JPH01310543A - エッチング液 - Google Patents
エッチング液Info
- Publication number
- JPH01310543A JPH01310543A JP14230288A JP14230288A JPH01310543A JP H01310543 A JPH01310543 A JP H01310543A JP 14230288 A JP14230288 A JP 14230288A JP 14230288 A JP14230288 A JP 14230288A JP H01310543 A JPH01310543 A JP H01310543A
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- Japan
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- etching
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- oxide film
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- Pending
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- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
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Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、化合物半導体のエツチング液に関するもので
ある。
ある。
（従来の技術）
ＩＩＩ ＋ Ｖ化合物の中で■族がＡｓ又はＰであるＧ
ａＡｓやＩｎＰに対する、エツチング液は、 Ｈ２Ｓ○４＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２ｏヤＨ３ＰＯ４＋Ｈ２０□
＋Ｈ２ｏノ他多くのエツチング液が見つかっており、こ
れらのエツチング液を用いることにより、エツチング深
さなど、きわめて制御性よくエツチングでき、種々のデ
バイス作製プロセスに用いられている。
ａＡｓやＩｎＰに対する、エツチング液は、 Ｈ２Ｓ○４＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２ｏヤＨ３ＰＯ４＋Ｈ２０□
＋Ｈ２ｏノ他多くのエツチング液が見つかっており、こ
れらのエツチング液を用いることにより、エツチング深
さなど、きわめて制御性よくエツチングでき、種々のデ
バイス作製プロセスに用いられている。
しかし、Ｖ族がｓｂであるＡｌｘＧａ１−ｘＳｂ（ｏ≦
ｘ≦１）に対しては、上記の硫酸系やリン酸系のエツチ
ング液は使えず、これらを適用すると表面が褐色になる
など厚い酸化膜ができたり、表面の凹凸が激しいなどの
問題点があり、デバイスなどを作製する点から考えて、
良いエツチング液ではない。また現在までのところ、Ａ
ｌｘＧａ１−ｘＳｂに対する、制御性の良いエツチング
液は報告されていない。エツチング深さはあまり制御で
きないが、表面の酸化膜が薄いエツチング液としては、 ＣＨ３ＣＯ０Ｈ：ＨＮＯ３：ＨＦ＝４０：１８：２（７
）混合液が報告すしており、（コダマ等、ジャパニーズ
・ジャーナル・オブ・アプライド・フィツクス（Ｊａｐ
ａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ）第２３巻（１９８４年）Ｐ、１６５７）
ＧａＳｂの基板のエツチング等に利用されているが、エ
ツチングレートが１０ｐｍ／分程度であるために、デバ
イスプロセスには使えない。
ｘ≦１）に対しては、上記の硫酸系やリン酸系のエツチ
ング液は使えず、これらを適用すると表面が褐色になる
など厚い酸化膜ができたり、表面の凹凸が激しいなどの
問題点があり、デバイスなどを作製する点から考えて、
良いエツチング液ではない。また現在までのところ、Ａ
ｌｘＧａ１−ｘＳｂに対する、制御性の良いエツチング
液は報告されていない。エツチング深さはあまり制御で
きないが、表面の酸化膜が薄いエツチング液としては、 ＣＨ３ＣＯ０Ｈ：ＨＮＯ３：ＨＦ＝４０：１８：２（７
）混合液が報告すしており、（コダマ等、ジャパニーズ
・ジャーナル・オブ・アプライド・フィツクス（Ｊａｐ
ａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ）第２３巻（１９８４年）Ｐ、１６５７）
ＧａＳｂの基板のエツチング等に利用されているが、エ
ツチングレートが１０ｐｍ／分程度であるために、デバ
イスプロセスには使えない。
現在までのところ、１００人程鹿の制御の可能な、Ａｌ
ＧａＳｂに対するエツチング液は報告されていない。
ＧａＳｂに対するエツチング液は報告されていない。
（発明が解決しようとする問題点）
ＡｌｘＧａｌ−ｘＳｂに対する、１００人程鹿の制御性
のあるエツチング液は報告されておらず、そのために、
この系より構成されている複雑なデバイス構造に対する
、プロセスは困難なものであった。
のあるエツチング液は報告されておらず、そのために、
この系より構成されている複雑なデバイス構造に対する
、プロセスは困難なものであった。
本発明はＡｌｘＧａ１−ｘＳｂ系に対する１００人また
はそれ以下の制御性があり、かつエツチングによって酸
化膜が形成されにくいエツチング液を提供する。
はそれ以下の制御性があり、かつエツチングによって酸
化膜が形成されにくいエツチング液を提供する。
（問題を解決するための手段）
ＡｌｘＧａ１−ｘＳｂ（０≦ｘ≦１）に対するエツチン
グ液として、塩酸：過酸化水素水：水をｗ：ｙ：ｚの比
で混合し、ｗ、ｙ、ｚの値を体積比で１０≦ｗ≦４０．
０＜ｙ≦５゜３０≦ｚ≦１０００の範囲にすることを特
徴とする。
グ液として、塩酸：過酸化水素水：水をｗ：ｙ：ｚの比
で混合し、ｗ、ｙ、ｚの値を体積比で１０≦ｗ≦４０．
０＜ｙ≦５゜３０≦ｚ≦１０００の範囲にすることを特
徴とする。
（作用）
ＡｌｘＧａ１−ｘＳｂのエツチング液として上記の液を
用いることにより、１００Ａ以下のエツチング深さの制
御が可能であり、かつエツチング後に半導体表面に形成
される酸化膜を薄くすることが可能となり、この系の材
料を用いたデバイスの作成が可能となる。
用いることにより、１００Ａ以下のエツチング深さの制
御が可能であり、かつエツチング後に半導体表面に形成
される酸化膜を薄くすることが可能となり、この系の材
料を用いたデバイスの作成が可能となる。
混合する塩酸、過酸化水素水、水の割合にもよるが、数
百に分から数千に分のエツチング速度を、上記混合割合
を変化することにより実現することができる。このエツ
チング速度は従来の酢酸、硝酸、フッ酸を用いたときの
数ｐｍ１分に比べて、はるかにエツチングの制御性が容
易となる。
百に分から数千に分のエツチング速度を、上記混合割合
を変化することにより実現することができる。このエツ
チング速度は従来の酢酸、硝酸、フッ酸を用いたときの
数ｐｍ１分に比べて、はるかにエツチングの制御性が容
易となる。
また従来の酢酸系のエツチング液は、エツチング速度を
小さくしようとして、希薄するなどを行えば、ＧａＳｂ
等の表面が厚い酸化膜におおわれ褐色になるなどの問題
があったが、本発明のエツチング液を用いれば、水によ
って希薄しても、単純にエツチング速度が遅くなるだけ
であり、厚い表面酸化膜などは特にできないという大き
な利点がある。
小さくしようとして、希薄するなどを行えば、ＧａＳｂ
等の表面が厚い酸化膜におおわれ褐色になるなどの問題
があったが、本発明のエツチング液を用いれば、水によ
って希薄しても、単純にエツチング速度が遅くなるだけ
であり、厚い表面酸化膜などは特にできないという大き
な利点がある。
（実施例）
第１表にＧａｒｂ及びＡＩ。、５Ｇａ、５Ｓｂに対する
エツチング速度トシテＨＣ１：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２ｏ＝３０
：５：１７５ノ体積比で混合し、３０°Ｃに保った溶液
でのエツチングによるものと、ＨＣＩ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２
Ｏ＝ ３０：５：３８５ （７）比で混合し３０°Ｃに
保った溶液でのエツチングによるエツチング速度を示す
。前者の溶液によるものではＧａｒｂに対しては２９０
ＯＡ／分、Ａｌｏ、５Ｇａｏ、５Ｓｂに対しては、７３
００Ａ／分が得られ、後者の溶液によるものでは、Ｇａ
ｒｂに対し、１５０ＯＡ／分、Ａｌｏ、５Ｇａｏ５Ｓｂ
に対しては、４２０ＯＡ／分が得られた。ＨＣｌ：Ｈ２
０□：Ｈ２Ｏの比ｗ：ｙ：ｚが１０≦ｗ≦４０．０＜ｙ
≦５，３０≦ｚ≦１０００の範囲で変えてもこれらのエ
ツチング液により、エツチングされた表面は酸化膜また
はエツチングむら等による変色はなく、極めて良好な表
面であった。
エツチング速度トシテＨＣ１：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２ｏ＝３０
：５：１７５ノ体積比で混合し、３０°Ｃに保った溶液
でのエツチングによるものと、ＨＣＩ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２
Ｏ＝ ３０：５：３８５ （７）比で混合し３０°Ｃに
保った溶液でのエツチングによるエツチング速度を示す
。前者の溶液によるものではＧａｒｂに対しては２９０
ＯＡ／分、Ａｌｏ、５Ｇａｏ、５Ｓｂに対しては、７３
００Ａ／分が得られ、後者の溶液によるものでは、Ｇａ
ｒｂに対し、１５０ＯＡ／分、Ａｌｏ、５Ｇａｏ５Ｓｂ
に対しては、４２０ＯＡ／分が得られた。ＨＣｌ：Ｈ２
０□：Ｈ２Ｏの比ｗ：ｙ：ｚが１０≦ｗ≦４０．０＜ｙ
≦５，３０≦ｚ≦１０００の範囲で変えてもこれらのエ
ツチング液により、エツチングされた表面は酸化膜また
はエツチングむら等による変色はなく、極めて良好な表
面であった。
ＨＣｌ、Ｈ２Ｏ２，Ｈ２Ｏの混合比を変えることにより
、エツチング速度の異なる溶液を得ることができ、第１
表の例では、Ｈ２Ｏの比を多くすることにより、よりゆ
るやかなエツチング速度が得られることがわかっている
。従ってエツチング精度に関しては、１００Å以下の精
度があり、エツチング量の制御が容易に行える。
、エツチング速度の異なる溶液を得ることができ、第１
表の例では、Ｈ２Ｏの比を多くすることにより、よりゆ
るやかなエツチング速度が得られることがわかっている
。従ってエツチング精度に関しては、１００Å以下の精
度があり、エツチング量の制御が容易に行える。
第１表
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によるエツチング液を用い
ることにより、ＡｌｘＧａ１−ｘＳｂに対するエツチン
グを１００人またはそれ以下の精度で行うことができ、
かつ酸化膜や、エツチングむら等の少ない良質なエツチ
ング表面が得られる。
ることにより、ＡｌｘＧａ１−ｘＳｂに対するエツチン
グを１００人またはそれ以下の精度で行うことができ、
かつ酸化膜や、エツチングむら等の少ない良質なエツチ
ング表面が得られる。
このエツチング液により、従来のエツチング液では不可
能であった。ＡｌｘＧａ１−ｘＳｂを含む微細構造のデ
バイスに対するプロセスが可能となり、その特性向上に
大きな寄与となる。
能であった。ＡｌｘＧａ１−ｘＳｂを含む微細構造のデ
バイスに対するプロセスが可能となり、その特性向上に
大きな寄与となる。
Claims (1)
- Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＳｂ（但し０≦ｘ≦１）の
エッチング液として、塩酸：過酸化水素水：水をｗ：ｙ
：ｚの比で混合し、ｗ、ｙ、ｚの値は１０≦ｗ≦４０、
０＜ｙ≦５、３０≦ｚ≦１０００の体積比の範囲である
ことを特徴とするエッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14230288A JPH01310543A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | エッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14230288A JPH01310543A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | エッチング液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01310543A true JPH01310543A (ja) | 1989-12-14 |
Family
ID=15312212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14230288A Pending JPH01310543A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | エッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01310543A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003056616A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-10 | Motorola, Inc. | A chemistry for etching quaternary interface layers on ingaasp mostly formed between gaas and inxga(1-x)p layers |
| JP2012043938A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| JP2013222922A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP14230288A patent/JPH01310543A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003056616A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-10 | Motorola, Inc. | A chemistry for etching quaternary interface layers on ingaasp mostly formed between gaas and inxga(1-x)p layers |
| CN100383930C (zh) * | 2001-12-21 | 2008-04-23 | 飞思卡尔半导体公司 | 大部分形成在GaAs与InxGa1－xP层之间的InGaAsP上的四元界面层的腐蚀化学 |
| JP2012043938A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| JP2013222922A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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