JPH01306820A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH01306820A JPH01306820A JP63135474A JP13547488A JPH01306820A JP H01306820 A JPH01306820 A JP H01306820A JP 63135474 A JP63135474 A JP 63135474A JP 13547488 A JP13547488 A JP 13547488A JP H01306820 A JPH01306820 A JP H01306820A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、走査信号線と映
像信号線との交差部分に画素が配列された液晶表示装置
に適用して有効な技術に関するものである。
像信号線との交差部分に画素が配列された液晶表示装置
に適用して有効な技術に関するものである。
液晶表示部の各画素の表示を薄膜トランジスタ(TPT
)で制御するアクティブ・マトリックス方式の液晶表示
装置が知られている。この液晶表示装置は下部透明ガラ
ス基板と上部透明ガラス基板との間の空間に液晶を封入
している。下部透明ガラス基板の内側(液晶側)の表面
には、透明画素電極とそれに印加される電圧を制御する
薄膜トランジスタからなる画素が設けられている。上部
透明ガラス基板の内側(液晶側)の表面には、前記透明
画素電極と対向する共通透明画素電極が設けられている
。
)で制御するアクティブ・マトリックス方式の液晶表示
装置が知られている。この液晶表示装置は下部透明ガラ
ス基板と上部透明ガラス基板との間の空間に液晶を封入
している。下部透明ガラス基板の内側(液晶側)の表面
には、透明画素電極とそれに印加される電圧を制御する
薄膜トランジスタからなる画素が設けられている。上部
透明ガラス基板の内側(液晶側)の表面には、前記透明
画素電極と対向する共通透明画素電極が設けられている
。
前記各画素は列方向に延在する2本の走査信号線と行方
向に延在する2本の映像信号線とで囲まれた領域内に配
置されている。各画素の薄膜トランジスタのゲート電極
は2本の走査信号線のうちの1本に接続されている。各
画素の薄膜トランジスタのドレイン電極(又はソース電
極)は2本の映像信号線のうちの1体に接続されている
。薄膜トランジスタのソース電極(又はドレイン電極)
は前記透明画素電極に接続されている。
向に延在する2本の映像信号線とで囲まれた領域内に配
置されている。各画素の薄膜トランジスタのゲート電極
は2本の走査信号線のうちの1本に接続されている。各
画素の薄膜トランジスタのドレイン電極(又はソース電
極)は2本の映像信号線のうちの1体に接続されている
。薄膜トランジスタのソース電極(又はドレイン電極)
は前記透明画素電極に接続されている。
なお、液晶表示装置については、例えば特願昭62−1
44913号に記載されている。
44913号に記載されている。
本発明者は、液晶表示装置の開発中に、走査信号線(場
合によっては映像信号線)或はその近傍が点灯して所謂
光漏れを生じるので、コントラスト等の映像特性が劣化
するという問題点を見出した。
合によっては映像信号線)或はその近傍が点灯して所謂
光漏れを生じるので、コントラスト等の映像特性が劣化
するという問題点を見出した。
本発明者は、共通透明画素電極に印加される電位(コモ
ン電位)の設定によっては共通透明画素電極と走査信号
線との間に約5!−20[V]径程度直流電圧成分が加
わるので、両者電極間に生じる電界で液晶(ネガタイプ
)が駆動されることが原因であると考察している。
ン電位)の設定によっては共通透明画素電極と走査信号
線との間に約5!−20[V]径程度直流電圧成分が加
わるので、両者電極間に生じる電界で液晶(ネガタイプ
)が駆動されることが原因であると考察している。
また、本発明者は、共通透明画素電極と走査信号線との
間に加わる直流電圧成分によって、配向不良等、液晶の
寿命を劣化さ□せるという問題点を見出した。
間に加わる直流電圧成分によって、配向不良等、液晶の
寿命を劣化さ□せるという問題点を見出した。
本発明の目的は、液晶表示装置において、映像特性を向
上すると共に、液晶の寿命を向上することが可能な技術
を提供することにある。
上すると共に、液晶の寿命を向上することが可能な技術
を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記目的を達成するための製造工
程数を低減することが可能な技術を提供することにある
。
程数を低減することが可能な技術を提供することにある
。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち1代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
液晶表示装置において、走査信号線又は映像信号線と液
晶との間に遮光用導体膜を設け、この遮光用導体膜と共
通透明画素電極とを電気的に接続する。
晶との間に遮光用導体膜を設け、この遮光用導体膜と共
通透明画素電極とを電気的に接続する。
また、前記遮光用導体膜は、画素の薄膜トランジスタの
チャネル形成領域上に設けられた遮光膜と同一製造工程
で形成する。
チャネル形成領域上に設けられた遮光膜と同一製造工程
で形成する。
また、前記遮光用導体膜、前記遮光膜の夫々は電気的に
分離させる。
分離させる。
上述した手段によれば、走査信号線又は映像信号線部分
の光漏れを低減したので、映像特性を向上することがで
きると共に、走査信号線又は映像信号線と共通透明画素
電極との間の液晶に加わる直流電圧成分を低減したので
、液晶の寿命を向上することができる。
の光漏れを低減したので、映像特性を向上することがで
きると共に、走査信号線又は映像信号線と共通透明画素
電極との間の液晶に加わる直流電圧成分を低減したので
、液晶の寿命を向上することができる。
また、前記遮光膜を形成する工程で遮光用導体膜を形成
することができるので、遮光用導体膜を形成する工程に
相当する分、製造工程数を低減することができる。
することができるので、遮光用導体膜を形成する工程に
相当する分、製造工程数を低減することができる。
また、前記遮光膜をフローティング状態にしてそれから
の電界効果を低減したので、薄膜トランジスタの特性を
向上することができる。
の電界効果を低減したので、薄膜トランジスタの特性を
向上することができる。
以下、本発明の構成について、アクティブ・マトリック
ス方式のカラー液晶表示装置に本発明を適用した一実施
例とともに説明する。
ス方式のカラー液晶表示装置に本発明を適用した一実施
例とともに説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
本発明の一実施例であるアクティブ・マトリックス方式
のカラー液晶表示装置の液晶表示部の1画素を第1図(
平面−)及び第2図(第1図の■−■切断線で切った断
面図)で示す。
のカラー液晶表示装置の液晶表示部の1画素を第1図(
平面−)及び第2図(第1図の■−■切断線で切った断
面図)で示す。
第1図及び第2図に示すように、液晶表示装置は、下部
透明ガラス基板5UBIの内側(液晶側)の表面上に、
薄膜トランジスタTPT及び透明画素電極ITO1で構
成される画素を有している。
透明ガラス基板5UBIの内側(液晶側)の表面上に、
薄膜トランジスタTPT及び透明画素電極ITO1で構
成される画素を有している。
下部透明ガラス基板SUB 1は1.1 [mm]程度
の厚さで構成されている。
の厚さで構成されている。
薄膜トランジスタTPTは、主に、ゲート電極GT、ゲ
ート絶縁膜G1.i型半導体層AS、ドレイン電極(又
はソース電極)SDI、ソース電極(又はドレイン電極
)Sn2で構成されている。
ート絶縁膜G1.i型半導体層AS、ドレイン電極(又
はソース電極)SDI、ソース電極(又はドレイン電極
)Sn2で構成されている。
前記ゲート電極GTは、例えば断線を防止するために、
Cr層上にMO層を積層した複合膜で形成する。ゲート
電極GTは走査信号線(水平信号線)GLと一体に構成
されそれに接続されている。
Cr層上にMO層を積層した複合膜で形成する。ゲート
電極GTは走査信号線(水平信号線)GLと一体に構成
されそれに接続されている。
この走査信号線OLは、第1図において列方向に延在し
、行方向に所定間隔で複数本配置されている。
、行方向に所定間隔で複数本配置されている。
i型半導体層ASは薄膜トランジスタTPTのチャネル
形成領域として使用される。i型半導体層Asは非晶質
珪素膜又は多結晶珪素膜で形成されている。
形成領域として使用される。i型半導体層Asは非晶質
珪素膜又は多結晶珪素膜で形成されている。
ドレイン電極SDI、ソース電極SD2の夫々はi型半
導体層AS上に夫々離隔して設けられている。ドレイン
電極SDI、ソース電極SD2の夫々は、回路のバイア
ス極性が変ると、動作上、ソースとドレインが入れ替わ
るように構成されている。ドレイン電極S01.ソース
電極SD2の夫々は、例えば、i型半導体層ASに接触
する下層側からCr層、AQ層の夫々を順次積層して形
成されている。01層はi型半導体層ASとAQ層との
反応を防止するバリア層として形成されている。AQ層
は、信号伝達速度を速くする低抵抗材料であり、主配線
材料として使用される。
導体層AS上に夫々離隔して設けられている。ドレイン
電極SDI、ソース電極SD2の夫々は、回路のバイア
ス極性が変ると、動作上、ソースとドレインが入れ替わ
るように構成されている。ドレイン電極S01.ソース
電極SD2の夫々は、例えば、i型半導体層ASに接触
する下層側からCr層、AQ層の夫々を順次積層して形
成されている。01層はi型半導体層ASとAQ層との
反応を防止するバリア層として形成されている。AQ層
は、信号伝達速度を速くする低抵抗材料であり、主配線
材料として使用される。
薄膜トランジスタTPTの一方のソース電極SD2には
1画素毎に設けられた透明画素電極ITO1が接続され
ている。透明画素電極IT○1は液晶表示部の画素電極
の一方を構成する。他方のドレイン電極SDIは映像信
号線(垂直信号線)DLと一体に構成されそれに接続さ
れている。この映像信号線DLは、第1図において行方
向に延在し、列方向に所定間隔で複数本配置されている
。
1画素毎に設けられた透明画素電極ITO1が接続され
ている。透明画素電極IT○1は液晶表示部の画素電極
の一方を構成する。他方のドレイン電極SDIは映像信
号線(垂直信号線)DLと一体に構成されそれに接続さ
れている。この映像信号線DLは、第1図において行方
向に延在し、列方向に所定間隔で複数本配置されている
。
第1図に示すように、1つの画素は2本の走査信号線G
Lと2本の映像信号線DLとで囲まれた領域内に配置さ
れている。この領域内に配置された1つの画素の薄膜ト
ランジスタは、2本のうちの一方の走査信号線GL、2
本のうちの一方の映像信号線DLの夫々に接続されてい
る。
Lと2本の映像信号線DLとで囲まれた領域内に配置さ
れている。この領域内に配置された1つの画素の薄膜ト
ランジスタは、2本のうちの一方の走査信号線GL、2
本のうちの一方の映像信号線DLの夫々に接続されてい
る。
薄膜トランジスタTPT及び透明画素電極IT01上番
嗟よ保護膜PSVIが設けられている。保護膜PSV1
は、主に薄膜トランジスタTPTを湿気等から保護する
ために形成されており、透明性が高くしかも耐湿性の良
い酸化珪素膜や窒化珪素膜で形成する。
嗟よ保護膜PSVIが設けられている。保護膜PSV1
は、主に薄膜トランジスタTPTを湿気等から保護する
ために形成されており、透明性が高くしかも耐湿性の良
い酸化珪素膜や窒化珪素膜で形成する。
薄膜トランジスタTPTの少なくともチャネル形成領域
上には、保護膜PSVIを介在させて、外部光がチャネ
ル形成領域として使用されるi型半導体層ASに入射さ
れないように遮光膜LSIが設けられている。遮光膜L
SIは、例えばAQ層、Cr層、それらの複合層等、遮
光性を有する材料で形成されている。
上には、保護膜PSVIを介在させて、外部光がチャネ
ル形成領域として使用されるi型半導体層ASに入射さ
れないように遮光膜LSIが設けられている。遮光膜L
SIは、例えばAQ層、Cr層、それらの複合層等、遮
光性を有する材料で形成されている。
液晶LCは、下部透明ガラス基板5UBIと上部透明ガ
ラス基板5UB2との間に形成された空間内に、液晶分
子の向きを設定する下部配向膜ORI 1.上部配向膜
○RI2の夫々に規定されて封入されている。
ラス基板5UB2との間に形成された空間内に、液晶分
子の向きを設定する下部配向膜ORI 1.上部配向膜
○RI2の夫々に規定されて封入されている。
下部配向膜0RIIは下部透明ガラス基板1側の保護膜
PSVIの上部に形成される。下部配向膜0R11は例
えば感光性ポリイミド系樹脂材料で形成する。
PSVIの上部に形成される。下部配向膜0R11は例
えば感光性ポリイミド系樹脂材料で形成する。
上部透りガラス基板5UB2の内側(液晶側)の表面に
は、カラーフィルタFIL、保護膜PSv2、共通透明
画素電極ITO2及び前記上部配向膜0RI2が順次積
層して設けられている。
は、カラーフィルタFIL、保護膜PSv2、共通透明
画素電極ITO2及び前記上部配向膜0RI2が順次積
層して設けられている。
前記共通透明画素電極ITO2は、下部透明ガラス基板
5UBI側に画素毎に設けられた透明画素電極ITOI
に対向し、隣接する他の共通透明画素電極ITO2と一
体に構成されている。つまり、共通透明画素電極ITO
2は上部透明ガラス基板5UB2の内側の表面の略全域
に設けられている。
5UBI側に画素毎に設けられた透明画素電極ITOI
に対向し、隣接する他の共通透明画素電極ITO2と一
体に構成されている。つまり、共通透明画素電極ITO
2は上部透明ガラス基板5UB2の内側の表面の略全域
に設けられている。
カラーフィルタFILは、その配列を図示していないが
、赤色フィルタ(R)、緑色フィルタ(G)及び青色フ
ィルタ(B)の3色の色フィルタで構成されている。夫
々の色フィルタは各画素毎にそれに対向する位置に配置
されている。カラーフィルタFILは1例えばアクリル
樹脂を主体とする膜を画素毎に染料で染め分けることに
よって形成することができる。
、赤色フィルタ(R)、緑色フィルタ(G)及び青色フ
ィルタ(B)の3色の色フィルタで構成されている。夫
々の色フィルタは各画素毎にそれに対向する位置に配置
されている。カラーフィルタFILは1例えばアクリル
樹脂を主体とする膜を画素毎に染料で染め分けることに
よって形成することができる。
前記保護膜PSV2は、前記カラーフィルタFILを異
なる色に染め分けた染料が液晶LCに漏れることを防止
するために設けられている。保護膜PSV2は1例えば
、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の透明樹脂材料で
形成されている。
なる色に染め分けた染料が液晶LCに漏れることを防止
するために設けられている。保護膜PSV2は1例えば
、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の透明樹脂材料で
形成されている。
この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板5UBl側、
上部透明ガラス基板5UB2側の夫々の層を別々に形成
し、その後、上下透明ガラス基板5UBI及び5UB2
を重ね合せ、両者間に液晶LCを封入することによって
組み立てられる。
上部透明ガラス基板5UB2側の夫々の層を別々に形成
し、その後、上下透明ガラス基板5UBI及び5UB2
を重ね合せ、両者間に液晶LCを封入することによって
組み立てられる。
下部透明ガラス基板SUB 1、上部透明ガラス基板5
UB2の夫々の外側の表面には、偏光板POLが形成さ
れている。
UB2の夫々の外側の表面には、偏光板POLが形成さ
れている。
このように構成される液晶表示装置は、第1図及び第2
図に示すように、走査信号線OL上、映像信号線DL上
の夫々に遮光用導体膜LS2が設けられている。遮光用
導体膜LS2は、走査信号線OL、映像信号線DLの夫
々の幅寸法に比べて若干大きなサイズ(例えばマスク合
せずれ量分或はそれ以上大きなサイズ)で構成されてい
る。また、遮光用導体膜LS2は、透明画素電極ITO
1と重ならないように或は若干型なるように構成する。
図に示すように、走査信号線OL上、映像信号線DL上
の夫々に遮光用導体膜LS2が設けられている。遮光用
導体膜LS2は、走査信号線OL、映像信号線DLの夫
々の幅寸法に比べて若干大きなサイズ(例えばマスク合
せずれ量分或はそれ以上大きなサイズ)で構成されてい
る。また、遮光用導体膜LS2は、透明画素電極ITO
1と重ならないように或は若干型なるように構成する。
遮光用導体膜LS2は、走査信号線GL、映像信号線D
Lの夫々と液晶LCとの間に設けられていればよく、本
実施例においては保護膜PS■1と下部配向膜0RII
との間に設けられている。
Lの夫々と液晶LCとの間に設けられていればよく、本
実施例においては保護膜PS■1と下部配向膜0RII
との間に設けられている。
前記遮光用導体膜LS2は、薄膜トランジスタTPTの
チャネル形成領域上に設けられた遮光膜LSIと同一層
(同一導電層)で構成され、同一製造工程で形成されて
いる。すなわち、遮光用導体膜LS2は、Cr層、AQ
層等の遮光性を有しかつ導電性を有する材料で構成され
ている。この遮光用導体膜LS2は前記遮光膜LSIと
電気的に分離されており、遮光膜LSIは電気的にフロ
ーティグ状態で構成されている。そして、遮光用導体膜
LS2は、図示していないが、液晶表示装置の周辺部分
(液晶封止部分の近傍部分)において、銀ペース材等の
導電性材料を介在させて共通透明画素電極ITO2と電
気的に接続されている。共通透明画素電極IT○2には
第3図(液晶表示装置の駆動波形図)に示すようにコモ
ン電位が印加されているので、遮光用導体膜LS2には
コモン電位と同一電位が印加されるように構成されてい
る。第3図に示すように、共通透明画素電極IT02、
遮光用導体膜LS2の夫々は例えば−10〜−15[V
]の範囲の固定電位が印加される。走査信号線OLは、
例えばハイレベルを5[vコ、ロウレベルを−20[V
]とする走査信号(例えば63[μS]毎に1 /24
0[μs]のパルス信号)が印加される。映像信号線D
Lは、例えばハイレベルを1.5 EV]、ロウレベル
を−11,5[V]とする映像信号が印加される。
チャネル形成領域上に設けられた遮光膜LSIと同一層
(同一導電層)で構成され、同一製造工程で形成されて
いる。すなわち、遮光用導体膜LS2は、Cr層、AQ
層等の遮光性を有しかつ導電性を有する材料で構成され
ている。この遮光用導体膜LS2は前記遮光膜LSIと
電気的に分離されており、遮光膜LSIは電気的にフロ
ーティグ状態で構成されている。そして、遮光用導体膜
LS2は、図示していないが、液晶表示装置の周辺部分
(液晶封止部分の近傍部分)において、銀ペース材等の
導電性材料を介在させて共通透明画素電極ITO2と電
気的に接続されている。共通透明画素電極IT○2には
第3図(液晶表示装置の駆動波形図)に示すようにコモ
ン電位が印加されているので、遮光用導体膜LS2には
コモン電位と同一電位が印加されるように構成されてい
る。第3図に示すように、共通透明画素電極IT02、
遮光用導体膜LS2の夫々は例えば−10〜−15[V
]の範囲の固定電位が印加される。走査信号線OLは、
例えばハイレベルを5[vコ、ロウレベルを−20[V
]とする走査信号(例えば63[μS]毎に1 /24
0[μs]のパルス信号)が印加される。映像信号線D
Lは、例えばハイレベルを1.5 EV]、ロウレベル
を−11,5[V]とする映像信号が印加される。
このように、液晶表示装置において、走査信号線GL、
映像信号線DLの夫々と液晶LCとの間に遮光用導体膜
LS2を設け、この遮光用導体膜LS2と共通透明画素
電極ITO2とを電気的に接続することにより、走査信
号線GL、映像信号線DLの夫々の部分を覆い、光漏れ
を低減したので、コントラスト等の映像特性を向上する
ことができると共に、走査信号線GL、映像信号線DL
の夫々の部分と共通透明画素電極ITO2との間の電位
差を低減し、液晶LCに加わる直流電圧成分を低減した
ので、配向不良等の液晶LCの寿命を向上することがで
きる。
映像信号線DLの夫々と液晶LCとの間に遮光用導体膜
LS2を設け、この遮光用導体膜LS2と共通透明画素
電極ITO2とを電気的に接続することにより、走査信
号線GL、映像信号線DLの夫々の部分を覆い、光漏れ
を低減したので、コントラスト等の映像特性を向上する
ことができると共に、走査信号線GL、映像信号線DL
の夫々の部分と共通透明画素電極ITO2との間の電位
差を低減し、液晶LCに加わる直流電圧成分を低減した
ので、配向不良等の液晶LCの寿命を向上することがで
きる。
また、前記遮光用導体膜LS2は、画素の薄膜トランジ
スタTPTのチャネル形成領域上に設けられた遮光膜L
SIと同一製造工程で形成したことにより、前記遮光膜
LSIを形成する工程で遮光用導体膜LS2を形成する
ことができるので、遮光用導体膜LS2を形成する工程
に相当する分。
スタTPTのチャネル形成領域上に設けられた遮光膜L
SIと同一製造工程で形成したことにより、前記遮光膜
LSIを形成する工程で遮光用導体膜LS2を形成する
ことができるので、遮光用導体膜LS2を形成する工程
に相当する分。
液晶表示装置の製造工程数を低減することができる。
また、前記遮光用導体膜LS2、前記遮光膜LS1の夫
々を電気的に分離することにより、前記遮光膜LSIを
フローティング状態にしてそれからの電界効果を低減し
たので、ゲート電極GTの選択時以外に不要にチャネル
が形成されることを防止し、薄膜トランジスタTPTの
特性を向上することができる。
々を電気的に分離することにより、前記遮光膜LSIを
フローティング状態にしてそれからの電界効果を低減し
たので、ゲート電極GTの選択時以外に不要にチャネル
が形成されることを防止し、薄膜トランジスタTPTの
特性を向上することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが1本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。
基づき具体的に説明したが1本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。
例えば1本発明は、走査信号線及び映像信号線の双方上
に必ずしも設ける必要はなく、走査信号線、映像信号線
の夫々のうち点灯現象が生じる一方上に設けてもよい。
に必ずしも設ける必要はなく、走査信号線、映像信号線
の夫々のうち点灯現象が生じる一方上に設けてもよい。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
液晶表示装置において、映像特性を向上すると共に、液
晶の寿命を向上することができる。
晶の寿命を向上することができる。
第1図は、本発明の一実施例であるアクティブ・マトリ
ックス方式のカラー液晶表示装置の液晶表示部の1つの
画素を示す平面図、 第2図は、前記第1図の■−■切断線で切った断面図、 第3図は、前記液晶表示装置の駆動波形図である。 図中、5UB1・・・上部透明ガラス基板、5UB2・
・・下部透明ガラス基板、LC・・・液晶、TPT・・
・薄膜トランジスタ、ITOI・・・透明画素電極、■
TO2・・・共通透明画素電極、GT・・・ゲート電極
、OL・・・走査信号線、SDI・・・ドレイン電極、
SD2・・・ソース電極、DL・・・映像信号線、LS
l・・・遮光膜、LS2・・・遮光用導体膜である。 \、−ニー/ 第1図 第3図
ックス方式のカラー液晶表示装置の液晶表示部の1つの
画素を示す平面図、 第2図は、前記第1図の■−■切断線で切った断面図、 第3図は、前記液晶表示装置の駆動波形図である。 図中、5UB1・・・上部透明ガラス基板、5UB2・
・・下部透明ガラス基板、LC・・・液晶、TPT・・
・薄膜トランジスタ、ITOI・・・透明画素電極、■
TO2・・・共通透明画素電極、GT・・・ゲート電極
、OL・・・走査信号線、SDI・・・ドレイン電極、
SD2・・・ソース電極、DL・・・映像信号線、LS
l・・・遮光膜、LS2・・・遮光用導体膜である。 \、−ニー/ 第1図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、走査信号線と映像信号線との交差部分に複数の画素
が配置され、この複数の画素に対向する位置に液晶を介
在させて共通透明画素電極を配置する液晶表示装置にお
いて、前記走査信号線又は映像信号線と前記液晶との間
に、前記走査信号線又は映像信号線と電気的に分離した
遮光用導体膜を設け、該遮光用導体膜と前記共通透明画
素電極とを電気的に接続したことを特徴とする液晶表示
装置。 2、前記画素は薄膜トランジスタと透明画素電極とで構
成され、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域と前
記液晶との間には遮光膜が設けられており、前記遮光用
導体膜は前記遮光膜と同一導電膜で構成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の液晶表示装
置。 3、前記遮光用導体膜、遮光膜の夫々は電気的に分離さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載
の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63135474A JPH01306820A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63135474A JPH01306820A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01306820A true JPH01306820A (ja) | 1989-12-11 |
Family
ID=15152561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63135474A Pending JPH01306820A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01306820A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0469622A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Nec Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| EP0569601A4 (en) * | 1991-11-29 | 1994-12-21 | Seiko Epson Corp | LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF. |
| JPH0943639A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Sony Corp | 透過型表示装置 |
| EP0733929A3 (en) * | 1995-03-20 | 1997-08-20 | Sony Corp | Active matrix display device |
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| JP2023040469A (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
-
1988
- 1988-06-03 JP JP63135474A patent/JPH01306820A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2015065446A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9224609B2 (en) | 2009-12-04 | 2015-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device using oxide semiconductor |
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