JPH01308905A - 半導体位置検出器による形状高速測定方法と形状高速認識装置 - Google Patents

半導体位置検出器による形状高速測定方法と形状高速認識装置

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JPH01308905A
JPH01308905A JP9793588A JP9793588A JPH01308905A JP H01308905 A JPH01308905 A JP H01308905A JP 9793588 A JP9793588 A JP 9793588A JP 9793588 A JP9793588 A JP 9793588A JP H01308905 A JPH01308905 A JP H01308905A
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JP
Japan
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measured
light
measurement
semiconductor device
device detector
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JP9793588A
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English (en)
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Masato Ozawa
正人 小沢
Akihiko Nakamura
明彦 中村
Masahiro Isoda
将博 磯田
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Juki Corp
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Juki Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は測定対象物の非接触検査技術に係り、半導体装
置検出器による形状高速測定方法と形状高速認識装置に
関するものである。
[従来の技術] 従来より、鉄鋼プラントにおける高温・高速度走行物体
の形状認識や、機械工業や電気工業での傷つきやすい物
体の寸法或は変位量の計測等、多くの産業分野において
、非接触で、高精度且つ高速応答が可能な距離センサが
要求されている。そこで、この種の非接触式距離センサ
としては、殊に急激な光デバイスの進歩により、光学式
距離センサとしてレーザ光を用いた三角測量方式のレー
ザ距離センサが実用化されており、このレーザ距離セン
サを使った三角測量方式による各種計測装置が開発され
ている。
上記レーザ距離センサとしては、第7図に示すように、
小型で高出力の半導体レーザ50と、高分解能で高速応
答性を有する半導体装置検出器51 (Po5itio
n 5ensitive Device)を組合わせた
ものが知られており、投光レンズ53によって集光した
半導体レーザ50からの投射光を、測定対象物a上に小
さなスポット光f1として照射し、この測定対象物aか
らの反射光f2を、受光レンズ54により半導体装置検
出器51の受光面上の一点に集光する構造になっている
。こうして半導体装置検出器51上の集光スポットの変
位によって測定対象物aまでの距離を求めることができ
る。
[発明が解決しようとする課題] しかし上記従来の技術では、光スポットをできるだけ細
く絞った状態で点検出しな方が高精度に検出することが
できるものであるが、ある程度広い面積をもった平面を
測定するために、該光スポットによって面を走査するに
は光スポットが小さい程、計測に長時間を要する問題を
有していた。
例えば、電気基板上にパターンを描画する場合、あらか
じめ基板の凹凸を測定すると同時にその結果を描画ヘッ
ドにフィードバックして、該描画ヘッドを上下に駆動す
ることにより基板と描画ノズルの距離を一定に保持する
必要があるが、この場合は上記のように光スポット1点
で測定した高さ測定点は測定の都度被測定側の基板を移
動台(X−Yテーブル)により移動させて走査測定しな
くてはならず、5C11四方の基板を100μmの光ス
ポットで隙間なく走査測定すると、約4分もの測定時間
を要していた。
本発明は上記間圧に鑑みてなされたものであり、測定対
象物の表面検査に於いて、測定時間を短縮し且つ高精度
の測定を実施することができる半導体装置検出器による
形状高速測定方法を提唱することを目的とすると共に、
その測定方法を実施するための形状高速認識装置を提供
することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段] 本発明に係る半導体装置検出器による形状高速測定方法
は、測定対象物に照射した光スポットの反射光を半導体
装置検出器の受光面に集光して、三角測量の演算によっ
て該測定対象物の照射面の高さを計測する方法において
、上記測定対象物に照射する光スポットを光束位置変更
手段を介して、該測定対象物面上において走査移動せし
めると共に、該各走査移動ステップごとに上記半導体装
置検出器からの出力値を読み込み、これに所定の演算を
加えた出力値群を計測値とすることを要旨とするもので
ある。
また、上記方法を具体化する構造としては、光源と上記
測定対象物間との光束上に、該測定対象物面上に照射す
る光スポットを走査移動する光束位置変更手段を介挿す
ると共に、上記半導体装置検出器の後段に該各走査移動
ステップごとに出力値を読み込み、これに所定の演算を
加える同期演算回路を構成することができる。
[作用] 本発明の原理は第1図に示すように、半導体レーザ1か
らの投射光を投光レンズ群2.3によって集光して、測
定対象物a上に小さな光スポットf1として照射し、こ
の測定対象物aからの反射光f2を、受光レンズ6によ
り二次元PSD7 (以下PSD7と称する)の受光面
上の一点に集光する構造にすると共に、上記投光レンズ
群2,3の近傍の光軸上に光束位置変更手段4を構成す
るものである。ここで測定対象物aが破線で示すa1位
置に変位すると、受光レンズ6への入射光f2角度が変
化するため、PSDT上の集光スポットは対象物aの変
位(LI  L2)に比例して移動するので、PSD7
上の集光スポットの位置が判れば測定対象物aまでの距
離しを求めることができる。
第1図に示すように、距離りは 八 D=投受光部間の距離 F:受光レンズ6とPSD7間の距離 また、第2図は半導体装置検出器(−次元PSD)の断
面説明図であり、両面が均一な抵抗層により形成されて
おり、抵抗層の両端に信号取り出し用の一対の電極A、
Bが設けられて、光電効果により光電流を生成する。画
電極A、Bの距離をj、抵抗を恥とし、電極Aより光の
入射位置までの距離をX、その部分の抵抗をRxとする
光の入射位置で発生した光生成電流IOは、それぞれの
電極までの抵抗値に逆比例するように分割され、取り出
される電流Ia、Ibは 抵抗層は均一であり、長さと抵抗値が比例するとすれば
、(21式は次のようになる。
(31式より として求められ、(1)式によってLが求められる。
上記方法及び構造によれば、光束位置変更手段によって
測定対象物に照射する光源からの光スポットを、一方向
に走査変位させると共に、他の方向より移動台を平行移
動させ、さらに一方向に走査変位して、順次このように
照射することができ、この照射面からの反射光によるP
SDの出力を走査と対応して読み込みすることによって
、測定速度を高速化することができる。
[実施例] 以下、本発明に係る半導体装置検出器による形状高速測
定方法を実施する形状高速認識装置の好ましい実施例を
図面に従って説明する。
第1図は、本発明の原理、を示す装置の光学系の第一の
実施例であり、光スポットの光源として例えば半導体レ
ーザ1を測定対象物aとの光学的対向位置に設け、該半
導体レーザ1と測定対象物8間の光軸上に、光束を測定
対象物aに対して照射制御するための二組の投光レンズ
群2.3を設けてなると共に、該両しンズ群2.3間に
光軸ど直交する光束位置変更手段4を介挿してなるもの
で、該光束位置変更手段4は、電子駆動制御手段5から
の制御信号によって、測定対象物aに照射する点状に絞
った光束f1を該測定対象物8面上で走査する構造にな
る。符号6は、測定対象物aに照射した光束f1の反射
光束f2を受光する受光レンズであり、該受光レンズ6
の後方焦点位置に位置検出デバイスとしてPSD7を固
設してなる上記構成の光学系は第3図(a)に示すよう
に、半導体レーザ1から投射した光束を光束位置変更手
段4によって電気的に測定対象物a面をY方向に走査移
動するスポット光束f s  (CHl 、 CH2・
・・CHn )に変更すると共に(第一の走査位置b)
、測定対象物を載置した移動台Aを−X方向に移動し、
前記第一の走査位置すに第二の走査位置Cをセット(第
3図(b) ) 、次にY方向に走査移動して、その後
同様の走査を行うことにより第3図(e)に示すように
走査される。また、第3図(c)において、Wラインか
ら下方を測定する必要あるときは上記と同様の方法を繰
り返せばよい。
このようにしてスポット光束f・1の反射光束f2は受
光レンズ6を介してPSD7で位置検出され、後述する
方法によって演算処理し、測定対象物a面の高さ位置を
測定することができる。
ここで、第3図に示した光束変更手段4による走査方法
の他に、X方向に走査移動するスポット光束f1に変更
すると共に、移動台Aを−Y力方向移動し、同様に順次
照射してもよい。
第4図(a)、(b)は上記光学系の光束位置変更手段
4として、マトリックス状に並列した多数の液晶シャッ
タ一部9を、電子駆動制御回路5によって順次走査開口
するように構成した液晶シャツタ−8を設けた実施例を
示すものであり、(a>図は部分斜視図、(b)は(a
)図の断面説明図である。
第5図は、本発明の第一の実施例を示すものであり、前
記半導体レーザ1は、中央制御装置CPUに構成した発
光信号の出力ボート11に半導体レーザ駆動回路12を
介して接続され、所定のタイミングでレーザ光を照射す
る。また液晶シャッター8は液晶制御回路(液晶シャッ
ターコントローラ)13を介して中央制御装置CPUの
出力ボート14に接続しである。前記PSD7は、例え
ば出力電流Ia、Ibをプリアンプ15.16を介して
アナログイッチ17によって切り替え出力すると共に、
サンプルホールド回路18及びアナクロ/デジタル変換
回路1つを介して中央制御袋’II CP Uの入力ボ
ート20に接続してなる。
符号21は中央制御装置1fcPUの入出力ボート22
に接続したモード設定又はステータス表示等を入出力す
ると共に、測定値を表示するための出力表示部である。
上記構成の形状高速認識装置では、液晶シャッター8の
シャッタ一部9を、第4図(b)に示すように光束f1
の一部が透過するように走査移動して測定対象物aに対
する光束f、の照射位置を変更する構造になるため、各
照射位置におけるPSD7からの出力データを予め入力
しておいた数値データ<D、F)を用いて処理演算して
それぞれの位置測定値を得ることができる。
即ち、上記走査速度は液晶シャッター8の応答速度によ
って決定されるようになるものであるが、機械的駆動機
構をもたないため、光束測定を可能にすることができる
ものである。
また上記の処理回路は、PSD7からの出力がアナログ
スイッチの切り替えによって同一のアナログ回路を経由
せしめる構造になるため、信号値のバラつきを防ぐこと
ができる。出力信号は、アナログ部からA/D変換され
てデジタル部の中央制御袋zcpuによって、三角測量
方式に従って演算され、距離情報を得ることができるも
のである。
なお、二次元PSDにおいて、XI、X2の他にyt 
、Y2に対して、同種のプリアンプ15゜16、アナロ
グスイッチ17.サンプルホールド回路18.アナログ
/デジタル変換回路19を介して中央制御装置CPUの
入力ボート20に接続する回路構成は省略しである。
次に、第6図は上記光学系の光束位置変更手段4の第二
の実施例を示すものである。
前記液晶シャッター8に替えて、振動部に光束f1の反
射鏡23を持つボイスコイル25を配置したものであり
、ボイスコイル25は、中央制御装置CPUの出力ボー
ト27に対して接続したボイスコイル駆動回路29を介
して接続してあり、反射鏡23によって反射した光束f
1の光スポットが測定対象物8面上で、走査するように
駆動してなる。さらに、ボイスコイル25のコイル電流
を位置検出器31、入力ボート30を経て中央制御装置
&cPUに出力すると同時にその結果をボイスコイル2
5にフィードバックして高精度の光束測定を可能として
いる。この他にリニヤスケールを用いて動いた量と検出
して所定の移動量にコントロールすることもできる。そ
の他の構成については第1の実施例と同様である。なお
、上記第一および第二実施例において、PSD7の出力
端Xr  X2 、Y+−Y2の後段のプリアンプ、ア
ナログスイッチ、サンプルホールド回路、アナログ/デ
ジタル変換回路入力ボート、中央制御装置CPU等のよ
うなもので同期演算回路を形成している。
また、上述したように、本発明を実施する光束位置変更
手段4は、液晶シャッター8又は反射鏡をボイスコイル
25の振動部に配設した構造のものだけでなく、スポッ
ト状の光束を発する多数の半導体レーザを並列したもの
、発光部から導出する多数の光フアイバーケーブルの光
照射端を並設する等の構造によって走査構造としたもの
、回転ポリゴンミラー等の装置により光束角度を振って
変位せしめる構造にすることもできる。
尚、前記実施例ではPSD7を照射する光スポットを得
るための光源として半導体レーザ1を使用するものにつ
いて説明したが、本発明では半導体レーザに替えてLE
D等の発光素子を使用することもできる。さらに、本発
明の距離センサーを使って、軸を中心に回転する測定対
象物の軸方向にセンサを動かして距離を測定することで
測定対象物の形状を高速認識することもできる。
[発明の効果] 以上述べたように、本発明に係る半導体装置検出器によ
る形状高速測定方法と形状高速認識装置によれば、光束
位置変更手段により測定対象物に照射する光スポットを
走査せしめるようになるため、従来のように該測定対象
物を測定の都度移動させて走査測定させることなく、該
形状の高さ位置情報を正確に得ることが可能となり、計
測速度を大幅に向上させる特徴を有するものであり、プ
リント基板の高さの検出、形状の認識等において殊に有
用であり、本発明実施後の実用的効果は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体装置検出器による形状高速
測定方法の原理を示す光学系の説明図、第2図は半導体
装置検出器の原理を示す断面説明図、第3図(a)、 
(b)、 (c)は光束位置変更手段による走査方法を
示す説明図、第4図(a)、(b)は同光学系の光束位
1変更手段を示す液晶シャッターの斜視図と断面説明図
、第5図は本発明装置の第一の実施例を示す光学系の配
置と制御系のブロック線図、第6図は第二の実施例の光
束位置変更手段を示す光学系の配置図と制御系のブロッ
ク線図、第7図は従来の三角測量方式による光学系の配
置図である。 1・・・半導体レーザ 2.3・・・投光レンズ群 4・・・光束位置変更手段(液晶シャッター8゜反射鏡
23.ボイスコイル25) 5・・・電子駆動制御手段(液晶制御回路13゜ボイス
コイル駆動回路29) 6・・・受光レンズ 7・・・PSD 12・・・半導体レーザ駆動回路 17・・・アナグロスイッチ 18・・・サンプルホールド回路 19・・・アナクロ/デジタル変換回路21・・・出力
表示部 CPU・・・中央制御装置 a・・・測定対象物 出願人の名称  東京重機工業株式会社第1図 第2図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)検出対象物に照射した光スポットの反射光を半導
    体装置検出器の受光面に集光して、該受光位置変位によ
    る三角測量方式によって該測定対象物の上記光スポット
    照射面の相対高さを計測する方法において、上記測定対
    象物に照射する光スポットを光束位置変更手段を介して
    、該測定対象物面上において走査移動せしめると共に、
    該各走査移動ステップごとに上記半導体装置検出器から
    の出力値を読み込み、これに所定の演算を加えた出力値
    群を計測値とする半導体装置検出器による形状高速測定
    方法。
  2. (2)測定対象物に照射した光スポットの反射光を半導
    体装置検出器の受光面に集光して、該受光位置変位によ
    る三角測量方式によって該測定対象物の上記光スポット
    照射面の相対高さを計測する装置において、光源と上記
    測定対象物間の光軸上に、該測定対象物面上に照射する
    光スポットを走査移動する光束位置変更手段を介挿する
    と共に、上記半導体装置検出器の後段に該各走査移動ス
    テップごとに出力値を読み込み、これに所定の演算を加
    える同期演算回路を構成してなる半導体装置検出器によ
    る形状高速認識装置。
JP9793588A 1988-03-31 1988-04-20 半導体位置検出器による形状高速測定方法と形状高速認識装置 Pending JPH01308905A (ja)

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JP63-79608 1988-03-31
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JP (1) JPH01308905A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5373362A (en) * 1992-04-03 1994-12-13 Kabushiki Kaisha Tokai-Rika-Denki-Seisakusho Light source device for measuring shape
CN107036533A (zh) * 2017-05-03 2017-08-11 重庆重科智能装备研究院有限公司 枪管线膛弹堂测量机

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