JPH01301182A - 電気信号観測装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は、被測定電気信号を光信号でサンプリングして
観測信号を得るための電気信号観測装置に係り、特に、
簡単な構成により、効率良く被測定電気信号をサンプリ
ングして観測信号を得ることが可能な電気信号観測装置
に関するものである。

【従来の技術】

従来、繰返し高速電気信号はサンプリングオシロスコー
プ（分解能２０〜３０ピコ秒が限度）で、又、単一の高
速電気信号はリアルタイムオシロスコープ（分解能３０
０ピコ秒程度が限度）で測定されているが、測定対象の
高速化に伴い、被測定電気信号を更に高分解能で測定す
る必要が生じてきている。 このような要請を満足するものとして、米国特許４４：
４６４２５号には、電気光学効果を有する非線形光学媒
質（ポッケルスセル）と、偏光子、検光子及び補償器を
組合わせた光変調器を用いて、被測定電気信号を短パル
ス光によりサンプリングして観測信号を得るようにした
電圧測定装置が開示されている。 しかしながら、このような非線形光学媒質を含む光変調
器を用いる場合には、該非線形光学媒質が一般に高価で
あるだけでなく、取扱いが難しい。 又、非線形光学媒質の他に偏光子及び検光子、更に補償
器が必要となるため、光学系が複雑になり、その調整も
複雑で面倒である。更に、非線形光学媒質を用いた光変
調器は、”偏光状態の変化を利用して透過率を変えるだ
けであり、増幅機能を持たないため、入射光を有効に利
用できず、効率が低いため、ＳＮ比が悪い等の問題点を
有していた。

【発明が達成しようとする課題】

本発明は、前記従来の問題点を解消するべくなされたも
ので、構成が簡単であり、且つ、入射光を有効に利用で
きて効率の高い電気信号観測装置を提供することを目的
とする。

【課題を達成するための手段］ 本発明は、被測定信号を光信号でサンプリングして観測
信号を得るようにした電気信号観測装置において、被測
定電気信号より短いパルス幅の短パルス光列を発生する
手段と、被測定電気信号によって制御される可変利得に
より、前記短パルス光列を増幅する光増幅器と、該光増
幅器の出射光を検出して観測信号を得る光検出器と、被
測定電気信号と短パルス光列間の遅延量を変化させる遅
延系と、前記光検出器出力を前記遅延】の関数として表
示する表示装置とを備えることにより、前記目的を達成
したものである。 又、前記短パルス光列を、被測定電気信号を分岐し、タ
イミングをとった後、レーザ装置を用いて発生するよう
にしたものである。 又、前記遅延系を、短パルス光列発生用に分岐された被
測定電気信号の位相をシフトする位相シフト回路とした
ものである。 又、前記光増幅器を、半導体レーザの両端面での反射゛
を抑えた非共据型の進行波型光増幅器としたものである
。 又、前記測定対象が光検出器である場合に、前記短パル
ス光列より分岐した光信号を該被測定光検出器で電気信
号に変換し、該電気信号によって前記光増幅器の利得を
制御するようにして、光検出器の特性を測定可能とした
ものである。 更に、前記分岐された光信号を所定周波数でオンオフさ
せるための光チョップ素子と、前記出射光検出器の出力
のうち、該周波数成分だけを狭帯域で取出すロックイン
増幅器とを備えたものである。 又、前記光増幅器自体を゛、前記光チョップ素子として
も動作させたものである。 又、前記光増幅器を複数並列配置すると共に、各光増幅
器の出射光信号を検出するイメージセンサを設け、複数
の被測定電気信号の同時並列測定を可能としたものであ
る。

【作用及び効果】

本発明は、被測定電気信号を光信号でサンプリングして
観測信号を得る際に、第１図に示す如く、被測定電気信
号より短いパルス幅の短パルス光列を、被測定電気信号
によって利得が制御される光増幅器１０を用いて、増幅
しつつ変調するようにしている。該光増幅器１０の出射
光は、光検出器１２で検出して観測信号とされる。被測
定電気信号と短パルス光列間の遅延量を、遅延系制御回
路１５により遅延系１４（第１図の例では、短パルス光
列を遅延する光遅延系）で変化させることによって、測
定電気信号を短パルス光列でサンプリングして観測信号
を得るようにしている。 今、第２図（Ａ）〜（Ｃ）に示す如く、短パルス光列と
被測定電気信号との間の遅延量が遅延系制御回路１５に
より連続的に変化し、ある時刻でτ１、τ２、τ３であ
るとき、光増幅器１０からの出射短パルス光列強度は、
第２図に示す如く、被測定電気信号とのタイミングに依
存して変化する。従って、積分回路１６を介した光検出
器１２の出力１１、■２、■３は、遅延量τの関数とし
て、第２図（Ｄ）に示したように観測される。即ち、被
測定電気信号を短パルス光列でサンプリングしたものが
、表示装置１６に表示される。ここで、光増幅器１０は
増幅素子であるので、サンプリングする短パルス光列を
増幅して利用できる。 従って、本発明によれば、偏光子や検光子が不要で構成
が簡単であり、装置を安価に構成できると共に、光学系
の調整も簡略である。又、透過率でなく増幅率を変える
ことによって光信号を変調しているので、入射光を有効
に利用でき、効率が高く、ＳＮ比も良い。 前記短パルス光列は、例えば、被測定電気信号を分岐し
、タイミングをとった後、レーザ装置を用いて発生する
ことができ゛る。この場合には、被測定電気信号と短パ
ルス光列のタイミングを合わせるのが容易である。 前記短パルス光列を発生するためのレーザ装置としては
、１０ピコ秒のオーダの短パルス光を発生させる場合に
は、半導体レーザを用いることができる。 又、被測定電気信号を分岐して短パルス光列を発生させ
る際には、この短パルス光列発生用に分岐された被測定
電信号の位相をシフトする位相シフト回路を前記遅延系
として用いることができる。 この場合には、遅延系の構成が簡略である。 入射光を、外部からの電気信号に依存した増幅度で増幅
して、出射することができる前記光増幅器１０としては
、半導体レーザの両端面に反射防止膜を施し、両端面で
の反射を抑えた非共振型の進行波型光増幅器（Ｔｒａｖ
ｅｌｉｎｇ　−Ｗａｖｅ　ｔｙｐｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　
　Ａ　ｍｐｌｉｆｉｅｒ、ＴＷＡ）や、通常の半導体レ
ーザを発振閾値以下にバイアスして光増幅器として用い
るファブリペロ−型光増幅器（Ｆ　ａｂｒｙ　　ｐｅｒ
ｏｔ　ｔｙｐｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ
、　Ｆ　ＰＡ　）や、ファイバ中の誘導ラマン散乱を利
用したファイバラマン増幅器や、ＤＦＢレーザを用いた
もの、注入同期型増幅器等を用いることができるが、光
増幅器の小型化や、制御の容易さから半導体光増幅器が
有利である。 中でもＴＷＡは、電気信号に対する高速応答、高速光信
号の増幅が可能であり、共振器による波長選択性がない
ため、数十ｎｍに渡る広い利得帯域幅（約５０ｎｍ＞を
持ち、増幅器の温度や、入射光の波長が変化しても利得
の変化が小さく、安定した利得が得られるという大きな
利点を有する。又、光増幅器としての重要な基本特性で
ある利得飽和や雑音の面でも優れた特性を持っている。 これに対してＦＰＡは、製作が容易であると共に、両端
面間の多重反射を利用して信号利得を得るため、低注入
電流でも閾値付近で高利得が得易いという利点を有する
。 更に、半導体光増幅器では、その注入電流を変える。こ
とで容易に利得が変えられるため、本発明のように、注
入電流のオシオフにより光スィッチとしても用いること
ができる。 本発明に用いるのに好適なＴＷＡは、例えば第３図に示
すような、Ｖ　Ｉ　ＰＳ　（Ｖ−ｇｒｏｏｖｅｄ　ｌ　
ｎｎｅｒ　５ｔｒｉｐｅ　ｏｎ　　Ｐ　−Ｓ　ｕｂｓｔ
ｒａｔｅ）構造の半導体レーザ４９の両端面に反射防止
膜を施したものとすることができる。 前記ｖｒｐｓｍ造は、第３図に示した如く、１回目の液
相成長で、まずｏ−１ｎＰ基板４９Ａ上に、Ｄ＋　　Ｉ
ｎＰバッファ層４９Ｂ、ｎ−１ｎＰブロックｔｉＪ４９
ｃ、　　ｐ２−１ｎＰブロック層４９Ｄを成長し、５ｔ
Ｏｚストライブマスクを通常のフォトリソ工程で作成し
く１１１）Ｂ而を持つＶ溝をウェットエツチングで形成
する。これに２回目の液相成長で、ｐ−ｒｎＰクラッド
層４９Ｅ。 ｐ型乃至はノンドープＧａ１ｎＡＳＰ活性層４９Ｆ、ｎ
−１１ＩＰクラッド層４９Ｇ、ｎ”　−Ｇａ　ｒｎＡｓ
Ｐコンタクト層４９）−１を順次成長する。このとき、
ＧａＩｎＡｓＰ活性ｆｆ１４９Ｆは■溝の底に形成され
、例えば幅約１．２μｍ、厚み約０゜１０１／ｍに制御
される。その後、電極を形成し、ヘキ開により端面を形
成して作成される。 ＴＷＡは、この半導体レーザ４９の両端面に、例えばＳ
ｉ　０２をターゲットにし、酸素男囲気中で蓋着により
反射防止膜を施すことによって作成される。ＶＩＰＳ構
造の半導体レーザ４９は、活性層への注入効率が高く、
優れた高出力特性が得られるので、これを用いたＴＷＡ
も、高利得で、高飽和出力となる。 このようにして作成されたＴＷＡ５０は、第４図に示す
ような基本構成を有し、該ＴＷＡ５０への入射光強度（
ｉｎが一定である場合には、入力電流値ｉが変化すると
、ＴＷＡ５０からの出射光強度■ｏｕｔは、第５図に示
す如く非線形に変化する。 従って、入射光強度Ｔｉｎが一定である時は、出射光強
度■ｏｕｔを入力電流ｉで制御できることがわかる。 今、簡単のために線形の部分のみを使うと仮定すると（
非線形な部分は補正も可能）、第５図の関係は第６図に
示す如くとなる。従って、第６図に示す範囲では、線形
な増゛幅器として取扱うことができる。 なお、前記ＴＷＡ５０においては、その両端面に反射防
止膜を施すことによって、両端面の反射を抑えていたが
、両端面の反射を抑える構成はこれに限定されず、第７
図に示す如く、両端面をブリュースタ角とすることによ
って、両端面での反射を抑えることも可能である。こめ
場合には、偏光面が規定されるが、そのことを逆に利用
することも考えられる。即ち、偏光面を規定する必要が
ある場合には、そのための偏光子や検光子が不要となる
。 なお、本発明に用いる光増幅器としては、前記ＴＷＡ５
０やＦＰＡの他に、第８図に示す如く、固体レーザ媒質
５２にレーザダイオード５４により励起光を与え、発振
閾値以下にバイアスして共振型の光増幅器としたものや
、第９図に示す如く、固体レーザ媒質５２の両端面の反
射を反射防止膜又はブリュースタ角によって抑え、ＴＷ
Ａと類似の非共振型の光増幅器としたものを用いること
もできる。第８図において、５６は共振鏡である。 なお、前記レーザダイオード５４には、同値付近にする
ため、及び／又は、増幅率を高めるためのバイアス電流
を流してもよく、又、流さなくてもよい。 又、光増幅器１０として、第１０図に示す如く、色素レ
ーザ媒質又は気体レーザ媒質５８に対して、半導体レー
ザ、発光ダイオード又はレーザダイオード又”は各種電
流制御ランプ６ｏを用いて励起光を与えるようにしたも
のを用いることもできる。 又、第１０図において、共振鏡５６を省略したものを用
いることもできる。 更に、光増幅器の他の例として、第１１図に示す如く、
気体レーザ媒質６２を電流−電圧変換器６４を介して電
極６２Ａ間に印加される電圧によって励起するようにし
た、放電を利用したものを用いることもできる。又、第
１１図において、共振鏡５６を省略したものを用いるこ
ともできる。 又、前記光増幅器１０の入１射光学系及び／又は出射光
学系に光ファイバを用いた場合には、光学系の厳密な調
整が不要となると共に、各構成要素の配置の自由度が高
まり、例えば全体を小型化することもできる。 又、前記遅延系を、前記短パルス光列発生手段と光増幅
器の間の光路長を変えられる光遅延系とした場合には、
電気回路の構成が簡略である。 前記光検出器１２としては、例えば、光電子増倍管、マ
ルチチャンネルプレート内蔵型光電子増倍管や：ｐｒＮ
フォトダイオード等の半導体光検出器を用いることがで
きる。 又、測定対象が光検出器である場合には、第１２図に示
す如く、前記短パルス光列より分岐した光信号を光分岐
器２０で分岐し、分岐された光信号を被測定光検出器２
２で電気信号に変換し、該電気信号によって、前記光増
幅器１０の利得を制御するように構成することもできる
。短パルス光列を発生させるレーザ装置としては、例え
ば１００フェムト秒のオーダの短パルス光を発生させる
ＣＰＭリング色素レーザを用いことができる。この場合
には、被測定光検出器２２の特性を簡便に測定できる。 又、第１３図に示す如く、前記分岐された光信号を所定
周波数でオンオフさせるための光チョップ素子３ｏと、
前記出射光検出器１２の出力のうち、該周波数成分だけ
を狭帯域で取出すロックイン増幅器３２とを備えた場合
には、前記効果に加えて、更にＳＮ比を向上させること
ができる。又、光信号の代わりに電気信号をチョップし
ても良い。 前記光チョップ素子３０としては、通常の光チョッパの
他、前記のような光増幅器、電気光学効果を用いた光変
調器、Ｅ−０変調器、更には、光力−シャッタ、液晶シ
ャッタ等を用いることができる。前記光チョップ素子８
０として、電気信号によって利得が可変とされた光増幅
器を用いた場合には、光信号が増幅されるという効果が
ある。 又、前記光増幅器１０自体が、前記光チョップ素子３０
としても動作するようにした場合には、別体の光チョッ
プ素子を設ける必要がなく、構成が簡単である。 又、前記光増幅器１０を複数並列配置すると共に、各光
増幅器１０の出射光信号を検出するイメージセンサを設
けた場合には、複数の被測定電気信号の同時並列測定が
可能となる。

【実施例】

以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明す
る。 本発明の第１実施例は、第１４図に示す如く、被測定電
気信号を分岐するスプリッタ７０と、該スプリッタ７０
で分岐された被測定電気信号のタイミングをとるための
トリが回路７２と、該トリガ回路７２の出力に応じて短
パルスの電気信号を発生する短パルス電気信号発生回路
７４と、該短パルス電気信号発生回路７４で発生された
短パルスの位相をシフトする位相シフト回路７６と、該
位相シフト回路７６の出力に応じて短パルス光列を発生
する半導体レーザ７８と、該半導体レーザ７８で発生さ
れた短パルス光列が入力されると共に、前記スプリッタ
７０で分岐された被測定電気信号の他方が利得制御信号
として入力される、本発明に係るＴＷＡ５０と、該ＴＷ
Ａ５０の出射光を検出する光検出器１２と、該光検出器
１２の出力を積分する積分回路１６と、前記位相シフト
回路７６から入力されるシフト量、即ち遅延量がＸ軸信
号とされ、前記光検出器１２の出力がＹ軸信号として入
力される×Ｙレコーダ８０等の表示装置とから構成され
ている。 以下、第１実施例の作用を説明する。 被測定電気信号は、スプリッタ７ｏで分岐され、トリガ
回路７２でタイミングがとられて、短パルス電気信号発
生回路７４で、被測定電気信号と同期した短パルス電気
信号が作られる。 この短パルス電気信号は、位相シフト回路７６を経て半
導体レーザ７８に入力され、該半導体レーザ７８で被測
定電気信号と同期した短パルス光列に変換される。 なお、この実施例では、半導体レーザ７８に直流バイア
ス電流を加えているが、これは、直流バイアス電流を加
えた方が、より短パルスの光が発生するためである。な
お、測定対象によっては、直流バイアス電流を流す必要
がない場合もある。 半導体レーザ７８で発生された短パルス光列は、分岐さ
れた他方の被測定電気信号により、ＴＷＡ５０で増幅さ
れて出射され、光検出器１２で光電変換される。 被測定電気信号と短パルス光列との間の遅延量は、例え
ば短パルス電気信号発生回路７４と半導体レーザ７８の
間に設置した位相シフト回路７６（トリガ回路７２と短
パルス電気信号発生回路７４の間に設置してもよい）に
より変えられ、光検出器１２の出力は、積分回路１６を
介して、この遅延量の関数として、ＸＹレコーダ８０等
によって記録される。 単位時間当りの位相シフト量が線形で既知であれば、Ｘ
Ｙレコーダ８０の代わりにオシロスコープを用いること
もできる。 本実施例においては、位相シフト回路７６により遅延量
を変えているので、遅延量を容易に変えることができる
。 次に、第１５図を参照して、本発明の第２実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、前出第１３図に示したような、光分岐器２
０と、遅延系１４と、光増幅器１０と、光検出器１２と
を有する電気信号観測装置において、第１５図に示ず如
く、光分岐器２０をビームスプリッタ８２とし、光増幅
器１０をＴＷＡ　５０とし、遅延系１４を光遅延系８４
とすると共に、該光遅延系８４の遅延量を制御するため
の遅延系制御回路８６と、該遅延系制御回路８６出力の
遅延ＩをＸ軸信号とし、前記光検出器１２の出力を積分
回路１６を介してＹ軸信号とするＸＹレコーダ８０とを
設けたものである。 本実施例によれば、被測定光検出器２２の応答時間等を
測定することができる。 なお、本実施例では、被測定光検出器２２の出力をその
ままＴＷＡ５０の利得制御信号としていたが、間に電気
回路８８を入れて波形整形等を行い、被測定光検出器２
２の立上がり時間の測定を可能としてもよい。 又、本実施例では光遅延系８４を用いていたが、電気的
遅延回路を被測定光検出器２２とＴＷＡ　５０の間に設
けて、光学系の構成を簡略化することも可能である。 次に、第１６図を参照して、本発明の第３実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、前記第２実施例に、前出第１３図に示した
ような、周波数をロックインするためのロックイン増幅
器３２と、光チョップ素子３０としての光チョッパ９０
とを組込んだものである。 本実施例においては、前記第２実施例の効果に加えて、
更にＳＮ比が向上する。 本実施例は、第２実施例にロックイン検出を適用したも
のであったが、第１実施例にも同様にロックイン検出が
適用可能である。即ち、この場合には、半導体レーザ７
８とＴＷＡ５０の間、又は、ＴＷＡ５０と光検出器１２
の間に光チョッパを入れる。あるいは、スプリッタ７０
とＴＷＡ５０の間、又は、前記スプリッタ７０からトリ
ガ回路７２、短パルス電気信号発生回路７４、位相シフ
ト回路７６、半導体レーザ７８に至る間のいずれかに電
気的なチョッパを入れ、光検出器１２の出力をロックイ
ン増幅器で検出すればよい。 次に、第１７図を参照して、本発明の第４実施例を詳細
に説明する。 この第４実施例は、第３実施例と同様の電気信号観測装
置において、光チョッパ９０の代わりに、前記ＴＷＡ５
０自体を光チョップ素子としたものである。 本実施例においては、別体の光チョップ素子が不要であ
るため、構成が簡略である。 次に、第１８図を参照して、本発明の第５実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、第３実施例と同様の電気信号観測装置にお
いて、光チョッパ９ｏの代わりに、ＴＷＡ５０とは別体
のＴＷＡ９２を、該ＴＷＡ５０の後方にタンデム配置し
たものである。 本実施例においては、光増幅器としても作動するＴＷＡ
５０．９２がタンデムに２段配置されるので、増幅率が
高められる。 なお、前記ＴＷＡ５０と９２を、その端面において、例
えば接着により一体化して、強度や耐振動性を高めるこ
ともできる。 次に、第１９図を参照して、本発明の第６実施例を詳細
に説明する。 この第６実施例は、前記光増幅器としてのＴＷＡ５０を
複数並列配置し、各ＴＷＡ５０に光ファイバ９４を介し
て短パルス光列を入射するようにすると共に、各ＴＷＡ
５０の光出力を、光ファイバ９６を介してイメージセン
サ９８に入射し、コントローラ１００を介して表示器１
０２上に表示するようにしている。 前記イメージセンサ９８としては、ＣＯＤ等のりニヤセ
ンサを用いることができる。 本実施例においては、複数の被測定電気信号の同時並列
測定が可能となる。又、各ＴＷＡ５０毎に遅延量を変え
ることによって、単一の波形を同時に並列測定すること
も可能となる。更に、分光器で波長成分に分けて各波長
成分毎にＴＷＡ　５０で検出するように構成することも
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の基本的な構成を示すブロック線図、
第２図は、本発明の基本的な作用を説明するための線図
、第３図は、本発明で用いられる光増幅器の一例として
の進行波型光増幅器（ＴＷＡ）を構成する半導体レーザ
の構造の一例を示す断面図、第４図は、前記ＴＷＡの動
作特性を説明するためのブロック線図、第５図及び第６
図は、同じく出射光強度特性の一例を示す線図、第７図
は、前記ＴＷＡの変形例の構成を示す概略図、第８図乃
至第１１図は、前記光増幅器の他の変形例をそれぞれ示
す概略図、第１２図及び第１３図は、それぞれ本発明の
他の基本的な構成を示すブロック線図、第１４図は、本
発明に係る電気信号観測装置の第１実施例の構成を示す
ブロック線図、第１５図は、同じく第２実施例の構成を
示すブロック線図、第１６図は、同じく第３実施例の構
成を示すブロック線図、第１７図は、同じく第４実施例
の構成を示すブロック線図、第１８図は、同じく第５実
施例の構成を示すブロック線図、第１９図は、同じく第
６実施例の構成を示すブロック線図である。 １０・・・光増幅器、 １２・・・光検出器、 １４・・・遅延系、 １５・・・遅延系制御回路、 １６・・・積分回路、 １７・・・表示装置、 ２０・・・光分岐器、 ２２・・・被測定光検出器、 ３０・・・光チョップ素子、 ３２・・・ロックイン増幅器、 ５０．９２・・・進行波型光増幅器（ＴＷＡ’）、７６
・・・位相シフト回路、 ７８・・・半導体レーザ、 ８０・・・ＸＹレコーダ、 ８２・・・ビームスプリッタ、 ８４・・・光遅延系、 ８６・・・遅延系制御回路、 ９０・・・光チョッパ、 ９４．９６・・・光ファイバ、 ９８・・・イメージセンサ。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）被測定電気信号を光信号でサンプリングして観測
   信号を得るようにした電気信号観測装置において、 被測定電気信号より短いパルス幅の短パルス光列を発生
   する手段と、 被測定電気信号によつて制御される可変利得により、前
   記短パルス光列を増幅する光増幅器と、該光増幅器の出
   射光を検出して観測信号を得る光検出器と、 被測定電気信号と短パルス光列間の遅延量を変化させる
   遅延系と、 前記光検出器出力を前記遅延量の関数として表示する表
   示装置と、 を備えたことを特徴とする電気信号観測装置。
2. （２）請求項１に記載の電気信号観測装置において、前
   記短パルス光列が、被測定電気信号を分岐し、タイミン
   グをとつた後、レーザ装置を用いて発生されたものであ
   ることを特徴とする電気信号観測装置。
3. （３）請求項２に記載の電気信号観測装置において、前
   記遅延系が、短パルス光列発生用に分岐された被測定電
   気信号の位相をシフトする位相シフト回路であることを
   特徴とする電気信号観測装置。
4. （４）請求項１に記載の電気信号観測装置において、前
   記光増幅器が、半導体レーザの両端面での反射を抑えた
   非共振型の進行波型光増幅器であることを特徴とする電
   気信号観測装置。
5. （５）請求項１に記載の電気信号観測装置において、測
   定対象が光検出器であり、前記短パルス光列より分岐し
   た光信号を該被測定光検出器で電気信号に変換し、該電
   気信号によつて前記光増幅器の利得を制御するようにし
   たことを特徴とする、光検出器の特性を測定するための
   電気信号観測装置。
6. （６）請求項５に記載の電気信号観測装置において、更
   に、前記分岐された光信号を所定周波数でオンオフさせ
   るための光チョップ素子と、前記出射光検出器の出力の
   うち、該周波数成分だけを狭帯域で取出すロックイン増
   幅器とを備えたことを特徴とする電気信号観測装置。
7. （７）請求項６に記載の電気信号観測装置において、前
   記光増幅器自体が、前記光チョップ素子としても動作す
   ることを特徴とする電気信号観測装置。
8. （８）請求項１に記載の電気信号観測装置において、前
   記光増幅器が複数並列配置されると共に、各光増幅器の
   出射光信号を検出するイメージセンサが設けられ、複数
   の被測定電気信号の同時並列測定が可能とされているこ
   とを特徴とする電気信号観測装置。