JPH0129897Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案はエレクトレツトコンデンサマイクロ
ホンユニツトを使用した静電形送話器、特に簡単
な構成で優れた送話周波数特性を実現した静電形
送話器に関するものである。

「従来の技術」 例えば電話機の送話ユニツトとして使用される
静電形送話器としては、従来一般にはカーボンタ
イプのものが使用されている。しかしカーボンタ
イプの送話器は、送話特性上歪が多いために、そ
の送話音質が低下し、満足すべき送話周波数特性
が得られない。一方カーボンタイプの送話器では
一般にその消費電力が大きく、又感度のばらつき
と変動が多くこのような面においても使用上の問
題が存在する。

このカーボンタイプの送話器に対して、エレク
トレツトコンデンサマイクロホンユニツトを使用
した静電形送話器も提案されている。

一般に送話機の送話周波数特性の許容特性範囲
を定量的に定めるために公衆電気通信法第105条
第３項に基づき定められた加入電話等の付属設備
及び接続機器の技術基準に関する規則の第19条に
付属設備等の通話に関する電気的規格が規定され
ている。第１４図はこの通話に関する電気的規格
（以下電気的規格という）の送信周波数の送出レ
ベル許容特性範囲を示すもので、横軸に周波数
（Hz）を縦軸に感度（dB）を取つて表示した場合
に、許容範囲を示す基準線Ｒ及びRuに挟まれ
る領域内に、送話周波数の送出レベル特性曲線
（以下送話周波数特性曲線と記す）が存在するこ
とが要求される。

又一般に送話器の送話周波数特性自体として
は、送話周波数特性曲線がほぼ500Hz以下の低周
波数帯域において遮断特性を有し、２〜3KHzの
周波数帯域において周波数特性曲線にピークが存
在することが必要である。

第１４図で示す曲線１１は、この電気的規格を
満足する送話器の送話周波数特性曲線の例を示す
ものである。なお、この許容範囲は相対特性を表
示しているので、送話器の送話周波数特性の測定
値が相対的にこの許容範囲に含まれれば規格を満
足するものと認められる。

エレクトレツトコンデンサマイクロホンユニツ
トを使用した静電形送話量としては、例えば第１
５図に示すように送話器のハンドセツトハウジン
グ１２に対して通孔１３を形成し、この通孔１３
位置に通孔１３を塞ぐようにエレクトレツトコン
デンサマイクロホンユニツト１４を取り付けた形
式のものが提案されている。

このように構成された送話器では、その送話周
波数特性を測定すると、横軸に周波数（Hz）、縦
軸に感度（dB）を取つて第１６図に曲線１５で
示すような送話周波数特性曲線が得られる。第１
６図から明らかに、このような構成の送話器では
その送話周波数特性曲線が電気的規格を満足する
基準線Ｒ，Ruに挟まれる領域から外れてしま
い、許容条件を満足していない。

一方エレクトレツトコンデンサマイクロホンユ
ニツト１４を使用し、第１７図に示すように音響
補償を施した形式のものも提案されている。

即ち、ハンドセツトハウジング１２の通孔１３
を囲んで補償ケース１６を取り付け、この補傷ケ
ース１６に対してエレクトレツトコンデンサマイ
クロホンユニツト１４が例えば接着の手段で固定
される。この構成のものにおいてはエレクトレツ
トコンデンサマイクロホンユニツト１４と、補償
ケース１６間には前室１７が形成される。この前
室１７からハンドセツトハウジング１２側に通じ
る開孔１８が前室１７のほぼ中央に形成され、こ
の開孔１８のハンドセツトハウジング１２側はク
ロス１９で塞がれる。又補償ケース１６はほぼカ
ツプ状に形成され、補償ケース１６とハンドセツ
トハウジング１２間には前室２０が形成される。

このような構成の送話器に対して、その送話周
波数特性を測定すると第１８図において曲線２２
で示すような送話周波数特性曲線が得られる。第
１８図から明らかなように、この構成の送話器に
おいては2500Hz近傍で送話周波数特性曲線にピー
クが形成されており、又この送話器の送話周波数
特性は中域及び高域の周波数帯域においては、電
気的規格を満足している。しかしその送話周波数
特性曲線は低周波数帯域において減衰せず、ほぼ
500Hz以下の低周波数帯域において必要とされる
遮断特性が認められず、この面で電気的規格を満
足していない。

第１７図に示す構成の送話器に対して500Hz以
下の低周波数帯域においてその送話周波数特性曲
線に対して遮断特性を持たせるために、低域遮断
濾波器を別途送話器に対して取り付けると、電気
的規格を満足するものが得られる。しかしこのよ
うな構造にすると濾波器を構成するコンデンサや
抵抗類を部品として送話器に対して追加しなくて
はならず、その構造が複雑化してしまう。

「考案が解決しようとする問題点」 この考案はこれら従来提案されているエレクト
レツトコンデンサマイクロホンユニツトを使用し
た静電形送話器の諸欠点を解決し、簡単な構成で
加入電話等の付属設備及び接続機器の技術基準に
関する規則第19条付属設備等の通話に関する電気
的規格を満たし、優れた送話周波数特性を実現し
た静電形送話器を提供するものである。

「考案の構成」 この考案では、一端面が閉塞面とされた筒状の
背面蓋体の開放面を塞ぐようにして背面蓋体の閉
塞面側にその閉端面を凸に突出させて前面蓋体が
配設される。この前面蓋体の閉端面のほぼ中央位
置には背面蓋体側に通じる第１の通孔が形成さ
れ、この第１の通孔を囲んで前面蓋体の閉端面に
直角に環状に環状部が背面蓋体の閉塞面側に突出
形成されている。

この考案で前面蓋体の閉端面に突出形成される
環状部の突出側に形成される開放面を塞ぐように
して双指向性エレクトレツトマイクロホンユニツ
トが固定され前面蓋体の閉端面の板面の周縁側に
は第２の通孔が背面蓋体側に通じるように形成さ
れている。

この考案の静電型送話器においては、筒状の前
面蓋体の開放面と閉端面間において筒状の周面に
囲まれて形成される第１の前室の容積を変化させ
ることにより、送話周波数特性曲線の２〜3KHz
の周波数におけるピークの位置を調整設定し、又
送話周波数特性曲線の高周波数帯域における遮断
周波数を設定することが出来る。

又、エレクトレツトマイクロホンユニツトの前
面蓋体の閉端面に対向する板面と、前面蓋体の閉
端面及び閉端面が環状に突出された環状部とで囲
まれて形成され第２の前室の容積を変化させるこ
とより、送話周波数特性曲線の２〜3KHzの周波
数帯域におけるピークの立上りの勾配を調整設定
することが可能である。

又第２の通孔の孔径を変化させると、送話周波
数特性曲線の低周波数帯域に発生するピークの位
置とそのピークの波高値を調整設定することが出
来る。この第２の通孔に施すクロスの通気性即ち
音響抵抗を変化させることによつて、送話周波数
特性曲線の低周波数帯域に発生するピークの波高
値をおさえることが可能でこの低周波数帯域での
送話周波数特性曲線を平担化することが出来る。

又第１の通孔に施すクロスの通気性即ち音響抵
抗を変化させることにより、送話周波数特性曲線
の２〜3KHzの周波数帯域に発生するピークの波
高値を変化させることが可能である。

従つてこの考案においてはこれら第１の前室の
容積、第２の前室の容積、第１及び第２の通孔の
孔径とそこに施すクロスの条件をそれぞれ変化さ
せることにより、送話器の送話周波数特性曲線の
特性を望ましい所定の形状に設定することが可能
である。又この考案では、双指向性エレクトレツ
トマイクロホンユニツトを使用した構成とするこ
とによつて、送話器の感度を大幅に増大させるこ
とが可能である。

「実施例」 以下、この考案の静電形送話器をその実施例に
基づき、図面を使用して詳細に説明する。

第１図はこの考案の実施例の構成を示すもの
で、１端面が閉塞面２４とされたほぼ円筒状の背
面蓋体２５が例えば合成樹脂材で形成され、この
背面蓋体２５の開放面を塞ぐようにして、同様に
例えば合成樹脂材で形成された前面蓋体２６が取
り付けられる。前面蓋体２６は閉端面２７を有し
てほぼ円筒形状に形成され、この閉端面２７を閉
塞面２４側に凸に突出させた状態で背面蓋体２５
に対して嵌合して取り付けられる。

即ち、背面蓋体２５の開放面側の内周面に形成
された環状凹部３１と、この環状凹部３１に嵌合
する前面蓋体２６の開放面側の外周面に形成され
たリブ３２とにより、背面蓋体２５と前面蓋体２
６とが互に嵌合可能な構造となつている。

前面蓋体２６のほぼ中央に位置において、背面
蓋体２５側に通じる第１の通孔３３が形成され
る。第１図に示す実施例では第１の通孔３３の内
径は例えば1.0mmに設定される。又前面蓋体２６
の開放面から閉端面２７までの距離は例えば６mm
に設定される。第１の通孔３３を囲むようにし
て、閉端面２７が板面に直角に一体に背面蓋体２
５の閉塞面２４方向に円環状に突出形成されて円
環形状の環状部２７−Ｔが形成される。

この環状部２７−Ｔの突出側の開放面を塞ぐよ
うにして双指向性エレクトレツトコンデンサマイ
クロホンユニツト３６が固定される。

即ち、環状部２７−Ｔの内周面に段部３５が形
成され、この段部３５に双指向性エレクトレツト
コンデンサマイクロホンユニツト３６が例えば接
着の手段で固定される。この段部３５の閉端面２
７からの高さは、実施例においては５mmに設定さ
れている。

双指向性エレクトレツトコンデンサマイクロホ
ンユニツト３６は、第２図のような構成を有して
いる。即ち、例えば外径10mm、高さ７mmのほぼ円
筒状のカプセル４１の中央に開孔５０が形成さ
れ、このカプセル４１に対して金属リング４２及
びスペーサ４２−Ｒを介して振動板４３が取り付
けられる。この振動板４３には背極板４４が対接
配設され、背極ホルダ４５によつてカプセル４１
内に保持されている。開孔５０はクロス５３で塞
がれて、所定の音響抵抗が設定されている。

カプセル４１の開放面側は基板４６につて塞が
れ、この基板４６にインピーダンス変換及び増幅
の機能を有するIC回路４７が固定されてカプセ
ル４１内に配設される。IC回路４７の入力端は
背極板４４を介して振動板４３に電気的に接続さ
れている。

振動板４３は高分子誘電体膜に導電層となる金
属薄膜がはりつけられた構造を有し、この誘電体
膜は全面が一様に分極化可能な構造になつてい
る。この考案においてはカプセル４１の開放面を
塞いで配設される基板４６に対して開孔５１が形
成されてエレクトレツトマイクロホンユニツト３
６に双指向性特性を具備させた構成としている。

このように構成される双指向性特性のエレクト
レツトコンデンサマイクロホンユニツト３６を、
振動板４３側を第１の通孔３３に対向させて、前
面蓋体２６の環状部の段部３５に対して固定す
る。このエレクトレツトコンデンサマイクロホン
ユニツト３６の取り付け状態で、前面蓋体２６と
背面蓋体２５間により、背室Ｒ−Ｂが構成され
る。

又エレクトレツトコンデンサマイクロホンユニ
ツト３６の取り付け状態において、コンデンサマ
イクロホンユニツト３６の前面蓋体２６の閉端面
２７に対向する板面と閉端面２７と環状部２７−
Ｔとで囲まれて第１の前室６１が形成される。

閉端面２７の周縁部近傍において前面蓋体２６
からこの背室Ｒ−Ｂに通じるように第２の通孔５
５が形成される。第１図に示す実施例において
は、第２の通孔５５の孔径は1.3mmに設定されて
いる。

第１及び第２の通孔３３，５５に対して、これ
らの通孔を塞ぐように第１，第２のクロス５６，
５７が取り付けられる。第１図に示す実施例で
は、第１及び第２のクロス５６，５７がそれぞれ
前面蓋体２６の閉端面２７の開放面側の板面に対
して、接着の手段によつて取り付けられている。

この考案においては、送話器全体を第１図に示
すように取付体６０例えば電話機のハンドセツト
ハウジングに取り付けて使用する。その取付状態
において、取付板６０の板面が前面蓋体２６の開
放面を塞ぎ、この板面と前面蓋体２６との間には
第２の前室６２が形成される。一方、前面蓋体２
６の環状部２７−Ｔに囲まれて、前面蓋体２６の
閉端面２７とこの閉端面２７に対向するエレクト
レツトコンデンサマイクロホンユニツト３６の板
面間には前述のように第１の前室６１が形成され
ている。

取付体６０に対してこの考案の静電形送話器を
取り付けた状態で、その送話周波数特性を測定す
ると、第３図に示すような結果が得られる。測定
結果か明らかなように得られる送話周波数特性曲
線においては500Hz以下の低周波数帯域における
遮断特性が実現され、且つ２〜3KHz近傍の周波
数帯域において送話周波数特性曲線にピークが表
われている。又この送話周波数特性曲線は第６図
に示すように前述した電気的規格をも満足してい
る。なお、第３図において点線表示で示した曲線
は他の条件を同一にして無指向性エレクトレツト
マイクロホンユニツトを使用した場合に得られる
送話周波数特性曲線である。

第４図に示すのは、この考案で使用された双指
向性エレクトレツトマイクロホンユニツト単体で
得られた送話周波数特性曲線であり、図から明ら
かなようにエレクトレツトマイクロホンユニツト
３６単体では、500Hz以下の周波数帯域での遮断
特性が得られず、又２〜3KHz附近の周波数帯域
で必要とされるピーク特性も明確には得られてい
ない。第５図はこの考案で使用された双指向性エ
レクトレツトマイクロホンユニツト単位に対する
指向性特性曲線である。図から明らかなように、
双指向性エレクトレツトマイクロホンは音圧が
90゜，270゜方向でのマイク感度はほぼ0dBであり、
0゜，180゜方向のみの音圧を受けるという特性を具
備している。

この考案では、背面蓋体２５と前面蓋体２６間
に形成される背室内に配設される双指向性特性の
エレクトレツトマイクロホンユニツト３６に対し
てその前面板と、環状部２７−Ｔ及び前面蓋体２
６の閉端面２７に囲まれて形成される第１の前室
６１、第１の前室６１部分の閉端面２７に形成さ
れる第１の通孔３３，前面蓋体２６の開放面側に
形成される第２の前室６２，前面蓋体２６の閉端
面２７に背室Ｒ−Ｂに通じるように形成される第
２の通孔５５とをそれぞれ形成した送話器構成と
する。この構成において、さらに第１及び第２の
通孔にクロスを施すことにより、この考案による
と静電形送話器の送話周波数特性曲線を所望の形
状に設定して、送話器の送話特性を望ましい特性
に設定することが可能である。

又この考案の静電形送話器においては、前面蓋
体２６の開放面側から入力される音声信号に基づ
いて、得られる第１の通孔３３からの音圧P₁に
よつて双指向性エレクトレツトマイクロホンユニ
ツト３６はその前面側から駆動されると共に、第
２の通孔５５からの音圧P₂によつてエレクトレ
ツトマイクロホンユニツト３６はその背面側から
も駆動される。従つて、前面側の音圧P₁と背面
側の音圧P₂とが相乗されてエレクトレツトマイ
クロホンユニツト３６に与えられ、エレクトレツ
トマイクロホンユニツト３６には、ほぼ２倍の音
圧が印加されるので、感度は少なくとも4dB向上
することになる。

考案者等の実験の結果この考案の静電形送話器
において、前述せる第１及び第２の前室６１，６
２の容積をそれぞれ、C₁，C₂とすると、この容
積C₁，C₂を調整設定することによつて、送話器
の送話周波数特性曲線の２〜3KHz近傍の周波数
帯域でのピークの特性を所定の形状に設定するこ
とが可能であることが明らかにされた。

即ちこの考案の静電形送話器の実施例において
他の条件を一定とし、第１の前室６１の容積C₁
を変化させると得られる送話周波数特性は第７図
に乃至を付した曲線に従つて変化する。第７
図において横軸は周波数（Hz）を示し、縦軸は得
られる受話器の感度（dB）を示し、図中，，
，を付した各曲線はそれぞれ第１の前室６１
の容積C₁をC₁＝113mm³，85mm³，57mm³，28mm³と
して得られた送話周波数特性曲線である。一般的
には第７図から明らかなように第１の前室６１の
容積C₁を大きくすると送話周波数特性曲線の3K
Hz近傍の周波数帯域において生ずるピークの立ち
上がりが低周波数側に移動し、その勾配が僅かに
増加しピーク位置全体も低周波数側に移動する。
同時に送話周波数特性曲線の高周波数帯域での遮
断周波数が僅かに低周波数側に移動する。

又、第２の通孔５５の穴径を変化させることに
よつて送話周波数特性曲線の500Hz以下の低周波
数帯域における遮断周波数を調整し得ることが確
認された。

即ち、この考案の静電形送話器の実施例におい
て他の条件を一定とし、第２の通孔５５の孔径を
変化させると得られる送話周波数特性は第９図に
φ₁.₄乃至φ₂を付した曲線にに従つて変化する。第
９図において横軸は周波数（Hz）を示し、縦軸は
得られる受話器の感度（dB）を示している。図
中φ₂，φ₁.₈，φ₁.₆，φ₁.₅，φ₁.₄を付した曲線はそ
れ
ぞれ第２の通孔５５の孔径をそれぞれφ＝2.0，
1.8，1.6，1.5，1.4選定した場合に得られる送話
周波数特性曲線である。

第９図から明らかなようにこの考案の静電形送
話器の実施例において、第２の通孔５５の孔径を
増加させると、一般に送話周波数特性曲線の低周
波数帯域に生ずるピークの位置が高周波数帯域側
に移動し、且そのピークの波高値が増大する傾向
にある。

又、この考案の静電形送話器の実施例において
他の条件を一定とし、第２の前室６２の容積C₂
を変化させる得られる送話周波数特性は、第８図
に乃至を付した曲線に従つて変化する。第８
図で横軸は周波数（Hz）を縦軸は感度（dB）を
表示し、送話周波数特性曲線中乃至を付して
示したものは、第２の前室６２の容積C₂をそれ
ぞれC₂＝6107mm³，5090mm³，4070mm³，3050mm³，
2040mm³，1020mm³，510mm³に選定した場合に対応
する送話周波数特性曲線である。

第８図から明らかなように一般にこの考案の静
電形送話器の実施例において、第２の前室６２の
容積C₂が増大するに従つて、送話周波数特性曲
線の3KHz近傍の周波数帯域に生ずるピークの波
高値が増大し、これに伴つて送話周波数特性曲線
の高周波数側における遮断周波数が僅かに低周波
数帯域側に移動する。

さらに本考案者等の実験の結果この考案の静電
形送話器において、その送話周波数特性曲線の２
〜3KHz近傍の周波数帯域に生ずるピークの形状
が第１のクロス５６により、又送話周波数特性曲
線の低周波数帯域に生ずるピークの形状が第２の
クロス５７より調整設定可能であることが明らか
にされた。

即ち第１０図に示されるこの考案の静電形送話
器の実施例で得られる送話周波数特性曲線におい
て、曲線K₁は孔径1.4mmの第１及び第２の通孔３
３及び５５に第１及び第２のクロスを施さない場
合に得られた送話周波数特性曲線である。又曲線
K₀は第２の通孔５５の孔径を０として、第２の
通孔５５を形成しない構造とした場合に得られる
送話周波数特性曲線である。第１０図において、
点線で示す曲線K₂は孔径1.4mmの第１及び第２の
通孔３３及び５５に第１及び第２のクロス５６，
５７を施した状態で得られる送話周波数特性曲線
である。この状態において、第１及び第２のクロ
ス５６，５７の通気性を減少させ音響抵抗を増大
させて行くと、第１０図に矢印で示すように通話
周波数特性曲線の低周波帯域及び高周波数帯域に
おけるピークの波高値が減少して送話周波数特性
曲線が平担化され、低周波数帯域側での遮断周波
数が低周波数側に移動する。

又第１１図において横軸に周波数（Hz）を縦軸
に感度（dB）を取つて示すのは、この考案の静
電形送話器の実施例における第１のクロス５６の
送話周波数特性曲線に対する効果を示す。さに詳
細な実験効果である。この実験に際しては、第１
のクロス５６以外の条件はすべて一定に設定して
行なつた。

第１１図中K₁を付して示される曲線は、第１
のクロス５６を施さない状態で得られた送話周波
数特性曲線である。この第１のクロス５６を施さ
ない状態から第１のクロス５６を施して、送話器
の音響抵抗を増大させて行くと、送話器の送話周
波数特性は第１１図で符号，，，，を
それぞれ付して示した曲線に沿つて変化する。

このように、この考案の静電形送話器において
は、第１のクロス５６を調整設定することによつ
て、得られる送話器の送話周波数特性曲線の3K
Hz近傍の高周波数帯域に発生するピークの形状を
調整することが出来る。第１１図から明らかなよ
うに、一般には第１のクロス５６により送話器の
音響抵抗を増加させて行くと、図中矢印で示すよ
うに高周波数帯域に生ずるピークを平担化させる
ことが可能である。

考案者等の実験によると、この考案の静電形送
話器において第１の通孔５６の孔径のみを変化さ
せて、送話周波数特性曲線において3KHz程度の
高周波数帯域に発生するピークの位置及び形状の
補正をすることは困難であり、第１のクロス５６
を使用しての音響抵抗調整を併用することにより
この調整が容易に行なわれることが確認された。

一方この考案の静電形送話器においては、前述
のように双指向性エレクトレツトマイクロホンユ
ニツトを使用することによつて、エレクトレツト
マイクロホンユニツトの前面側及び背面側の音圧
が相乗された音圧がエレクトレツトマイクロホン
ユニツトに加えられ、その感度を無指向性エレク
トレツトマイクロホンユニツトを使用する場合に
比して10dB以上向上させることが出来る。

又、この考案の静電形送話器では前面蓋体２６
と背面蓋体２５内に保持されるエレクトレツトコ
ンデンサマイクロホンユニツト３６が、前面蓋体
２６の開放面から例えば実施例においても11mm以
上の距離を保持して配設されるので、静電破壊に
対しても極めて強い構造を実現することが出来
る。

一般に静電形送話器では、例えばハンドセツト
ハウジングなどの取付体に対する静電摩擦により
生ずる静電圧で破壊されることがないように、使
用状態でDC10〜15KVの耐圧を有することが規
格付けられている。

第１３図Ａ乃至第１３図Ｅは考案者等により実
測されたこの考案の静電形送話器の送話周波数特
性に対する静電破壊試験の影響を示す実験結果で
ある。第１３図Ａ乃至第１３図Ｅは、それぞれ別
個の被試験体に対して得られた測定結果であり、
実線で示すのは静電破壊試験前の測定で得られた
送話周波数特性曲線であり、点線で示すのは静電
破壊試験後に測定して得られた送話周波数特性曲
線である。第１３図Ａ乃至第１３図Ｅに示すそれ
ぞれの被試験体のいずれについても、明らかに静
電破壊試験の前後で殆んど送話周波数特性が変化
していないことが確認される。

この場合の静電破壊試験は、この考案の静電形
送話器の実施例をハンドセツトに組み込んだもの
に対して行なつた。即ち、ハンドセツトの送話口
とハンドセツトに装着されたこの考案の静電形送
話器の回路端子間にそれぞれ、＋20KV及び−
20KVの電位を５回ずつ印加して静電破壊試験が
行なわれた。この静電破壊試験は被試験体に応じ
てその雰囲気条件を室温10℃の無湿度条件下かも
しくは、室温4.5℃で湿度８％条件下において行
なつた。

得られた結果は第１３図Ａ乃至Ｅにそれぞれ示
すように静電破壊試験の前後で、この考案の静電
形送話器ではその送話周波数特性が殆んど変化せ
ず、充分な静電破壊耐圧を示していることが確認
された。

「考案の効果」 この考案の静電形送話器においては前述のよう
に、第１の前室６１の容積C₁と第２の前室６２
の容積C₂、及び第１，第２の通孔３３，５５の
穴径及びこれらに施される第１及び第２のクロス
５６，５７の状態を変化させることにより、その
送話周波数特性曲線を所望の形状に調整設定する
ことが出来る。又双指向性エレクトレツトマイク
ロホンユニツトを使用しているために、入力音声
信号によりエレクトレツトマイクロホンユニツト
は第１及び第２の通孔３３，５５を通じて、それ
ぞれその前面側及び背面側の二方向から音圧が印
加されるので、送話感度が大幅に向上する。

さらに前面蓋体２６の取付体６０との対接面か
ら双指向性エレクトレツトマイクロホンユニツト
３６の前面までの距離が大きく設定可能なので静
電破壊に強く、例えば直線電圧20KV以上の耐圧
特性を有する静電形送話器が実現可能である。

なお製作上全体の部品点数も少なく、各部品の
製作及び全体の組立作業も容易に行なわれ、安定
した品質の静電形送話器の多量生産を低製造費用
で行なうことが可能である。

なお実施例においては主に、この考案の静電形
送話器を取付体６０としてハンドセツトを取り上
げ、ハンドセツトに組込んだものについて説明を
行なつた。しかし取付体６０としてはハンドセツ
トに限らず、各種のものが選択可能であつて、電
話機用の各種の送話ユニツトやＣ，Ｂ用マイクロ
ユニツトに組み込むなど各種の構成のものとする
ことが出来る。以上詳細に説明したように、この
考案によると部品点数が少なく構造も簡単で生産
費用を大幅に低減させた状態で製造可能であり、
第１及び第２の前室の容積、第１及び第２の通孔
の孔径及び第１及び第２のクロスを調整設定する
ことにより、その送話周波数特性を加入電話等の
付属設備及び接続機器の技術基準に関する規則第
19条に定められる付属設備等の通話に関する電気
的規格に適合するように選定することが出来る静
電形送話器を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の静電形送話器の実施例の要
部の構成を示す断面原理図、第２図はこの考案の
静電形送話器に使用される双指向性エレクトレツ
トマイクロホンユニツトの構成を示す図、第３図
はこの考案の静電形送話器の実施例の送話周波数
特性を示す図、第４図は双指向性エレクトレツト
マイクロホンユニツト単体の送話周波数特性を示
す図、第５図は双指向性エレクトレツトマイクロ
ホンユニツト単体の指向性特性を示す図、第６図
はこの考案の静電形送話器の実施例の送話周波数
特性を示す図、第７図はこの考案の静電形送話器
の実施例における第１の前室の容量をパラメータ
とした場合の送話周波数特性を示す図、第８図は
この考案の静電形送話器の実施例における第２の
前室の容量をパラメータとして送話周波数特性を
示す図、第９図はこの考案の静電形送話器の実施
例における第２の通孔の孔径をパラメータとした
送話周波数特性を示す図、第１０図はこの考案の
静電形送話器の実施例における第１及び第２のク
ロスと送話周波数特性との関係を示す図、第１１
図はこの考案の静電形送話器の実施例における第
１のクロスと送話周波数特性との関係を示す図、
第１２図はこの考案の静電形送話器の実施例にお
ける音圧の回り込み状態を示す原理図、第１３図
Ａ乃至第１３図Ｅはこの考案の静電形送話器の実
施例におけるる静電破壊試験の結果を示す図、第
１４図は送話周波数特性の送出レベル許容範囲を
示す図、第１５図及び第１７図は従来提案されて
いる静電形送話器の要部の構成を示す図、第１６
図及び第１８図はそれぞれ第１５図及び第１７図
の構成の静電形送話器における送話周波数特性を
示す図である。 ２４：閉塞面、２５：背面蓋体、２６：前面蓋
体、２７：閉端面、３１：環状凹部、３２：リ
ブ、３３：第１の通孔、３５：段部、３６：双指
向性エレクトレツトコンデンサマイクロホンユニ
ツト、４１：カプセル、４３：振動板、４４：背
極板、４５：背極ホルダ、４６：プリント基板、
４７：IC回路、５０：開孔、５１：開孔、５
３：クロス、５５：第２の通孔、５６：第１のク
ロス、５７：第２のクロス、６０：取付体、６
１：第１の容積室、６２：第２の容積室。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 一端面が閉塞面とされた筒状の背面蓋体の開放
   面を塞いで前記閉塞面側に凸状に閉端面を突出さ
   せて筒状の前面蓋体が配設され、この前面蓋体の
   閉端面のほぼ中央に前記背面蓋体側に通じる第１
   の通孔が形成され、この第１の通孔を囲んで前記
   前面蓋体の閉端面に環状部が前記閉塞面側に突出
   形成され、この環状部の突出側の開放面を塞いで
   双指向性エレクトレツトマイクロホンユニツトが
   固定され、前記前面蓋体の板面の周縁側に前記背
   面蓋体側に通じる第２の通孔が形成されてなるこ
   とを特徴とする静電形送話器。