射されて該複数の
   ブランキング電極（２９＿ｌ〜２９＿ｎ）の各々から要
   素ビームを取り出すブランキングアレーアパーチャ（２
   ８）と、 該ブランキングアレーアパーチャ（２８）からのライン
   状に配列された複数の要素ビームのうち、ビームオフと
   された要素ビームを遮断し、ビームオンとされた要素ビ
   ームを通過させるブランキングアパーチャ（４８）と、 該ブランキングアパーチャ（４８）を通過した要素ビー
   ムをパターンデータに応じて偏向して試料（２１）面上
   に照射する偏向手段（１９、２０、５１、５４）と、 該ブランキング電極（２９＿ｌ〜２９＿ｎ）を通過する
   該要素ビームのビーム強度に反比例して該ブランキング
   電極（２９＿ｌ〜２９＿ｎ）のビームオンパルス長を決
   定する手段とよりなることを特徴とする電子ビーム露光
   装置。
4. （４）前記ブランキングアレーアパーチャ（２８）は交
   換自在に構成されていることを特徴とする請求項３記載
   の電子ビーム露光装置。
5. （５）前記複数の要素ビームのビーム強度の総和を最大
   とし、かつ、該複数の要素ビームの各ビーム強度のうち
   最大値と最小値との差を最小とするように、該複数の要
   素ビームを試料（２１）面上にアライメント照射するア
   ライメントコイル（４１）を該４極ビームつぶしレンズ
   （３８）と該ブランキングアレーアパーチャ（２８）と
   の一に設けたことを特徴とする請求項３記載の電子ビー
   ム露光装置。