JPH01301590A - 酸化物超伝導体単結晶作製方法 - Google Patents
酸化物超伝導体単結晶作製方法Info
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- JPH01301590A JPH01301590A JP63130327A JP13032788A JPH01301590A JP H01301590 A JPH01301590 A JP H01301590A JP 63130327 A JP63130327 A JP 63130327A JP 13032788 A JP13032788 A JP 13032788A JP H01301590 A JPH01301590 A JP H01301590A
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- oxide superconductor
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［！業上の利用分！Ｉ’？ ］
本発明は、酸化物超伝導体の単結晶作製方法に閏するも
のである。
のである。
［従来の技術］
従来、酸化物超伝導体単結晶は白金や金等のるつぼ中で
ＣｕＯやＢａＯをフラックスとし、高温に保持した後冷
却することにより得られていた。従来の方法で得られて
いる酸化物超伝導体の超伝導転移温度（Ｔｃ）は、作製
後、酸素中で約４００〜６００℃の温度下において数日
間以上の熱処理をして始めて９０にとなる。
ＣｕＯやＢａＯをフラックスとし、高温に保持した後冷
却することにより得られていた。従来の方法で得られて
いる酸化物超伝導体の超伝導転移温度（Ｔｃ）は、作製
後、酸素中で約４００〜６００℃の温度下において数日
間以上の熱処理をして始めて９０にとなる。
［発明が解決しようとする課題］
このように、従来の方法は、高価なるつぼや長時間にわ
たる熱処理が必要であるという欠点があった。
たる熱処理が必要であるという欠点があった。
本発明の目的は、良好な酸化物超伝導体単結晶を簡易に
製造する方法を提供することにある。
製造する方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
このような目的を達成するために、木発明はペロブスカ
イト構造を持つＹおよびランタノイド系酸化物超伝導体
Ｊ１１結品の作成方法において、酸化物超伝導体を構成
する元素を少なくとも一種類含む酸化物と、酸化物超伝
導体を構成する元素を少なくとも一種類含む酸化物の一
部をふっ素化をした化合物との混合体を加熱し、該混合
体中にＡ１結晶を成長させることを４５ ｂ５ｔとする
。
イト構造を持つＹおよびランタノイド系酸化物超伝導体
Ｊ１１結品の作成方法において、酸化物超伝導体を構成
する元素を少なくとも一種類含む酸化物と、酸化物超伝
導体を構成する元素を少なくとも一種類含む酸化物の一
部をふっ素化をした化合物との混合体を加熱し、該混合
体中にＡ１結晶を成長させることを４５ ｂ５ｔとする
。
さらに本発明はペロブスカイト構造を持つＹおよびラン
タノイド系酸化物超伝ミダ体！１１結晶の作成方法にお
いて、目的とする単結晶の組成と実質的に同一の組成の
酸化物と、該酸化物と組成比の異なる第２の酸化物と該
第２の酸化物の一部をふっ素化した化合物の混合物から
なる共存体を作製し、該共存体を加熱後冷却して該共存
体中に単結晶を成長させることを特徴とする。
タノイド系酸化物超伝ミダ体！１１結晶の作成方法にお
いて、目的とする単結晶の組成と実質的に同一の組成の
酸化物と、該酸化物と組成比の異なる第２の酸化物と該
第２の酸化物の一部をふっ素化した化合物の混合物から
なる共存体を作製し、該共存体を加熱後冷却して該共存
体中に単結晶を成長させることを特徴とする。
［作 用］
木発明は、酸化物超伝導体を構成する元素を少なくとも
一種類含む酸化物と酸化物超伝導体を構成する元素を少
なくとも一種類含む酸化物の一部をふっ素化をした化合
物との混合体が、酸化物超伝導体単結晶の融点より低い
温度で部分融解する特徴を利用する。本発明においては
、この部分融解成分がフラックスの役’！ｒ３１をし、
圧粉体自身が形を保持し、るつぼとしての役割を果たし
、内部に酸化物超伝導体単結晶を成長させる。
一種類含む酸化物と酸化物超伝導体を構成する元素を少
なくとも一種類含む酸化物の一部をふっ素化をした化合
物との混合体が、酸化物超伝導体単結晶の融点より低い
温度で部分融解する特徴を利用する。本発明においては
、この部分融解成分がフラックスの役’！ｒ３１をし、
圧粉体自身が形を保持し、るつぼとしての役割を果たし
、内部に酸化物超伝導体単結晶を成長させる。
酸化物超伝導体単結晶作製工程は、原料の作製工程と単
結晶形成用の圧粉体を作製する工程と、この圧粉体を酸
素雰囲気中の電気炉の中で焼成する工程とを含む。この
工程において必要なものは、原料粉等を混合する混合機
、試料を置くボートとしてのアルミナ等の市販のセラミ
ック板と。
結晶形成用の圧粉体を作製する工程と、この圧粉体を酸
素雰囲気中の電気炉の中で焼成する工程とを含む。この
工程において必要なものは、原料粉等を混合する混合機
、試料を置くボートとしてのアルミナ等の市販のセラミ
ック板と。
一般に用いられているガスを流すことができ温度を制御
できる管状炉とがあればよい。このように、酸化物超伝
導体を作製するための一般的な装置だけあればよく、高
価なるつぼを必要としない。さらに、るつぼを使用しな
いことから成長した単結晶への酸素拡ｆｆｋの障害がな
くなり、−工程で酸素を十分に単ｌに晶へ与えることが
でき、再度長時間にわたる酸素中における熱処理をする
必要がない。
できる管状炉とがあればよい。このように、酸化物超伝
導体を作製するための一般的な装置だけあればよく、高
価なるつぼを必要としない。さらに、るつぼを使用しな
いことから成長した単結晶への酸素拡ｆｆｋの障害がな
くなり、−工程で酸素を十分に単ｌに晶へ与えることが
でき、再度長時間にわたる酸素中における熱処理をする
必要がない。
［実施例］
以下に木発明の実施例を詳細に説明する。
実施例１
酸化物超伝導体を構成する元素を少なくとも一種類含む
酸化物としてＹ Ｂ ａ ２ Ｃｕ 、 ＯＸおよびＹ
Ｉｔ ａ 、Ｃｕ 、Ｏ、を、Ｙ２Ｏ，、Ｂａ（：０
３．ＣｕＯの粉体をそれぞれの化学当量に配合した後混
合し、酸素雰囲気中最高温度９５０℃で熱処理して作製
し、らいかい機で粉砕し、それぞれの酸化物の粉末を得
た。酸化物超伝導体を４１′４成する元素を少なくとも
一種類含む酸化物の一部をふり素化をした化合物として
Ｙｔｌａ、、ＣｕｇＦｗＯｚを、Ｙ２Ｏ３，ｎａＦ、Ｃ
ｕＯの粉体を化学当量に配合した後混合し、空気中最高
温度９５０℃で熱処理して作製し、らいかい機で粉砕し
粉末を得た。このようにして作製したＹｔｌａ、Ｃｕ９
０．とＹｌｌａ８Ｃｕ９ＦｗＯ□とを同重量の割合てら
いかい機を用い混合し混合体を作製した。
酸化物としてＹ Ｂ ａ ２ Ｃｕ 、 ＯＸおよびＹ
Ｉｔ ａ 、Ｃｕ 、Ｏ、を、Ｙ２Ｏ，、Ｂａ（：０
３．ＣｕＯの粉体をそれぞれの化学当量に配合した後混
合し、酸素雰囲気中最高温度９５０℃で熱処理して作製
し、らいかい機で粉砕し、それぞれの酸化物の粉末を得
た。酸化物超伝導体を４１′４成する元素を少なくとも
一種類含む酸化物の一部をふり素化をした化合物として
Ｙｔｌａ、、ＣｕｇＦｗＯｚを、Ｙ２Ｏ３，ｎａＦ、Ｃ
ｕＯの粉体を化学当量に配合した後混合し、空気中最高
温度９５０℃で熱処理して作製し、らいかい機で粉砕し
粉末を得た。このようにして作製したＹｔｌａ、Ｃｕ９
０．とＹｌｌａ８Ｃｕ９ＦｗＯ□とを同重量の割合てら
いかい機を用い混合し混合体を作製した。
第１図にＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ，、ＹＢａ６（：ｕｇＦｗ０
２ 、およびこれらを同ｆｆｌ量で配合した混合体の酸
素雰囲気中におけるＴＧ（重量−温度）曲線およびＤＴ
＾ （示差熱温度）曲線を示す。曲線Ａで示ずＹ［１ａ
ａＣｕｏＯ，は１０３８℃に重量減少を伴う吸熱反応ピ
ークを持ち、この温度付近で融解する。曲線Ｂ、で示ず
ＹＢａａＣｕｏＯ，は１０９３℃にｆｆｉ量減少を伴う
吸熱反応ピークを持ち、この温度付近で融解する。曲線
Ｃで示す混合体には、これらのピーク温度より低い温度
領域に新たに２つの重量減少を伴う吸熱ピークが生ずる
。９４５℃の吸熱ピークは試料の変形がみられないが、
９６９℃の吸熱ピークにおいては試料より少量の溶融
物が出るのが観察された。９６９℃が、この混合体の初
めの融解ピーク温度である。
２ 、およびこれらを同ｆｆｌ量で配合した混合体の酸
素雰囲気中におけるＴＧ（重量−温度）曲線およびＤＴ
＾ （示差熱温度）曲線を示す。曲線Ａで示ずＹ［１ａ
ａＣｕｏＯ，は１０３８℃に重量減少を伴う吸熱反応ピ
ークを持ち、この温度付近で融解する。曲線Ｂ、で示ず
ＹＢａａＣｕｏＯ，は１０９３℃にｆｆｉ量減少を伴う
吸熱反応ピークを持ち、この温度付近で融解する。曲線
Ｃで示す混合体には、これらのピーク温度より低い温度
領域に新たに２つの重量減少を伴う吸熱ピークが生ずる
。９４５℃の吸熱ピークは試料の変形がみられないが、
９６９℃の吸熱ピークにおいては試料より少量の溶融
物が出るのが観察された。９６９℃が、この混合体の初
めの融解ピーク温度である。
混合体は、出発原料より低い温度で分解および部分融解
する。
する。
第２図にＡ１結晶作製のための圧粉体の構成を示す。Ｙ
Ｂａ２Ｃｕ３０Ｘ（図中１で示す） ｔ、ｓｇと混合体
（図中２で示す） ３．０ｇとを交互に重ね、第２図に
示ずＪ：つな径２６ｍｍの圧粉体を作製した。この圧粉
体をアルミナ板３上に１在き、酸素を流ずことができか
つ温度ｊｌ（制御可能な、アルミナの炉芯管を用いた管
状の電気炉中に首いた。酸素を流し、室温からゆっくり
とＲ温し最高温度（９５５℃、９６０℃、９７０℃）に
した後２０時間保持し、ゆっくり降温して４を結晶作製
熱処理を行った。 ９５５℃、９６０℃、９７０℃の何
れの場合においても第３図に示すように、圧粉体内部に
生じた空胴４内に板状のＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘの単結晶５
が成長した。この単結晶の、電気抵抗の温度依存性を第
４図に示す。得られた単結晶は超伝導の転移の中心が９
１．５にで転移幅が１に以下と、酸素中の後熱処理なし
で急峻な超伝導転移を示した。
Ｂａ２Ｃｕ３０Ｘ（図中１で示す） ｔ、ｓｇと混合体
（図中２で示す） ３．０ｇとを交互に重ね、第２図に
示ずＪ：つな径２６ｍｍの圧粉体を作製した。この圧粉
体をアルミナ板３上に１在き、酸素を流ずことができか
つ温度ｊｌ（制御可能な、アルミナの炉芯管を用いた管
状の電気炉中に首いた。酸素を流し、室温からゆっくり
とＲ温し最高温度（９５５℃、９６０℃、９７０℃）に
した後２０時間保持し、ゆっくり降温して４を結晶作製
熱処理を行った。 ９５５℃、９６０℃、９７０℃の何
れの場合においても第３図に示すように、圧粉体内部に
生じた空胴４内に板状のＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘの単結晶５
が成長した。この単結晶の、電気抵抗の温度依存性を第
４図に示す。得られた単結晶は超伝導の転移の中心が９
１．５にで転移幅が１に以下と、酸素中の後熱処理なし
で急峻な超伝導転移を示した。
比較例１
実施例１の第２図に示しである圧粉体を最高温度９４５
℃、９８０℃と最高温度のみ変えて、実施例１と同様な
単結晶作製実験を行った。９４５℃では圧粉体は変形せ
ず、 ９８０℃では空胴は生じたが内部に単結晶は成長
していなかった。
℃、９８０℃と最高温度のみ変えて、実施例１と同様な
単結晶作製実験を行った。９４５℃では圧粉体は変形せ
ず、 ９８０℃では空胴は生じたが内部に単結晶は成長
していなかった。
実施例１．比較例１との結果から、単結晶が得らえる温
度範囲は酸素雰囲気中における初めの融解ピーク温度を
中心として一り０℃〜÷ｌθ℃の範囲である。
度範囲は酸素雰囲気中における初めの融解ピーク温度を
中心として一り０℃〜÷ｌθ℃の範囲である。
比較例２
実施例１の第２図に示しである圧粉体を最高温度９６０
℃で加熱し、雰囲気を酸素からアルゴンに変えて、実施
例１と同様な単結晶作製実験を行った。その結果、単結
晶は得られなかった。
℃で加熱し、雰囲気を酸素からアルゴンに変えて、実施
例１と同様な単結晶作製実験を行った。その結果、単結
晶は得られなかった。
夫五■ユ
実施例１に記載しであるＹ［１ａａＣｕ９０．とＹＢａ
２ＣｕＪｗＯ□とを同ｍＮの割合てらいかい機を用い混
合し、得られた混合体を用いて径２６＋ｎｍの圧粉体を
作製した。最高温度を９６０℃とし、実施例１と同様な
Ａ１結晶作製実験を行った。圧粉体内部に生じた空Ｊｌ
ｌｉ内に板状のＹ［１ａ２Ｃｕ３０ｙの単結晶が成長し
た。実施例１に比べて、空胴内に成長した４１結晶の数
は少なかったが、単結晶としての特性は変わらなかった
。
２ＣｕＪｗＯ□とを同ｍＮの割合てらいかい機を用い混
合し、得られた混合体を用いて径２６＋ｎｍの圧粉体を
作製した。最高温度を９６０℃とし、実施例１と同様な
Ａ１結晶作製実験を行った。圧粉体内部に生じた空Ｊｌ
ｌｉ内に板状のＹ［１ａ２Ｃｕ３０ｙの単結晶が成長し
た。実施例１に比べて、空胴内に成長した４１結晶の数
は少なかったが、単結晶としての特性は変わらなかった
。
実施例３
実施例１に記載しであるＹＢａ、Ｃｕ９０．とＹ１１ａ
６ＣｕｇＦｗＯ□とを同重量の割合でらいかい機を用い
混合し、混合体中にＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ粉末を分散させ
て径２［ｉｍｍの圧粉体を作製し、最高温度９６０℃と
し、実施例１と同様な単結晶作製実験を行った。
６ＣｕｇＦｗＯ□とを同重量の割合でらいかい機を用い
混合し、混合体中にＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ粉末を分散させ
て径２［ｉｍｍの圧粉体を作製し、最高温度９６０℃と
し、実施例１と同様な単結晶作製実験を行った。
圧粉体内部に生じた空胴内に板状のＹＢａ２Ｃｕ３後記
の１１１−結晶が成長した。実施例１に比べて、単結晶
としての特性は変わらなかった。
の１１１−結晶が成長した。実施例１に比べて、単結晶
としての特性は変わらなかった。
犬殿狙１
基板としてアルミナ板に代えてＳｒＴｉＯ３結晶板を用
い、実施例３と同様なＪ１ｉ結晶作製実験を行った。圧
粉体内部に生じた空１洞内に板状のＹＢａ２Ｃｕ３０ｘ
の単結晶が成長すると共に５ｒＴｉＯ，結晶板にＹ［１
ａ２Ｃｕ、０．（の単結晶が成長した。実施例１に比べ
て、単結晶としての特性は変わらなかった。
い、実施例３と同様なＪ１ｉ結晶作製実験を行った。圧
粉体内部に生じた空１洞内に板状のＹＢａ２Ｃｕ３０ｘ
の単結晶が成長すると共に５ｒＴｉＯ，結晶板にＹ［１
ａ２Ｃｕ、０．（の単結晶が成長した。実施例１に比べ
て、単結晶としての特性は変わらなかった。
実施例５
Ｙ［ｌａ、Ｃｕ５０にとＹＢａ４Ｃｕ５ＦＬＯｍとの混
合体を実施例１におけるＹ［ｌａ、Ｃｕ、Ｏ，とＹＢａ
ａＣｕ、、Ｆｗ０２との混合体を作製する手順と同様の
手順で作製した。
合体を実施例１におけるＹ［ｌａ、Ｃｕ、Ｏ，とＹＢａ
ａＣｕ、、Ｆｗ０２との混合体を作製する手順と同様の
手順で作製した。
ＹＢａ２Ｃｕ３ＯｘとＹＢａ４Ｃｕ５Ｆｊｏｍとの混合
体の初めの融解ピーク温度は９６８℃であり、ＹＢａ６
ＣｕＪ、とＹＯａ、Ｃｕ３ＰｗＯ□の混合体の融解ピー
ク温度とほぼ同じであった。Ｙ［１ａ４Ｃｕ５０１とＹ
［１ａ４（：ｕｓＦｘｏ＋ｓとの混合体３．０ｇとＹ［
ｌａ、Ｃｕ、０．１．５ｇとを交互に重ね、第２図に示
したと同様に径２６ｍｍの圧粉体を作製した。最高温度
を９６０℃とし、実施例１と同様な単結晶作製実験を行
った。圧粉体内部に生じた空調内に板状のＹＢａ２Ｃｕ
３Ｏｘの単結晶が成長した。実施例１に比べて、単結晶
としての特性は変わらなか）た。
体の初めの融解ピーク温度は９６８℃であり、ＹＢａ６
ＣｕＪ、とＹＯａ、Ｃｕ３ＰｗＯ□の混合体の融解ピー
ク温度とほぼ同じであった。Ｙ［１ａ４Ｃｕ５０１とＹ
［１ａ４（：ｕｓＦｘｏ＋ｓとの混合体３．０ｇとＹ［
ｌａ、Ｃｕ、０．１．５ｇとを交互に重ね、第２図に示
したと同様に径２６ｍｍの圧粉体を作製した。最高温度
を９６０℃とし、実施例１と同様な単結晶作製実験を行
った。圧粉体内部に生じた空調内に板状のＹＢａ２Ｃｕ
３Ｏｘの単結晶が成長した。実施例１に比べて、単結晶
としての特性は変わらなか）た。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は、酸素雰囲気中の電気炉
中で圧粉体を熱処理することにより、簡単に酸化物超伝
導体単結晶作製できる利点がある。Ａ１結晶が簡単にで
きるようになると、酸化物超伝導体単結晶を用いた５Ｑ
ＩＤ等の素子の開発が可能となる。
中で圧粉体を熱処理することにより、簡単に酸化物超伝
導体単結晶作製できる利点がある。Ａ１結晶が簡単にで
きるようになると、酸化物超伝導体単結晶を用いた５Ｑ
ＩＤ等の素子の開発が可能となる。
第１図はＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ 、 Ｙ［ｌａａＣｕ９Ｆ
ｗＯｚ 、および、これらを四重ｉπＱ配合した混合体
の酸素雰囲気中におりるＴＧおよびＤＴ八へ線を示す特
性図、第２図は本発明実施例における圧粉体の構成を示
す模式図、 第３図は本発明実施例における酸化物超伝導体単結晶の
成長状態を示す模式図、 第４図は実施例１において得られたＹ Ｉｆ ａ ２
［： ｕ ３０ Ｘ単結晶の電気抵抗の温度依存性を示
す特性図である。 １ −Ｙ［１ａｔＣｕ３０ｘ 層、 ２− ＹＩｌａａＣｕ９０ｙとＹＢａａＣｕｅＦｗＯｚ
を同重量で配合した混合体層、 ３・・・アルミナ板、 ４・・・空胴、 ５−ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ 、ｑＬ結晶。
ｗＯｚ 、および、これらを四重ｉπＱ配合した混合体
の酸素雰囲気中におりるＴＧおよびＤＴ八へ線を示す特
性図、第２図は本発明実施例における圧粉体の構成を示
す模式図、 第３図は本発明実施例における酸化物超伝導体単結晶の
成長状態を示す模式図、 第４図は実施例１において得られたＹ Ｉｆ ａ ２
［： ｕ ３０ Ｘ単結晶の電気抵抗の温度依存性を示
す特性図である。 １ −Ｙ［１ａｔＣｕ３０ｘ 層、 ２− ＹＩｌａａＣｕ９０ｙとＹＢａａＣｕｅＦｗＯｚ
を同重量で配合した混合体層、 ３・・・アルミナ板、 ４・・・空胴、 ５−ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ 、ｑＬ結晶。
Claims (2)
- （１）ペロブスカイト構造を持つＹおよびランタノイド
系酸化物超伝導体単結晶の作成方法において、酸化物超
伝導体を構成する元素を少なくとも一種類含む酸化物と
、酸化物超伝導体を構成する元素を少なくとも一種類含
む酸化物の一部をふっ素化をした化合物との混合体を加
熱し、該混合体中に単結晶を成長させることを特徴とす
る酸化物超伝導体単結晶作製方法。 - （２）ペロブスカイト構造を持つＹおよびランタノイド
系酸化物超伝導体単結晶の作成方法において、目的とす
る単結晶の組成と実質的に同一の組成の酸化物と、該酸
化物と組成比の異なる第２の酸化物と該第２の酸化物の
一部をふっ素化した化合物の混合物からなる共存体を作
製し、該共存体を加熱後冷却して該共存体中に単結晶を
成長させることを特徴とする酸化物超伝導体単結晶の作
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63130327A JPH01301590A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 酸化物超伝導体単結晶作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63130327A JPH01301590A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 酸化物超伝導体単結晶作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01301590A true JPH01301590A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15031702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63130327A Pending JPH01301590A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 酸化物超伝導体単結晶作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01301590A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602344B2 (en) | 2000-06-21 | 2003-08-05 | Seiko Epson Corporation | Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP63130327A patent/JPH01301590A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602344B2 (en) | 2000-06-21 | 2003-08-05 | Seiko Epson Corporation | Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device |
| US7138013B2 (en) | 2000-06-21 | 2006-11-21 | Seiko Epson Corporation | Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device |
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