JPH01302168A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
- Publication number
- JPH01302168A JPH01302168A JP13309388A JP13309388A JPH01302168A JP H01302168 A JPH01302168 A JP H01302168A JP 13309388 A JP13309388 A JP 13309388A JP 13309388 A JP13309388 A JP 13309388A JP H01302168 A JPH01302168 A JP H01302168A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acceleration sensor
- wafer
- response
- frequency
- buffer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体支持ばシを用いたピエゾ抵抗による
半導体加速度センサに関し、特に支持ば９の溝部での破
損防止手段にかかわる。
半導体加速度センサに関し、特に支持ば９の溝部での破
損防止手段にかかわる。
第４図は例えば特開昭６２−２２１１６４号公報に示さ
れた従来の半導体加速度センサを示す要部正面図である
。図において、１はシリコンからなる片持ばシで、固定
端部近くの裏面部に溝部１ａが設けられ、上部が局部的
に薄肉部１ｂにされ、センナ感度を高めている。この薄
肉部１ｂ表面部には熱拡散、イオン注入などによりａ故
のピエゾ抵抗２が設けられていて、ブリッジ回路に構成
されている。片持は＃）１の自由端側には重９３が接合
され、固定端には台座４が接合されパッケージ（図示は
略す）内に接着される。
れた従来の半導体加速度センサを示す要部正面図である
。図において、１はシリコンからなる片持ばシで、固定
端部近くの裏面部に溝部１ａが設けられ、上部が局部的
に薄肉部１ｂにされ、センナ感度を高めている。この薄
肉部１ｂ表面部には熱拡散、イオン注入などによりａ故
のピエゾ抵抗２が設けられていて、ブリッジ回路に構成
されている。片持は＃）１の自由端側には重９３が接合
され、固定端には台座４が接合されパッケージ（図示は
略す）内に接着される。
上記従来の半導体加速度センナにおいて、その感度向上
のため、片持ばシ１には溝部１ａが設けられておシ、ま
た、ゲインの周波数特性は、共振を生じる周波数におい
てピークを示し、非常に高いゲインとなる。
のため、片持ばシ１には溝部１ａが設けられておシ、ま
た、ゲインの周波数特性は、共振を生じる周波数におい
てピークを示し、非常に高いゲインとなる。
上記のような従来の半導体加速度センサでは、片持ばシ
１は共振を生じる周波数において筒いゲインとなシ、薄
肉部１ｂが破損するおそれがあるという問題点があった
。
１は共振を生じる周波数において筒いゲインとなシ、薄
肉部１ｂが破損するおそれがあるという問題点があった
。
この発明はこのような問題点を解決するためになされた
もので、片持又は両持はシが共振を生じる周波数におい
てゲインが低下式れ、破損を防止し九半導体加速度セン
サを得ることを目的としている。
もので、片持又は両持はシが共振を生じる周波数におい
てゲインが低下式れ、破損を防止し九半導体加速度セン
サを得ることを目的としている。
この発明にかかる半導体加速度センサは、半導体支持ば
りの固定端部近くの裏面部に形成された溝部に、柔軟性
の緩衝剤を充てん付着したものである。
りの固定端部近くの裏面部に形成された溝部に、柔軟性
の緩衝剤を充てん付着したものである。
この発明においては、半導体支持ばりの溝部には柔軟性
の緩衝剤が充てんされておシ、共振を生じる周波数にお
いて、ゲインが低下されて破損が防止でれ、また、低周
波領域の応答低下を招くことはない。
の緩衝剤が充てんされておシ、共振を生じる周波数にお
いて、ゲインが低下されて破損が防止でれ、また、低周
波領域の応答低下を招くことはない。
第１図はこの発明による半導体加速度センサの一実施例
を示す要部正面図であシ、１．ｌａ、ｌｂ、２〜４は上
記従来装置と同一であシ、説明は略す親片持ばシ１の溝
部１ａには、例えばシリコングル。
を示す要部正面図であシ、１．ｌａ、ｌｂ、２〜４は上
記従来装置と同一であシ、説明は略す親片持ばシ１の溝
部１ａには、例えばシリコングル。
シリコンゴムなどからなる柔軟性の緩衝剤１６が充てん
付着されている。
付着されている。
このように構成された片持ばυ１による加速度センサは
、次のようにして製造する。第２図及び第３図にウェー
ハの平面図及び正面断面図で示すように、シリコンから
なるウェーハ１１に多数のはり素子部ＩＡに、それぞれ
薄肉部となる位置の表面部に熱拡散などによシ複数宛の
ピエゾ抵抗を形成しブリッジ回路を構成する。このウエ
ーノ・１１の裏面に、各はシ素子部ＩＡに幅方向に連通
して溝部１ａをエツチングによｐ形成する。次にこれら
の溝部ｌａ内に、シリコンゲルやシリコンゴムなど柔軟
性の緩衝剤１３を充てん付着する。つづいて、ウェーハ
１１の表面に各はυ素子部ＩＡ間に分割用切込み線ユ４
を入れる。このように処理式れたウェーハ１１を分割手
段によシ各切込み線１４に沿い多数の片持ばシ１に分割
する。こうして、１１ｇ１図に実線で示す半導体加速度
センサが得られる０ 上記片持ば９１の溝部１ａ内の緩衝剤１３によシ、加速
度センサの共振時の応答ゲインは低下し、破損が防止さ
れる。しかし、周波数Ｏ及びこれに近い低周波ｆＲｖＣ
では応答低下を招くことはない。
、次のようにして製造する。第２図及び第３図にウェー
ハの平面図及び正面断面図で示すように、シリコンから
なるウェーハ１１に多数のはり素子部ＩＡに、それぞれ
薄肉部となる位置の表面部に熱拡散などによシ複数宛の
ピエゾ抵抗を形成しブリッジ回路を構成する。このウエ
ーノ・１１の裏面に、各はシ素子部ＩＡに幅方向に連通
して溝部１ａをエツチングによｐ形成する。次にこれら
の溝部ｌａ内に、シリコンゲルやシリコンゴムなど柔軟
性の緩衝剤１３を充てん付着する。つづいて、ウェーハ
１１の表面に各はυ素子部ＩＡ間に分割用切込み線ユ４
を入れる。このように処理式れたウェーハ１１を分割手
段によシ各切込み線１４に沿い多数の片持ばシ１に分割
する。こうして、１１ｇ１図に実線で示す半導体加速度
センサが得られる０ 上記片持ば９１の溝部１ａ内の緩衝剤１３によシ、加速
度センサの共振時の応答ゲインは低下し、破損が防止さ
れる。しかし、周波数Ｏ及びこれに近い低周波ｆＲｖＣ
では応答低下を招くことはない。
なお、上記実施例では、半導体加速度センサとして、片
持ばシ１の場合を示し九が、両固定端部近くにそれぞれ
溝部を形成し、上面中央部に重シを接合した両持ばりの
湯釜にも適用できるものである。
持ばシ１の場合を示し九が、両固定端部近くにそれぞれ
溝部を形成し、上面中央部に重シを接合した両持ばりの
湯釜にも適用できるものである。
以上のように、この発明によれば、半導体支持ばりの固
定端部近くの裏面部に形成した溝部に、柔軟性の緩衝剤
を充てん付着したので、共振周波数でのゲインが低下さ
れ破損が防止され、しかも周波数０及びこれに近い低周
波領域の応答低下を招くことはない。
定端部近くの裏面部に形成した溝部に、柔軟性の緩衝剤
を充てん付着したので、共振周波数でのゲインが低下さ
れ破損が防止され、しかも周波数０及びこれに近い低周
波領域の応答低下を招くことはない。
第１図はこの発明による半導体加速度センサの一実施例
を示す要部正面図、第２図及び第３図は第１図の片持ば
夛を多数個製造する過程を示すウェーハの平面図及び正
面断面図、第４図は従来の半導体加速度センサの要部正
面図である。 １・・・半導体支持ばシ（片持はシ）、１ａ・・・溝部
、１ｂ・・・薄肉部、２・・・ピエゾ抵抗、３・・・重
シ、１３・・・緩衝剤 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
を示す要部正面図、第２図及び第３図は第１図の片持ば
夛を多数個製造する過程を示すウェーハの平面図及び正
面断面図、第４図は従来の半導体加速度センサの要部正
面図である。 １・・・半導体支持ばシ（片持はシ）、１ａ・・・溝部
、１ｂ・・・薄肉部、２・・・ピエゾ抵抗、３・・・重
シ、１３・・・緩衝剤 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体支持ばりの固定端近くの裏面部に溝部が形成さ
れて上部が薄肉部にされ、この薄肉部の表面部に複数の
ピエゾ抵抗が形成されブリツジ回路に構成された半導体
加速度センサにおいて、上記溝部に柔軟性の緩衝剤を充
てん付着したことを特徴とする半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13309388A JPH01302168A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13309388A JPH01302168A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302168A true JPH01302168A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15096683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13309388A Pending JPH01302168A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01302168A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH045573A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-09 | Nec Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP13309388A patent/JPH01302168A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH045573A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-09 | Nec Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
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