JPH01298727A - Ｍｏｓ半導体装置の製造方法 - Google Patents
Ｍｏｓ半導体装置の製造方法Info
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- JPH01298727A JPH01298727A JP63130505A JP13050588A JPH01298727A JP H01298727 A JPH01298727 A JP H01298727A JP 63130505 A JP63130505 A JP 63130505A JP 13050588 A JP13050588 A JP 13050588A JP H01298727 A JPH01298727 A JP H01298727A
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- Japan
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- semiconductor device
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Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野〕
この発明は、アルミシリコン合金とシリコンとのコンタ
クトを有するＭＯＳ半導体装置の製造方法に関するもの
である。
クトを有するＭＯＳ半導体装置の製造方法に関するもの
である。
この発明は、ＭＯＳ半導体装置の電気的特性を安定化さ
せるための熱処理において、アルミシリコン合金とシリ
コンとのコンタクトを形成する前の熱処理と、アルミシ
リコン合金とシリコンとのコンタクト形成した後の熱処
理を、異なる条件で行うことにより、ＭＯＳ半導体装置
の電気的特性を最適な状態に制御できるようにしたもの
である。
せるための熱処理において、アルミシリコン合金とシリ
コンとのコンタクトを形成する前の熱処理と、アルミシ
リコン合金とシリコンとのコンタクト形成した後の熱処
理を、異なる条件で行うことにより、ＭＯＳ半導体装置
の電気的特性を最適な状態に制御できるようにしたもの
である。
従来の製造方法は、アルミシリコン合金を被着し、配線
パターン形成後、電気的特性を安定化させるための熱処
理を一度行う。
パターン形成後、電気的特性を安定化させるための熱処
理を一度行う。
上記の様な製造方法では、素子微細化に伴うコンタクト
径の減少により、熱処理中にアルミシリコン合金中のシ
リコンのコンタクトへの同相成長によるコンタクト抵抗
の増大もしくは、コンタクト不良を引き起こすという欠
点を有していた。
径の減少により、熱処理中にアルミシリコン合金中のシ
リコンのコンタクトへの同相成長によるコンタクト抵抗
の増大もしくは、コンタクト不良を引き起こすという欠
点を有していた。
（課題を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、本発明においては、アル
ミシリコン合金を被着する前に、トランジスタのしきい
値を安定させるに十分な温度で熱処理を行い、従来の熱
処理工程では、アルミシリコン合金とシリコンとのオー
ミックをとるのに必要十分な温度で熱処理を行うように
した。
ミシリコン合金を被着する前に、トランジスタのしきい
値を安定させるに十分な温度で熱処理を行い、従来の熱
処理工程では、アルミシリコン合金とシリコンとのオー
ミックをとるのに必要十分な温度で熱処理を行うように
した。
上記の様な構成によれば、アルミシリコン合金被着後の
熱処理温度は低く、コンタクトへのシリコン固相成長を
なくすことができる。
熱処理温度は低く、コンタクトへのシリコン固相成長を
なくすことができる。
（実施例〕
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図ｔａ＋において、トランジスタ形成後、高Ｎ型拡散層
４および高Ｐ型拡散層５および多結晶シリコン３とのコ
ンタクトホール形成し、水素雰囲気中で４３０℃で熱処
理することにより、ＭＯＳトランジスタの電気的特性を
安定化させる。その後、アルミシリコン合金を被着させ
、配線パターン形成しく第１図ｆｂｌ） 、３８０℃で
熱処理することにより、アルミシリコン合金とシリコン
のコンタクトをオーミック化させる０以上の実施例にお
いて、コンタクトへのシリコン固相成長を引き起こさず
、コンタクトをオーミック化させ、ＭＯＳトランジスタ
の電気的特性を安定させることができ〔発明の効果〕 この発明は以上説明したように、コンタクトへのシリコ
ンの固相成長を引き起こさせず、ＭＯＳトランジスタの
電気的特性を安定化させ、コンタクトをオーミック化で
きる。
図ｔａ＋において、トランジスタ形成後、高Ｎ型拡散層
４および高Ｐ型拡散層５および多結晶シリコン３とのコ
ンタクトホール形成し、水素雰囲気中で４３０℃で熱処
理することにより、ＭＯＳトランジスタの電気的特性を
安定化させる。その後、アルミシリコン合金を被着させ
、配線パターン形成しく第１図ｆｂｌ） 、３８０℃で
熱処理することにより、アルミシリコン合金とシリコン
のコンタクトをオーミック化させる０以上の実施例にお
いて、コンタクトへのシリコン固相成長を引き起こさず
、コンタクトをオーミック化させ、ＭＯＳトランジスタ
の電気的特性を安定させることができ〔発明の効果〕 この発明は以上説明したように、コンタクトへのシリコ
ンの固相成長を引き起こさせず、ＭＯＳトランジスタの
電気的特性を安定化させ、コンタクトをオーミック化で
きる。
第１図ｔａｇ、 （ｂｌは本発明の実施例のＭＯＳ半導
体装置の製造方法を示す工程順断面図である。 １・・・シリコン基板 ２・・・絶縁物３・・・多結
晶シリコン ４・・・高Ｎ型拡散層５・・・高Ｐ型拡散
層 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
体装置の製造方法を示す工程順断面図である。 １・・・シリコン基板 ２・・・絶縁物３・・・多結
晶シリコン ４・・・高Ｎ型拡散層５・・・高Ｐ型拡散
層 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- ＭＯＳ半導体装置のトランジスタ形成後、アルミシリ
コン合金を被着する工程前に、該ＭＯＳ半導体装置を水
素雰囲気中で熱処理をする工程と、該ＭＯＳ半導体装置
にアルミシリコン合金を被着する工程後に、該ＭＯＳ半
導体装置を熱処理する工程を有するＭＯＳ半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63130505A JPH01298727A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | Ｍｏｓ半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63130505A JPH01298727A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | Ｍｏｓ半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298727A true JPH01298727A (ja) | 1989-12-01 |
Family
ID=15035884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63130505A Pending JPH01298727A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | Ｍｏｓ半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01298727A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03131021A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-04 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-26 JP JP63130505A patent/JPH01298727A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03131021A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-04 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
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