JPH0129875B2 - - Google Patents
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- JPH0129875B2 JPH0129875B2 JP26084986A JP26084986A JPH0129875B2 JP H0129875 B2 JPH0129875 B2 JP H0129875B2 JP 26084986 A JP26084986 A JP 26084986A JP 26084986 A JP26084986 A JP 26084986A JP H0129875 B2 JPH0129875 B2 JP H0129875B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0055—After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/09—Treatments involving charged particles
- H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、反応室、給気管、排気管、処理すべ
きサーキツトボードをその間に置くことの可能な
電極を有する、サーキツトボード等をエツチング
するためのプラズマ反応器に関する。
きサーキツトボードをその間に置くことの可能な
電極を有する、サーキツトボード等をエツチング
するためのプラズマ反応器に関する。
各層のサーキツトボードには一枚当たりしばし
ば数千およぶ接続穴が穿たれる。これらの穴は穿
孔のあと銅メツキしなければならないが、穿孔の
間に有機的な汚れが生じ、失敗のない接続のため
メツキに先立つてこれらを取り除く必要がある。
これらの汚れの除去のためにはガスプラズマによ
つてサーキツトボードを清掃することが知られて
いる。この目的のため混合気体すなわち酸素とテ
トラフルオロメタンが、サーキツトボードが電極
の間に置かれた反応室に導入され、高周波電圧に
よつて電極が気体イオン化し、プラズマの成分
(電子、イオン、遊離基)が不純物を取り除く。
ば数千およぶ接続穴が穿たれる。これらの穴は穿
孔のあと銅メツキしなければならないが、穿孔の
間に有機的な汚れが生じ、失敗のない接続のため
メツキに先立つてこれらを取り除く必要がある。
これらの汚れの除去のためにはガスプラズマによ
つてサーキツトボードを清掃することが知られて
いる。この目的のため混合気体すなわち酸素とテ
トラフルオロメタンが、サーキツトボードが電極
の間に置かれた反応室に導入され、高周波電圧に
よつて電極が気体イオン化し、プラズマの成分
(電子、イオン、遊離基)が不純物を取り除く。
従来技術
この目的のための公知の反応器(米国特許第
4289598号)は環状の断面を持ち、全断面を覆う
ドアによつて一方を気密に閉じられた水平な反応
室を有している。棒状または板状の電極が室内に
互いに平行して配置され、上記電極は高周波電源
の両極に交互に接続されている。処理すべきサー
キツトボードは適当な仕方で吊ることにより各サ
ーキツトボードが反対の極を持つ電極の間に配置
されるように挿入可能である。反応ガスの給気管
が室内の3個またはそれ以上の吹出口に通じてい
る。吹出口はより均一な気流を得るためのバツフ
ル板に向かつている。
4289598号)は環状の断面を持ち、全断面を覆う
ドアによつて一方を気密に閉じられた水平な反応
室を有している。棒状または板状の電極が室内に
互いに平行して配置され、上記電極は高周波電源
の両極に交互に接続されている。処理すべきサー
キツトボードは適当な仕方で吊ることにより各サ
ーキツトボードが反対の極を持つ電極の間に配置
されるように挿入可能である。反応ガスの給気管
が室内の3個またはそれ以上の吹出口に通じてい
る。吹出口はより均一な気流を得るためのバツフ
ル板に向かつている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら公知の反応室では流入する気体の
ためにバツフル板を設けているにもかかわらずプ
ラズマの均一性が十分でなく、サーキツトボード
周辺での乱気流および気体流速の差のため不純物
の除去率が不均一となる。
ためにバツフル板を設けているにもかかわらずプ
ラズマの均一性が十分でなく、サーキツトボード
周辺での乱気流および気体流速の差のため不純物
の除去率が不均一となる。
極めて小さい部品のプラズマエツチングにおい
ては多孔質材料の電極を使い、この電極を通して
気体を流入させ、それによつてより均一な気流を
得る(西独特許公開第DE―OS3119742号、及び
第DE―OS3140675号)ことが知られている。こ
の解決は小部品のみに適用可能であることを別と
しても、電極が気体吹出口を兼ねることから、電
極の変形が気流分布を変化させるという問題を生
じる。サーキツトボードの清掃にこれを用いるこ
とは電極の多さと清掃面積の広さのため全く不可
能である。
ては多孔質材料の電極を使い、この電極を通して
気体を流入させ、それによつてより均一な気流を
得る(西独特許公開第DE―OS3119742号、及び
第DE―OS3140675号)ことが知られている。こ
の解決は小部品のみに適用可能であることを別と
しても、電極が気体吹出口を兼ねることから、電
極の変形が気流分布を変化させるという問題を生
じる。サーキツトボードの清掃にこれを用いるこ
とは電極の多さと清掃面積の広さのため全く不可
能である。
本発明の目的は寸法の大きい工作物に対しても
均一で極めて効率的な可能なプラズマ反応器を提
供することである。
均一で極めて効率的な可能なプラズマ反応器を提
供することである。
問題点を解決するための手段
この目的は以下に記述される型のプラズマ反応
器によつて達成される。本発明では気体の供給の
ためフリツト(気体透過性の層)を用い、それは
反応室の上面にあることが望ましく、上記フリツ
トは上記反応器の全長全幅にわたつて十分に張り
出し外部を気密フードによつて覆われている。
器によつて達成される。本発明では気体の供給の
ためフリツト(気体透過性の層)を用い、それは
反応室の上面にあることが望ましく、上記フリツ
トは上記反応器の全長全幅にわたつて十分に張り
出し外部を気密フードによつて覆われている。
本発明によつて、使用された反応器の全断面に
及ぶ均一な層状の気流が得られ、処理時間の短縮
とサーキツトボード上の不純物の均一な除去が可
能となる。
及ぶ均一な層状の気流が得られ、処理時間の短縮
とサーキツトボード上の不純物の均一な除去が可
能となる。
本発明の有効なもうひとつの実施例は、フリツ
トが自重を支えその縁を反応室の壁に支持されて
いることを特徴とする。
トが自重を支えその縁を反応室の壁に支持されて
いることを特徴とする。
しかしフリツトの両面で圧力が異なることを考
慮すると、フリツトがその縁を反応室の壁に支持
された多孔板上に載る例も考えられる。気流がフ
リツトを通過した後気体の流速と圧力は反応室内
で一般的である低い値まで引き下げられるため、
この多孔板の付加使用は気体供給の均一性にほと
んど影響しない。
慮すると、フリツトがその縁を反応室の壁に支持
された多孔板上に載る例も考えられる。気流がフ
リツトを通過した後気体の流速と圧力は反応室内
で一般的である低い値まで引き下げられるため、
この多孔板の付加使用は気体供給の均一性にほと
んど影響しない。
フリツトの厚さを反応器の全長全幅において変
化させる場合には、反応室内の不均衡を補償する
ことができる。例えば均一の厚さのフリツトを用
い、中央から気体を吸入する場合には、流速分布
は一般に全断面で均一とはならない。これはフリ
ツトの厚さを反応器の断面内で変化させる、例え
ば反応室の縁から中央まで増し他方の縁に向かつ
て減らすことによつて避けることができる。
化させる場合には、反応室内の不均衡を補償する
ことができる。例えば均一の厚さのフリツトを用
い、中央から気体を吸入する場合には、流速分布
は一般に全断面で均一とはならない。これはフリ
ツトの厚さを反応器の断面内で変化させる、例え
ば反応室の縁から中央まで増し他方の縁に向かつ
て減らすことによつて避けることができる。
実施例
本発明とその付加的な利得と特徴は図に示され
た実施例によつて次に詳述される。第1図によれ
ば本プラズマ反応器は耐圧壁2に囲まれた反応室
1を有する。この壁は反応室の上面において開い
ており、その縁に多孔板4を載せる肩3を有し、
上記多孔板は鉄等の材料よりなり多数の孔5を有
する。気体透過性の層であるフリツト6は、多孔
板4上に載つており、上記フリツト6は例えばセ
ラミツクスのような通気性のある焼結材料からな
つている。フリツト6はまた適当な、任意に圧縮
された粗大な材料から成つていてもよい。多孔板
4とフリツト6は頂部を気密フード7にカバーさ
れており、上記フードはその上面に給気管8を有
する。フード7は反応室1の壁2との間をシール
され、ここでのみ示される例えばねじなどの通常
用いられる方法により接合される。
た実施例によつて次に詳述される。第1図によれ
ば本プラズマ反応器は耐圧壁2に囲まれた反応室
1を有する。この壁は反応室の上面において開い
ており、その縁に多孔板4を載せる肩3を有し、
上記多孔板は鉄等の材料よりなり多数の孔5を有
する。気体透過性の層であるフリツト6は、多孔
板4上に載つており、上記フリツト6は例えばセ
ラミツクスのような通気性のある焼結材料からな
つている。フリツト6はまた適当な、任意に圧縮
された粗大な材料から成つていてもよい。多孔板
4とフリツト6は頂部を気密フード7にカバーさ
れており、上記フードはその上面に給気管8を有
する。フード7は反応室1の壁2との間をシール
され、ここでのみ示される例えばねじなどの通常
用いられる方法により接合される。
反応室1の下面には一個、できれば数個の図に
は示されない気体吹出口が反応室の壁2上にあり
上記吹出口は排気管9に連結されている。上記排
気管9には真空ポンプ10が連結されている。棒
状または板状で技術の記述の一部としてここでの
み示される数列の電極11(米国特許第4289598
号を参照)が反応室に沿つて延びている。電極1
1は絶縁した状態で吊るされ、高周波電源12の
両極に交互に接続されている。処理すべきサーキ
ツトボード13は電極11の間に挿入可能であ
り、上記サーキツトボードは隣り合う電極から左
右等距離に位置する。サーキツトボード13は、
反応室1への加重または非加重を明解にするた
め、反応室1の上部に設けられた軌道(図示せ
ず)に沿つて移動可能な取付けサポート内に吊す
こともできる。サーキツトボードを吊す方法は、
たとえば前記米国特許第4289598号のように記述
される。
は示されない気体吹出口が反応室の壁2上にあり
上記吹出口は排気管9に連結されている。上記排
気管9には真空ポンプ10が連結されている。棒
状または板状で技術の記述の一部としてここでの
み示される数列の電極11(米国特許第4289598
号を参照)が反応室に沿つて延びている。電極1
1は絶縁した状態で吊るされ、高周波電源12の
両極に交互に接続されている。処理すべきサーキ
ツトボード13は電極11の間に挿入可能であ
り、上記サーキツトボードは隣り合う電極から左
右等距離に位置する。サーキツトボード13は、
反応室1への加重または非加重を明解にするた
め、反応室1の上部に設けられた軌道(図示せ
ず)に沿つて移動可能な取付けサポート内に吊す
こともできる。サーキツトボードを吊す方法は、
たとえば前記米国特許第4289598号のように記述
される。
第2図は多孔板4がシール14によつて容器の
壁2の肩3との間を密封されることを示してい
る。反応室の頂部を密閉するフード7はまた、シ
ール15によつて壁2との間を密封される。もし
十分な強度を持つフリツト6を用いるならば、多
孔板4は省略可能であり、その場合フリツト6が
自重を支え、その縁を例えば容器壁2の肩3に支
持させればよい。このときフリツト6は内外の気
圧差を吸収する(外圧3.5バール、内圧10-4バー
ル程度)。
壁2の肩3との間を密封されることを示してい
る。反応室の頂部を密閉するフード7はまた、シ
ール15によつて壁2との間を密封される。もし
十分な強度を持つフリツト6を用いるならば、多
孔板4は省略可能であり、その場合フリツト6が
自重を支え、その縁を例えば容器壁2の肩3に支
持させればよい。このときフリツト6は内外の気
圧差を吸収する(外圧3.5バール、内圧10-4バー
ル程度)。
本発明で得られるもうひとつの利得は、第3図
および第4図によつて示される。フリツト6から
はほぼ均一な気流が流れ出るが、この気流は反応
室、電極、吊るされたサーキツトボード等の位置
関係に相当影響される。中でも、矢印によつて示
された流速分布図は気流の速度が多くの場合容器
の壁に近付くほど低下する事を示している。後者
の場合、流速分布は、第4図のように縁に向かつ
て厚さの減少するフリツト6を用いることによつ
てより均一にすることができる。しかし流速分布
の他の不均一性ももた、フリツト6を適当な形に
することで補償できる。より単純なケースでは、
必要な形を流体力学に基づいて算定したり試験に
よつて求めることができる。
および第4図によつて示される。フリツト6から
はほぼ均一な気流が流れ出るが、この気流は反応
室、電極、吊るされたサーキツトボード等の位置
関係に相当影響される。中でも、矢印によつて示
された流速分布図は気流の速度が多くの場合容器
の壁に近付くほど低下する事を示している。後者
の場合、流速分布は、第4図のように縁に向かつ
て厚さの減少するフリツト6を用いることによつ
てより均一にすることができる。しかし流速分布
の他の不均一性ももた、フリツト6を適当な形に
することで補償できる。より単純なケースでは、
必要な形を流体力学に基づいて算定したり試験に
よつて求めることができる。
本発明はもちろん他の形の反応器、例えば垂直
型や異なる断面型のもの等にも用いることができ
る。フリツトも必ずしも反応室の上面にある必要
はない。しかし必ず反応室の全長全幅に十分に延
びていなければならない、すなわち気流の方向か
らわかるように反応室内の使用される全空間を覆
う必要がある。
型や異なる断面型のもの等にも用いることができ
る。フリツトも必ずしも反応室の上面にある必要
はない。しかし必ず反応室の全長全幅に十分に延
びていなければならない、すなわち気流の方向か
らわかるように反応室内の使用される全空間を覆
う必要がある。
発明の効果
本発明で一枚1平方メールに及ぶ大型のサーキ
ツトボードを大量に素早く均一に処理することが
できる。また本発明は、気体とプラズマの均一な
分布が得られるという特長のため、サーキツトボ
ードのプラズマエツチングばかりでなく、他の工
作物のプラズマ処理に関してもきわめて広く用い
ることができる。
ツトボードを大量に素早く均一に処理することが
できる。また本発明は、気体とプラズマの均一な
分布が得られるという特長のため、サーキツトボ
ードのプラズマエツチングばかりでなく、他の工
作物のプラズマ処理に関してもきわめて広く用い
ることができる。
第1図は本発明によるプラズマ反応器の部分断
面透視図、第2図は縁にカバーフードを持つ多孔
板上でのフリツトの配置の断面拡大図であり、第
3図および第4図は異なる形状のフリツトを持つ
反応室を通る気流の側方向の略断面図である。
面透視図、第2図は縁にカバーフードを持つ多孔
板上でのフリツトの配置の断面拡大図であり、第
3図および第4図は異なる形状のフリツトを持つ
反応室を通る気流の側方向の略断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 反応室、給気管、排気管、処理すべきサーキ
ツトボードをその間に置くことの可能な電極とか
らなり、なるべく反応室1の上面にあることが望
ましい気体供給のためのフリツト6を有し、上記
フリツト6は上記反応室の全長全幅にわたつて十
分に広がり、その外部を気密フード7によつて覆
われていることを特徴とするサーキツトボード等
をエツチングするためのプラズマ反応器。 2 フリツト6が自重を支えその縁を反応室1の
壁2に支持されていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のプラズマ反応器。 3 フリツト6が反応室1の壁2にその縁を支持
された多孔板に載つていることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載のプラズマ反応器。 4 フリツト6の厚さが反応器内の全長全幅にお
いて変化することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のプラズマ反応器。 5 フリツト6の厚さが反応器の断面内で変化す
る、言い換えれば反応器の全幅において、一方の
縁から中央に向かつて増し、他方の縁に向かつて
減るようになつていることを特徴とする特許請求
の範囲第4項記載のプラズマ反応器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT317085A AT386315B (de) | 1985-11-04 | 1985-11-04 | Plasmareaktor zum aetzen von leiterplatten |
| AT3170/85 | 1985-11-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62112791A JPS62112791A (ja) | 1987-05-23 |
| JPH0129875B2 true JPH0129875B2 (ja) | 1989-06-14 |
Family
ID=3546420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26084986A Granted JPS62112791A (ja) | 1985-11-04 | 1986-11-04 | サ−キツトボ−ド等をエツチングするためのプラズマ反応器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62112791A (ja) |
| AT (1) | AT386315B (ja) |
| CH (1) | CH671303A5 (ja) |
| DE (1) | DE3635647A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63186875A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-02 | Tadahiro Omi | 表面反応成膜装置 |
| US4997677A (en) * | 1987-08-31 | 1991-03-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Vapor phase reactor for making multilayer structures |
| WO1990010092A1 (en) * | 1989-02-24 | 1990-09-07 | Massachusetts Institute Of Technology | A modified stagnation flow apparatus for chemical vapor deposition providing excellent control of the deposition |
| JPH02295116A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| US5054420A (en) * | 1989-09-29 | 1991-10-08 | Alcan International Limited | Use of a particulate packed bed at the inlet of a vertical tube MOCVD reactor to achieve desired gas flow characteristics |
| US5134963A (en) * | 1991-10-28 | 1992-08-04 | International Business Machines Corporation | LPCVD reactor for high efficiency, high uniformity deposition |
| US5653806A (en) * | 1995-03-10 | 1997-08-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Showerhead-type discharge assembly for delivery of source reagent vapor to a substrate, and CVD process utilizing same |
| US5741363A (en) * | 1996-03-22 | 1998-04-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Interiorly partitioned vapor injector for delivery of source reagent vapor mixtures for chemical vapor deposition |
| CN105575796A (zh) * | 2014-10-13 | 2016-05-11 | 友威科技股份有限公司 | 用于印刷电路板的等离子体蚀刻装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5378170A (en) * | 1976-12-22 | 1978-07-11 | Toshiba Corp | Continuous processor for gas plasma etching |
| US4297162A (en) * | 1979-10-17 | 1981-10-27 | Texas Instruments Incorporated | Plasma etching using improved electrode |
| US4289598A (en) * | 1980-05-03 | 1981-09-15 | Technics, Inc. | Plasma reactor and method therefor |
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