JPH01296653A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
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- JPH01296653A JPH01296653A JP63127308A JP12730888A JPH01296653A JP H01296653 A JPH01296653 A JP H01296653A JP 63127308 A JP63127308 A JP 63127308A JP 12730888 A JP12730888 A JP 12730888A JP H01296653 A JPH01296653 A JP H01296653A
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- Japan
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- resin material
- sealing resin
- semiconductor device
- lead
- semiconductor element
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止形半導体装置に関し、特に半導体素子
搭載用のアイランド部および該素子にワイヤ接続される
内部リード部を有する複数のリードフレームからなりか
つこれらアイランド部と内部リード部が封止樹脂材で一
体的に樹脂封止されるリードフレーム枠体の改良に関す
る。−〔従来の技術〕 従来この種の樹脂封止形半導体装置は、概略第３図に示
すような構成とされていた。これを簡単に説明すると、
図中符号１は半導体素子で、この半導体素子１は、゛素
子搭載用アイランド部２の素子搭載面ｚａ上にろう材等
の接合材で固着して設けられている。３は半導体素子ｌ
の周囲に配列される複数本のリードフレームで、その内
部リードｓ３ａの内方端に対し前記半導体素子１の各電
極端子（図示せず）から引出されたワイヤ４がボンディ
ング用金属メツキ等を介して接続されている。５はこれ
ら半導体素子ｌ、ワイヤ４、リードフレーム３の内部リ
ード部３ａなどを封止樹脂材により一体的に樹脂封止し
てなるパッケージ本体で、このパッケージ本体５の側方
から前記リードフレーム３の外部リード部３ｂが外部に
露呈するように引出され、これら外部リード部３ｂによ
って半導体素子１が図示しない外部端子側に外部接続さ
れる。
搭載用のアイランド部および該素子にワイヤ接続される
内部リード部を有する複数のリードフレームからなりか
つこれらアイランド部と内部リード部が封止樹脂材で一
体的に樹脂封止されるリードフレーム枠体の改良に関す
る。−〔従来の技術〕 従来この種の樹脂封止形半導体装置は、概略第３図に示
すような構成とされていた。これを簡単に説明すると、
図中符号１は半導体素子で、この半導体素子１は、゛素
子搭載用アイランド部２の素子搭載面ｚａ上にろう材等
の接合材で固着して設けられている。３は半導体素子ｌ
の周囲に配列される複数本のリードフレームで、その内
部リードｓ３ａの内方端に対し前記半導体素子１の各電
極端子（図示せず）から引出されたワイヤ４がボンディ
ング用金属メツキ等を介して接続されている。５はこれ
ら半導体素子ｌ、ワイヤ４、リードフレーム３の内部リ
ード部３ａなどを封止樹脂材により一体的に樹脂封止し
てなるパッケージ本体で、このパッケージ本体５の側方
から前記リードフレーム３の外部リード部３ｂが外部に
露呈するように引出され、これら外部リード部３ｂによ
って半導体素子１が図示しない外部端子側に外部接続さ
れる。
そして、このような樹脂封止形半導体装置において、半
導体素子ｌ、ワイヤ４等は封止樹脂材によって外部環境
から保護されており、また使用時はパッケージ本体５か
ら外部に延設されているリードフレーム３の外部リード
部３ｂから電気信号が入力され、ワイヤ４を通って半導
体素子１に導かれ、この素子ｌで所定の処理が行なわれ
て再びワイヤ４を通ってリードフレーム３から外部に出
力されるように動作する。
導体素子ｌ、ワイヤ４等は封止樹脂材によって外部環境
から保護されており、また使用時はパッケージ本体５か
ら外部に延設されているリードフレーム３の外部リード
部３ｂから電気信号が入力され、ワイヤ４を通って半導
体素子１に導かれ、この素子ｌで所定の処理が行なわれ
て再びワイヤ４を通ってリードフレーム３から外部に出
力されるように動作する。
ところで、このような樹脂封止形半導体装置において素
子搭載用のアイランド部２および内、外リード部３ａ、
３ｂからなる複数のリードフレーム３は、第４図から明
らかなように、外枠６ａや接続用リブ（アイランド部２
を支持する支持リブを図中６ｂで示す）等によって一体
的に構成されたリードフレーム枠体６として構成される
。そして、このような枠体６に対し、半導体素子ｌを搭
載しかつ該素子ｌと内部リード部３ａとのワイヤ４によ
る電気的な接続を行なうとともにこれらを封止樹脂材で
樹脂封止することでパッケージ本体５が成形され、しか
る後外部リード部４ｂの折曲げ加工などと共に、外枠６
ａ等の切断、切離し加工などが行なわれ、これにより樹
脂封止形半導体装置が形成されるようになっている。な
お、上述したパッケージ本体５を成形するトランスファ
成形は、通常１８０℃前後の温度条件によって行なわれ
る。
子搭載用のアイランド部２および内、外リード部３ａ、
３ｂからなる複数のリードフレーム３は、第４図から明
らかなように、外枠６ａや接続用リブ（アイランド部２
を支持する支持リブを図中６ｂで示す）等によって一体
的に構成されたリードフレーム枠体６として構成される
。そして、このような枠体６に対し、半導体素子ｌを搭
載しかつ該素子ｌと内部リード部３ａとのワイヤ４によ
る電気的な接続を行なうとともにこれらを封止樹脂材で
樹脂封止することでパッケージ本体５が成形され、しか
る後外部リード部４ｂの折曲げ加工などと共に、外枠６
ａ等の切断、切離し加工などが行なわれ、これにより樹
脂封止形半導体装置が形成されるようになっている。な
お、上述したパッケージ本体５を成形するトランスファ
成形は、通常１８０℃前後の温度条件によって行なわれ
る。
ところで、このような従来の樹脂封止形半導体装置によ
れば、その構成部品や使用材料間でそれぞれの線膨張係
数に差があり、特に封止樹脂材によるパッケージ本体５
における線膨張係数は、他の構成部品や形成材料などの
線膨張係数に比べて大きいことから、この装置をプリン
ト配線基板などに実装する場合などにおいて、その温度
変化により装置各部分に引張り、圧縮、曲げなどの複雑
な応力が発生するという問題を生じている。
れば、その構成部品や使用材料間でそれぞれの線膨張係
数に差があり、特に封止樹脂材によるパッケージ本体５
における線膨張係数は、他の構成部品や形成材料などの
線膨張係数に比べて大きいことから、この装置をプリン
ト配線基板などに実装する場合などにおいて、その温度
変化により装置各部分に引張り、圧縮、曲げなどの複雑
な応力が発生するという問題を生じている。
このような応力は装置各部分での角部や端部等に集中し
、封止樹脂材と他の構成部品や形成材料との界面での剥
離現象を招いたり、その応力の集中度合がより一層増大
することで封止樹脂材によるパッケージ本体５にクラッ
ク等が発生するといった問題があった。たとえばパッケ
ージ本体５を形成する封止樹脂材は２０ＸｌＯ”’８／
”Ｃ前後であるが、シリコンを用いた半導体素子ｌは２
．３Ｘ １０ｉ／”Ｏ５さらに４２アロイによるアイラ
ンド部２や内部リード部３ａを有するリードフレーム３
は３．５Ｘ １（１１３／”Ｃ！程度であり、特にこの
封止樹脂材と他の各部との間での差が大きい。
、封止樹脂材と他の構成部品や形成材料との界面での剥
離現象を招いたり、その応力の集中度合がより一層増大
することで封止樹脂材によるパッケージ本体５にクラッ
ク等が発生するといった問題があった。たとえばパッケ
ージ本体５を形成する封止樹脂材は２０ＸｌＯ”’８／
”Ｃ前後であるが、シリコンを用いた半導体素子ｌは２
．３Ｘ １０ｉ／”Ｏ５さらに４２アロイによるアイラ
ンド部２や内部リード部３ａを有するリードフレーム３
は３．５Ｘ １（１１３／”Ｃ！程度であり、特にこの
封止樹脂材と他の各部との間での差が大きい。
そして、このような従来装置において、特にリード形状
がガルウィング型やＪリード型である表面実装型の半導
体装置では、実装時に装置全体が昇温されるものであり
、しかも封止樹脂材の線膨張係数は半導体素子ｌやアイ
ランド部２を形成する材料に比べて充分に大きいので、
温度上昇により膨張現象が生じると、実装前の保管中に
水分を吸収し吸湿状態となって接合力が弱くなっている
アイランド部裏面２ｂと封止樹脂材との間などに剥離現
象（図中７で剥離部を示す）が生じ、第３図中想像線で
示すようにクラック８が発生するという問題があり、こ
れらの問題点を一掃し得る何らかの対策を講じることが
望まれている。
がガルウィング型やＪリード型である表面実装型の半導
体装置では、実装時に装置全体が昇温されるものであり
、しかも封止樹脂材の線膨張係数は半導体素子ｌやアイ
ランド部２を形成する材料に比べて充分に大きいので、
温度上昇により膨張現象が生じると、実装前の保管中に
水分を吸収し吸湿状態となって接合力が弱くなっている
アイランド部裏面２ｂと封止樹脂材との間などに剥離現
象（図中７で剥離部を示す）が生じ、第３図中想像線で
示すようにクラック８が発生するという問題があり、こ
れらの問題点を一掃し得る何らかの対策を講じることが
望まれている。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、装置
実装時などにおける温度変化や吸湿後の熱ストレスの印
加時においても、パッケージ本体を構成する封止樹脂材
でのクラックの発生を防止し得るようにした樹脂封止形
半導体装置を得ることを目的としている。
実装時などにおける温度変化や吸湿後の熱ストレスの印
加時においても、パッケージ本体を構成する封止樹脂材
でのクラックの発生を防止し得るようにした樹脂封止形
半導体装置を得ることを目的としている。
このような要請に応えるために本発明に係る樹脂封止形
半導体装置は、半導体素子搭載用のアイランド部や該素
子側にワイヤ接続されるリードフレームを構成する内部
リード部の封止樹脂材と接する少なくとも一部を、凹凸
面形状に形成し、該封止樹脂材と接する比表面積を、加
工可能な限り（従来よりも少なくとも６０％以上に）増
大させ、封止樹脂材との間での密着力を増大させ得るよ
うに構成したものである。
半導体装置は、半導体素子搭載用のアイランド部や該素
子側にワイヤ接続されるリードフレームを構成する内部
リード部の封止樹脂材と接する少なくとも一部を、凹凸
面形状に形成し、該封止樹脂材と接する比表面積を、加
工可能な限り（従来よりも少なくとも６０％以上に）増
大させ、封止樹脂材との間での密着力を増大させ得るよ
うに構成したものである。
本発明によれば、アイランド部やリードフレームの内部
リード部等といったリードフレーム枠体の封止樹脂材と
接する比表面積を、加工可能な限り増大させるように構
成しているため、これらリードフレーム枠体側と封止樹
脂材との間の密着力を増大させることができ、これによ
り実装時の温度上昇や吸湿後の熱ストレス印加時におい
て、特にアイランド部裏面と封止樹脂材との間の剥離現
象を抑制し、パッケージ本体でのクラックの発生を防止
し得るものである。
リード部等といったリードフレーム枠体の封止樹脂材と
接する比表面積を、加工可能な限り増大させるように構
成しているため、これらリードフレーム枠体側と封止樹
脂材との間の密着力を増大させることができ、これによ
り実装時の温度上昇や吸湿後の熱ストレス印加時におい
て、特にアイランド部裏面と封止樹脂材との間の剥離現
象を抑制し、パッケージ本体でのクラックの発生を防止
し得るものである。
第１図および第２図は本発明に係る樹脂封止形半導体装
置の一実施例を示すものであり、これらの図において前
述した第３図および第４図と同一または相当する部分に
は同一番号を付してその説明は省略する。
置の一実施例を示すものであり、これらの図において前
述した第３図および第４図と同一または相当する部分に
は同一番号を付してその説明は省略する。
さて、本発明によれば、前述したような樹脂封止形半導
体装置において、半導体素子ｌ搭載用のアイランド部２
における裏面２ｂやリードフレーム３の内部リード部３
ａ（本実施例ではアイランド部裏面２ｂのみを例示して
いる）を、第１図および第２図から明らかなように、凹
凸面形状（図中符号ｌＯで示す）に形成し、該封止樹脂
材と接する比表面積を、加工可能な限り（従来よりも少
なくともｅＯ％以七に）増大させ、封止樹脂材との間で
の密着力を増大させ得るように構成したところに特徴を
有している。
体装置において、半導体素子ｌ搭載用のアイランド部２
における裏面２ｂやリードフレーム３の内部リード部３
ａ（本実施例ではアイランド部裏面２ｂのみを例示して
いる）を、第１図および第２図から明らかなように、凹
凸面形状（図中符号ｌＯで示す）に形成し、該封止樹脂
材と接する比表面積を、加工可能な限り（従来よりも少
なくともｅＯ％以七に）増大させ、封止樹脂材との間で
の密着力を増大させ得るように構成したところに特徴を
有している。
ここで１本実施例では、上述した凹凸面形状ｌＯを、第
１図から明らかなように、千鳥格子形状を呈するエツチ
ングパターンで構成した場合を例示し、その凸部を図中
１０ａで示している。
１図から明らかなように、千鳥格子形状を呈するエツチ
ングパターンで構成した場合を例示し、その凸部を図中
１０ａで示している。
そして、このような千鳥格子形状のエツチングパターン
において、格子間隔ａ、ｂおよび格子辺長さＣを、加工
可能な限り最小とすることにより、またエツチング深さ
をアイランド部２の厚みに近づけていくことにより、エ
ツチング部分での凹部内側の側面積が大きくなるもので
、この側面積の総和分だけ接合面積が増大することは容
易に理解されよう、たとえばｌｏｗ■×８曹層のアイラ
ンド部の場合、最密千鳥格子の一辺の長さが０．２ｍｍ
の場合に約６５％、−辺の長さが０．１ｍｍの場合に約
１４０％の面積増加率になる。
において、格子間隔ａ、ｂおよび格子辺長さＣを、加工
可能な限り最小とすることにより、またエツチング深さ
をアイランド部２の厚みに近づけていくことにより、エ
ツチング部分での凹部内側の側面積が大きくなるもので
、この側面積の総和分だけ接合面積が増大することは容
易に理解されよう、たとえばｌｏｗ■×８曹層のアイラ
ンド部の場合、最密千鳥格子の一辺の長さが０．２ｍｍ
の場合に約６５％、−辺の長さが０．１ｍｍの場合に約
１４０％の面積増加率になる。
そして、このような構成によれば、アイランド部裏面２
ｂと封止樹脂材（パッケージ本体５）との接着面積が、
従来に比べて充分に大きくなるため、界面接合力が強化
され、また第２図に示すようなアイランド部裏面２ｂで
のデインプル形状によって、実装時の温度上昇の際の発
生応力が分散されることにより、実装時に厳しい熱スト
レスが装置全体に印加されたとしても、アイランド部裏
面２ｂと封止樹脂材側との剥離現象を抑制す払ことがで
き、これによりパッケージ本体５でのクラックの発生を
適切かつ確実に防止し得る。
ｂと封止樹脂材（パッケージ本体５）との接着面積が、
従来に比べて充分に大きくなるため、界面接合力が強化
され、また第２図に示すようなアイランド部裏面２ｂで
のデインプル形状によって、実装時の温度上昇の際の発
生応力が分散されることにより、実装時に厳しい熱スト
レスが装置全体に印加されたとしても、アイランド部裏
面２ｂと封止樹脂材側との剥離現象を抑制す払ことがで
き、これによりパッケージ本体５でのクラックの発生を
適切かつ確実に防止し得る。
さらに、このようにクラックの発生を適切かつ確実に防
止できることにより、本発明による樹脂封止形半導体装
置では、その耐湿性を必要かつ充分な状態で維持するこ
とが可能で、これにより装置信頼性を向上させ得るもの
である。
止できることにより、本発明による樹脂封止形半導体装
置では、その耐湿性を必要かつ充分な状態で維持するこ
とが可能で、これにより装置信頼性を向上させ得るもの
である。
なお５本発明は上述した実施例構造に限定されず、樹脂
刃゛止形半導体装置としての各部の形状、構造等を、適
宜変形、変更することは自由で１種々の変形例が考えら
れよう、たとえば上述した実施例では、リードフレーム
枠体６においてアイランド部裏面２ｂにのみ千鳥格子形
状のパターン加工を施して凹凸面形状１０を形成したが
、内部リード部４ａ側にも同様あるいはこれに類似する
加工を施すようにしてもよく、これによりこの内部リー
ド部４ａと封止樹脂材との接着面積を増大させ、装置全
体の耐熱ストレス性や耐湿性を向上させ得る等の利点を
奏することが可能となる。
刃゛止形半導体装置としての各部の形状、構造等を、適
宜変形、変更することは自由で１種々の変形例が考えら
れよう、たとえば上述した実施例では、リードフレーム
枠体６においてアイランド部裏面２ｂにのみ千鳥格子形
状のパターン加工を施して凹凸面形状１０を形成したが
、内部リード部４ａ側にも同様あるいはこれに類似する
加工を施すようにしてもよく、これによりこの内部リー
ド部４ａと封止樹脂材との接着面積を増大させ、装置全
体の耐熱ストレス性や耐湿性を向上させ得る等の利点を
奏することが可能となる。
以上説明したように本発明に係る樹脂対ＩＥ形半導体装
置によれば、半導体素子搭載用のアイランド部や内、外
リード部を有する複数のリードフレームからなるリード
フレーム枠体において、そのアイランド部や内部リード
部などといった封止樹脂材により樹脂封止される部分を
、凹凸面形状を呈するように形成したので、簡単かつ安
価な構成にもかかわらず、リードフレーム枠体における
封止樹脂材に接する比表面積を、従来に比べて大幅に増
大させ、これによりその部分での接合強度全確保し高い
密着性を確保することが可能で、これにより従来のよう
な装置実装時の温度変化や吸湿後の熱ストレス印加時な
どにおける封と樹脂材によるパッケージ本体でのクラッ
ク発生等といった問題を適切かつ確実に防止し、装置信
頼性を向上させ得る等という種々優れた効果がある。
置によれば、半導体素子搭載用のアイランド部や内、外
リード部を有する複数のリードフレームからなるリード
フレーム枠体において、そのアイランド部や内部リード
部などといった封止樹脂材により樹脂封止される部分を
、凹凸面形状を呈するように形成したので、簡単かつ安
価な構成にもかかわらず、リードフレーム枠体における
封止樹脂材に接する比表面積を、従来に比べて大幅に増
大させ、これによりその部分での接合強度全確保し高い
密着性を確保することが可能で、これにより従来のよう
な装置実装時の温度変化や吸湿後の熱ストレス印加時な
どにおける封と樹脂材によるパッケージ本体でのクラッ
ク発生等といった問題を適切かつ確実に防止し、装置信
頼性を向上させ得る等という種々優れた効果がある。
第１図は本発明に係る樹脂封止形半導体装置の一実施例
を示すリードフレーム枠体を構成するアイランド部裏面
の要部平面図、第２図はその装置全体の概略断面図、第
３図および第４図は従来例を示す装置全体の概略断面図
およびこれに用いるリードフレーム枠体を示す概略平面
図である。 ｌ・・・・半導体素子、２・・・・アイランド部、２ａ
・・・・素子搭載面、２ｂ・・・・裏面、３・・・・リ
ードフレーム、３ａ・・Φ争内部リード部、４Ｏ−Φワ
イヤ、５・・・・対重樹脂材によるパッケージ本体、６
・・・・リードフレーム枠体、１０・・・・凹凸面形状
。
を示すリードフレーム枠体を構成するアイランド部裏面
の要部平面図、第２図はその装置全体の概略断面図、第
３図および第４図は従来例を示す装置全体の概略断面図
およびこれに用いるリードフレーム枠体を示す概略平面
図である。 ｌ・・・・半導体素子、２・・・・アイランド部、２ａ
・・・・素子搭載面、２ｂ・・・・裏面、３・・・・リ
ードフレーム、３ａ・・Φ争内部リード部、４Ｏ−Φワ
イヤ、５・・・・対重樹脂材によるパッケージ本体、６
・・・・リードフレーム枠体、１０・・・・凹凸面形状
。
Claims (1)
- 半導体素子が搭載されるアイランド部と該半導体素子
側にワイヤ接続されるリードフレームを構成する内部リ
ード部とを封止樹脂材により樹脂封止してなる樹脂封止
形半導体装置において、前記封止樹脂材と接するアイラ
ンド部および内部リード部の少なくとも一部を、凹凸面
形状で形成することにより、該封止樹脂材と接する比表
面積を、増大させるように構成したことを特徴とする樹
脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127308A JPH079961B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127308A JPH079961B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296653A true JPH01296653A (ja) | 1989-11-30 |
| JPH079961B2 JPH079961B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=14956734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63127308A Expired - Fee Related JPH079961B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079961B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008141220A (ja) * | 2008-01-16 | 2008-06-19 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2017076764A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法、半導体装置 |
| JP2017092153A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法、半導体装置 |
| WO2022202242A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | ローム株式会社 | 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6603538B2 (ja) * | 2015-10-23 | 2019-11-06 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP63127308A patent/JPH079961B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008141220A (ja) * | 2008-01-16 | 2008-06-19 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2017076764A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法、半導体装置 |
| JP2017092153A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法、半導体装置 |
| WO2022202242A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | ローム株式会社 | 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH079961B2 (ja) | 1995-02-01 |
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