JPH01307228A - パターン形成法 - Google Patents
パターン形成法Info
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- JPH01307228A JPH01307228A JP63137572A JP13757288A JPH01307228A JP H01307228 A JPH01307228 A JP H01307228A JP 63137572 A JP63137572 A JP 63137572A JP 13757288 A JP13757288 A JP 13757288A JP H01307228 A JPH01307228 A JP H01307228A
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- Japan
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- resist
- pattern
- heat treatment
- resist pattern
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置あるいは磁気バブル等の製造におい
て用いられるリソグラフィ技術に係り、特にフォトリソ
グラフィの解像限界を越えた微細溝パターンの形成に有
効なパターン形成法に関する。
て用いられるリソグラフィ技術に係り、特にフォトリソ
グラフィの解像限界を越えた微細溝パターンの形成に有
効なパターン形成法に関する。
従来のりソグラフイの限界を超えた微細溝パターンの形
成方法では、特開昭６１−１０２００７号に記載の様に
多層レジスト法の上層レジストパターン上にシリコン酸
化膜等を堆積し、これを異方性ドライエツチングにより
エツチングし、上層レジストパターン側面にシリコン酸
化膜等のサイドウオールを形成し、これを下層膜に転写
する事により上層レジストパターンより微細な溝パター
ンの形成を可能としていた。
成方法では、特開昭６１−１０２００７号に記載の様に
多層レジスト法の上層レジストパターン上にシリコン酸
化膜等を堆積し、これを異方性ドライエツチングにより
エツチングし、上層レジストパターン側面にシリコン酸
化膜等のサイドウオールを形成し、これを下層膜に転写
する事により上層レジストパターンより微細な溝パター
ンの形成を可能としていた。
上記従来技術では多層レジスト法に対し、上層レジスト
のＤｅｅｐＵＶハードニング工程及びシリコン酸化膜等
の堆積工程の２工程が新たに加わる為。
のＤｅｅｐＵＶハードニング工程及びシリコン酸化膜等
の堆積工程の２工程が新たに加わる為。
工程の複雑化を共に処理時間の増大が問題であった。
本発明の目的は特殊な工程、装置を必要とする事なく、
フォトリソグラフィの解像限界を超えた微細溝パターン
の形成法を提供する事にある。
フォトリソグラフィの解像限界を超えた微細溝パターン
の形成法を提供する事にある。
上記目的は、寸法変換の方法としてレジストパターン形
成後に熱処理を行なってレジストパターンの断面形状を
変形させ、その底辺長を増大させる事により達成される
。
成後に熱処理を行なってレジストパターンの断面形状を
変形させ、その底辺長を増大させる事により達成される
。
本パターン形成法は、レジストパターン形成後に熱処理
を行ないレジストの断面形状を矩形から半円状へと変形
させ、底辺長を増大させる。これを下地被加工膜へ転写
する事によりレジスト溝パターンより微細な下地膜溝パ
ターンを形成する事が可能となる。
を行ないレジストの断面形状を矩形から半円状へと変形
させ、底辺長を増大させる。これを下地被加工膜へ転写
する事によりレジスト溝パターンより微細な下地膜溝パ
ターンを形成する事が可能となる。
以下、本発明の一実施例を説明する。
第１図（ａ）に示す様に基板１の上に下層有機膜２を形
成し、下層有機膜２の上に中間層無機膜３を形成し、こ
の上に上層レジストを塗布しプリベータを行なう、更に
露光、現像により上層レジス１−パターン４を形成する
。
成し、下層有機膜２の上に中間層無機膜３を形成し、こ
の上に上層レジストを塗布しプリベータを行なう、更に
露光、現像により上層レジス１−パターン４を形成する
。
次に第１図（ｂ）に示す様にベークを行ない熱処理後の
上層レジストパターン４′を形成する。
上層レジストパターン４′を形成する。
次に第１図（Ｑ）に示す様に異方性ドライエツチングに
より中間層無機膜３をエツチングする。
より中間層無機膜３をエツチングする。
次に第１図（ｄ）に示す様に異方性ドライエツチングに
より下層有機膜２をエツチングする。
より下層有機膜２をエツチングする。
この結果、第２図に示す従来のパターン形成法では上層
レジスト溝幅ｔ１と下層有機膜溝幅ｔ３の関係がｔ１≦
ｔ８であるのに対し、本発明のパターン形成法では上層
レジスト溝幅ｔ１と下層有機膜溝幅ｔ２の関係はｔ、１
＞ｔ２となり、微細な溝パターンを形成する事ができた
。上記実施例の一例を以下詳細に述べる。上層レジスト
として７３Ｍ１１８８００（東京応化）を１．０μｍ塗
布し、露光、現像により０．６μｍ格子パターンを形成
し、ホットプレートにて１６０℃、６分のベーク後、ド
ライエツチングにより中間層無機膜、下層有機膜へと順
次パターンを転写する。この時、１６０℃、６分のベー
クを行なう前の上層レジスト溝幅は１１＝０．６μｍで
あるのに対し、下層有機膜溝幅はｔａ＝０．４μｍとな
り、０．２μｍの寸法変換ができた。
レジスト溝幅ｔ１と下層有機膜溝幅ｔ３の関係がｔ１≦
ｔ８であるのに対し、本発明のパターン形成法では上層
レジスト溝幅ｔ１と下層有機膜溝幅ｔ２の関係はｔ、１
＞ｔ２となり、微細な溝パターンを形成する事ができた
。上記実施例の一例を以下詳細に述べる。上層レジスト
として７３Ｍ１１８８００（東京応化）を１．０μｍ塗
布し、露光、現像により０．６μｍ格子パターンを形成
し、ホットプレートにて１６０℃、６分のベーク後、ド
ライエツチングにより中間層無機膜、下層有機膜へと順
次パターンを転写する。この時、１６０℃、６分のベー
クを行なう前の上層レジスト溝幅は１１＝０．６μｍで
あるのに対し、下層有機膜溝幅はｔａ＝０．４μｍとな
り、０．２μｍの寸法変換ができた。
尚、上記実施例でレジストの熱処理条件（熱フロー条件
）は１６０℃６分としたが、この温度、時間はレジスト
の材質、膜厚番こよって最適値は異なる。また、目標の
熱変形（フロー）の量、すなわち寸法変換量に対応し、
高精度な条件設定が重要である。また、レジストの熱処
理（熱フロー）前あるいは熱処理（熱フロー）中に、レ
ジストに紫外線を照射する事によりレジストの熱変形（
フロー）量を変える事も可能である。さらに、基板１の
加熱方法は、多くの方法を用いることができるが、高精
度な温度２時間制御を行なうには基板を真空吸着等で熱
プレートに固着する。いｂゆるホットプレートタイプを
用いる事が望ましい。
）は１６０℃６分としたが、この温度、時間はレジスト
の材質、膜厚番こよって最適値は異なる。また、目標の
熱変形（フロー）の量、すなわち寸法変換量に対応し、
高精度な条件設定が重要である。また、レジストの熱処
理（熱フロー）前あるいは熱処理（熱フロー）中に、レ
ジストに紫外線を照射する事によりレジストの熱変形（
フロー）量を変える事も可能である。さらに、基板１の
加熱方法は、多くの方法を用いることができるが、高精
度な温度２時間制御を行なうには基板を真空吸着等で熱
プレートに固着する。いｂゆるホットプレートタイプを
用いる事が望ましい。
本発明を半導体メモリ素子の作成に適用した倒を示す、
第３図はメモリ蓄積容量パターンを示す。
第３図はメモリ蓄積容量パターンを示す。
第３図に示す様に本発明により形成したメモリ蓄積容量
パターン５は、従来法により形成したメモリ蓄積容量パ
ターン５′より面積を増大させる事ができる。また、隣
接するメモリ蓄積容量パターンの間隔ｔａ、 ｔａ’に
おいて、従来法による間隔１ 、 ／ はリソグラフ
ィの解像限界に制限されるのに対し１本発明による間隔
ｔａはリソグラフィの解像限界を超えた、より微細なも
のとする事ができる。
パターン５は、従来法により形成したメモリ蓄積容量パ
ターン５′より面積を増大させる事ができる。また、隣
接するメモリ蓄積容量パターンの間隔ｔａ、 ｔａ’に
おいて、従来法による間隔１ 、 ／ はリソグラフ
ィの解像限界に制限されるのに対し１本発明による間隔
ｔａはリソグラフィの解像限界を超えた、より微細なも
のとする事ができる。
尚、ここでは代表的な適用例を示したが、本発明の目的
は微細溝、穴パターンの形成にあり、この効果を必要と
するたとえば電極コンタクトパターン、配線パターン等
いかなる工程にも適用可能であることは言うまでもない
。
は微細溝、穴パターンの形成にあり、この効果を必要と
するたとえば電極コンタクトパターン、配線パターン等
いかなる工程にも適用可能であることは言うまでもない
。
〔発明の効果〕゛
本発明によれば、レジストパターンの寸法を変換する事
ができるので、リソグラフィの解像限界を超えた微細な
溝パターンを形成する事ができる。
ができるので、リソグラフィの解像限界を超えた微細な
溝パターンを形成する事ができる。
さらに上記発明を半扉体素子の製造に適用する事により
、素子の高密度化、高集積化が達成できる。
、素子の高密度化、高集積化が達成できる。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図、第２図は従来
法によるパターン形成法を示す工程図、第３図は本発明
の詳細な説明するための図である。 １・・・基板、２・・・下層有機膜、３・・・中間層無
機膜、４・・・上層レジストパターン、４′・・・熱処
理後の上層レジスタパターン、ｔｚ・・・上層レジスト
溝幅。 ｔｚ・・・下層有機膜溝幅、ｔ３・・・下層有機膜溝幅
、５・・・本発明により形成したメモリ蓄積容量パター
ン、５′・・・従来法により形成したメモリ蓄積容量パ
ターン、ｔ４・・・隣接するパターンの間隔、ｔ 、
１箒１凹 第 ２７
法によるパターン形成法を示す工程図、第３図は本発明
の詳細な説明するための図である。 １・・・基板、２・・・下層有機膜、３・・・中間層無
機膜、４・・・上層レジストパターン、４′・・・熱処
理後の上層レジスタパターン、ｔｚ・・・上層レジスト
溝幅。 ｔｚ・・・下層有機膜溝幅、ｔ３・・・下層有機膜溝幅
、５・・・本発明により形成したメモリ蓄積容量パター
ン、５′・・・従来法により形成したメモリ蓄積容量パ
ターン、ｔ４・・・隣接するパターンの間隔、ｔ 、
１箒１凹 第 ２７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レジスト膜を露光、現象してレジストパターンを形
成した後、熱処理を行なう事により上記レジストパター
ンの断面形状を変形させ寸法変換する事を特徴とするパ
ターン形成法。 ２、前記レジスト膜が多層レジストの上層レジストであ
る事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターン
形成法。 ３、前記レジストパターンの寸法変換工程がパターン寸
法の変換量に対応して、温度、熱処理時間、雰囲気の全
て、あるいは少なくともいずれかについて一定、あるい
は連続的もしくは段階的にそれぞれ制御する事を特徴と
した特許請求の範囲第１項記載のパターン形成法。 ４、前記レジストパターンの寸法変換工程の前もしくは
寸法変換工程中に紫外線照射を行なう事を特徴とした特
許請求の範囲第１項記載のパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63137572A JPH01307228A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | パターン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63137572A JPH01307228A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | パターン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01307228A true JPH01307228A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15201856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63137572A Pending JPH01307228A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | パターン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01307228A (ja) |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1988
- 1988-06-06 JP JP63137572A patent/JPH01307228A/ja active Pending
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