JPH01307648A - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置Info
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- JPH01307648A JPH01307648A JP13905188A JP13905188A JPH01307648A JP H01307648 A JPH01307648 A JP H01307648A JP 13905188 A JP13905188 A JP 13905188A JP 13905188 A JP13905188 A JP 13905188A JP H01307648 A JPH01307648 A JP H01307648A
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- amplifier
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
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- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、板状体上に形成された２つの同一パターン中
の欠陥を検査する欠陥検査装置に関し、パターン中の欠
陥を判定する精度を向上させることを目的とし、 板状体上に形成された２つの同一パターンに光を照射し
、それぞれのパターンの透過光（または反射光）の光量
を比較してその比較結果に基づきパターンの欠陥を検査
する欠陥検査装置において、それぞれのパターンの透過
光（または反射光）の光量差を監視する光量監視手段と
、当該光量監視手段の出力に応じて当該光量差を減する
ように少なくとも一方のパターンの透過光の光量を補正
する光量差補正手段とを備え、当該光量差補正手段によ
り補正された光量を比較対象とするよう構成した。
の欠陥を検査する欠陥検査装置に関し、パターン中の欠
陥を判定する精度を向上させることを目的とし、 板状体上に形成された２つの同一パターンに光を照射し
、それぞれのパターンの透過光（または反射光）の光量
を比較してその比較結果に基づきパターンの欠陥を検査
する欠陥検査装置において、それぞれのパターンの透過
光（または反射光）の光量差を監視する光量監視手段と
、当該光量監視手段の出力に応じて当該光量差を減する
ように少なくとも一方のパターンの透過光の光量を補正
する光量差補正手段とを備え、当該光量差補正手段によ
り補正された光量を比較対象とするよう構成した。
本発明は、板状体上に形成された２つの同一パターン中
の欠陥を検査する欠陥検査装置に関する。
の欠陥を検査する欠陥検査装置に関する。
半導体の製造工程において、レチクルを原版として縮小
露光装置により配線、コンタクトホール等の所定パター
ンをシリコンウェハ上にバターニングする。そのパター
ンの良否の判定はガラスウェハにパターニングした状態
で行う、ガラスウェハはガラス基板上にクロム膜を蒸着
し、更にその上に７オトレジストを塗布した構成のもの
で、パターンに応じてフォトレジスト層を露光・現像・
エツチング処理することでパターンが形成される。
露光装置により配線、コンタクトホール等の所定パター
ンをシリコンウェハ上にバターニングする。そのパター
ンの良否の判定はガラスウェハにパターニングした状態
で行う、ガラスウェハはガラス基板上にクロム膜を蒸着
し、更にその上に７オトレジストを塗布した構成のもの
で、パターンに応じてフォトレジスト層を露光・現像・
エツチング処理することでパターンが形成される。
レチクルには、１チップ分のパターンが複数個配列され
ており、またそのレチクルをウェハ上で繰り返し露光す
ることで、同一チップのパターンがウェハ上で多数複製
される。このＭ、Ｉｉ！されたチップの内、レチクル上
の位置が異なるチップを検査することで、レチクルの欠
陥を検査することができる。
ており、またそのレチクルをウェハ上で繰り返し露光す
ることで、同一チップのパターンがウェハ上で多数複製
される。このＭ、Ｉｉ！されたチップの内、レチクル上
の位置が異なるチップを検査することで、レチクルの欠
陥を検査することができる。
ガラスウェハ上に転写された左右対称のパターンは本来
同一のものであるが、種々の原因により差異を生ずる０
例えば、ガラスウェハ上のフォトレジストの塗布層の厚
さが不均一であったような場合には、配線パターンの太
さが左右のチップで異なり、差異を生ずる。また、レチ
クル上のパターンの一方に塵が付着していたような場合
には、ガラスウェハに転写された一方のチップにはドロ
ップアウトが生ずることになり、同様にパターンに差異
を生ずる。この様な左右のパターンの非対称化はパター
ンの微細化が進むにつれてより顕著になる。パターンが
非対称であっても、単に配線パターンの太さが異なる程
度では問題はなく、欠陥品とはならないが、コンタクト
ホール等パターンの一部にドロップアウトがあったよう
な場合には欠陥品として排除する必要がある。かかる欠
陥があるかどうかを検査するために欠陥検査装置が用い
られる。
同一のものであるが、種々の原因により差異を生ずる０
例えば、ガラスウェハ上のフォトレジストの塗布層の厚
さが不均一であったような場合には、配線パターンの太
さが左右のチップで異なり、差異を生ずる。また、レチ
クル上のパターンの一方に塵が付着していたような場合
には、ガラスウェハに転写された一方のチップにはドロ
ップアウトが生ずることになり、同様にパターンに差異
を生ずる。この様な左右のパターンの非対称化はパター
ンの微細化が進むにつれてより顕著になる。パターンが
非対称であっても、単に配線パターンの太さが異なる程
度では問題はなく、欠陥品とはならないが、コンタクト
ホール等パターンの一部にドロップアウトがあったよう
な場合には欠陥品として排除する必要がある。かかる欠
陥があるかどうかを検査するために欠陥検査装置が用い
られる。
従来の欠陥検査装置を第３図を参照しながら説明する。
第３図において、光源１の下方には一対の対物レンズ２
Ａ、２Ｂが配置されており、その下方には対物レンズ２
Ａ、２Ｂからの出射光と垂直平面上にガラスウェハ３が
配置されている。ガラスウェハ３の下方には、ガラスウ
ェハ３上の左右対称なパターン３Ａ、３Ｂを透過した光
が入射する位置に集光レンズ４Ａ、４Ｂが配置されてい
る。更に、集光レンズ４Ａ、４Ｂの下方にはフォトマル
チプライヤ（光電子増倍管）等からなる受光素子５Ａ、
５Ｂが配置され、受光素子５Ａ、５Ｂの出力はプリアン
プ６Ａ、６Ｂにそれぞれ入力するように接続されている
。プリアンプ６Ａ、６Ｂの出力は比較回路９の入力に接
続されており、比較回路９からは２人力の比較結果が出
力される構成となっている。
Ａ、２Ｂが配置されており、その下方には対物レンズ２
Ａ、２Ｂからの出射光と垂直平面上にガラスウェハ３が
配置されている。ガラスウェハ３の下方には、ガラスウ
ェハ３上の左右対称なパターン３Ａ、３Ｂを透過した光
が入射する位置に集光レンズ４Ａ、４Ｂが配置されてい
る。更に、集光レンズ４Ａ、４Ｂの下方にはフォトマル
チプライヤ（光電子増倍管）等からなる受光素子５Ａ、
５Ｂが配置され、受光素子５Ａ、５Ｂの出力はプリアン
プ６Ａ、６Ｂにそれぞれ入力するように接続されている
。プリアンプ６Ａ、６Ｂの出力は比較回路９の入力に接
続されており、比較回路９からは２人力の比較結果が出
力される構成となっている。
次に動作について説明する。
光源１からの光は対物レンズ２Ａ、２Ｂを通過してガラ
スウェハ３上のパターン３Ａ、３Ｂに照射される。パタ
ーンの背景部のガラス基板を透過した光は集光レンズ４
Ａ、４Ｂでそれぞれ集光されてから、受光素子６Ａ、６
Ｂに入射する。受光素子６Ａ、６Ｂで受光した光は電気
信号に変換され、プリアンプ６Ａ、６Ｂでそれぞれ増幅
された後比較回路９に入力され、左右パターン３Ａ、３
Ｂの透過光量の差分が所定の基準値と比較される。比較
回路９は、透過光量の差分が基準値を越えている場合に
は高レベルの電圧を出力し、越えていない場合には低レ
ベルの電圧を出力する。
スウェハ３上のパターン３Ａ、３Ｂに照射される。パタ
ーンの背景部のガラス基板を透過した光は集光レンズ４
Ａ、４Ｂでそれぞれ集光されてから、受光素子６Ａ、６
Ｂに入射する。受光素子６Ａ、６Ｂで受光した光は電気
信号に変換され、プリアンプ６Ａ、６Ｂでそれぞれ増幅
された後比較回路９に入力され、左右パターン３Ａ、３
Ｂの透過光量の差分が所定の基準値と比較される。比較
回路９は、透過光量の差分が基準値を越えている場合に
は高レベルの電圧を出力し、越えていない場合には低レ
ベルの電圧を出力する。
ガラスウェハ３上に・形成された左右のパターン３Ａ、
３Ｂが同一であれば、受光素子５Ａ、５Ｂで受光した光
量に差はなく、したがって、比較回路９からは低レベル
の電圧が出力されて欠陥なしとの判定がされる。しかし
、パターン形成時の露光条件の不均一化等に起因して左
右のパターンの太さに差があるような場合には、ガラス
ウェハ３上のパターン自体には同等欠陥がなくても、受
光素子５Ａ、５Ｂにおける受光量に差が生じ、比較回路
９からは高レベルの電圧が出力されてパターンに欠陥あ
りとの判定がされることになる。その為、従来の欠陥検
査装置においては、比較回路９における基準値を高く設
定して検査感度を下げることで、本来的に欠陥のないパ
ターンが欠陥あつと判定されないようにしていた。とこ
ろが、この様にすると、コンタクトホール等のドロップ
アウトがあるためパターンの透過光量に相当程度の差が
あり、本来欠陥ありと判定されなければならないような
場合にも、欠陥なしとの判定がされてしまい問題となっ
ていた。
３Ｂが同一であれば、受光素子５Ａ、５Ｂで受光した光
量に差はなく、したがって、比較回路９からは低レベル
の電圧が出力されて欠陥なしとの判定がされる。しかし
、パターン形成時の露光条件の不均一化等に起因して左
右のパターンの太さに差があるような場合には、ガラス
ウェハ３上のパターン自体には同等欠陥がなくても、受
光素子５Ａ、５Ｂにおける受光量に差が生じ、比較回路
９からは高レベルの電圧が出力されてパターンに欠陥あ
りとの判定がされることになる。その為、従来の欠陥検
査装置においては、比較回路９における基準値を高く設
定して検査感度を下げることで、本来的に欠陥のないパ
ターンが欠陥あつと判定されないようにしていた。とこ
ろが、この様にすると、コンタクトホール等のドロップ
アウトがあるためパターンの透過光量に相当程度の差が
あり、本来欠陥ありと判定されなければならないような
場合にも、欠陥なしとの判定がされてしまい問題となっ
ていた。
したがって、従来の欠陥検査装置においては、比較回路
９の基準値を低く設定し、左右のパターンの透過光量の
差が比較的小さい場合にも欠陥あつと判定するようにす
れば、本来的に欠陥のないパターンまでも欠陥あつと誤
判定してしまうことになる。逆に、比較回路９の基準値
を高く設定し、透過光量の差が比較的大きい場合のみ欠
陥なしとの判定をするように構成すると、本来的に欠陥
のあるパターンまでも欠陥なしと誤判定してしまうこと
になり、実質的に検査の実効が計れないという問題を有
していた。
９の基準値を低く設定し、左右のパターンの透過光量の
差が比較的小さい場合にも欠陥あつと判定するようにす
れば、本来的に欠陥のないパターンまでも欠陥あつと誤
判定してしまうことになる。逆に、比較回路９の基準値
を高く設定し、透過光量の差が比較的大きい場合のみ欠
陥なしとの判定をするように構成すると、本来的に欠陥
のあるパターンまでも欠陥なしと誤判定してしまうこと
になり、実質的に検査の実効が計れないという問題を有
していた。
本発明は、上記従来例の欠点に鑑みてなされたもので、
パターン中の欠陥を判定する精度を向上させた欠陥検査
装置を提供することを目的とする。
パターン中の欠陥を判定する精度を向上させた欠陥検査
装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するために、第１図の原理図
に示すように構成した。第１図中、第３図に示した従来
例と同一の構成要素には同一の参照番号を付しである。
に示すように構成した。第１図中、第３図に示した従来
例と同一の構成要素には同一の参照番号を付しである。
板状体３上に形成された２つの同一のパターン３Ａ、３
Ｂに光源１より光を照射し、それぞれのパターンの透過
光（または反射光）の光量を比較回路９で比較し、その
比較結果に基づきパターンの欠陥を検査するよう構成さ
れた従来の欠陥検査装置に対して、比較回路９の前段に
光量監視手段７と光量補正手段８とを設けた。光量監視
手段７は差動アンプにより構成され、それぞれのパター
ンの透過光（反射光でもよい、）の光量差を監視するも
のであり、パターン３Ａ、３Ｂを透過して受光素子５Ａ
、５Ｂで受光され電気信号に変換されたものを二人力と
して動作するもので、光量差に応じた信号が出力される
。光量補正手段８はオペアンプ８Ａ、８Ｂで構成され、
それぞれの入力には受光素子５Ａ、５Ｂから出力されプ
リアンプ６Ａ、６Ｂで増幅された電気信号が入力される
。光量監視手段７の出力によりそれぞれのオペアンプ８
Ａ、８Ｂのゲインが制御される。オペアンプのゲインは
、パターン３Ａ、３Ｂの透過光量に差があるために受光
素子５Ａ、５Ｂからの出力信号のレベルに差がある場合
には、レベルの高い方の信号レベルを低くするように対
応するオペアンプのゲインを下げるか、レベルの低い方
の信号レベルを高くするように対応するオペアンプのゲ
インを上げるよう制御する０両方の信号レベルの差が減
する方向に両方の信号レベルを相互に調整してもよい、
この様に、光量差補正手段８により補正された信号を比
較回路９の入力とするようにした。
Ｂに光源１より光を照射し、それぞれのパターンの透過
光（または反射光）の光量を比較回路９で比較し、その
比較結果に基づきパターンの欠陥を検査するよう構成さ
れた従来の欠陥検査装置に対して、比較回路９の前段に
光量監視手段７と光量補正手段８とを設けた。光量監視
手段７は差動アンプにより構成され、それぞれのパター
ンの透過光（反射光でもよい、）の光量差を監視するも
のであり、パターン３Ａ、３Ｂを透過して受光素子５Ａ
、５Ｂで受光され電気信号に変換されたものを二人力と
して動作するもので、光量差に応じた信号が出力される
。光量補正手段８はオペアンプ８Ａ、８Ｂで構成され、
それぞれの入力には受光素子５Ａ、５Ｂから出力されプ
リアンプ６Ａ、６Ｂで増幅された電気信号が入力される
。光量監視手段７の出力によりそれぞれのオペアンプ８
Ａ、８Ｂのゲインが制御される。オペアンプのゲインは
、パターン３Ａ、３Ｂの透過光量に差があるために受光
素子５Ａ、５Ｂからの出力信号のレベルに差がある場合
には、レベルの高い方の信号レベルを低くするように対
応するオペアンプのゲインを下げるか、レベルの低い方
の信号レベルを高くするように対応するオペアンプのゲ
インを上げるよう制御する０両方の信号レベルの差が減
する方向に両方の信号レベルを相互に調整してもよい、
この様に、光量差補正手段８により補正された信号を比
較回路９の入力とするようにした。
上記構成を有する本発明によれば、それぞれのパターン
の透過光に光量差があると、光量監視手段７より光量差
に応じた信号が出力がされる。光量監視手段７の出力に
応じて、光量差補正手段８が作動し光量差を減するよう
に少なくとも一方の光量を補正する。そして、補正され
た光量を比較回路９における比較対象とする。比較回路
９においては、補正された光量同士の差分を基準値と比
較し、当該差分が基準値を越えていれば欠陥なしとの判
定をし、基準値を越えていなければ欠陥なしとの判定を
する。
の透過光に光量差があると、光量監視手段７より光量差
に応じた信号が出力がされる。光量監視手段７の出力に
応じて、光量差補正手段８が作動し光量差を減するよう
に少なくとも一方の光量を補正する。そして、補正され
た光量を比較回路９における比較対象とする。比較回路
９においては、補正された光量同士の差分を基準値と比
較し、当該差分が基準値を越えていれば欠陥なしとの判
定をし、基準値を越えていなければ欠陥なしとの判定を
する。
第２図は本発明の詳細な説明するための回路構成図を示
したものである。第１図に示した原理図に対応するもの
であるが、第１図中の光源１、対物レンズ２Ａ、２Ｂ、
ガラスウェハ３、集光レンズ４Ａ、４Ｂ、受光素子５Ａ
、５Ｂは省略しである。
したものである。第１図に示した原理図に対応するもの
であるが、第１図中の光源１、対物レンズ２Ａ、２Ｂ、
ガラスウェハ３、集光レンズ４Ａ、４Ｂ、受光素子５Ａ
、５Ｂは省略しである。
第１図中、プリアンプ６Ａ、６Ｂ及び比較回路９は従来
例と同じものであり、その説明を省略する。
例と同じものであり、その説明を省略する。
本実施例が従来例と異なるところは、第一に、プリアン
７’６Ａ、６Ｂの出力を入力に接続した差動アンプ７′
を設け、差動アングア′の出力に抵抗ＲＡとＲ３とを介
してＰＮＰトランジスタＴＡとＮＰＮ トランジスタＴ
８とがそれぞれ接続されている点にある。ＰＮＰトラン
ジスタＴ＾とＮＰＮトランジスタＴＢのそれぞれのエミ
ッタは接地されており、コレクタはそれぞれ電球ＬＡ。
７’６Ａ、６Ｂの出力を入力に接続した差動アンプ７′
を設け、差動アングア′の出力に抵抗ＲＡとＲ３とを介
してＰＮＰトランジスタＴＡとＮＰＮ トランジスタＴ
８とがそれぞれ接続されている点にある。ＰＮＰトラン
ジスタＴ＾とＮＰＮトランジスタＴＢのそれぞれのエミ
ッタは接地されており、コレクタはそれぞれ電球ＬＡ。
Ｌａを介して負電源−■と正電源十Ｖに接続されている
。このうち差動アンプ７′、抵抗Ｒ１、Ｒａ、及びＰＮ
Ｐ ）ランジスタＴＡ、ＮＰＮトランジスタＴ８とが光
量監視手段７を構成している。
。このうち差動アンプ７′、抵抗Ｒ１、Ｒａ、及びＰＮ
Ｐ ）ランジスタＴＡ、ＮＰＮトランジスタＴ８とが光
量監視手段７を構成している。
第二に本実施例が従来例と異なる点は、グリアンプ６Ａ
、６Ｂと比較回路９との間にオペアンプ８Ａ、８Ｂが接
続されていることである。オペアンプ８Ａ、８Ｂそれぞ
れの非反転入力端子にはプリアンプ６Ａ、６Ｂの出力が
印加されており、反転入力端子とオペアンプ８Ａ、８Ｂ
の出力間にはＣｄＳセルＣＡ、Ｃｅが帰還抵抗として接
続されている。この電球Ｌ 、ＬＢ、ＣｄＳセルＣ＾
。
、６Ｂと比較回路９との間にオペアンプ８Ａ、８Ｂが接
続されていることである。オペアンプ８Ａ、８Ｂそれぞ
れの非反転入力端子にはプリアンプ６Ａ、６Ｂの出力が
印加されており、反転入力端子とオペアンプ８Ａ、８Ｂ
の出力間にはＣｄＳセルＣＡ、Ｃｅが帰還抵抗として接
続されている。この電球Ｌ 、ＬＢ、ＣｄＳセルＣ＾
。
ＣＢおよびオペアンプ８Ａ、８Ｂが光量差補正手段を構
成している。
成している。
次に動作を説明する。
今、パターン３Ａを透過した光量に比べてパターン３Ｂ
を透過した光量の方が多いと仮定すると、グリアンプ６
Ａの出力信号のレベルよりもプリアンプ６Ｂの出力信号
のレベルの方が高くなる。このプリアンプ６Ａ、６Ｂの
出力信号が差動アングア′の非反転入力端子と反転入力
端子にそれぞれ入力される。差動アンプ７′からはパタ
ーンの透過光量の差に比例しな゛レベルの正の電圧が出
力される。すると、ＮＰＮトランジスタＴ、はオンとな
り、電球ＬＢが点灯する。一方、ＰＮＰ トランジスタ
ＴＡはオフであり、電球ＬＡは点灯しない。
を透過した光量の方が多いと仮定すると、グリアンプ６
Ａの出力信号のレベルよりもプリアンプ６Ｂの出力信号
のレベルの方が高くなる。このプリアンプ６Ａ、６Ｂの
出力信号が差動アングア′の非反転入力端子と反転入力
端子にそれぞれ入力される。差動アンプ７′からはパタ
ーンの透過光量の差に比例しな゛レベルの正の電圧が出
力される。すると、ＮＰＮトランジスタＴ、はオンとな
り、電球ＬＢが点灯する。一方、ＰＮＰ トランジスタ
ＴＡはオフであり、電球ＬＡは点灯しない。
電球Ｌ が点灯するとＣｄＳセルＣＢの抵抗値が減少し
オペアンプ８Ｂのゲインが低下する。ｆｌ！！方、オペ
アンプ８Ａの側では、ＣｄＳセルＣＡの抵抗値が最大と
なっておりオペアンプ８Ａのゲインは設定最大値を維持
する。この結果、透過光量が多いなめ高レベルにあった
プリアンプ６Ｂの出力は、プリアンプ６Ａの出力に比べ
て増幅度が押さえられる。すなわち、オペアンプ８Ｂの
ゲインが低下するために、パターン３Ａと３Ｂに対する
光の透過光量の差が減するように補正されたことになる
。
オペアンプ８Ｂのゲインが低下する。ｆｌ！！方、オペ
アンプ８Ａの側では、ＣｄＳセルＣＡの抵抗値が最大と
なっておりオペアンプ８Ａのゲインは設定最大値を維持
する。この結果、透過光量が多いなめ高レベルにあった
プリアンプ６Ｂの出力は、プリアンプ６Ａの出力に比べ
て増幅度が押さえられる。すなわち、オペアンプ８Ｂの
ゲインが低下するために、パターン３Ａと３Ｂに対する
光の透過光量の差が減するように補正されたことになる
。
このオペアンプ８Ｂにより補正された信号が比較回路９
に印加され、他方のオペアンプ８Ａから出力された信号
と比較される。比較の結果、オペアン７８Ａと８Ｂのレ
ベル差が所定の基準値を越えていれば、パターンの一部
にドロップアウト等の欠陥があったものとみなして、比
較回路９より高レベルの電圧が出力される。逆に、入力
信号にレベル差があってもそれが基準値を越えていなけ
れば、低レベルの電圧を出力して欠陥なしとの判定をす
る。
に印加され、他方のオペアンプ８Ａから出力された信号
と比較される。比較の結果、オペアン７８Ａと８Ｂのレ
ベル差が所定の基準値を越えていれば、パターンの一部
にドロップアウト等の欠陥があったものとみなして、比
較回路９より高レベルの電圧が出力される。逆に、入力
信号にレベル差があってもそれが基準値を越えていなけ
れば、低レベルの電圧を出力して欠陥なしとの判定をす
る。
パターン３Ａを透過した光量に比べてパターン“３Ｂを
透過した光量の方が少ない場合には、上記説明とは逆の
動作をする。すなわち、差動アングア′はパターンの透
過光量の差に比例したレベルの負の電圧を出力し、ＰＮ
Ｐ）ランジスタＴＡがオンとなり、ＮＰＮトランジスタ
ＴＢがオフとなる。したがって、今度は電球ＬＡが点灯
して、電球Ｌ の光を受光したＣｄＳセルＣＡの抵抗値
が八 減少する。そのためオペアンプ８Ａのゲインは減少し、
オペアンプ６Ａの出力信号の増幅度はプリアンプ６Ｂの
出力信号の増幅度に比べて低下する６そして、両オペア
ンプ８Ａ、８Ｂの出力レベルが比較回路９で比較され、
上述のような判定がされる。
透過した光量の方が少ない場合には、上記説明とは逆の
動作をする。すなわち、差動アングア′はパターンの透
過光量の差に比例したレベルの負の電圧を出力し、ＰＮ
Ｐ）ランジスタＴＡがオンとなり、ＮＰＮトランジスタ
ＴＢがオフとなる。したがって、今度は電球ＬＡが点灯
して、電球Ｌ の光を受光したＣｄＳセルＣＡの抵抗値
が八 減少する。そのためオペアンプ８Ａのゲインは減少し、
オペアンプ６Ａの出力信号の増幅度はプリアンプ６Ｂの
出力信号の増幅度に比べて低下する６そして、両オペア
ンプ８Ａ、８Ｂの出力レベルが比較回路９で比較され、
上述のような判定がされる。
以上、本発明を実施例に従って説明したが、種々の変形
が可能である０例えば、ガラスウェハの反射光をガラス
ウェハの入射側に設けたハーフミラ−によって偏向して
これを受光素子で受光し欠陥検査を行ってもよい。また
、実施例では、一方のオペアンプのゲインを下げること
で補正を行っているが、他方のオペアンプのゲインを上
げるようにしてもよく、双方のオペアンプのゲインを相
互に調整するように構成してもよい、また、本発明は、
レチクルからガラスウェハに転写されたパターンを検査
することを前提に説明したが、レチクル上のパターンを
直接本発明の欠陥検査装置により検査するようにしても
よい。
が可能である０例えば、ガラスウェハの反射光をガラス
ウェハの入射側に設けたハーフミラ−によって偏向して
これを受光素子で受光し欠陥検査を行ってもよい。また
、実施例では、一方のオペアンプのゲインを下げること
で補正を行っているが、他方のオペアンプのゲインを上
げるようにしてもよく、双方のオペアンプのゲインを相
互に調整するように構成してもよい、また、本発明は、
レチクルからガラスウェハに転写されたパターンを検査
することを前提に説明したが、レチクル上のパターンを
直接本発明の欠陥検査装置により検査するようにしても
よい。
以上説明したように、本発明によればミ半導体製造工程
で用いるガラスウェハ上に形成されたパターンの欠陥を
高精度で検査できるという効果がある。
で用いるガラスウェハ上に形成されたパターンの欠陥を
高精度で検査できるという効果がある。
第１図は、本発明に係わる欠陥検査装置を説明するため
の原理図、 第２図は、本発明の実施例を示した回路図、第３図は、
従来の欠陥検査装置の構成を示した図である。 ■・・・光源 ２Ａ、２Ｂ・・・対物レンズ ３Ａ、３Ｂ・・・ガラスウェハ ４Ａ、４Ｂ・・・集光レンズ ５Ａ、５Ｂ・・・受光素子 ６Ａ、６Ｂ・・・プリアンプ ７・・・光量監視手段 ７′・・・差動アンプ ８・・・光量補圧手段 ８Ａ、８Ｂ・・・オペアンプ ９・・・比較回路 本発シリ夏理瞭 再 １ ズ 耳 ２ 図 従来の欠陥倹を装置の構＠：図 Ｍ ３ 図
の原理図、 第２図は、本発明の実施例を示した回路図、第３図は、
従来の欠陥検査装置の構成を示した図である。 ■・・・光源 ２Ａ、２Ｂ・・・対物レンズ ３Ａ、３Ｂ・・・ガラスウェハ ４Ａ、４Ｂ・・・集光レンズ ５Ａ、５Ｂ・・・受光素子 ６Ａ、６Ｂ・・・プリアンプ ７・・・光量監視手段 ７′・・・差動アンプ ８・・・光量補圧手段 ８Ａ、８Ｂ・・・オペアンプ ９・・・比較回路 本発シリ夏理瞭 再 １ ズ 耳 ２ 図 従来の欠陥倹を装置の構＠：図 Ｍ ３ 図
Claims (1)
- 板状体（３）上に形成された２つの同一パターン（３
Ａ、３Ｂ）に光（１）を照射し、それぞれのパターン（
３Ａ、３Ｂ）の透過光（または反射光）の光量を比較し
てその比較結果に基づきパターンの欠陥を検査する欠陥
検査装置において、それぞれのパターン（３Ａ、３Ｂ）
の透過光（または反射光）の光量差を監視する光量監視
手段（７）と、当該光量監視手段（７）の出力に応じて
当該光量差を減するように少なくとも一方のパターンの
透過光の光量を補正する光量差補正手段（６Ａ、６Ｂ）
とを備え、当該光量差補正手段（６Ａ、６Ｂ）により補
正された光量を比較対象としたことを特徴とする欠陥検
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13905188A JPH01307648A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13905188A JPH01307648A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01307648A true JPH01307648A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15236330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13905188A Pending JPH01307648A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01307648A (ja) |
-
1988
- 1988-06-06 JP JP13905188A patent/JPH01307648A/ja active Pending
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